SE512851C2 - Fördelad förstärkare för bredbandiga mikrovågssignaler - Google Patents

Description

15 20 25 30 35 512 851Ä 2 Oftast utföres denna filtrering via terminalmotstånd vid de gemensamma kollektor- och styreledningarna, vilka kan kopplas i serie med en avkopplingskondensator.

Filtreringen av polarisationen för de gemensamma styreled- ningarna över deras terminalresistans, kopplad i serie med en avkopplingskondensator, är tillfredsställande i den mån styrelikströmen är liten och inget spänningsfall uppträder i styreterminalresistanserna.

Däremot är filtreringen av polarisationen för de gemensamma kollektorledningarna via deras terminalresistans kopplad i serie med en avkopplingskondensator ej lämplig i den mån kollektorlikströmen är hög (t.ex. 500 mg ampere för en fördelad förstärkare med en effekt av storleksordningen 1 watt), vilket leder till spänningsfall för polarisationen av storleksordningen 25 V för kollektorterminalresistanser av storleksordningen 50 ohm och därmed till en ökning av pola- risationsspänningen till värden som sällan används vid integrerade kretsar.

Andra nackdelar med filtreringen av polarisationskretsarna via terminalresistanser för styre eller kollektor utgöres av stora energiförluster, vilka alstras vid dessa terminal- resistanser, och användning av stora ledare, som upptar mycket plats på halvledarskivan och som är nödvändiga för att kunna framleda hela polarisationslikströmen för kollektorn, som genomgår det.parti av den gemensamma kollektorledningen som är anslutet till terminalkollektorresistansen.

Filtreringen av polarisationskretsarna kan även åstadkommas via induktanselement, eventuellt parallellkopplade över en kapacitans, kopplad till jord. Denna typ av filtrering är tillfredsställande vid integrerade hybridkretsar eller med diskretmonterade fälteffekttransistorer. 10 15 20 25 30 35 512 851. 3 Vid teknik med integrerade monolitiska mikrovågskretsar är däremot induktanselement ej lämpliga, varken då de är utförda integrerat i chipet eller då de är utförda utanför detta chip.

Filtreringen av polarisationskretsarna via induktanselement medför faktiskt den nackdelen att man försämrar egenskaperna hos den fördelade förstärkaren, särskilt dess impedansanpass- ning i den mån filterimpedanselementen kan uppvisa eget parasitiskt resonansfenomen, och särskilt då det rör sig om en bredbandig fördelad förstärkare med ett band av storleks- ordningen 40 gigahertz. Dessa element bör också, när det gäller en effektförstärkare, kunna tåla en polarisationsström som ofta är inkompatibel med ledartrådarnas dimension.

När impedanselement är monterade utanpå den integrerade kretsen, medför deras dimensioner åtminstone vid f.n. vid tillämpade metoder att enheten blir skrymmande, vilket är mycket generande vid tillverkning av en integrerad monolitisk krets för mikrovågor. Deras montering vid den integrerade kretsen nödvändiggör dessutom ytterligare yttre anslutningar, jämte lödningar, vilkas utförande är besvärligt och ibland generande vid en monolitisk integrerad krets.

Vid kända kretsar, som inte är effektförstärkare, tillförsäk- ras filtreringen för fälteffekttransistorernas polarisations- kretsar genom en ytterligare fälteffekttransistor, som arbe- tar i mättat tillstånd. Dock är tillämpningen av detta slag av filtrering vid polarisationskretsarna till en effektför- stärkare ej möjlig.

Syftet med uppfinningen består 1 att åstadkoma en fördelad förstärkare för bredbandiga mikrovågssignaler, vilken icke företer nackdelarna vid kända förstärkare. 10 15 20 25 30 35 512 851 4 Genom uppfinningen möjliggöres bl.a. en filtrering för polarisationskretsarna i en fördelad förstärkare, som löser de problem som sammanhänger med tidigare kända strukturer.

Filtreringen av polarisationskretsar med en ytterligare fälteffekttransistor, som fungerar med mättbarhet medför fördelen att tillåta en vinst i yta på halvledarsubstratet i förhållande till induktanselement.

