DE69431405T2

DE69431405T2 - Verfahren zur entladungs-erzeugung in den dämpfen einer radiofrequenzelektrode zum anhaltenden selbstsputtern und verdampfung der elektrode

Info

Publication number: DE69431405T2
Application number: DE69431405T
Authority: DE
Inventors: Hana Barankova; Ladislav Bardos
Original assignee: SURFCOAT MIKKELI Oy
Current assignee: Savcor Coatings Mikkeli Fi Oy
Priority date: 1993-10-18
Filing date: 1994-10-12
Publication date: 2003-01-16
Anticipated expiration: 2014-10-13
Also published as: JPH09505355A; CA2174507A1; EP0726967B1; NO961534D0; NO961534L; US5716500A; BR9407844A; ES2185670T3; SE501888C2; AU680958B2; CA2174507C; NO313918B1; DE69431405D1; EP0726967A1; SE9303426L; JP3778294B2; AU8007794A; SE9303426D0; WO1995011322A1; KR100270892B1

Description

GEBIET DER ERFINDUNG

Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen einer Entladung in eigenen Dämpfen einer Radiofrequenzelektrode zum anhaltenden Selbst-Sputtern der Elektrode.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Das Selbst-Sputtern einer Elektrodenkathode durch Ionenbomardierung in eigenem Dampf dieser Elektrode, das auch als "anhaltendes Selbst- Sputtern" bezeichnet wird, ist ein außerordentlicher Sputterzustand, in dem die Entladung, die notwendige Ionen zur Ionenbombardierung und zum Sputtern einer Elektrode erzeugt, in eigenen Dämpfen dieser Elektrode aufrecht erhalten wird. In diesem Zustand trägt eine Verdampfung des Elektrodenmaterials zum Sputtern bei, da eine extrem hohe Leitungsdichte typisch für diese Entladungen eine hohe Temperatur der Elektrodenoberfläche bewirkt. Eine hohe Stromdichte in Verbindung mit einer starken Ionenbombardierung und einer intensiven Emission von Elektronen auf der Kathodenoberfläche kann als spezielle Art eines Plasmabogens, der in dem System erzeugt wird, angesehen werden. Beiträge unterschiedlicher Entladungsregime zur Gesamtproduktion des Kathodenmetalldampfs hängen von experimentellen Bedingungen ab, insbesondere von (i) der zur Erzeugung der Entladung verwendeten Leistung, (ii) dem Kühlen der Elektrode und (iii) dem Material und der Energie der Elektrode. Dieser Zustand wurde zuerst von Hosokawa et al. berichtet ("Effect of discharge current and substained self-sputtering", Proceedings of 8th International Vaccum Congress, Sept. 22-26, 1980, Cannes, Frankreich, Bd. 1 - Thin films, Ergänzung zur Zeitschrift "Le Vide, les Couches Minces" Nr. 201, Sseiten 11-14). In deren Report wurde das zylindrische Kupferziel in einer Argon-Entladung gesputtert, die in einem zylindrischen DC Magnetron erzeugt wurde. Wenn der Gleichstrom, der in das Magnetron zugeführt wurde, den speziellen Schwellenwert erreichte, war ein Beitrag von Kupferionen zur gesamten Ionenbombardierung des Ziels hoch genug, um einen hohen Teildruck der Kupferdämpfe zu erzeugen, um die Entladung ohne Argon aufrecht zu erhalten. In diesem Fall wurde der Zufluss von Argon geschlossen und die Entladung wurde nur im reinen Kupferdampf aufrecht erhalten, der von der Kupfer- Zielelektrode durch Bombardierung durch Kupferionen selbst freigegeben wurde. Kuklaa et al. ("A highest rate self-sputtering magnetron source", Vaccum, Bd. 41, Nr. 7-9, Seiten 1968-1970, 1990) beobachten dieses anhaltende Selbst-Sputtern in einem ebenen Magnetron ebenso mit einem Kupferziel unter Verwendung eines besonders optimierten magnetischen Felds zum Erhöhen des Zielerosionsgebiets. Sie berichteten von einem minimalen Zielgleichstrom von etwa 80 Watt/cm², der nötig zur Initiierung des anhaltenden Selbstsputterns ist. In den neuesten Berichten von Posadowski ("Sustained self-sputtering using a direct current magnetron source", J. Vac. Sci. Technol. A 11(6), Seiten 2980-2984, Nov./Dez. 1993) und Shingubara et al. ("Sustained Self-sputtering of Copper Film Employing DC Magnetron Source", Proc. of Int. Conf. on Advanced Metalization for ULSI Applications, October 5-7, San Diego, USA, 1993) wurden ähnliche Magnetron- Einrichtungen für das anhaltende Selbst-Sputtern von Kupfer bei Stromdichten von etwa 100-250 W/cm² verwendet. Es wurde von keinem anderen Zielmaterial außer