NO313918B1 - FremgangsmÕte og apparat for generering av en utladning i damp i en radiofrekvenselektrode - Google Patents
FremgangsmÕte og apparat for generering av en utladning i damp i en radiofrekvenselektrode Download PDFInfo
- Publication number
- NO313918B1 NO313918B1 NO19961534A NO961534A NO313918B1 NO 313918 B1 NO313918 B1 NO 313918B1 NO 19961534 A NO19961534 A NO 19961534A NO 961534 A NO961534 A NO 961534A NO 313918 B1 NO313918 B1 NO 313918B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- hollow
- radio frequency
- electrode
- discharge
- target
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 16
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32596—Hollow cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
Description
Oppfinnelsens område
Den foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte og en anordning for generering av en utladning i egne damper i en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-katode-forstøvning og fordampning av elektroden.
Oppfinnelsens bakgrunn
Selv-katodeforstøvningen av en elektrode-katode ved hjelp av en ionebombardering i egen damp hos denne elektrode, og-så betegnet som "kontinuerlig selv-katodeforstøvning", er et uvanlig katodeforstøvningsfenomen, hvor utladningen for produksjon av nødvendige ioner for en ionebombardering og katodeforstøvning av en elektrode, blir bibeholdt i egne damper hos denne elektrode. Ved dette fenomen bidrar en fordampning av elektrodematerialet til katodeforstøvningen, fordi en ekstremt høy effektdensitet som er typisk for disse utladninger, forårsaker høy temperatur i elektrodeoverflaten. Høy strømdensitet sammen med kraftig ionebombardering og intens emisjon av elektroner på katodeoverflaten, kan anses som en spesiell type plasmabue som genereres i systemet. Bidrag fra forskjellige utladningsfenomener til den totale produksjon av katodemetalldamp, avhenger av eks-perimentelle betingelser, spesielt av (i) den effekt som brukes for generering av utladningen, (ii) avkjøling av elektroden, og (iii) materiale og geometri for elektroden. Dette fenomen ble først omtalt av Hosokawa et al. i 1980 (Anelva Corp. Japan). I deres rapport ble det sylindriske kobbermål katodeforstøvet i en argonutladning generert i en sylindrisk DC magnetron. Da DC effekten tilført til magnet-ronen nådde den spesielle terskelverdi, var et bidrag av kobberioner til den totale ionebombardering av målet, høyt nok til å produsere høyt partielt trykk av kobberdamper for å bibeholde utladningen uten argon. I dette tilfellet ble tilførselen av argon stengt og utladningen ble bare bibeholdt i ren kobberdamp frigitt fra kobbermålelektroden av dens bombardering ved hjelp av selve kobberionene. Kukla et al. (1990, Leybold AG, Tyskland) observerte denne kontinuerlige selv-katodeforstøvning i en planar-magnetron også med kobbermål under bruk av et spesielt optimalisert magne-tisk felt for å øke målerosjonsområdet. De rapporterte om en minimumsmål DC effekt på ca. 80 W/cm<2>, nødvendig for en initiering av den kontinuerlige selv-katodeforstøvning. I de seneste rapporter fra Posadowski (1993) og Shingubara et al. (1993) ble det brukt lignende magnetronanordninger for kontinuerlig selv-katodeforstøvning av kobber ved effekt-densiteter på ca. 100-250 W/cm<2>. Intet annet målmateriale enn kobber ble rapportert som passende målmateriale for den kontinuerlige selv-katodeforstøvning. Grunnen kan tilskri-ves et høyt katodeforstøvningsutbytte av kobber i ionebom-barderingen med hensyn til andre metaller. Ingen andre ka-todef orstøvningsanordninger ble rapportert å generere selv-katodeforstøvningsfenomenet enn megatroner, hvori katode-forstøvningshastighetene er relativt høye på grunn av mag-netisk begrensning av utladningen ved målelektrode- (katode) overflaten og lave driftstrykk for gass sammenlignet med vanlige katodeforstøvningssystemer. Dette lavere driftstrykk er viktig for bibeholdelse av utladningen i me-talldamper, fordi den nødvendige fordampningstemperatur hos mål er lavere ved lavere trykk og den relative densitet i damper i driftsgassen kan derfor være høyere. Uavhengig av denne fordel med magnetroner, ble den kontinuerlige selv-katodeforstøvning utført bare med kobber- og sølvmål.