Emellertid är en dylik filtrering ej tillfredsställande, om den tillämpas vid en fördelad-förstärkare med stor effekt, ty den fälteffekttransistor som är kopplad mättningsbart avger då denna effekt i ett mycket begränsat område, vilket medför termiska problem samt elektriska parasitsignaler, som är I oförenliga med riktig funktion för den fördelade för- stärkaren. Närmare bestämt måste den transistor som fungerar mättbart låta sig genomgås ensam med hela suman polarisa- tionslikströmmarna för fälteffekttransistorerna i den för- delade förstärkaren. Denna transistor skulle då erhålla en storlek som var i stort sett lika stor som summan av stor- lekarna för fälteffekttransistorernas styren i den fördelade förstärkaren. Ju större emellertid den effekttransistor som fungerar mättbart blir, desto mer kommer dess resistans att minska, eftersom denna är omvänt proportionell mot fält- effekttransistorns storlek. Därav följer alltså att den fälteffekttransistor som är kopplad mättbart ej längre ger en tillräckligt hög impedans i mikrovågsområdet för att kunna tillräckligt väl filtrera den fördelade förstärkarens polari- sationskretsar.

Om med andra ord fackmannen vill polarisera ett flertal celler i en fördelad effektförstärkare via en effekttransis- tor som fungerar mättbart, så inser han att han blir tvungen att använda en stor fälteffekttransistor för att tåla hela polarisationsströmmen. En dylik transistor har emellertid låg dynamisk impedans. Därav följer att det föreligger en mot- sägelse mellan användningen av en stor fälteffekttransistor 10 15 20 25 30 35 512 851-2 5 fungerande mättbart, och kraven på mikrovågsfiltrering för polarisationskretsarna.

Sökanden har överraskande funnit att genom att uppdela en fälteffekttransistor fungerande mättbart i ett flertal effekttransistorer fungerande likaså mättbart, de ovannämnda problemen kunde bemästras med hjälp av några justeringar.

Uppfinningen avser en fördelad förstärkare för bredbandiga mikrovågssignaler av det slag som omfattar: - ett flertal basförstärkarceller, monterade i serie, med minst en gemensam kollektorledning och minst en gemensam styreledning, där varje cell omfattar minst en fälteffekt- transistor, kopplad med gemensam emitter, samt filtrerings- element; - första polarisationsmedel för att pålägga en första polari- sationsspänning till den gemensama kollektorledningen; och - andra polarisationsmedel för att pâlägga en andra polarisa- tionsspänning till den gemensama styreledningen.

I enlighet med en allmän definition av uppfinningen omfattar de första polarisationsmedlen: - ett flertal ytterligare fälteffekttransistorer, som funge- rar med mättbar laddning och vilkas resp. emittrar är distri- butivt anslutna till den gemensamma kollektorledningen och vilkas resp. kollektorer erhåller i serie den första polarisationsspänningen.

I enlighet med en aspekt av uppfinningen omfattar den fördel- ade förstärkaren dessutom tredje polarisationsmedel för att avge en tredje polarisationsspänning, under det att de ytter- ligare transistorernas styren mottar i serie denna tredje polarisationsspänning via var sin resistans.

Mi H ii» iin » 10 15 20 25 30 35 512 851» Det är lämpligt om den tredje polarisationsspänningen är kopplad till jord parallellt via en avkopplingskondensator.

I enlighet med ett första föredraget utförande av uppfin- ningen omfattar varje basförstärkarcell en fälteffekttransis- tor monterad med gemensam emitter, och vars styre är kopplat till den gemensamma styreledningen och vars kollektor är kopplad till den gemensama kollektorledningen.

I enlighet med ett andra föredraget utförande av uppfinningen omfattar den fördelade förstärkaren ett flertal basför- stärkarceller, monterade i serie, med en gemensam kollektor- ledning och första och andra gemensama styreledningar, under det att varje cell omfattar tre fälteffekttransistorer som är inbördes samankopplade i kombination med filtreringselement, och den första och andra transistorn, monterade med gemensam emitter, är kopplade resp. till den första gemensama styre- ledningen och den andra gemensama styreledningen till resp. styren, under det att deras resp. kollektorer är samankopp- lade, och den tredje transistorn, monterad med gemensamt styre, har sin emitter kopplad till kollektorerna i den första och andra transistorn och har sin kollektor kopplad till den gemensamma kollektorledningen.