Kupfer als geeignetes Zielmaterial für das anhaltende Selbst-Sputtern berichtet. Der Grund dafür kann einem hohen Sputterertrag von Kupfer bei der Ionenbombardierung in Bezug zu anderen Metallen zugeschrieben werden. Es wurden von keinen Sputtereinrichtungen zum Erzeugen des Selbst-Sputterzustands berichtet außer von Magnetrons, in denen die Sputterraten verhältnismäßig hoch aufgrund der magnetischen Begrenzung der Entladung an der Zielelektrode-(Kathode)-Oberfläche und den niedrigen Betriebsdrücken des Gases im Vergleich zu den gewöhnlichen Sputtersystemen sind. Dieser niedrigere Betriebsdruck ist wichtig zum Aufrechterhalten der Entladung in Metalldämpfen, da die nötige Evaporationstemperatur von Zielen bei geringeren Drücken geringer ist und die relative Dichte der Dämpfe in dem Arbeitsgas daher höher sein kann. Unabhängig von diesem Vorteil von Magnetronen wurde der anhaltende Selbst- Sputtermodus nur durch Kupfer- und Silberziele durchgeführt.
In der vorliegenden Erfindung wird ein Sputter- und Verdampfungsprinzip verwendet, das kürzlich durch einen der Erfinder entwickelt wurde (L. Bardos, tschechische Patentanmeldung CS-A-9003925, "Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Beschichten von Innenwänden von hohlen Substraten, insbesondere Röhren", eingereicht 9.8.1990) für das Filmsputtern in hohlen Substraten und Röhren. Das Sputtern wird in dem durch Hochfrequenz (RF) erzeugen Plasmajet in einem Arbeitsgas, das in der hohlen RF Elektrode strömt, erzeugt, die die Rolle einer "hohlen Kathode" spielt, während die "Anode" das RF Plasma selbst ist. Die hohle RF Elektrode kann als Ziel dienen, das durch Ionen gesputtert wird, die in dem Plasmajet erzeugt werden. Das Elektrodenmaterial kann mit einem aktiven Gas in dem Plasmajet reagieren und ein Produkt dieser Reaktion kann als dünner Film auf Substratoberflächen abgelagert werden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Erkenntnisse des oben beschriebenen Stands der Technik weiter zu entwickeln und Nachteile zu verhindern und ein verbessertes Verfahren zum Erzeugen einer Entladung in den eigenen Dämpfen einer Radiofrequenzelektrode zum anhaltenden Selbst-Sputtern und zur Verdampfung der Elektrode vorzusehen. In einem ersten Aspekt gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Erzeugen einer Entladung in Anspruch 1 definiert.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, wie sie oben beschrieben wurde, werden aus der Beschreibung der Erfindung deutlich, die in Verbindung mit den folgenden Zeichnungen gegeben wird, in denen:
Fig. 1(a) eine schematische Darstellung von Schritt (a) des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung ist, wobei eine Hochfrequenzentladung durch eine Hochfrequenzelektrode mit hohler Geomoetrie in einem Hilfsgas erzeugt wird, das in das Entladungsgebiet eingeführt wird, und auf einen Druck gepumpt wird, der nötig zur Initiierung einer hohlen Kathodenentladung im Inneren der hohlen Radiofrequenzelektrode ist, die ein Sputtern und/oder eine Verdampfung der Elektrodenoberfläche bewirkt;
Fig. 1(b) eine schematische Darstellung von Schritt (b) des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung ist, in der eine Zunahme der Hochfrequenzleistung an die hohle Hochfrequenzelektrode eine selbstanhaltende Entladung in Dämpfen bewirkt, die Partikel enthalten, die von dieser Elektrode durch Sputtern und/oder Verdampfen in der hohlen Kathodenentladung freigegeben werden ohne jedes Einströmen des Hilfsgases und wobei die Pumpenwirkung auf einen Wert justiert ist, der nötig für das Aufrechterhalten dieser selbstanhaltenden Entladung ist;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht ist, die ein Beispiel einer Vorrichtung zum Erzeugen einer Entladung in eigenen Dämpfen einer Hochfrequenzelektrode zum anhaltenden Selbst-Sputtern der Elektrode gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung ist; und
Fig. 3 eine schematische Ansicht ist, die Beispiele unterschiedlicher Geometrien des hohlen Ziels auf der hohlen Hochfrequenzelektrode in der Vorrichtung zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG

