NO309400B1 - Forsterker for bredbåndshyperfrekvenssignaler - Google Patents

Description

Oppfinnelsen vedrører fordelte forsterkere for hyperfrekvenssignaler for bredbåndshyperfrekvenssignaler. Oppfinnelsen finner anvendelse i forbindelse med fremstilling av integrerte monolittiske mikrobølge- eller hyperfrekvenskret-ser.

En fordelt forsterker omfatter generelt flere basisforsterkerceller, som er montert i serie med minst én fellesrekke av sluk og gitre. Hver basisforsterkercelle omfatter minst én felteffekttransistor montert med felles kilde og koblet til fellesrekken av sluk ved hjelp av sitt sluk, og til fellesrekken av gitre ved hjelp av sitt gitter.

En korrekt virkemåte for en felteffekttransistor forutset-ter på den ene side bruk av en første kontinuerlig polari-sas j onsspenning på dennes sluk, og på den annen side bruk av en andre kontinuerlig polarisasjonsspenning på dennes gitter. I forbindelse med en fordelt forsterker er det fellesrekken av sluk, som mottar den første polarisasjonsspenning, samtidig som fellesgitterrekken mottar den andre polarisasjonsspenning.

De konstruksjoner som benytter basisforsterkerceller montert i serie med to felles gitterrekker og én fellesrekke av sluk, vil således omfatte flere felteffekttransistorer hver for seg.

De grunnleggende krav til god drift av en fordelt forsterker for hyperfrekvenser ved bredbånd vedrører filtrering av polarisasjonskretsene. Det har seg slik at disse polarisasjonskretser slipper de polariserende kontinuerlige spen-ninger eller strømmer gjennom, men isolerer hyperfrekvens-effekten.

Som oftest blir denne filtrering realisert på tvers av motstandsterminalene for fellesrekkene av sluk og gitre, som man kan koble i serie med en utkoblingskondensator. Filtrering av polarisasjonen ved fellesrekken av gitre på tvers av deres motstandsterminal koblet i serie med en utkoblingskondensator, virker tilfredsstillende ved det for-hold hvor den kontinuerlige gitterstrøm er svak, og hvor ingen fall i spenningen opptrer i gitrenes motstandsterminaler.

Filtrering av polarisasjonen for fellesrekkene av sluk på tvers av deres motstandsterminaler, som er koblet i serie med en utkoblingskondensator, vil derimot ikke være hen-siktsmessig i det tilfelles hvor den kontinuerlige sluk-strøm økes (for eksempel 500 milliampére for én fordelt forsterker med effekt i størrelsesorden 1 watt), hvilket resulterer i et fall i polarisasjonsspenningen i størrel-sesorden 25 volt for motstandsterminalene for sluk i stør-relsesorden 50 ohm, og har følgelig en økning av polarisasjonsspenningen nettopp til de verdier, som vanligvis ikke benyttes innenfor området integrerte kretser.

Andre ulemper vedrørende filtrering av polarisasjonskretser på tvers av motstandsterminalene for gitteret eller sluket, har å gjøre med spredninger av betydningsfull energi, som genereres ved nivået på disse motstandsterminaler og bruk av store ledere, som opptar mye plass på halvlederbrikken og som er nødvendige for understøttelse av den totale kontinuerlige polarisasjonsstrøm av sluk, som går gjennom det stykke av rekken av felles sluk som er forbundet med slu-kets motstandsterminal.

Filtrering av polarisasjonskretsene kan likeledes realiseres på tvers av de selvinduktive elementer, eventuelt koblet i parallell over en kondensator som er forbundet med gods. Denne type filtrering er tilfredsstillende i tilfellet med integrerte hybridkretser, hvor felteffekttransistorene monteres enkeltvis.

I forbindelse med teknologien som vedrører integrerte monolittiske mikrobølgekretser, vil derimot de selvinduktive elementer ikke kunne nyttiggjøres eller realiseres i en liten brikke, enn si realiseres på det ytre av en slik liten brikke.