I enlighet med ett tredje föredraget utförande av uppfin- ningen omfattar den fördelade förstärkaren ett flertal bas- förstärkarceller, monterade i serie, med en gemensam kollek- torledning och en gemensam styreledning, under det att varje cell omfattar två fälteffekttransistorer, sammankopplade inbördes i kombination med filtreringselement, och den första transistorn, monterad med gemensam emitter, är kopplad till den gemensamma styreledningen med sitt styre, och den andra transistorn, monterad med gemensamt styre, har sin kollektor kopplad till den gemensama kollektorledningen, under det att den första transistorns kollektor är kopplad till styret på den andra transistorn. 10 15 20 25 30 35 512 851š I praktiken är summan av bredderna för de ytterligare fält- effekttransistorernas styren väsentligen lika stor som eller mindre än summan av detsama för fälteffekttransistorerna i basförstärkarcellerna, som är anslutna distributivt till den gemensama kollektorledningen.

Andra särdrag och fördelar med uppfinningen framgår av den följande detaljerade beskrivningen och tillhörande ritningar, där: - fig. 1 visar principschemat för en fördelad mikrovågsför- stärkare med en gemensam kollektorledning, av känt slag; - fig. 2A visar schematiskt en fälteffekttransistor funge- rande med mättbar laddning, under det att fig. 2B är dess ekvivalentschema; - fig. 3 visar principschemat för en fördelad mikrovågsför- stärkare med en gemensam kollektorledning polariserad enligt uppfinningen; - fig. 4 visar ett flertal celler för en fördelad mikrovågs- förstärkare med en gemensam styreledning och en gemensam kollektorledning, polarisedad enligt uppfinningen; och - fig. 5 visar en cell för en fördelad förstärkare med två gemensamma styreledningar och en gemensam kollektorledning, polariserad enligt uppfinningen.

De tillhörande ritningarna omfattar i det väsentliga element av bestämd karaktär. De kan följaktligen icke blott tjäna till att bättre förstå den detaljerade beskrivningen, utan även tjäna till att bidraga till definitionen av uppfin- ningen, där så är nödigt. 10 15 20 25 30 35 512 851. 8 Fig. 1 visar en känd fördelad förstärkare. Den utgöres av ett flertal basförstärkarceller Cl-Cn, monterade i serie med en gemensam kollektorledning Ld och en styreledning Lg. Varje cell, såsom cellen Cl, omfattar en förstärkarstruktur Al, baserad på minst en fälteffekttransistor, monterad med gemen- sam emitter, ansluten mellan en punkt Dl i den gemensama kollektorledningen Ld och en punkt Gl på den gemensama styreledningen Lg. Början av den gemensama styreledningen Lg bildar förstärkarens E ingång. Vid den andra änden är den belastad med en impedans Rg, som är väsentligen lika stor som den karakteristiska impedansen för den gemensamma styreled- ningen. Omvänt är vid framänden den gemensama kollektorled- ningen Ld belastad med en impedans Rd som är väsentligen lika stor som den karakteristiska impedansen för den gemensamma kollektorledningen, under det att vid den andra änden de- finieras utgången X för den fördelade förstärkaren.

En polarisationskrets (ej visad) pålägger en polarisations- likspänning på den gemensamma kollektorledningen Ld, under det att en annan polarisationskrets (ej visad) pålägger en annan polarisationslikspänning på den gemensamma styreled- ningen Lg. Dessa polarisationskretsar är filtrerade för att släppa fram likspänningar eller likströmmar för polarisering, samtidigt som de isolerar mikrovågseffekten, Det vanligaste är att dessa polarisationskretsar är filtre- rade med induktanselement, parallellkopplade med en kondensa- tor kopplad till jord, med de nackdelar som är kända.

Man förstår att cellerna ej nödvändigtvis är identiska, liksom att monteringen icke nödvändigtvis uppvisar alla de symmetrier som visas i fig. 1.

Funktionsprincipen för en fördelad förstärkare är följande: Ingångssignalen propageras utefter den gemensama styreled- níngen Lg. Varje förstärkande struktur, såsom den som beteck- 10 15 20 25 30 35 512 851 9 nas Al mottar densamma mellan sin styrepunkt G1 och sin kollektorpunkt Dl, samt avger till den gemensamma kollektor- ledningen en förstärkt version av ingångssignalen, vilken version sedan propageras utefter denna gemensamma kollektor- ledning Ld.

Fig. 2A visar en fälteffekttransistorn T, som arbetar med mättningsbar laddning, under det att fig. 2B representerar dess ekvivalent schema.