Unter Verweis auf Fig. 1(a) und Fig. 1(b) der Zeichnungen kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung in beiden jeweiligen Schritten (a) und (b) beschrieben werden:
In Fig. 1(a), die Schritt (a) des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung entspricht, wird eine Hochfrequenzelektode 1 mit hohler Geometrie, die als hohles Ziel 2 bezeichnet wird, mit Hochfrequenzleistung 3 versorgt. Die Elektrode 1 erzeugt eine Hochfrequenzentladung 4 in einem Hilfsgas 5, und eine Pumpgeschwindigkeit 6 ist auf einen Druck justiert, der nötig zur Initiierung einer hohlen Kathodenentladung 7 im Inneren des hohlen Ziels 2 der hohlen Radiofrequenzelektrode 1 ist. Diese hohle Kathodenentladung 7 wird aufgrund eines negativen elektrischen Potentials (auch als "Selbst-Vorspannung" bekannt) der hohlen Hochfrequenzelektrode 1 erzeugt, das automatisch in bezug auf das Hochfrequenzplasma 4 erzeugt wird, das die Rolle einer virtuellen Anode spielt. Die hohle Kathodenentladung 7 bewirkt ein Sputtern und/oder eine Evaporation der inneren Elektrodenoberfläche in Kontakt mit dieser Entladung, d. h. eines inneren Teils des hohlen Ziels 2, das die Elektrode 1 begrenzt. Somit wird die hohle Kathodenentladung 7 de facto in einer Mischung des Hilfsgases 5 und dem gesputterten und/oder verdampften Material des hohlen Ziels 2 angeregt. Die Dichte der von dem hohlen Ziel 2 freigegebenen Dämpfe hängt von der Intensität einer Ionenbombardierung durch Ionen ab, die in der hohlen Kathodenentladung erzeugt werden, die durch die Hochfrequenzleistung 3 beeinflusst wird. Aufgrund der hohlen Geometrie des Ziels 2 kann eine Ionendichte in der hohlen Kathodenentladung 7 bei verhältnismäßig geringer Leistung 3 im Vergleich zu gewöhnlichen Sputtersystemen hoch sein. Bei der gleichen Hochfrequenzleistung 3 kann diese Wirkung größer für kleinere Elektroden 1 und/oder Ziele 2 sein. Ein Einströmen des Hilfsgases 5 in das Gebiet des Radiofrequenzplasmas 4 und in das hohle Ziel der hohlen Elektrode 1 kann auf verschiedene Wege durchgeführt werden. Das Erzeugen der hohlen Kathodenentladung 7 kann jedoch günstiger sein, wenn die Elektrode 1 röhrenförmig ist und zum Einführen des Hilfsgases 5 in die Hochfrequenzentladung 4 verwendet wird.
In Fig. 1(b), die einem Schritt (b) des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung entspricht, wird ein Vorgang, der nach Schritt (a) des Verfahren folgt, beschrieben. Ein Erhöhen der Hochfrequenzleistung 3, die in die Hochfrequenzelektrode zugeführt wird, bewirkt ein verstärktes Sputtern und/oder eine verstärkte Verdampfung des hohlen Ziels 2 und eine Erosionszone 8, des hohlen Ziels 2 kann durch Ionenbombardierung überhitzt werden. Dies bringt eine verstärkte Emission von Elektronen aus der Erosionszone 8 mit sich, gefolgt von einer zusätzlichen Ionisierung und durch eine verstärkte Ionenbombardierung dieses Teils. Ein solcher Lawinenvorgang führt zu einer extremen Verstärkung der Produktion von Dämpfen, die das Zielmaterial enthalten, bis zu einem qualitativ neuen Vorgang, in dem eine selbsterhaltende hohle Kathodenentladung 9 in eigenen Dämpfen brennen kann, die aus dem hohlen Ziel freigegeben sind und das Einströmen des Hilfsgases 5 (in Fig. 1(a) angegeben) geschlossen werden kann. Unter solchen Bedingungen ist die Pumpgeschwindigkeit 5 justiert, dass die selbsterhaltende hohle Kathodenentladung 9 aufrecht erhalten wird. In den meisten Fällen muss nach dem Schließen des Hilfsgaseinflusses die Pumpgeschwindigkeit 6 verringert werden oder das Pumpen sogar angehalten werden, abhängig von der Produktion der eigenen Dämpfe. Die Hochfrequenzleistung 3 kann erhöht werden, um die Dampfproduktion zu erhöhen, wobei ihr Maximalwert jedoch durch eine Temperaturstabilität eines überhitzten erodierten Teils 8 des hohlen Ziels 2 begrenzt ist.