I virkeligheten innebærer filtrering av polarisasjonskretsene på tvers av de selvinduktive elementer ulempen som går ut på å degradere den fordelte forsterkers ytelse, spesielt dennes tilpasning til impedans i den forstand at de filtrerte selvinduktive elementer kan representere et spesielt parasittisk resonansfenomen så mye mer spesielt, fordi det dreier seg om en fordelt bredbåndsforsterker, som har et bånd i størrelsesorden 40 gigahertz. Disse elementer kan i tilfellet med en kraftforsterker dessuten understøtte en polarisasjonsstrøm, som er uforenlig med konstruksjonen av de ledende tråder.

Fordi de selvinduktive elementer monteres på en ekstern måte på den integrerte krets, vil deres hoveddimensjoner; i det minste ved deres aktuelle realisering ha en viktig be-grensning, som er veldig ufordelaktig ved realisering av en integrert monolittisk mikrobølgekrets. Deres montering på den integrerte krets vil dessuten gjøre supplementære ytre forbindelser nødvendig, i den forstand at de iverksatte tilslutninger er vanskelige, og således uhensiktsmessige på en monolittisk integrert krets.

Ved de kjente kretser som er forskjellige fra kraftforster-kere, blir filtrering av polarisasjonskretsene far felteffekttransistorene fremskaffet ved hjelp av en supplementær felteffekttransistor som arbeider i et mettet område. An-vendelsen av denne type filtrering på polarisasjonskretser for en kraftforsterker er ikke desto mindre umulig.

Hensikten med oppfinnelsen er å skaffe en fordelt forsterker for bredbåndshyperfrekvenssignaler, som ikke omfatter ulempene ved de kjente forsterkere.

Oppfinnelsen tillater spesielt en filtrering av polarisasjonskretsene for en fordelt forsterker, som løser prob-lemene som er knyttet til kjente konstruksjoner.

Filtrering av polarisasjonskretser med en supplementær felteffekttransistor, som virker ved ladningsmetning, har den fordel at den tillater en overflateinntjening på halvlederbrikken, sammenlignet med de selvinduktive elementer.

Følgelig vil en slik filtrering ikke være tilfredsstillende, hvis den anvendes på en fordelt forsterker med høy ef-fekt, fordi felteffekttransistoren, som er montert for mettet ladning, sprer denne effekt på et område som er meget lokalisert, hvilket innebærer termiske problemer, for eksempel elektriske forstyrrelser, som ikke er i overensstem-melse med en korrekt virkemåte for den fordelte forsterker. Mer presist vil transistoren, når den virker ved mettet ladning, slippe igjennom hele summen av kontinuerlige pola-risas j onsstrømmer fra felteffekttransistorene i den fordelte forsterker. Denne transistor vil således kunne få en størrelse, som hovedsakelig er lik summen av størrelsene av felteffekttransistorenes gitre ved den fordelte forsterker. Hvis imidlertid mesteparten av felteffekttransistoren som virker ved mettet ladning øker, vil hele motstanden avta inntil den er omvendt proporsjonalt med omfanget på felt-ef f ekttransistoren . Som konklusjon vil følgelig den felteffekttransistor, som er konstruert for mettet ladning, ikke kunne fremskaffe en tilstrekkelig høy impedans for hyper-frekvens, for å filtrere på en måte som er tilfredsstillende for polarisasjonskretsene i den fordelte forsterker.

Hvis fagmannen med andre ord ønsker å polarisere flere celler i en fordelt forsterker med belastning på tvers av en felteffekttransistor som virker ved mettet ladning, vil han være nødt til å benytte en stor felteffekttransistor for å understøtte den totale polarisasjonsstrøm. Imidlertid representerer en slik transistor en dynamisk, svak impedans. Følgelig foreligger det et motsetningsforhold mellom bruken av en stor felteffekttransistor, som virker ved mettet ladning og kravene til hyperfrekvensfiltrering av polarisa-

sjonskretsene.

