JPS6032416A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
- Publication number
- JPS6032416A JPS6032416A JP14104383A JP14104383A JPS6032416A JP S6032416 A JPS6032416 A JP S6032416A JP 14104383 A JP14104383 A JP 14104383A JP 14104383 A JP14104383 A JP 14104383A JP S6032416 A JPS6032416 A JP S6032416A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- amplifier
- high frequency
- feedback
- circuit
- Prior art date
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- Granted
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高周波増幅器に係り、特に成界効果トランジス
タを用いた広帯域の高周波増幅器に関する。
タを用いた広帯域の高周波増幅器に関する。
従来、広帯域・低雑音の高周波増幅器として最も良く用
いられている回路構成を第１図に示す。
いられている回路構成を第１図に示す。
第１図の回路構成では、１の電界効果トランジスｐ （
ｐｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ ’ｌ’ｒａｎｓｉｓｔｏｒ
；以下ＦＥＴと略す〕を、ソース接地型増幅器として
用いている。
ｐｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ ’ｌ’ｒａｎｓｉｓｔｏｒ
；以下ＦＥＴと略す〕を、ソース接地型増幅器として
用いている。
２はソース接地増幅器の出力３から入力４へ帰還を施す
ための抵抗である。この帰還により、ソース接地増幅器
の利得−周波数特性を広帯域にわたり平坦としている。
ための抵抗である。この帰還により、ソース接地増幅器
の利得−周波数特性を広帯域にわたり平坦としている。
それと同時に、この帰還にはソース接地増幅器の入力イ
ンピーダンスを、一般的な高周波回路に使用される信号
源インピーダンスおよび負荷インピーダンスに整合させ
る効果もある。一方、ＦＥＴは一般に逆バイアスで使用
するため２の帰還用抵抗をそのままＦＥＴのゲートに接
続すると帰還回路に大きな直流電流が流れ、消費電流が
増える、帰還抵抗に大成流容址のものが必要となる等の
不都合が生じる。そこで一般に帰還回路に直流遮断用の
コンデンサ５を挿入することが行なわれている。
ンピーダンスを、一般的な高周波回路に使用される信号
源インピーダンスおよび負荷インピーダンスに整合させ
る効果もある。一方、ＦＥＴは一般に逆バイアスで使用
するため２の帰還用抵抗をそのままＦＥＴのゲートに接
続すると帰還回路に大きな直流電流が流れ、消費電流が
増える、帰還抵抗に大成流容址のものが必要となる等の
不都合が生じる。そこで一般に帰還回路に直流遮断用の
コンデンサ５を挿入することが行なわれている。
個別素子で第１図の構成を実現する場合は、上記構成を
そのまま実回路としても問題はない。しかし、これをモ
ノリシック集積回路として同一ウェハ上に集積しようと
すると、上記コンデンサに関して次のような問題が生じ
る。モノリシック集積回路に使用されるコンデンサは、
金属−絶縁物−金属の構造をもったいわゆるＭＩＭ型と
呼ばれるものが多い。その構造を第２図に示す。図中１
の上部α極、２の絶縁物、３の下部電極で容量を形成し
ていゐ。モノリシック集積回路ではＦＥＴの放熱を良く
するために、４のウェハを極力うす＜シ、またウェハ下
面に金属５を蒸着し、これを接地するのが普通である。
そのまま実回路としても問題はない。しかし、これをモ
ノリシック集積回路として同一ウェハ上に集積しようと
すると、上記コンデンサに関して次のような問題が生じ
る。モノリシック集積回路に使用されるコンデンサは、
金属−絶縁物−金属の構造をもったいわゆるＭＩＭ型と
呼ばれるものが多い。その構造を第２図に示す。図中１
の上部α極、２の絶縁物、３の下部電極で容量を形成し
ていゐ。モノリシック集積回路ではＦＥＴの放熱を良く
するために、４のウェハを極力うす＜シ、またウェハ下