Unter Verweis auf Fig. 2 wird eine Ausführungsform in einem Beispiel einer Vorrichtung zum Erzeugen einer Entladung in eigenen Dämpfen einer Hochfrequenzelektrode zum anhaltenden Selbst-Sputtern und zur Verdampfung der Elektrode gemäß dem oben beschriebenen Verfahren beschrieben. Eine hohle Hochfrequenzelektrode 1, die durch ein hohles Ziel 2 begrenzt wird, wird hermetisch in dem Reaktor 16 durch eine isolierende Vakuumzufuhr 14 installiert. Hilfsgas 5 wird in das hohle Ziel in dem Reaktor durch ein Gasventil 11 aus dem Gasbehälter 10 eingeführt und der Gesamtgasdruck in dem Reaktor wird durch ein Steuerventil 18 zwischen dem Reaktor und der Vakuumpumpe 17 kontrolliert. Die Hochfrequenzleistung 3 wird an die Hochfrequenzelektrode 1 aus einem Strompol eines Hochfrequenzgenerators 12 durch eine Impedanzjustiereinheit mit einem seriellen Widerstand 13 zugeführt. Der Hochfrequenzkreis wird durch eine Gegenelektrode 15 vervollständigt, die mit einem Gegenpol des Hochfrequenzgenerators 12 verbunden ist, und ein Hochfrequenzplasma 4 wird zwischen der Hochfrequenzelektrode 1 und der Gegenelektrode 15 erzeugt. Bei ausreichender Leistung 3 wird eine hohle Kathodenentladung 9 im Inneren des hohlen Ziels 2 in einer Mischung des Hilfsgases 5 und von Dämpfen erzeugt, die durch Sputtern und/oder Evaporation in einem inneren Teil des hohlen Ziels 2 durch die hohle Kathodenentladung 9 erzeugt werden. Diese hohle Kathodenentladung 9 kann bei Hochfrequenzleistung erzeugt werden, die hoch genug ist, um ein intensives Sputtern und/oder eine Verdampfung des hohlen Ziels 2 zu bewirken, so dass die hohle Kathodenentladung 9 nur in Dämpfen aufrecht erhalten wird, die von dem hohlen Ziel 2 freigegeben werden. Unter diesen Bedingungen wird das Gasventil 11 geschlossen und die Pumpgeschwindigkeit durch das Steuerventil 18 reduziert. Sowohl die hohle Hochfrequenzelektrode 1 als auch das hohle Ziel 2 können eine röhrenförmige Gestalt haben und als Einlass von Hilfsgas 5 in den Reaktor 16 verwendet werden. In vielen Fällen kann die Gegenelektrode 15 durch einen Teil der Reaktorwand ersetzt werden. Wenn die Vorrichtung zum Ablagern von Filmen auf Substraten verwendet werden soll, kann die Rolle der Gegenelektrode durch einen Substrathalter, der die Substrate 19 hält, erfüllt werden. Die hohle Kathodenentladung 9 in dem hohlen Ziel kann in dem magnetischen Feld erzeugt werden, das durch Magnete oder elektromagnetische Spulen 20 erzeugt wird. Bei dieser Anordnung kann die Dichte der hohlen Kathodenentladung im Inneren des hohlen Ziels 2 durch magnetischen Einschluss verstärkt werden. Diese Anordnung wird auch zur Stabilisierung der hohlen Kathodenentladung 9 bei einem geringeren Dampfdruck als in einem Fall ohne Magnetfeld verwendet.
Unter Verweis auf Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform Beispiele der Geometrie des hohlen Ziels 2, das die hohle Hochfrequenzelektrode 1 in der Vorrichtung zum Erzeugen einer Entladung in eigenen Dämpfen einer Hochfrequenzelektrode zum anhaltenden Selbst-Sputtern und zur Verdampfung der Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung begrenzt.
In Fig. 3(a) ist das hohle Ziel zylindrisch und an dem Auslass der hohlen Hochfrequenzelektrode 1 montiert. Die Hochfrequenzleistung 3 wird zur Hochfrequenzelektrode 1 von einem Strompol eines Hochfrequenzgenerators 12 durch eine Impedanz-Justiereinheit mit einem seriellen Widerstand 13 zugeführt, und das Hilfsgas 5 wird in das hohle Ziel durch ein Gasventil 11 zugeführt.
In Fig. 3(b) umfasst das hohle Ziel 2 einen Satz zylindrisch gestalteter Ziele, die auf der hohlen Radiofrequenzelektrode 1 montiert sind, und in Fig. 3(c) umfasst das hohle Ziel 2 mindestens zwei parallele Platten des zu sputternden und/oder verdampfenden Materials.