Som angitt ovenfor, har søkeren observert at ved tildan-nelse av en felteffekttransistor som virker ved mettet ladning til flere felteffekttransistorer, som likeledes har mettet ladning, vil denne unngå de ovenfor omtalte problemer med noen justeringer.

Den foreliggende oppfinnelse bygger på en fordelt forsterker for hyperfrekvenssignaler for bredbånd av den type som omfatter: • Flere basisforsterkerceller, som er montert i serie og minst har én fellesrekke av sluk og gitre, idet hver celle minst bærer én felteffekttransistor montert med felles kilde og filterelementer. • Første polariseringsorganer for bruk av en første po-larisas j onsspenning på fellesslukrekken. • Andre polarisasjonsorganer for bruk av en andre pola-risas j onsspenning på fellesgitterrekken.

I henhold til en generell definisjon av oppfinnelsen omfatter de første polarisasjonsorganer: Flere hjelpefelteffekttransistorer, som virker ved metningsladning, idet de respektive kilder er fordelt forbundet med fellesslukrekken, og idet de respektive sluk mottar den første polarisasjonsspenning i serie. I henhold til et aspekt ved oppfinnelsen, omfatter den fordelte forsterker også tredje polarisasjonsorganer for til-førsel av en tredje polarisasjonsspenning, idet gitrene for hjelpetransistorene mottar denne tredje polarisasjonsspenning over en respektiv motstand i serie.

Fordelaktig blir den tredje polarisasjonsspenning overført

samlet parallelt over en koblingskondensator.

I henhold til en foretrukket utførelsesform for oppfinnelsen omfatter hver basisforsterkercelle en felteffekttransistor montert med felles kilde, idet gitteret er forbundet med fellesgitterrekken og sluket er forbundet med fellesslukrekken.

I henhold til en annen foretrukket utførelsesform for oppfinnelsen omfatter den fordelte forsterker flere basisforsterkerceller, som er montert, med en felles slukrekke og de første og andre felles gitterrekker i serie, slik at hver celle omfatter tre felteffekttransistorer, som innbyrdes er forbundet i kombinasjon med filtreringselementene, idet de første og andre transistorer, som er montert med felles kilde, er forbundet med henholdsvis den første fellesgitterrekke og den andre fellesgitterrekke ved hjelp av deres respektive gitre, samtidig som deres respektive sluk innbyrdes er forbundet, idet den tredje transistor, som er montert med felles gitter, har sin kilde forbundet med slukene for den første og andre transistor, og har sitt sluk forbundet med fellesslukrekken.

I henhold til en tredje foretrukket utførelsesform for oppfinnelsen omfatter den fordelte forsterker flere basisforsterkerceller montert, med en felles slukrekke og en felles gitterrekke i serie, slik at hver celle bærer to felteffekttransistorer, som innbyrdes er forbundet i kombinasjon med filtreringselementene, idet den første transistor, som er montert med felles kilde, er forbundet med fellesgitterrekken ved hjelp av sitt gitter, idet den andre transistor, som er montert med fellesgitter har sitt sluk forbundet med fellesslukrekken, samtidig som sluket ved den første transistor er forbundet med kilden for den andre transistor.

I praksis er summen av størrelsene på gitrene ved hjelpefelteffekttransistorene hovedsakelig lik eller mindre enn summen av disse for felteffekttransistorene ved de basisforsterkerceller, som er fordelt forbundet på fellessluk-

rekken.

Andre karakteristiske trekk og fordeler ved oppfinnelsen vil gå frem ved gjennomlesning av den følgende detaljerte beskrivelse i forbindelse med de vedlagte tegninger, hvor: Figur 1 viser skjematisk prinsippet ved en kjent type hy-perf rekvensf orsterker fordelt langs en felles slukrekke. Figur 2a er et skjematisk riss over en felteffekttransistor som virker ved mettet ladning, mens figur 2b er et ekvivalent strømløpsskjerna. Figur 3 er et prinsippskjerna over en hyperfrekvensforster-ker fordelt langs en felles slukrekke, som er polarisert i henhold til oppfinnelsen. Figur 4 illustrer flere celler for en hyper-frekvensforsterker fordelt langs en felles gitter- og slukrekke polarisert i henhold til oppfinnelsen. Figur 5 illustrerer en celle for en forsterker, som er fordelt langs to felles gitterrekker og én felles slukrekke polarisert i henhold til oppfinnelsen.