Ved den foreliggende oppfinnelse blir det benyttet et kato-def or støvnings- og fordampningsprinsipp som nylig er utviklet av oppfinnerne (L. Bårdos, tsjekkisk patentsøknad 1990) for film-katodeforstøvning til hule substrater og tuber. Katodeforstøvningen utføres i den radiofrekvens (RF) gene-rerte plasmastrålé i en driftsgass som flyter i den hule RF elektrode, som virker som en "hul katode" mens "anoden" er selve RF plasmaen. Den hule RF elektrode kan tjene som et mål som blir katodeforstøvet av ioner generert i plasmastrålen. Elektrodematerialet kan reagere med en aktiv gass i plasmastrålen og et produkt av denne reaksjon kan være anbrakt som en tynn film på substratoverflater.
Sammenfatning av oppfinnelsen
En hensikt med den foreliggende oppfinnelse er derfor å råde bot på de tidligere nevnte kjente oppdagelser og ulem-per, og å fremskaffe en forbedret fremgangsmåte og anordning for generering av en utladning i egne damper i en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-katode-forstøvning og fordampning av elektroden.
I et første aspekt ved den foreliggende oppfinnelse innbe-fatter en fremgangsmåte for generering av en utladning i en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-katodeforstøv-ning og fordampning av elektroden, følgende trinn: (a) generering av en radiofrekvensutladning ved hjelp av en radiofrekvenselektrode med hul geometri i en hjelpegass introdusert i utladningsområdet og pumpet til et trykk som er nødvendig for initiering av en hul katode-utladning inne i den hule radiofrekvenselektroden, hvilket forårsaker katodeforstøvning og/eller fordampning av elektrodeoverflaten, (b) økning av radiofrekvenseffekten til den hule elektrode for å forhøye densiteten av damper inneholdende partikler som frigis fra den hule elektrode ved katode-forstøvning og/eller fordampning i den radiofrekvensgenererte hule katodeutladning opp til en densitet ved
hvilken en selvkontinuerlig utladning vedvarer, etter hvilket innstrømningen av hjelpegassen blir stengt og pumpingen av gass fra utladningsområdet blir justert til en verdi som er nødvendig for bibeholdelsen av den selvkontinuerlige utladning .
I et andre aspekt ved den foreliggende oppfinnelse tjener den hule radiofrekvenselektrode som en inngang for hjelpegassen.
I et tredje aspekt ved den foreliggende oppfinnelse er det omtalt en anordning, for generering av en utladning i egne damper av en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-katodeforstøvning av elektroden ifølge to aspekter av den foregående fremgangsmåte, bestående av en reaktor som pumpes av en vakuumpumpe, en radiofrekvensgenerator med en impedansoverensstemmende enhet, en gassbeholder, og ytterligere omfattende minst én hul radiofrekvenselektrode som er hermetisk installert i reaktoren via en isolert vakuumgjen-nommatning og avsluttet av et hult mål, en gassventil anordnet på gassbeholderen for tilførsel av hjelpegass inn i det hule mål i reaktoren, en styreventil mellom reaktoren og vakuumpumpen for pumping av reaktoren, en radiofrekvensgenerator for tilførsel av radiofrekvenseffekt gjennom den impedansoverensstemmende enhet til radiofrekvenselektroden, en mot-elektrode koblet til radiofrekvensgeneratoren for generering av en radiofrekvensplasma mellom radiofrekvenselektroden og motelektroden, en hul katodeutladning generert ved hjelp av radiofrekvenseffekten og radiofrekvensplasmaen inne i det hule mål av den hule radiofrekvenselektrode i en blanding av hjelpegass og damper som er utviklet ved katodeforstøvning og/eller fordampning av en indre del av det hule mål.
I et fjerde aspekt ved den foreliggende oppfinnelse blir
den hule katodeutladning generert ved verdier for radiofrekvenseffekt som er tilstrekkelig for å forårsake intens ka-todef orstøvning og/eller fordampning av det hule mål, idet den hule katodeutladning bibeholdes uten hjelpegass, hvorved gassventilen stenges og pumpehastigheten reduseres ved hjelp av styreventilen.
I et femte aspekt ved den foreliggende oppfinnelse er den hule radiofrekvenselektrode rørformet og hjelpegassen in-troduseres i det hule mål via den hule radiofrekvenselektrode .
