IT9067890A1 - Amplificatore distribuito per segnali ad iperfrequenze a larga banda - Google Patents
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Description
DESCRI ZIONE dell'invenzione industriale dal titolo: "Amplificatore distribuito per segnali ad iperfrequenze a larga banda"
TESTO DELLA DESCRIZIONE L'invenzione riguarda gli amplificatori distribuiti per segnali ad iperfrequenze a larga banda. Essa trova applicazione nella fabbricazione dei circuiti integrati monolitici a micro-onde o iperfrequenze.
In generale, un amplificatore distribuito comprende una pluralità di celle ampiificatrici di base, montate in serie con almeno una linea di collettore (drain) comune ed una linea di gate grille comune. Ciascuna cella amplificatrice di base comprendi almeno un transistore ad effetto di campo montato con sorgente (source) comune collegato alla linea di collettore comune tramite il suo collettore così come alla linea di gate comune attraverso il suo gate.
Il funzionamento corretto di un transistore ad effetto di campo richiede l'applicazione di una prima tensione di polarizzazione continua sul suo collettore, da una parte,e 1‘applicazione -di una seconda tensione di polarizzazione continua sul suo gate, dall'altra parte. In un amplificatore distribuito è la linea di collettore comune che riceve la prima tensione di polarizzazione mentre la linea di gate comune riceve la seconda tensione di polarizzazione.
Talvolta, talune configurazioni utilizzano celle amplificatrici di base montate in serie con due linee di gate coinune-ed una linea di collettore comune, comprendenti ciascuna,più transistori ad effetto di campo.
Gli imperativi di base per un buon funzionamento di un amplificatore distribuito per segnali ad iperfrequenza a larga banda riguardano il filtraggio dei circuiti di polarizzazione. In effetti è necessario che tali circuiti di polarizzazione lascino passare le tensioni o correnti continue di polarizzazione ma isolino la potenza ad iperfrequenza.
Nel caso più frequente, questo filtraggio è realizzato attraverso le resistenze terminali delle linee di collettore e di gate comuni che possono essere accoppiate in serie con una capacità di disaccoppiamento.
Il filtraggio della polarizzazione delle linee di gate comuni attraverso la loro resistenza terminale accoppiata in serie con una capacità di dìsaccoppiamento risulta soddisfacente nella misura in cui la corrente continua del gate è ridotta e non appare alcuna caduta di tensione nelle resistenze terminali di gate.
Per contro, il filtraggio della polarizzazione delle linee di collettore comune attraverso la loro resistenza terminale accoppiata in serie con una capacità di disaccoppiamento non conviene nella misura in cui la corrente continua di collettore è elevata (ad esempio 500 milli-ampère per un ampiificatore distribuito di potenza dell'ordine di 1 watt), il che porta 3 cadute di tensione di poiarizzazione dell'ordine di 25 volt per
resistenze terminali di collettore di un valore dell'ordine di 50 ohm, e di conseguenza ad un aumento della tensione di polarizzazione fino a valori utilizzati non in modo abituale nel campo dei circuiti integrati.
Gli altri inconvenienti del filtraggio dei circuiti di polarizzazione attraverso resistenze terminali di gate o di collettore sono le perdite di energia rilevanti che si producono a livello di tali resistenze terminali e l'utilizzazione di conduttori larghi che occupano molto posto sulla piastrina semi-conduttiva e che sono necessari per sopportare la totalità della corrente continua di polarizzazione di collettore che attraversa il tronco della linea di collettore comune collegata alla resistenza terminale di collettore.
il filtraggio dei circuiti di polarizzazione può essere parimenti realizzato attraverso elementi auto induttivi accoppiati eventualmente in parallelo attraverso una capacità collegata alla massa. Questo tipo di filtraggio è soddisfacente nel caso di circuiti integrati ibridi o di transistori a effetto di campo montati in modo discreto.
Per contro, nella tecnologia dei circuiti integrati monolitici a microonde, gli elementi auto induttiv i non convengono né se realizzati in modo integrato nel chip, né nel caso in cui essi sono realizzati all'esterno di detto chip.