BEISPIELE

Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung kann zum Erzeugen einer Entladung in eigenen Dämpfen zum anhaltenden Selbst-Sputtern auch für Metalle außer Kupfer und Silber verwendet werden. Aufgrund der Möglichkeit des Erzeugens von hohlen Hochfrequenzkathodenentladungen in Elektroden mit röhrenförmiger Gestalt mit kleinen Durchmessern (in der Größenordnung von 0,1-1 mm) kann eine durchschnittliche Leistung pro Einheit Oberfläche ziemlich hoch sein, bis zur Größenordnung von kW/cm², bereits bei einer Hochfrequenzleistung in der Größenordnung von 100 W. Beiträge von gesputtertem und/oder verdampftem Material von dem Ziel aufgrund einer intensiven Ionenbombardierung können daher einen daraus sich ergebenden Dampfdruck erzeugen, der hoch genug zum Aufrechterhalten einer bogenartigen selbstanhaltenden Entladung auch für harte Metalle wie Ti ist. Ein Beispiel eines typischen Satzes von Verfahrensparametern zur Entladung in eigenen Dämpfen für Ti ist wie folgt:
- eine röhrenförmige Hochfrequenzelektrode, die in dem elektrisch geerdeten metallischen Reaktor installiert ist, wird durch das röhrenförmige Ti Ziel mit einem Maß von 5 mm Außendurchmesser und 2 mm Innendurchmesser begrenzt;
- eine Hochfrequenzleistung von 150 W erzeugt das Hochfrequenzplasma in dem Reaktor und schaltet auch auf eine hohle Kathodenentladung im Inneren des Ti Ziels in Argon, das in die Hochfrequenzelektrode durch das Ziel in den Reaktor strömt, der auf einem Druck von etwa 70 Pa (0,5 Torr) durch kontinuierliches Pumpen gehalten wird;
- bei einer Hochfrequenzleistung über 250 W wird das Ti Ziel rotheiß und eine selbsterhaltende Entladung, die um den Auslass des Ti Ziels konzentriert ist, bleibt auch nach dem Schließen des Argoneinflusses stabil, gefolgt von einem wesentlichen Reduzieren der Pumpgeschwindigkeit;
- unter diesen Bedingungen bestätigt eine optische Emission aus der Entladung das Vorhandensein von reinem Titan allein.
Bei einem anderen Beispiel hat die Hochfrequenzelektrode mit einem röhrenförmigen Mg Ziel einen Außendurchmesser von 10 mm und einen Innendurchmesser von 3 mm. In diesem Fall ist die zum Erzeugen der Entladung in Ar nötige Leitung ≥50 W. Die Entladung in reinem Magnesiumdampf kann bei einer RF Leitung ≥100 W aufrecht erhalten werden.
Eine Entladung in eigenen Dämpfen der Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung kann günstig mit einer bestimmten kleinen Menge von reagierendem Gas, das in die hohle Elektrode strömt, kombiniert werden. Der Beitrag dieses Gases zur Gesamtproduktion des Zielmetalldampfs ist vernachlässigbar, wobei seine Hauptrolle jedoch das Erzeugen von Verbindungen des Zielmaterials ist. Dieser reaktive Vorgang kann bei deutlich geringeren Gasdrücken als in herkömmlichen Systemen und ohne das Vorhandensein eines inerten Trägergases, z. B. Argon, durchgeführt werden.
Ferner wird diese kleine Menge dieses reaktiven Gases einfach aktiviert oder ionisiert, wodurch die resultierende Rate der plasma-chemischen Reaktionen verstärkt wird.
Eine Entladung in eigenen Dämpfen der Elektrode kann auch für Gleichstrom anstatt der Hochfrequenzerzeugung der hohlen Kathodenentladung erfüllt werden. Die Gleichstromentladung ist jedoch weniger stabil als die der Hochfrequenzerzeugung, da im letzteren Fall das Hochfrequenzplasma eine stationäre Selbst-pre-Ionisierung für die hohle Kathodenentladung bewirkt. Ferner muss bei der Gleichstromerzeugung die entsprechende Anode in enger Nachbarschaft zur hohlen Kathodenelektrode angeordnet werden. Bei der Hochfrequenzerzeugung wird die Rolle der Anode durch das Hochfrequenzplasma selbst erfüllt.
Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hat insbesondere Vorteile bei Anwendungen, bei denen lokal hohle Teile der Substratoberfläche durch Filme mit äußerster Reinheit abgelagert werden müssen. Die Vorrichtung kann nicht nur für das Ablagern von Filmen im Inneren von hohlen Substraten und Röhren verwendet werden, sondern auch bei einer Mehrfachelektrodenanordnung oder bei einer ebenen parallelen Elektrodengeometrie für Anwendungen bei großflächigen Filmablagerungen.