I et sjette aspekt ved den foreliggende oppfinnelse blir motelektroden representert enten delvis av reaktorveggen eller av en substratholder med substrater.
I et syvende aspekt ved den foreliggende oppfinnelse blir den hule katodeutladning i det hule mål generert av det magnetiske felt som produseres av magneter eller elektromagnetiske spoler.
Kort omtale av tegningsfigurene
Hensikter, trekk og fordeler ved den foreliggende oppfinnelse som beskrevet tidligere, vil komme klarere frem av beskrivelsen av oppfinnelsen tatt i forbindelse med de føl-gende tegninger, hvor
figur 1 (a) er en skjematisk representasjon av trinn (a) av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen hvor en radiofrekvensutladning blir generert av en radiofrekvenselektrode av en hul geometri i en hjelpegass introdusert i utladningsområdet og som pumpes til et trykk som er nødvendig for en initiering av en hul katodeutladning inne i den hule radiofrekvenselektrode, hvilket forårsaker katodeforstøvning og/eller fordampning av elektrodeoverflaten,
figur 1 (b) er en skjematisk representasjon av trinn (b) av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen hvor en økning av radiofrekvenseffekten til den hule radiofrekvenselektrode forårsaker en selvkontinuerlig utladning i damper inneholdende
partikler som er frigitt fra denne elektroden ved katode-forstøvning og/eller fordampning i den hule katodeutladning uten noen innstrømning av hjelpegassen og med pumpen justert til en verdi som er nødvendig for bibeholdelsen av denne selvkontinuerlige utladning,
figur 2 er et skjematisk planriss av en utførelsesform i-følge den foreliggende oppfinnelse, som viser et eksempel på en anordning for generering av en utladning i egne damper hos en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-
katodeforstøvning av elektroden ifølge fremgangsmåten for den foreliggende oppfinnelse, og
figur 3 er et skjematisk riss av en utførelsesform ifølge den foreliggende oppfinnelse, som viser eksempler på for-skjellig geometri i det hule mål på den hule radiofrekvenselektrode i anordningen ved den foreliggende oppfinnelse.
Detaljert beskrivelse
Under henvisning til figurene 1 (a) og 1 (b), kan fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen beskrives i begge de respek-tive trinn (a) og (b): På figur 1(a) svarende til et trinn (a) av fremgangsmåten ifølge den foreliggende beskrivelse, får en radiofrekvenselektrode 1 med hul geometri, bestemt av et hult mål 2, tilført en radiofrekvenseffekt 3. Elektroden 1 genererer en radiofrekvensutladning 4 i en hjelpegass 5, og en pumpehas-tighet 6 tilpasses til et trykk som er nødvendig for initiering av en hul katodeutladning 7 inne i det hule mål 2 i den hule radiofrekvenselektrode 1. Denne hule katodeutladning 7 blir generert på grunn av et negativt elektrisk po-tensiale (også kjent som "egen-forspenning") av den hule radiofrekvenselektrode 1 dannet automatisk med hensyn til radiofrekvensplasmaen 4 som virker som en virtuell anode. Den hule katodeutladning 7 forårsaker katodeforstøvning og/eller fordampning av den indre elektrodeoverflate som er i kontakt med denne utladning, dvs. av en indre del av det hule mål 2 som avslutter elektroden 1. Således blir den hu-le katodeutladning 7 eksitert, de facto, i en blanding av hjelpegassen 5 og det katodeforstøvede og/eller fordampede materiale av det hule mål 2. Densiteten av damper som er frigitt fra det hule mål 2 avhenger av intensiteten av en ionebombardering med ioner produsert i den hule katodeutladning, som blir påvirket av radiofrekvenseffekten 3. På grunn av målets 2 hule geometri, kan en ionedensitet i den hule katodeutladning 7 være høy ved relativt lav effekt 3, sammenlignet med vanlige katodeforstøvningssystemer. Ved samme radiofrekvenseffekt 3 kan denne effekt være høyere for en elektrode 1 og/eller et mål 2 av mindre størrelse. Hjelpegassens 5 innstrømning i området for radiofrekvensplasmaen 4 og inn i det hule mål 2 i den hule elektrode 1, kan utføres på flere måter. Imidlertid kan genereringen av den hule katodeutladning 7 være mer effektiv når elektroden 1 har en rørform og blir brukt for å introdusere hjelpegassen 5 inn i radiofrekvensutladningen 4.