Polarisationen av styret G tillförsäkras genom en spänning Vg2. Kollektorn D polariseras av en spänning Vd, avkopplad till jord med en kondensator Cd. Transistorn T tillförsäkrar genomgång av en stor likström Id, fram till dess emitter S, samtidigt som den för mikrovågsfrekvens uppvisar en hög dynamisk impedans, p.g.a. mättnaden av strömen Id. Det är av den anledningen som transistorn T kallas med mättbar ladd- ning, ty det är välkänt att när man drar upp kurvorna för kollektorström som funktion av kollektorspänning för en fälteffekttransistor, dessa kurvor snabbt uppvisar en mätt- nad.

Det ekvivalenta schemat för växelström för en fälteffekttran- sistor som fungerar med mättningsbar laddning, omfattar ett motstånd Rcs med en därmed parallell kondensator Ccs. Den höga dynamiska impedansen leder till ett motstånd Rcs med stort värde och en kapacitans Ccs med litet värde.

Fig. 3 visar den fördelade förstärkare som beskrivits med hänvisning till fig. 1, och där filtreringsmedlen införts för polarisationskretsen för den gemensamma kollektorledningen, enligt uppfinningen.

Enligt uppfinningen är vid varje punkt Dl-Du på den gemen- samma kollektorledningen, till vilken är kopplade via kollek- torerna var sin fälteffekttransistor T till en förstärkar- cell, anslutna, fördelade på sina emittrar S', var sin ytter- 10 15 20 25 30 35 512 851 10 ligare fälteffekttransistor T', som fungerar med mättningsbar laddning.

De ytterligare fälteffekttransistorernas resp. kollektorer D' mottar i serie polarisationsspänningen Vd. Denna polarisa- tionsspänning Vd är kopplad till jord via en avkopplingskon- densator Cd, som är parallellkopplad.

De ytterligare fälteffekttransistorerna T' har sina emittrar S' kopplade till sina styren G' via var sin ytterligare kondensator CP, individualiserade såsom CP1-CPn.

De ytterligare fälteffekttransistorernas styren G', indi- vidualiserade såsom G'l-G'n, mottar i serie en ytterligare polarisationslikspänning Vg2 via var sitt motstånd RP med stort värde, individualiserade såsom RPI-RPn.

Filtreringen för polarisationskretsen för den gemensamma kollektorledningen, som sålunda åstadkommes, möjliggör dels att icke koncentrera källan för den värme som alstras av den mättnadsström som genomgår fälteffekttransistorn till ett enda område, och dels att fördela de elektriska parasitsigna- lerna. Närmare bestämt har man, i stället för en enda impe- dans (Rcs/Ccs), ansluten till en punkt på den gemensama kollektorledningen, nu n dynamiska impedanser ((Rcs/n/n.Ccs), om de n cellerna har ytterligare fälteffekttransistorer, vilka är identiska), som är n gånger större än den enda impedansen (Rcs//Ccs).

Vidare är dessa n dynamiska impedanser lättare att ta hänsyn till vid konstruktionen av en fördelad förstärkare i mono- litisk integrerad kretsteknik för mikrovågor, ty dessa para- sitiska impedanser är lätt integrerbara i varje basför- stärkarcell. Slutligen kan kvotandelen av den parasitiska kapacitansen Ccs för varje cell lätt tagas i beräkning för beräkningen av kapacitansen för den gemensamma kollektorled- ningen. 10 15 20 25 30 35 512 851É ll Slutligen möjliggör en dylik filtrering undvikande av lokal överbelastning i ström av den gemensamma kollektorledningen.

Varje cell är faktiskt nu matad för sig. Dessutom möjliggör uppdelningen av den totala polarisationsströmen i n cel- lulära polarisationsströmar användning av enkla ledartrådar, som upptar liten yta på halvledarplattan.

I fig. 4 har visats en fördelad förstärkare, omfattande ett flertal celler Cl-Cn, monterade i serie med en gemensam styreledning och en gemensam kollektorledning, polariserad enligt uppfinningen.

Varje basförstärkarcell omfattar en fälteffekttransistor Tl, monterad med gemensam emitter, och dess styre G kopplat till den gemensama styreledningen via styrefilterelement, och varvid dess kollektor D är kopplad till den gemensamma styre- ledningen via kollektorfilterelement.

Närmare bestämt är dess styre kopplat till den gemensamma punkten för två induktanser, där den ena Lgll går mot ingån- gen på den gemensamma styreledningen och den andra, Lglz, mot dess utgång (för denna cell). Likaledes är kollektorn D till fälteffekttransistorn Tl kopplad till den gemensamma punkten mellan två induktanser, där den ena, Ldll, går mot ingången och den andra, Ldlz, mot utgången för den fördelade för- stärkaren.