In effetti, il filtraggio dei circuiti di polarizzazione attraverso elementi autoindut tivi ha l'inconveniente di degradare le prestazioni dell'amplificatore distribuito, in particolare il suo adattamento di impedenza nella misura in cui gli elementi autoinduttivi di filtraggio possono presentare un fenomeno di risonanza propria parassita, e in modo più specifico quando si tratta di un amplificatore distribuita a larga banda avente una banda dell'ordine di 40 GHz . Inoltre, tali elementi dovrebbero, nel caso di un amplificatore di potenza, sopportare una corrente di polarizzazione spesso incompatibile con le dimensioni dei fili conduttori.
Quando gli elementi autoinduttivi sono montati esternamente rispetto al circuito integrato, le loro dimensioni portano, almeno nella realizzazione attuale, ad un ingombro ri1evante che è di grande impedimento nella realizzazione di un circuito integrato monolitico a microonde. Inoltre, il loro montaggio su circuito integrato richiede connessioni esterne supplementari cosi come saldature la cui realizzazione è difficile e talvolta di impedimento su un ci'rcuito integrato monolitico.
In circuiti noti diversi dagli amplificatori di potenza, il filtraggio dei circuiti di polarizzazione dei transistori a effetto di campo è assicurato da un transistore ad effetto di camρo supplementare che lavora in regime di saturazione. Tuttavia, l'applicazione di questo tipo di filtraggio ai circuiti di polarizzazione di un ampiificatore di potenza non è possibile.
Lo scopo dell'invenzione consiste nel fornire un ampiificatore distribuito per segnali ad iperfrequenze a larga banda che non presenti gli inconvenienti degli amplificatori noti.
L'invenzione permette in particolare un filtraggio dei circuiti di polarizzazione di 'un amplificatore distribuito che risolve i problemi associati alle strutture precedenti.
Il filtraggio di circuiti di polarizzazione con un transistore a effetto di campo supplementare, che funzione in carica saturabile, ha il vantaggio di permettere un guadagno di superficie sulla lastrina di semiconduttore rispetto agli elementi autoinduttivi.
Tuttavia, un tale filtraggio non sarebbe soddisfacente se fosse -applicato ad un ampi ificatore distribuito di forte potenza, poiché il transistore ad effetto di campo montato in carica saturabile dissiperebbe allora tale potenza su una regione molto localizzata dando origine a problemi termici così come a fenomeni elettrici parassiti incompatibili con il funzionamento corretto del l'ampiificatare distribuito. In modo piu preciso, il transistore funzionante in carica saturabile dovrebbe lasciar passare da solo tutta la somma delle correnti continue di polarizzazione dei transistori a effetto di campo dell'amplificatore distribuito. Questa transistore avrebbe quindi dimensioni sostanzialmente uguali alla somma delle larghezza di gate dei transistori ad effetto di campo dell'amplificatore distribuito. Ora, più il transistore a effetto di campo che funziona in carica saturabile diventa grande, più la sua resistenza si riduce poiché essa è inversamente proporzionale alle dimensioni del transistore a effetto di campo. Così, come conseguenza, il transistore a effetto . di campo montato in carica saturabile non presenterà più una impedenza sufficientemente elevata ad iperfrequenze per poter filtrare in modo adeguato i circuiti di polarizzazione dell 'ampiifi-ratore·distribuito.
In altri termini, se il tecnico esperto del settore vuole polarizzare una pluralità di celle di un amplificatore distribuito di potenza attraverso un transistore a effetto di campo che funziona in carica saturabile, vedrà che è obbligato a utilizzare un grosso transistore a effetto di campo per sopportare la totalità delia corrente di polarizzazione.Ora, un tale transistore presenta un'impedenza dinamica ridotta. Ne deriva che c'è una contraddizione fra l'utilizzazione di un grosso transistore a effetto di campo funzionante in carica saturabile e gli imperativi di filtraggio ad iperfrequenze dei circuiti di polarizzazione.
La richiedente ha osservato in modo sorprendente che suddividendo un transistore, a effetto di campo funzionante in carica saturabile in una pluralità di transistori a effetto di campo che funzionano parimenti in carica saturabile, è possibile superare, tramite alcuni aggiustamenti, i problemi sopra richiamati.