På figur 1(b) svarende til trinn (b) av fremgangsmåten i-følge den foreliggende oppfinnelse, er det beskrevet en prosedyre som følger trinn (a) av fremgangsmåten. Økning av radiofrekvenseffekten 3 tilført til radiofrekvenselektroden forårsaker en forsterket katodeforstøvning og/eller fordampning av det hule mål 2 og en erosjonssone 8 i det hule mål 2 kan overopphetes av en ionebombardering. Dette forårsaker en forsterket emisjon av elektroner fra erosjonssonen 8, fulgt av en ytterligere ionisering og av en forsterket ionebombardering av denne del. En slik skred-prosess resul-terer i en ekstrem forsterkning av produksjonen av damper som inneholder målmaterialet opp til en kvalitativ ny prosess, når en selvkontinuerlig hul katodeutladning 9 kan brenne i sine egne damper som er frigitt fra det hule mål, og en innstrømning av hjelpegass 5 (markert på figur 1(a)) kan stenges. Ved slike forhold blir pumpehastigheten 6 til-passet for å bibeholde den selvkontinuerlige hule katodeutladning 9. I de fleste tilfeller må pumpehastigheten 6, etter å ha stengt hjelpegassinnstrømningen, reduseres eller pumpingen helt stoppes, avhengig av produksjonen av egne damper. Radiofrekvenseffekten 3 kan økes for å øke damppro-duksjonen, men dens maksimumsverdi er begrenset av en tem-peraturstabilitet på en overopphetet erodert del 8 av det hule mål 2.
Under henvisning til figur 2 vil det bli beskrevet en utfø-relsesform ifølge den foreliggende oppfinnelse, i et eksempel på en anordning for generering av en utladning i egne damper av en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-katodeforstøvning og fordampning av elektroden ifølge den tidligere beskrevne fremgangsmåte. En hul radiofrekvenselektrode 1 som er avsluttet av et hult mål 2 blir hermetisk installert i reaktoren 16 via en isolerende vakuum-gjennommatning 14. Hjelpegass 5 blir introdusert inn i det hule mål i reaktoren via en gassventil 11 fra gassbeholderen 10 og det totale gasstrykk i reaktoren styres av en styreventil 18 mellom reaktoren og vakuumpumpen 17. Radiofrekvenseffekt 3 blir tilført til radiofrekvenselektroden 1 fra en effektpol i en radiofrekvensgenerator 12 via en impedansoverensstemmende enhet med en seriell kapasitans 13. Radiofrekvenskretsen er fullstendiggjort av en motelektrode 15 koblet til en motpol i radiofrekvensgeneratoren 12, og en radiofrekvensplasma 4 blir generert mellom radiofrekvenselektroden 1 og motelektroden 15. Ved tilstrekkelig effekt 3 blir en hul katodeutladning 9 generert inne i det hule mål 2 i en blanding av hjelpegassen 5 og damper som er utviklet ved katodeforstøvning og/eller fordampning av en indre del av det hule mål 2 ved nevnte hule katodeutladning 9. Denne hule katodeutladning 9 kan genereres ved en radiofrekvenseffekt som er høy nok til å forårsake intens kato-def orstøvning og/eller fordampning av det hule mål 2, slik at den hule katodeutladning 9 bare bibeholdes i egne. damper frigitt fra det hule mål 2. Ved disse betingelser blir gassventilen 11 stengt og pumpehastigheten redusert av styreventilen 18. Både den hule radiofrekvenselektrode 1 og det hule mål 2 kan være rørformet og kan bli brukt som en inngang for hjelpegass 5 i reaktoren 16. I mange tilfeller kan motelektroden 15 erstattes med deler av reaktorveggen. Når anordningen skal brukes for avsetting av filmer på substrater, kan motelektrodens rolle oppfylles ved en substratholder som holder substratene 19. Den hule katode-utladning 9 i det hule mål kan genereres i det magnetiske felt som produseres av magneter eller elektromagnetiske spoler 20. I dette arrangement kan densiteten i den hule katodeutladning inne i det hule mål 2 forsterkes av en mag-netisk begrensning. Dette arrangement vil også bli brukt for stabilisering av den hule katodeutladning 9 ved lavere damptrykk enn i et tilfelle uten det magnetiske felt.