De vedlagte tegninger omfatter hovedsakelig elementer med visse særtrekk. De skal derved ikke bare tjene til bedre forståelse av den detaljerte beskrivelse, men også bidra til å definere oppfinnelsen.

Figur 1 viser en kjent fordelt forsterker. Den omfatter flere basisforsterkerceller (Ci-Cn) , montert i serie med en felles slukrekke (Ld) og en gitterrekke (Lg). Hver celle, for eksempel cellen (Ci) , omfatter en forsterkerkonstruksjon (Ai) basert på minst én felteffekttransistor montert med felleskilde, og forbundet mellom et punkt (Di) på fellesslukrekken (Ld) og et punkt (Gi) på fellesgitterrekken (Lg). Enden på fellesgitterrekken (Lg) danner inngangen (E) til forsterkeren. På den andre ytterende blir den ladet via en impedans (Rg), som hovedsakelig er lik den karakteristiske impedans for fellesgitterrekken. På motsatt måte er enden på fellesslukrekken (Ld) ladet opp ved hjelp av en impedans (Rd), hovedsakelig likt den karakteristiske impedans for fellesslukrekken, mens den ved den andre ytterende definerer utgangen (X) fra den fordelte forsterker.

En polarisasjonskrets (ikke vist) bruker en kontinuerlig polarisasjonsspenning på fellesslukrekken (Ld), mens en andre polarisasjonskrets (ikke vist) bruker en andre kontinuerlig polarisasjonsspenning på fellesgitterrekken (Lg). Disse polarisasjonskretser blir filtrert ved å la den pola-riserte, kontinuerlige spenning eller strøm passere ved fullstendig isolering av høyfrekvenseffekten.

Som oftest blir polarisasjonskretsene filtrert ved hjelp av selvinduktive elementer, som er koblet i parallell med en kondensator forbundet med gods, med de ulemper man da kjen-ner til.

Det skal forstås at cellene ikke nødvendigvis er like, på samme måte som den foreliggende montering ikke nødvendigvis er så symmetrisk som vist på figur 1.

Prinsippet ved den fordelte forsterkers virkemåte er som følger: Det innkommende signal vandrer langs fellesgitterrekken (Lg). Hver forsterkerkonstruksjon, som for eksempel ved henvisningssymbol (Ai), mottar signalet mellom sitt gitter-punkt (Gi) og slukpunkt (Di) , og tilfører fellesslukrekken en forsterket versjon av inngangssignalet; en versjon som kommer inn på fellesslukrekken (Ld).

Figur 2a illustrerer en felteffekttransistor (T), som arbeider ved mettet ladning, mens figur 2b representerer et ekvivalent strømløpsskjerna.

Polarisasjon av gitteret (G) blir sikret ved hjelp av en spenning (Vg2). Sluket (D) blir polarisert av en spenning (Vd), som er forbundet med gods via en kondensator (Cd). Transistoren (T) sikrer passering av en kontinuerlig strøm (ID), som nettopp er viktig ved kilden (S), spesielt med hensyn til å fremskaffe en økt dynamisk impedans ved høy-frekvens på grunn av metningsstrømmen (ID). Det er på grunn av dette at transistoren (T) er bestemt for mettet ladning, fordi det er godt kjent at, når man tilrettelegger sluk-strømkurvene ved spenningsdrift av sluket ved en felteffekttransistor, vil disse kurver raskt innebære en metning.

Ved alternativet hvor en felteffekttransistor fungerer ved mettet ladning, omfatter det ekvivalente skjema, en motstand (Res) med en kondensator (Ccs) i parallell. Den økte dynamiske impedans kan overføres til en motstand (Res) av viktig verdi og en kondensator (Ccs) med lav verdi.