L'invenzione si riferisce ad un amplificatore distribuito per segnali ad i perfrequenze a larga banda del tipo comprendente:
- una pluralità di celle amplificatrici di base montate in serie, con malmeno una linea di collettore comune ed almeno una linea di gate comune, ciascuna cella comprendendo almeno un transistore a effetto di campo campo montato con sorgente comune ed elementi di filtraggio;
- primi mezzi di polarizzazione per applicare una prima tensione di polarizzazione sulla linea di collettore comune.; e
- secondi mezzi di polarizzazione per applicare una seconda tensione di polarizzazione sulla linea di gate comune.
Secondo una definizione generale dell'invenzione, i primi mezzi di polarizzazione comprendono ;
- una pluralità di transistori ad effetto di campo ausiliari funzionanti in carica saturabile· e le cui rispettive sorgenti sono collegate in modo distribuito sulla linea di collettore comune ed i cui rispettivi collettori ricevono in serie la prima tensione di polarizzazione.
Secondo un aspetto dell'invenzione, l 'ampiificatore distribuito comprende inoltre terzi mezzi di polarizzazione per fornire una terza tensione di polarizzazione mentre i gate dei transistori ausiliari ricevono in serie questa terza tensione di -polarizzazione attraverso, rispettivamente, una resistenza.
In modo vantaggioso, la terza tensione di polarizzazione è collegata alla massa in parallelo attraverso una capacità di disaccoppiamento.
Secondo una prima forma di attuazione preferita dell'invenzione, ciascuna cella ampiificat rice di base comprende un transistore a effetto di campo montato in sorgente comune, con il suo gate collegato alla linea di gate comune e il suo collettore collegato alla linea di collettore comune .
Secondo una seconda forma di attuazione preferita dell'invenzione, l'ampiificatore distribuito comprende una pluralità di celle amplificatrici di base montate in serie, con una linea di collettore comune ed una prima ed una seconda linea di gate comune mentre ciascuna cella comprende tre transistori a effetto di campo interconnessi fra loro in combinazione con elementi di filtraggio, il primo ed il secondo transistore, montati in sorgente comune, essendo collegati rispettivamente alla prima linea di gate comune ed alla seconda linea di gate comune attraverso i loro rispettivi gate, mentre i loro rispettivi collettori sono interconnessi , il terzo transistore, montato in gate comune,avendo la sua sorgente collegata ai collettori del primo e del secondo transistore ed avendo il suo collettore collegato alla linea di collettore comune.
Secondo una terza forma di attuazione preferita dall'invenzione , 1 'amplificatore distribuita comprende una pluralità di celle ampiificatrici di base montate in serie, con una linea di collettore comune ed una linea di gate comune, mentre ciascuna cella comprende due transistori ad effetto di campo, interconnessi fra loro in combinazione con elementi di filtraggio, il primo transistore, montato in sorgente comune, essendo collegato alla linea di gate comune attraverso il suo gate, il secondo transistore, montato in gate comune, avendo il suo collettore collegato alla linea di collettore comune, il collettore del primo transistore essendo collegato alla sorgente del secondo transistore.
In pratica, la somma delle larghezze di gate dei transistori ad effetto di campo ausiliari è sostanzialmente uguale o inferiore alla somma di quella dei transistori ad effetto di campo delle celle ampli-ficatrici di base collegati in modo distribuito sulla linea-di collettore comune.
Ulteriori caratteristiche e vantaggi dell'invenzione risulteranno dall'esame della descrizione particolareggiata che segue e dei disegni annessi, in cui:
- la figura 1 è lo schema di principio di un amplificatare ad iperfrequenze distribuita con una linea di collettore comune di tipo noto;
- la figura 2A é una vista schematica di un transistore ad effetto di campo funzionante in carica saturabile, mentre la figura 2B è il suo schema equivalente;
- la figura 3 è lo schema di principia di un ampiificatore ad iperfrequenze distribuito con una linea di collettore comune polarizzata secondo l'invenzione;
- la figura 4 illustra una pluralità di celle per un amplificatore ad iperfrequenze distribuito con una linea di gate comune ed una linea di collettore comune polarizzata secondo l'invenzione; e
- la figura 5 illustra una cella per un ampi if icatore distribuita con due linee di gate comuni ed una linea di collettore comune polarizzate secondo l'invenzione.
1 disegni annessi comprendono in misura essenziale elementi di carattere certo. Essi potranno dunque servire non soltanto a far meglio comprende re la descrizione particolareggiata ma anche contribuire alla definizione dell'invenzione, se necessario.