Under henvisning til figur 3 viser en utførelsesform for den foreliggende oppfinnelse eksempler på geometri i det hule mål 2 som avslutter den hule radiofrekvenselektrode 1 i anordningen for generering av en utladning i egne damper i en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-forstøv-ning og fordampning av elektroden ifølge den foreliggende oppfinnelse.
På figur 3(a) er det hule mål utformet sylindrisk og montert ved utgangen av den hule radiofrekvenselektrode 1 .• Ra-diof rekvensef fekten 3 blir tilført til radiofrekvenselektroden 1 fra en effektpol av en radiofrekvensgenerator 12 gjennom en impedansoverensstemmende enhet med en seriell kapasitans 13, og hjelpegassen 5 blir introdusert i det hu-le mål gjennom en gassventil 11.
På figur 3(b) omfatter det hule mål 2 et sett med sylinder-formede mål montert på den hule radiofrekvenselektrode 1, og på figur 3 (c) omfatter det hule mål 2 minst to parallel-le plater av det materiale som skal katodeforstøves eller fordampes.
Eksempler
Fremgangsmåten og anordningen ifølge den foreliggende oppfinnelse kan brukes for generering av en utladning i egne
damper for kontinuerlig selv-forstøvning også for metaller andre enn kobber og sølv. På grunn av muligheten for generering av hule radiofrekvenskatodeutladninger i elektroder i en rørform med små diametre (i størrelsesorden 0,1-1 mm), kan en gjennomsnittlig effekt pr. enhetsoverflate være gan-ske høy, opp til størrelsesorden kw/cm<2>, allerede ved en radiofrekvenseffekt i størrelsesorden 100 W. Bidrag av ka-todef orstøvet og/eller fordampet materiale fra målet på grunn av intens ionebombardering kan derfor produsere et
resulterende damptrykk som er høyt nok for bibeholdelse av buetypen av selvkontinuerlig utladning også for harde metaller som Ti. Et eksempel på et typisk sett med prosesspa-rametre for utladning i egne damper for Ti er som følger: en rørformet radiofrekvenselektrode installert i den elektrisk jordede, metalliske detektor blir avsluttet av det Ti rørformede mål med et mål på 5 mm i ytre diameter og 2 mm i indre diameter,
en radiofrekvenseffekt på 150 W genererer ra-diof rekvensplasmaen i reaktoren og det svitsjer også på en hul katodeutladning inne i Ti målet i argon som flyter i radiofrekvenselektroden gjennom målet inn i reaktoren som holdes ved trykk på ca. 0,5 Torr ved kontinuerlig pumping,
ved radiofrekvenseffekt som overstiger 250 W blir Ti målet glødende varmt og en selvkontinuerlig utladning konsentrert rundt utgangen av Ti målet forblir stabilt også etter stenging av argoninnstrømningen fulgt av vesentlig redusering av pumpehastigheten,
ved disse betingelser bekrefter en optisk emisjon fra utladningen nærværet av kun ren titan.
I et annet eksempel har radiofrekvenselektroden med rørfor-met Mg en ytre diameter på 10 mm og en indre diameter på 3 mm. I dette tilfelle er effekten som er nødvendig for generering av utladningen i Ar, >50 W. Utladningen i ren magne-siumdamp kan vedvare ved RF effekt >100 W.
En utladning i egne damper i elektroden ifølge den foreliggende oppfinnelse kan med fordel kombineres med en bestemt liten mengde reaktiv gass som strømmer inn i den hule elektrode. Bidraget fra denne gass til den totale produksjon av målmetalldamp er uvesentlig, men dens hovedrolle er produksjon av forbindelser av målmetallet. Denne reaktive prosess kan utføres ved mye lavere gasstrykk enn ved kon-vensjonelle systemer, og uten trykket av noen bæreedelgas-ser, f.eks. Ar. Dessuten kan den lille mengde av denne reaktive gass lett aktiveres eller ioniseres, hvilket derved forsterker den resulterende hastighet for de plasma-kjemiske reaksjoner.
En utladning i egne damper i elektroden ifølge den foreliggende oppfinnelse kan oppfylles også for DC i stedet for en radiofrekvensgenerering av den hule katodeutladning. Imidlertid er DC utladningen av dårligere stabilitet enn i ra-diof rekvensgenereringen fordi i sistnevnte tilfelle forårsaker radiofrekvensplasmaen en stødig selv-forionisering for den hule katodeutladning. Dessuten, ved DC generering må den tilsvarende anode være arrangert i nærheten av den hule katodeelektrode. Ved radiofrekvensgenerering oppfylles anodens rolle ved selve radiofrekvensplasmaen.