面に金属５を蒸着し、これを接地するのが普通である。
このような構造の場合、コンデンサの下部電極とウェハ
裏面の金属の間に寄生容量が発生する。これは、回路的
には第３図（ａ）のように入力容量の増加となって現わ
れる。また、直流遮断コンデンサをドレイン側にした第
３図（ｂ）の場曾には負荷容量となって現われる。いず
れにしろ、信号源あるいは負荷に並列に入る容量上なシ
、基本的な４１（成（第１図）よりも、増幅器のｊ湧周
波特性を悪化させる原因となっていた。
裏面の金属の間に寄生容量が発生する。これは、回路的
には第３図（ａ）のように入力容量の増加となって現わ
れる。また、直流遮断コンデンサをドレイン側にした第
３図（ｂ）の場曾には負荷容量となって現われる。いず
れにしろ、信号源あるいは負荷に並列に入る容量上なシ
、基本的な４１（成（第１図）よりも、増幅器のｊ湧周
波特性を悪化させる原因となっていた。
本発明は、上記のような高周波特性の劣化を伴うことな
しに、＃還増幅器帰還回路中の直流遮断コンデンサをモ
ノリシック集積化する方法を提供することにるる。
しに、＃還増幅器帰還回路中の直流遮断コンデンサをモ
ノリシック集積化する方法を提供することにるる。
第３図（りの場合を例にとると、前記高周波特性の劣化
は、信号源１１の高周波電流が寄生容量に流れてしまう
ことにより生じている。寄生容量に直列に抵抗を入れる
ことができれば、この高周波電流を減少させることがで
きる。そこで、第４図に示すように帰還抵抗を分割し、
その中間に直流遮断コンデンサを入れれば、信号源から
みた場合も、また負荷側からみた場合も、寄生容量に直
列に抵抗が入った形となシ、上記の目的が達成できる。
は、信号源１１の高周波電流が寄生容量に流れてしまう
ことにより生じている。寄生容量に直列に抵抗を入れる
ことができれば、この高周波電流を減少させることがで
きる。そこで、第４図に示すように帰還抵抗を分割し、
その中間に直流遮断コンデンサを入れれば、信号源から
みた場合も、また負荷側からみた場合も、寄生容量に直
列に抵抗が入った形となシ、上記の目的が達成できる。
第４図は本発明の一実施例である。これを、第１図、第
３図（ａ）の従来例と比較する。寄生容量が存在しない
第１図の場合のＹパラメータは、である。ここにＧＦは
帰還抵抗のコンダクタンス、ｇｍはＦ’ＥＴの相互コン
ダクタンス、ｇＤはＦＥＴの出力コンダクタンスである
。
３図（ａ）の従来例と比較する。寄生容量が存在しない
第１図の場合のＹパラメータは、である。ここにＧＦは
帰還抵抗のコンダクタンス、ｇｍはＦ’ＥＴの相互コン
ダクタンス、ｇＤはＦＥＴの出力コンダクタンスである
。
また、第３図（ａ）の場合のＹパラメータは、でろる。
ここにＣｐは寄生容量の大きさを示す。
一方、実施例に示す構成のＹパラメータは、・・・・・
・・・・（３） である。ここにＲＦは帰還抵抗値（＝１１０Ｆ）である
とした。
・・・・（３） である。ここにＲＦは帰還抵抗値（＝１１０Ｆ）である
とした。
以上の（１）〜（３）式から、各構成の電圧利得は、そ
れぞれ次のようになる。
れぞれ次のようになる。
α”ｇ＋ｎ＋２Ｇ
β；ＧＦ十Ｇ
（ｇＤはｇｍ、Ｇｙ、Ｇに比べ、小さいので無視した）
これらの絶対値の周波数特性を第５図に示す。
ただし、式（４）の場合を基準（ＯｄＢ）に取った。
図からすぐわかるように、式（５）で示される場合の高
周波特性の劣化が、式（６ンの実施例では充分に補正さ
れている。高域において利得がやや上昇しているのは、
帰還回路の周波数特性によシ高周波側で帰還量が減少し
ているためである。
周波特性の劣化が、式（６ンの実施例では充分に補正さ
れている。高域において利得がやや上昇しているのは、
帰還回路の周波数特性によシ高周波側で帰還量が減少し
ているためである。
第６図は本発明の別の実施例である。この回路構成では
、第４図の回路を高利得化するために、ソースフォロワ
によるバッファを付加している。
、第４図の回路を高利得化するために、ソースフォロワ
によるバッファを付加している。
このような場合であっても、帰還回路に関する条件はほ
ぼ同様であシ、先の実施例と同様の効果がある。
ぼ同様であシ、先の実施例と同様の効果がある。
本説明では、直流遮断コンデンサとしてはＭＩＭ型のも
のを仮定した。しかし、これにショットキ接合容量を用
いる場合であっても、ＭＩＭ型の場合と同様の寄生容量
が生じ、本発明の方法が利用できる。
のを仮定した。しかし、これにショットキ接合容量を用
いる場合であっても、ＭＩＭ型の場合と同様の寄生容量