Figur 3 illustrerer den fordelte forsterker beskrevet med referanse til figur 1, hvor denne omfatter filtreringsorga-ner for polarisasjonskretsen ved fellesslukrekken ifølge oppfinnelsen.

Ved hvert punkt (Di-Dn av fellesslukrekken, på hvilken det ved sitt sluk er forbundet en respektiv felteffekttransistor (T) med en forsterkende celle, er det respektivt forbundet og distributivt en hjelpefelteffekttransistor (T') som virker ved mettet ladning ved sin kilde /S').

De respektive sluk (D') ved hjelpefelteffekttransistorene mottar polarisasjonsspenningen (Vd) i serie. Denne polarisasjonsspenning (Vd) blir overført samlet via en koblingskondensator (Cd), som er montert i parallell.

Hjelpefelteffekttransistorene for (T<1>) har sin kilde (S') forbundet med sitt gitter (G') via en respektiv hjelpekondensator (CP), som er spesifisert som CPi-CPn.

Gitrene (G'), spesifisert som G'i-G'n for hjelpefelteffekttransistorene mottar en kontinuerlig hjelpepolarisasjons-spenning (Vg2) hver for seg via en motstand (RP) av stor verdi og spesifisert som RPi-RPn.

Filtrering av polarisasjonskretsen for fellesslukrekken som er realisert på denne måte, tillater på den ene side å ikke konsentrere den varmekilde, som er fremskaffet ved den gjennomgående metningsstrøm i felteffekttransistoren, på ett eneste område, og på den annen side å sende de elektriske forstyrrelser tilbake. På stedet for én eneste impedans (Rcs/Ccs) forbundet ved et punkt på fellesslukrekken disponerer man nå nærmere bestemt n dynamiske impedanser (Rcs/n//n.Ccs), hvis de n celler har like effekttransistorer for hjelpefelt), som er n ganger høyere enn enhetsimpe-dansen (Rcs//Ccs).

Videre er disse n dynamiske impedanser lettere å beregne ved et konsept for en fordelt forsterker innenfor teknologien integrerte monolittiske mikrobølgekretser, fordi de uønskede impedanser lett kan integreres i hver basisforsterkercelle. Til slutt kan delsummen for den parasittiske kapasitet (Ccs) for hver celle lett tas med ved beregningen av kapasiteten ved fellesslukrekken.

Til slutt vil en slik filtrering tillate at man hindrer en lokal underladning, som kan strømme i fellesslukrekken. I virkeligheten blir hver celle nå underholdt separat. Oppde-ling av den totale polarisasjonsstrøm i n celleformede po-larisas j onsstrømmer vil dessuten tillate bruk av enkle trådledere, som opptar en liten overflate på halvlederbrikken.

På figur 4 har man illustrert en fordelt forsterker, som omfatter flere celler (Ci-Cn) , som er montert i serie med en felles gitterrekke og en felles slukrekke polarisert i henhold til oppfinnelsen.

Hver basisforsterkercelle bærer en felteffekttransistor (Tl) montert med felles kilde, idet gitteret (G) er forbundet med fellesgitterrekken via gitterfiltreringselementene, og idet sluket (D) er forbundet med fellesslukrekken via slukfiltreringselementene.

Mer spesielt er gitteret (G) forbundet med fellespunktet for to induktanser, idet den ene (Lgn) peker mot inngangen til fellesgitterrekken, og den andre (Lgi2) peker mot utgangen (til for denne celle). Samtidig er sluket (D) for felteffekttransistoren (Ti) forbundet med fellespunktet for to induktanser, idet den ene (Ldn) går mot inngangen, mens den andre (Ldi2) går mot utgangen fra den fordelte forsterker .

I henhold til oppfinnelsen er kilden (S'i) for - hjelpefelteffekttransistor (T'i) for eksempel forbundet med f ellespunktet for de to induktanser (Ldn og Ldi2) .