Fremgangsmåten og anordningen ifølge oppfinnelsen har en fordel spesielt ved anvendelser der lokale hule deler av substratoverflaten må avsettes av filmer av ekstrem renhet. Anordningen ifølge oppfinnelsen kan benyttes ikke bare for avsettingen av filmer inne i hule substrater og rør, men også i enten et flerelektrode-arrangement eller i en plan parallell elektrodegeometri for anvendelser i store område-f ilmavsett inger.
Claims (7)
1. Fremgangsmåte for generering av en utladning i egne damper i en radiofrekvenselektrode for kontinuerlig selv-katodeforstøvning og fordampning av elektroden, omfattende følgende trinn: (a) generering av en radiofrekvensutladning (4) ved hjelp av en radiofrekvenselektrode (1) med hul geometri i en hjelpegass (5) introdusert i utladningsområdet og pumpet til et trykk som er nødvendig for initiering av en hul katodeutladning (7) inne i nevnte hule radiofrekvenselektrode, hvilket forårsaker katodeforstøvning og/eller fordampning av elektrodeoverflaten, (b) økning av radiofrekvenseffekten (3) til den hule elektrode for å forhøye densiteten av damper inneholdende partikler som frigis fra nevnte hule elektrode ved nevnte katodeforstøvning og/eller fordampning i en radiofrekvens-generert hul katodeutladning (9), til en densitet ved hvilken en selvkontinuerlig utladning vedvarer, etter hvilket innstrømningen av nevnte hjelpegass blir stengt og pumpingen av gass fra utladningsområdet blir justert til en verdi som er nødvendig for bibeholdelsen av nevnte selvkontinuerlige utladning.
2. Fremgangsmåte som angitt i krav 1, karakterisert ved at nevnte hule radiofrekvenselektrode i trinn (a) tjener som et innløp for nevnte hjelpegass.
3. Anordning for generering av en utladning i egne damper i en radiofrekvenselektrode (1) for kontinuerlig selv-katodeforstøvning av en elektrode, som angitt i kravene 1 og 2, bestående av en reaktor som pumpes av en vakuumpumpe, en radiofrekvensgenerator med en impedansoverensstemmende enhet og en gassbeholder,
karakterisert ved
minst én hul radiofrekvenselektrode (1) som er hermetisk installert i reaktoren via en isolerende vakuumgjen-nommatning (14) og avsluttet av et hult mål (2) ,
en gassventil (11) anordnet på gassbeholderen (10) for tilførsel av hjelpegass (5) inn i det hule mål i reaktoren,
en styreventil (18) mellom nevnte reaktor og vakuumpumpen (17) for pumping av nevnte reaktor,
en radiofrekvensgenerator (12) for tilførsel av radiofrekvenseffekt (3) gjennom den impedansoverensstemmende enhet (13) til nevnte radiofrekvenselektrode,
en motelektrode (15) koblet til nevnte radiofrekvensgenerator for generering av en radiofrekvensplasma (4) mellom nevnte radiofrekvenselektrode og nevnte motelektrode,
en hul katodeutladning (9) generert av nevnte radiofrekvenseffekt og nevnte radiofrekvensplasma inne i nevnte hule mål ved nevnte hule radiofrekvenselektrode i en blanding av nevnte hjelpegass og damper utviklet ved katodefor-støvning og/eller fordampning av en indre del av nevnte hu-le mål.
4. Anordning som angitt i et av de foregående krav, karakterisert ved at nevnte hule katodeutladning blir generert ved verdier av radiofrekvenseffekt som er tilstrekkelig til å forårsake intens katodeforstøv-ning og/eller fordampning av nevnte hule mål; idet nevnte hule katodeutladning bibeholdes uten nevnte hjelpegass, hvorved nevnte gassventil blir stengt og pumpehastigheten reduseres ved hjelp av nevnte styreventil.
5. Anordning som angitt i et av de foregående krav, karakterisert ved at nevnte hule radiofrekvenselektrode er rørformet og nevnte hjelpegass introduse-res i nevnte hule mål gjennom nevnte hule radiofrekvenselektrode.