Enligt uppfinningen är emittern S'l för en ytterligare fält- effekttransistor T'l exempelvis ansluten till den gemensamma punkten mellan två induktanser Ldll och Ldlz.

Det är lämpligt om den ytterligare fälteffekttransistorn, som fungerar med mättningsbar laddning, är anpassad till den transistorn som den skall polarisera. Man kan då låta fält- effekttransistorn i den förstärkande strukturen arbeta vid samma funktionspunkt som den ytterligare fälteffekttransistor 10 15 20 25 30 35 512 851, 12 som polariserar densamma. Om då styrebredden för fälteffekt- transistorn i den förstärkande strukturen är Wg, så är bred- den för styret på den ytterligare fälteffekttransistor som polariserar densamma likaså Wg.

Emellertid kan det vara förmånligt att låta fälteffekt- transistorn i den förstärkande strukturen arbeta endast under en kollektorström Id som är mindre än den ström som går genom den ytterligare fälteffekttransistor som polariserar den- sama. Detta medför att den ytterligare fälteffekttransistorn är x gånger mindre än fälteffekttransistorn i den förstär- kande strukturen. Man får också en ytterligare fälteffekt- transistor, som uppvisar en dynamisk impedans som är x gånger större. Exempelvis kan bredden av styret hos den ytterligare fälteffekttransistorn 0,6 Ng, där Wg är bredden för styret i fälteffekttransistorn i den förstärkande strukturen.

Uppfinningen kan även tillämpas vid fördelade förstärkare, som är monterade i "kaskod", såsom de som beskrives i franska patentansökan 8716277, av oss ingiven den 24 november 1987.

I fig. 5 har visats en cell CE i en dylik fördelad för- stärkare.

Cellen CE omfattar två styreledningar SG1-SG'1 resp SG _ ° 2 SG'2, jämte en kollektorledning SD-SD'. De båda styreled- ningarna är försedda med filtreringskretsar, företrädesvis av typ "alltigenom"; Fgl resp. Fg2. För en detaljerad beskriv- ning av cellen CE hänvisas till nyssnämnda patentansökan.

Genomgångsfunktionen kompletteras av kapaciteten styre-emit- ter för transistorn med gemensam emitter (TS1 eller TS2), samverkande med sin resp. styreledning. De båda transistorer- nas TS1 och TS2 kollektorer är direkt hopkopplade. Denna förbindelsepunkt mellan de båda kollektorerna är via en induktans LI kopplad till emittern på en transistor Tg, kopplad med gemensamt styre. Kollektorn till denna transistor 10 15 20 25 30 512 851f 13 är kopplad till en annan cell Fd, företrädesvis av genom- gångstyp.

Enligt uppfinningen är emittern S' till en ytterligare fält- effekttransistor T' kopplad med mättningsbar laddning, anslu- ten till kollektorn på transistorn Tg.

Transistorn T' fungerar på samma sätt som de ytterligare fälteffekttransistorer som beskrivits med hänvisning till fig. 3. Liksom tidigare pålägges polarisationsspänningen Vd till transistorns C' kollektor D' via en avkopplingskondensa- tor Cd, som är parallellkopplad. Den ytterligare kapaciteten Cdd mot jord har eliminerats i cellen CE, omnämnd i den ovannämnda patentansökan. Denna ytterligare kondensator Cdd kan vara integrerad i parasitkapacitanserna i induktans- elementen. Liksom förut pålägges polarisationsspänningen Vg2 till styret G' på den ytterligare fälteffekttransistorn T' via ett motstånd RP. Likaså är dess emitter S' kopplad till dess styre 6' via en ytterligare kondensator CP.

I denna cell CE har transistorerna TSI och TS2 en styrebredd som är lika med Wg, under det att transistorn Tg har en styrebredd lika med 2 gånger Wg. Sålunda kan den ytterligare fälteffekttransistorn T' som är avsedd för att polarisera transistorn Tg exempelvis ha en styrebredd varierande mellan 1,2 och 2 Wg av de skäl som omtalats med hänvisning till fig. 4.

Rent allmänt sett kan uppfinningen tillämpas för filtreringen vid polatisationskretsar för integrerade monolitkretsar för mikrovågor. Den kan även tillämpas för filtrering av polari- sationskretsar i celler i ett försteg som föregår en fördelad förstärkare.