La f igura 1 fa vedere un amplificatore distribuito noto. Esso è costituito da una pluralità di celle ampiificatri ci di base C1 a Cn, montate in serie con una linea di collettore comune Ld ed una linea di gate Lg. Ciascuna cella, come la cella CΊ, comprende una struttura ampiificatrice a base di almeno un transistore a effetto di campo montato in sorgente comune, interconnesso fra un punto DI della linea di collettore/ld ed un punto G1 della linea di gate comune Lg. La testa della linea di gate comune Lg forma l'ingresso . E dell'amplificatore. All'altra estremiità essa è caricata su un'impedenza Rg che è sostanzialmente pari al1'impedenza caratteristica della linea di gate comune. In miodo inverso, in testa, la linea di collettore comune Ld è caricata su un'impedenza Rd sostanzialmente pari all'impedenza caratteristica della linea di collettore comune, mentre all'altra estremità essa definisce l'uscita X dell'ampiificatore distribuito.
Un circuito di polarizzazione (non rappresentato) applica una tensione di polarizzazione continua sulla linea di collettore comune Ld mentre un altro circuito di polarizzazione (non rappresentato) applica un'altra tensione di polarizzazione continua sulla linea di gate comune Lg. Questi circuiti di polar i.zzazione vengono filtrati per lasciar passare le tensioni o correnti continue di polarizzazione isolando la potenza ad iperfrequenze.
Spesso, tali circuiti di polarizzazione vengono filtrati attraverso elementi auto-induttivi accoppiati in parallelo con una capacità collegata alla massa con gli inconvenienti che si sanno.
Si noterà che le celle non sono necessariamente identiche, ed analogamente l'insieme non presenta necessariamente tutte le simmetrie che appaiono nella figura 1.
Il principio di funzionamento di un ampi ificatore distribuito è il seguente.
Il segnale di ingresso si propaga sulla linea di gate comune Lg. Ciascuna struttura ampiificatrice, quale' quella indicata con A1, 10 riceve fra il suo punto di gate Gl ed il suo punto di collettore DI e fornisce alla linea di collettroe comune una versione amplificata del segnale diningresso, versione che si propaga su tale linea di collettore comune Ld,
La figura 2A fa vedere un transistore ad effetto di campo T che opera in carica saturabile mentre la figura 2B rappresenta il suo schema equi val e nte .
La polarizzazione del gate G è assicurata da una tensione Vg2. Il collettoreD è polarizzato da una tensione Vd disaccoppiata rispetto alla massa da una capacità Cd. Il transistore T assicura il passaggio di una corrente continua ld rilevante fino alla sua sorgente S presentando ad iperfrequenze un'impedenza dinamica elevata dovuta alla saturazione della corrente Id. E' per questa ragione che il transistore T è chiamata a carica saturabile poiché è ben noto che, quando si tracciano le curve di corrente di collettore in funzione della tensione di collettore di un transistore ad effetto di campo, queste curve presentano rapidamente una saturazione.
Lo schema equivalente in alternata di un transistore ad effetto di campo operante in carica saturabile comprende una resistenza Rcs con una capacità Ccs in parallelo. L 'impedenza dinamica elevata si traduce in una resistenza Rcs di valore rilevante ed in una capacità Ccs di valore ridotto.
La figura 3 fa vedere l'amplificatore distribuito descritto con riferimento alla figura 1 in cui sono incorporati i mezzi di filtraggio del circuito di polarizzazione della linea di collettore comune secondo l'invenzione.
Secondo 1'invenzione,a ciascun punto D1 a Dn della linea di collettore comune su cui è collegato rispettivamente attraverso il suo collettore un transistore a effetto di campo T di una cella ampiificatri ce, è collegato, rispettivamente ed. in modo distribuito attraverso la sua sorgente S ' un transistore ad effetto di campo ausiliario T' funzionante in carica saturabile.
1 collettori D' rispettivi dei transistori .ad effetto di campo ausiliari ricevano in serie la tensione di polarizzazione Vd,. Questa tensione di polarizzazione Vd è collegata alla massa attraverso la capacità di disaccoppiamento Cd montata in parallelo.
I transistori ad effetto di campo ausiliari T' hanno la loro sorgente S' collegata al loro gate G' attraverso una rispettiva capacità ausiliaria CP, individuata come CP1 a CPn.