6. Anordning som angitt i et av de foregående krav, karakterisert ved at nevnte motelektrode er representert enten som en del av reaktorveggen eller som en substratholder med substrater (19).
7. Anordning som angitt i et av de foregående krav, karakterisert ved at nevnte hule katodeutladning i nevnte hule mål blir generert i det magnetiske felt som produseres av magneter eller elektromagnetiske spoler (20).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9303426A SE501888C2 (sv) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden |
| PCT/SE1994/000959 WO1995011322A1 (en) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | A method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO961534D0 NO961534D0 (no) | 1996-04-18 |
| NO961534L NO961534L (no) | 1996-06-05 |
| NO313918B1 true NO313918B1 (no) | 2002-12-23 |
Family
ID=20391460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO19961534A NO313918B1 (no) | 1993-10-18 | 1996-04-18 | FremgangsmÕte og apparat for generering av en utladning i damp i en radiofrekvenselektrode |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5716500A (no) |
| EP (1) | EP0726967B1 (no) |
| JP (1) | JP3778294B2 (no) |
| KR (1) | KR100270892B1 (no) |
| AT (1) | ATE224465T1 (no) |
| AU (1) | AU680958B2 (no) |
| BR (1) | BR9407844A (no) |
| CA (1) | CA2174507C (no) |
| DE (1) | DE69431405T2 (no) |
| ES (1) | ES2185670T3 (no) |
| NO (1) | NO313918B1 (no) |
| SE (1) | SE501888C2 (no) |
| WO (1) | WO1995011322A1 (no) |
Families Citing this family (175)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE503141C2 (sv) * | 1994-11-18 | 1996-04-01 | Ladislav Bardos | Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning |
| US6173672B1 (en) * | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6090457A (en) * | 1997-10-21 | 2000-07-18 | Sanyo Vaccum Industries Co. Ltd. | Process of making a thin film |
| JP2001521989A (ja) * | 1997-11-03 | 2001-11-13 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 被膜形成方法及びこの方法を実施するための装置 |
| CZ286310B6 (cs) * | 1998-05-12 | 2000-03-15 | Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity | Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska |
| JP3973786B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2007-09-12 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング方法及び装置 |
| US6762136B1 (en) * | 1999-11-01 | 2004-07-13 | Jetek, Inc. | Method for rapid thermal processing of substrates |
| US6352629B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Coaxial electromagnet in a magnetron sputtering reactor |
| US6632323B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-14 | Plasmion Corporation | Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma |
| US6444945B1 (en) | 2001-03-28 | 2002-09-03 | Cp Films, Inc. | Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source |
| US20030203123A1 (en) * | 2002-04-26 | 2003-10-30 | Applied Materials, Inc. | System and method for metal induced crystallization of polycrystalline thin film transistors |
| US6896773B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
| US7780793B2 (en) * | 2004-02-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth |
| US20060051966A1 (en) * | 2004-02-26 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
| US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| US7444955B2 (en) * | 2004-05-19 | 2008-11-04 | Sub-One Technology, Inc. | Apparatus for directing plasma flow to coat internal passageways |
| US20060130971A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for generating plasma by RF power |
| US7622721B2 (en) * | 2007-02-09 | 2009-11-24 | Michael Gutkin | Focused anode layer ion source with converging and charge compensated beam (falcon) |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| WO2011156876A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Mahle Metal Leve S/A | Plasma processing device |
| WO2011156877A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Mahle Metal Leve S/A | Plasma processing device |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| CN102869183A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | 王殿儒 | 一种获得电离金属蒸气的方法 |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| DE102012201956A1 (de) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | Krones Ag | Hohlkathoden-Gaslanze für die Innenbeschichtung von Behältern |
| DE102012201955A1 (de) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | Krones Ag | Powerlanze und plasmaunterstützte Beschichtung mit Hochfrequenzeinkopplung |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| CN105722295B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-07-31 | 沈阳工业大学 | 一种三阴极等离子喷枪 |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| WO2019126196A1 (en) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Lyten, Inc. | Structured composite materials |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3830721A (en) * | 1973-08-22 | 1974-08-20 | Atomic Energy Commission | Hollow cathode sputtering device |