が生じ、本発明の方法が利用できる。
ま７ｈ１本説明ではＦ’ＥＴを増幅素子として用いる場
合についてのみ述べた。しかし、増幅素子としてバイポ
ーラトランジスタを使用する場合であっても、消費心力
を減少させるために、帰還回路に直流遮断コンデンサを
使用する時には、本発明の方法が利用できる。
合についてのみ述べた。しかし、増幅素子としてバイポ
ーラトランジスタを使用する場合であっても、消費心力
を減少させるために、帰還回路に直流遮断コンデンサを
使用する時には、本発明の方法が利用できる。
以上説明したように、本発明によれば、帰還型増幅器を
モノリシック集積化した場合に生じるコンデンザ社極と
ウェハ裏面１極との間の寄生容量の影響を減少させるこ
とができるので、増幅器の高周波特性が同上する効果が
ある。
モノリシック集積化した場合に生じるコンデンザ社極と
ウェハ裏面１極との間の寄生容量の影響を減少させるこ
とができるので、増幅器の高周波特性が同上する効果が
ある。
第１図は、抵抗並列帰還増幅器の従来例、第２図は、ウ
ェハ裏面との間の寄生容量の発生を示す。 第３図は前記寄生容量の回路的な影響を示す。第４図、
第５図、第６図は本発明の詳細な説明図である。 第６図中、１２はドレイン接地ＰＥＴ、１３は第 １
囚 第 ２ 目 早 ３ 目 （ｂ） 第 ４ 圀
ェハ裏面との間の寄生容量の発生を示す。 第３図は前記寄生容量の回路的な影響を示す。第４図、
第５図、第６図は本発明の詳細な説明図である。 第６図中、１２はドレイン接地ＰＥＴ、１３は第 １
囚 第 ２ 目 早 ３ 目 （ｂ） 第 ４ 圀
Claims (1)
- 出力端子と入力端子が帰還回路によシ接続されている帰
還型増幅器において、その帰還回路に少なくとも２個以
上の抵抗を含み、その抵抗の中間の少なくとも１ケ所に
コンデンサを前記抵抗と直列に接続したことを特徴とす
る増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14104383A JPS6032416A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14104383A JPS6032416A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032416A true JPS6032416A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH058602B2 JPH058602B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=15282913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14104383A Granted JPS6032416A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835638B1 (ko) * | 2008-01-31 | 2008-06-09 | 엘지전자 주식회사 | 광대역 저잡음 증폭기 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115006A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | Amplifier |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP14104383A patent/JPS6032416A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115006A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | Amplifier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835638B1 (ko) * | 2008-01-31 | 2008-06-09 | 엘지전자 주식회사 | 광대역 저잡음 증폭기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058602B2 (ja) | 1993-02-02 |
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