Claims (8)

L 10 15 20 25 30 512 8512 14 Patentkrav

1. l. Fördelad förstärkare för bredbandiga mikrovågssignaler av det slag som omfattar: - ett flertal basförstärkarceller (Cl-Cn) monterade i serie, med minst en gemensam kollektorledning (Ld) och minst en gemensam styreledning (Lg), där varje cell omfattar minst en fälteffekttransistor (TI), monterad med gemensam emitter, samt filtreringselement (Lgll, Lg12); - första polarisationsmedel för att pâlägga en första polari- sationsspänning (Vd) på den gemensama kollektorledningen; - andra polarisationsmedel för att pålägga en andra polarisa- tionsspänning på den gemensamma styreledningen, k ä n n e t e c k n a d av att de första polarisationsmedlen omfattar: - ett flertal ytterligare fälteffekttransistorer (T'1-T'n), fungerande med mättningsbar laddning och vars resp. emittrar (S'l-S'n) är fördelat anslutna till den gemensama kollektor- ledningen (Ld) och vilkas resp. kollektorer (D'1-D'n) mottar i serie den första polarisationsspänningen (Vd).

2. Förstärkare enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att den dessutom omfattar tredje polarisationsmedel för att avge en tredje polarisationsspänning (Vg2) och av att de ytterligare transistorernas styren (G'l-G'n) i serie mottar den tredje polarisationsspänningen (Vg2) via var sitt mot- stånd (Rpl-Rpn).

3. Förstärkare enligt något av föregående patentkrav, k ä n- n e t e c k n a d av att de ytterligare fälteffekttransisto- rerna (T'l-T'n) har sina emittrar (S'l-Sn) kopplade till sina 10 15 20 25 30 35 512 85-1: 15 styren (G'l-G'n) via var sin ytterligare kondensator (CPI- cPn) .

4. Förstärkare enligt något av föregående krav, k ä n n e - t e c k n a d är kopplad till jord parallellt via en avkopplingskondensator (Cd). av att den första polarisationsspänningen (Vd)

5. Förstärkare enligt något av föregående krav, k ä n n e - t e c k n a d av att suman av de ytterligare fälteffekt- transistorernas (T'1-T'n) styrebredder är väsentligen lika stor som eller mindre än summan av styrebredderna för transistorerna (TI-Tn) i basförstärkarcellerna (Cl-Cn) som är anslutna distributivt mot den gemensama kollektorledningen (Lä)-

6. Förstärkare enligt något av föregående krav, k ä n n e - t e c k n a d av att varje basförstärkarcell omfattar en fälteffekttransistor, kopplad med gemensam emitter, med sitt styre kopplat till den gemensamma styreledningen via filter- element och sin kollektor kopplad till den gemensama kollek- torledningen via filterelement. k ä n n e t e c k - av att flertalet av basförstärkarceller är kopplade i

7. Förstärkare enligt något av krav 1-5, n a d serie, med en gemensam kollektorledning (SD-SD') och första (SGI-SG'1) och andra (SG2-SG'2) gemensamma styreledningar, och av att varje cell (CE) omfattar tre fälteffekttransisto- rer, inbördes samankopplade i kombination med filterelement, varvid den första (TSI) och andra (TS2) transistorn, kopplade med gemensam emitter, är kopplade resp. till den första gemensamma styreledningen (SGI-SG'l) och till den andra gemensamma styreledningen (SG2-SG'2) med sina resp. styren, under det att deras resp. kollektorer är sammankopplade till den tredje transistorn (Tg), som är monterad med gemensamt styre, och har sin emitter kopplad till kollektorerna till 10 512 851Ä 16 den första och den andra transistorn samt har sin kollektor kopplad till den gemensama kollektorledningen (SD-SD').

8. Förstärkare enligt något av krav 1-5, k ä n n e t e c k - n a d av att den omfattar ett flertal basförstärkarceller, monterade i serie, med en gemensam kollektorledning och en gemensam styreledning, samt av att varje cell omfattar två fälteffekttransistorer, inbördes sammankopplade i kombination med filterelement, varvid den första transistorn, kopplad med gemensam emitter, är kopplad till den gemensamma styreled- ningen via dess styre och den andra transistorn, kopplad med gemensamt styre, har sin kollektor kopplad till den gemensam- ma kollektorledningen, under det att den första transistorns kollektor är kopplad till den första transistorns emitter.