| US4132613A (en) * | 1974-12-23 | 1979-01-02 | Telic Corporation | Glow discharge method and apparatus |
| JPS6115967A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面処理方法 |
| US4588490A (en) * | 1985-05-22 | 1986-05-13 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode enhanced magnetron sputter device |
| US4637853A (en) * | 1985-07-29 | 1987-01-20 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode enhanced plasma for high rate reactive ion etching and deposition |
| US5073245A (en) * | 1990-07-10 | 1991-12-17 | Hedgcoth Virgle L | Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device |
-
1993
- 1993-10-18 SE SE9303426A patent/SE501888C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-10-12 ES ES94931243T patent/ES2185670T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 AT AT94931243T patent/ATE224465T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-10-12 CA CA002174507A patent/CA2174507C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-12 BR BR9407844A patent/BR9407844A/pt not_active IP Right Cessation
- 1994-10-12 EP EP94931243A patent/EP0726967B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 JP JP51168395A patent/JP3778294B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-12 US US08/628,694 patent/US5716500A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 KR KR1019960701999A patent/KR100270892B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-10-12 DE DE69431405T patent/DE69431405T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 WO PCT/SE1994/000959 patent/WO1995011322A1/en active IP Right Grant
- 1994-10-12 AU AU80077/94A patent/AU680958B2/en not_active Ceased
-
1996
- 1996-04-18 NO NO19961534A patent/NO313918B1/no not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO961534D0 (no) | 1996-04-18 |
| AU680958B2 (en) | 1997-08-14 |
| ES2185670T3 (es) | 2003-05-01 |
| DE69431405T2 (de) | 2003-01-16 |
| JPH09505355A (ja) | 1997-05-27 |
| EP0726967A1 (en) | 1996-08-21 |
| WO1995011322A1 (en) | 1995-04-27 |
| DE69431405D1 (de) | 2002-10-24 |
| NO961534L (no) | 1996-06-05 |
| US5716500A (en) | 1998-02-10 |
| SE9303426L (sv) | 1995-04-19 |
| SE9303426D0 (sv) | 1993-10-18 |
| JP3778294B2 (ja) | 2006-05-24 |
| SE501888C2 (sv) | 1995-06-12 |
| CA2174507C (en) | 2005-06-21 |
| EP0726967B1 (en) | 2002-09-18 |
| CA2174507A1 (en) | 1995-04-27 |
| KR100270892B1 (ko) | 2000-12-01 |
| AU8007794A (en) | 1995-05-08 |
| BR9407844A (pt) | 1997-05-13 |
| ATE224465T1 (de) | 2002-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO313918B1 (no) | FremgangsmÕte og apparat for generering av en utladning i damp i en radiofrekvenselektrode | |
| US5908602A (en) | Apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing | |
| EP1746178B1 (en) | Device for improving plasma activity in PVD-reactors | |
| TWI553132B (zh) | Ａｒｃ蒸鍍裝置及真空處理裝置 | |
| AU2006349512B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing cleaned substrates or clean substrates which are further processed | |
| US6110540A (en) | Plasma apparatus and method | |
| Vetter et al. | Advances in cathodic arc technology using electrons extracted from the vacuum arc | |
| Wan et al. | Investigation of Hot-Filament and Hollow-Cathode Electron-Beam Techniques for Ion Plating | |
| US5662741A (en) | Process for the ionization of thermally generated material vapors and a device for conducting the process | |
| US3492215A (en) | Sputtering of material simultaneously evaporated onto the target | |
| JP5836027B2 (ja) | イオンプレーティング装置および方法 | |
| JP3822778B2 (ja) | 高周波イオンプレーティング装置 | |
| JPS63458A (ja) | 真空ア−ク蒸着装置 | |
| RU1812239C (ru) | Способ обработки металлических изделий в вакууме | |
| Chayahara et al. | Metal plasma source for PBII using arc-like discharge with hot cathode | |
| JPH0196367A (ja) | 炭素のイオン・プレーテイング装置 | |
| Bleykher et al. | Features of self-sustained magnetron sputtering of evaporating metal target | |
| Perry | Advances in cathodic arc technology using electrons extracted from the | |
| JP2001181838A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH06223755A (ja) | ホローカソードガンの放電方法 | |
| JP2003213411A (ja) | プラズマを用いる成膜装置 | |
| RO126130A2 (ro) | Dispozitiv de obţinere a unei densităţi staţionare de vapori din materiale cu punct de topire ridicat | |
| JPH04147967A (ja) | イオンプレーティング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Lapsed by not paying the annual fees |