Med fordelaktig vil hjelpefelteffekttransistor, som virker ved mettet ladning, kunne være tilpasset en transistor som den kan polarisere. Man kan imidlertid få felteffekttransistoren til å arbeide som forsterker på samme arbeidspunkt som hjelpefelteffekttransistor, som den polariserer. Hvis størrelsen på gitteret til felteffekttransistoren er Wg, når denne arbeider som forsterker, vil således størrelsen på gitteret til hjelpefelteffekttransistor, som er polarisert, være lik Wg.

Likevel kan det være fordelaktig å la felteffekttransistoren arbeide som forsterker bare ved en slukstrøm (Id), som er mye mindre enn den som går gjennom hjelpefelteffekttransistor som den polariserer. Det vil resultere i at hjelpefelteffekttransistoren for er x ganger mindre enn felteffekttransistoren i forsterkersammenheng. Man får således en effekttransistor for hjelpefelt, som gir en dynamisk impedans, som er x ganger større. Gitterstørrelsen for hjelpefelteffekttransistor kan for eksempel være 0,6 Wg, hvor Wg er gitterstørrelsen for felteffekttransistoren i forsterkersammenheng.

Oppfinnelsen kan like på samme måte finne anvendelse ved fordelte forsterkere montert i "cascode", slik dette er beskrevet i fransk patentsøknad 87 16 277, som ble levert inn av søkeren den 24. november 1987.

På figur 5 er det vist en celle (CE) for en slik fordelt forsterker.

Cellen (CE) omfatter to gitterrekker (SGi-SG'i og SG2-SG'2), respektivt, samt en rekke av sluk (SD-SD<1>)- De to gitterrekker er forsynt med filterceller, fortrinnsvis av typen "passe-tout", henholdsvis Fgi og Fg2. Det skal vises til ovennevnte franske søknad når det gjelder en detaljert beskrivelse av cellen (CE).

Virkemåten "passe-tout" kan gjennomføres ved hjelp av kapa-sitetens gitterkilde ved den felles kildetransistor (TSi eller TS2) , tilknyttet den aktuelle gitterrekke. Kildene til de to transistorer (TSi og TS2) er direkte forbundet. Denne forbindelse mellom de to sluk blir anvendt på tvers av en induktans (LI) til kilden for en transistor (Tg), som er montert med felles gitter. Sluket for denne transistor er forbundet med en andre celle (Fd), fortrinnsvis "passe-tout" .

I henhold til oppfinnelsen er kilden (S<1>) for en hjelpefelteffekttransistor(T<1>), som er montert for mettet ladning, forbundet med sluket ved transistoren (Tg) .

Transistoren (T') virker på samme måte som hjelpefelteffekttransistor beskrevet under henvisning til figur 3. Som tidligere blir polarisasjonsspenningen (Vd) anvendt sluket (D') til transistoren (T<1>) på tvers av en koblingskondensator (Cd), som er montert parallelt. Den ytterligere kondensator (Cdd) som er koblet til gods, er fjernet i cellen (CE), beskrevet i den ovenfor nevnte franske søknad. I virkeligheten vil denne ytterligere kapasitet (Cdd) kunne integreres i parasittkapasitetene ved de selvinduktive elementer. Som tidligere blir polarisasjonsspenningen (Vg2) påtrykket gitteret (G<1>) for effekttransitoren for hjelpefelt (T" ) via en motstand (RP) . Ved den samme er kilden (S' forbundet med dennes gitter (6') via en hjelpekondensator

(CP) .

I denne celle (CE) har transistorene (TSi og TS2) en stør-relse på gitteret lik Wg, mens transistoren (Tg) har en gitterstørrélse lik 2 x Wg. Således ville hjelpefelteffekttransistor (T'), som har til oppgave å polarisere transistoren (Tg), for eksempel kunne ha en gitterstørrélse som varierer fra 1,2 til 2 Wg av de grunner som er omtalt med referanse til figur 4.

I en generell form kan oppfinnelsen finne anvendelse ved

filtrering av polarisasjonskretser for integrerte monolittiske mikrobølgekretser. Den kan også finne anvendelse ved filtrering av polarisasjonskretser for celler i et lag som ligger foran den fordelte forsterker.