Claims

1. Verfahren zum Erzeugen einer Entladung in einer Vakuumkammer von einer Radiofrequenzelektrode durch Verwendung deren eigener Dämpfe zum anhaltenden Selbstsputtern und zur Verdampfung der Elektrode, umfassend die Schritte:

(a) Erzeugen einer Radiofrequenzentladung (4) durch eine hohle Radiofrequenzelektrode (1, 2) unter Verwendung eines Hilfsgases (5), das in ein Entladungsgebiet der Vakuumkammer eingeführt wird, wobei die Vakuumkammer bis zu einem für das Beginnen einer Hohlkathodenentladung nötigen Druck im Inneren der hohlen Radiofrequenzelektrode (1, 2) ausgepumpt wird, was das Sputtern und die Verdampfung der Oberfläche der hohlen Radiofrequenzelektrode (1, 2) bewirkt; und nachfolgend

(b) gleichzeitiges Erhöhen der Radiofrequenzleistung für die hohle Radiofrequenzelektrode (1, 2), um die Dichte in der hohlen Kathodenentladung (7) von Dämpfen zu erhöhen, die Partikel enthalten, die von der hohlen Radiofrequenzelektrode (1, 2) durch das Sputtern und die Verdampfung freigegeben werden, das Schließen der Einströmung des Hilfsgases und das Justieren des Pumpens des Gases aus dem Entladungsgebiet, um eine anhaltende selbstsputternde Entladung zu bilden und aufrecht zu erhalten.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die hohle Radiofrequenzelektrode von Schritt (a) als Einlass für das Hilfsgas dient.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die hohle Kathodenentladung bei Werten von Radiofrequenzleistungen erzeugt wird, die ausreichen, um ein dichtes Sputtern und/oder eine Verdampfung des hohlen Trägers zu bewirken; wobei die hohle Kathodenentladung ohne das Hilfsgas aufrecht erhalten wird, wobei das Gasventil geschlossen ist und die Pumpgeschwindigkeit durch das Steuerventil reduziert ist.