Claims (8)

1. Fordelt forsterker for hyperfrekvenssignaler for bredbånds, som omfatter: • flere basisforsterkerceller (Ci-Cn) montert i serie og med minst én fellesrekke av sluk (Ld) og gitre (Lg), hvor hver celle omfatter minst én felteffekttransistor (Ti) montert med felles kilde og filterelementer (Lgn og Lgi2) , • første polariseringsorganer for bruk av en første polarisasjonsspenning (Vd) på fellesslukrekken, • andre polarisasjonsorganer for bruk av en andre pola risasjonsspenning på fellesgitterrekken, karakterisert ved at de første polarisasjonsorganer omfatter: flere effekttransistorer for hjelpefelt (T'i-T'n), som virker ved metningsladning, hvor de respektive kilder (S'i-S'n) er fordelt forbundet med fellesslukrekken (Ld), og hvor de respektive sluk (D'i-D'n) mottar den første polarisasjonsspenning (Vd) i serie.

2. Forsterker som angitt i krav 1, karakterisert ved at den omfatter tredje polarisasjonsorganer for levering av en tredje polarisasjonsspenning (Vg2) , og at gitrene (G'i-G'n) for hjelpetransistorene mottar den tredje polarisasjonsspenning (Vg2) i serie via en respektiv motstand (Rpi-Rpn) •

3. Forsterker som angitt i ett av de foregående krav, karakterisert ved at effekttransistorene for hjelpefelt (T'i-T'n) har sin kilde (S'i-S'n) forbundet med sitt gitter (G'i-G'n) via en respektiv hjelpekondensator (CPi-CPn) .

4. Forsterker som angitt i ett av de foregående krav, karakterisert ved at den første polarisa sjonsspenning (Vd) parallelt blir ledet til gods via en koblingskondensator (Cd).

5. Forsterker som angitt i ett av de foregående krav, karakterisert ved at summen av - effekttransistorene for hjelpefeltets (T'i-T'n) gitterbred-der er hovedsakelig lik eller mindre enn summen av gitter-breddene for transistorene (Ti-Tn) for basisforsterkercel-lene (Ci-Cn) koblet fordelt til fellesslukrekken (Ld).

6. Forsterker som angitt i ett av de foregående krav, karakterisert ved at hver basisfor-sterkercellene omfatter en felteffekttransistor i felles kobling, idet dennes gitter er forbundet med fellesgitterrekken via filterelementene, samtidig som dennes sluk er forbundet med fellesslukrekken via filterelementene.

7. Forsterker som angitt i ett av de foregående krav 1 - 5, karakterisert ved at de fleste av basis-forsterkercellene er montert i serie med en felles slukrekke (SD-SD') og første (SGi-SGi') og andre (SG2-SG2') felles gitterrekker, og at hver celle (CE) omfatter tre felteffekttransistorer, som innbyrdes er forbundet i kombinasjon med filterelementene, idet de første (TSi) og andre (TS2) transistorer er koblet til henholdsvis den første felles gitterrekke (SGi-SGi') og den andre felles gitterrekke (SG2-SG2') i felles kobling med deres respektive gitre, samtidig som deres respektive sluk er innbyrdes forbundet med den tredje transistor (Tg), som er i felles gitterkobling, og samtidig som dennes kilde er forbundet med slukene til den første og andre transistor, og samtidig som dennes sluk er forbundet med fellesslukrekken (SD-SD<1>)-

8. Forsterker som angitt i ett av de foregående krav 1-5, karakterisert ved at den omfatter flere basisforsterkerceller montert i serie, med en felles sluk-og gitterrekke, idet hver celle omfatter to felteffekttransistorer, som innbyrdes er forbundet i kombinasjon med filterelementene, idet den første transistor, som er i felles kobling, er forbundet med fellesgitterrekken via sitt gitter, samtidig som den andre transistor, som er i felles gitterkobling, har sitt sluk forbundet med fellesslukrekken, samtidig som sluket for den første transistor er forbundet med kilden til den andre transistor.