1 gate G', individuati come G'1 a G'n, del·, transistori ad effetto di campo ausiliari ricevono in serie una tensione di polarizzazione continua ausiliaria Vg2 rispettivamente attraverso una resistenza RP di valore elevato, individuata come RP 1 a RPn.
Il filtraggio del circuito di polarizzazione della linea di collettore comune cosi realizzato permette da una parte di non concentrare la sorgente di calore generato dalla corrente di saturazione che attraversa il transistore ad effetto di campo in una sola regione e, dall'altra parte, di ripartire i fenomeni elettrici parassiti. In modo più preciso, invece di una sola impedenza (Rc.s/Ccs) collegati in un punto nella linea di collettore comune, si dispone ora di n impedenze dinamiche (Rcs/n.Ccs) se le n celle hanno transistori ad effetto di campo ausiliari identici) che sono n volte più elevate rispetto all'impedenza unica (Rcs//Ccs).
Inoltre, queste n impedenze dinamiche sono più facili da tenere in conto all'atto della concezione di un ampi ificatore distribuito in tecnologia a circuiti integrati monolitici a micro-onde poiché tali impedenze parassite sono facilmente integrabili in ciascuna cella ampiifi catrice di base. Infine, la quota-parte della capacità parassita Ccs di ciascuna cella pub essere facilmente presa in conto per il calcolo della capacità della linea di collettore comune.
Infine, un tale filtraggio permette di evitare un sovraccarico locale, di corrente, della linea di collettore comune. In effetti, ciascuna cella è alimentata ora separatamente . Inoltre, la divisione della corrente totale di polarizzazione in n correnti di polarizzazione di cella permette di utilizzare semplici fili conduttori che occupano una ridotta superficie sulla piastrina semi conduttrice.
Nella figura 4 si è rappresentato un ampi ificatore distribuito comprendente una pluralità di celle CI a Cn montati in serie con una linea di gate comune ed una linea di collettore comune polarizzata secondo l'invenzione.
Ciascuna cella amplificatrice di base comprende un transistore ad effetto di campo T1 montato in sorgente comune, con il suo gate G collegato alla linea di gate comune attraverso elementi di filtraggio di gate ed il suo collettore D collegato alla linea di collettore comune attraverso elementi di filtraggio di collettore.
In modo più specifico, il suo gate G è collegato al punto comune di due induttanze di cui una,Lg1 va verso l'ingresso della linea di gate comune e l'altra, Lg12, verso la uscita (per tale cella). Analogamente, il collettore D del transistore a effetto di campo T1 è collegato al punto comune di due induttanze che vanno 1'una, LdH , verso l'ingresso, e l'altra, Ld12, verso l'uscita dell'ampiificatore distribuito.
Secondo l'invenzione, la sorgente S'1 di un transistore ad effetto di campo ausiliario T'1 è ad esempio collegata sul punto comune delle due induttanze Ld11 e Ld12
In modo vantaggioso, il transistore ad effetto di campo ausiliario che funziona in carica saturabile è adattato al transistore che è destinato a polarizzare. Si pub dunque fare lavorare il transistore ad effetto di campo della struttura amplificatrice allo stesso punto di funzionamento del transistore ad effetto di campo ausiliario che lo polarizza. Così, se la larghezza di gate del transistore ad effetto di campo della struttura amplificatrice è Wg, la larghezza di gate del transistore ad effetto di campo ausiliario che 10 polarizza è parimenti Wg.
Tuttavia, può essere vantaggioso far lavorare il transistore ad effetto di campo della struttura amplificatrice soltanto sotto una corrente di collettore Ld più piccola rispetto a quella che attraversa il transistore ad effetto di campo ausiliario che lo polarizza. Ne deriva che il transistore ad effetto di campo ausiliario è volte più piccalo del transistore ad effetto di campo della struttura ampiificatrice. Si ottiene anche un transistore ad effetto di campo ausiliario che presenta un'impedenza dinamica x volte più grande. Ad esempio, la larghezza di gate del transistore ad effetto di campo ausiliario è 0,6 Wg dove Wg è la larghezza di gate del transistore ad effetto di campo della struttura ampiificatrice.
L'invenzione può applicarsi parimenti agli ampiificatori distribuiti montati in "cascade", come quelli descritti nella domanda di brevetto francese 87 16 277 depositata dalla richiedente il 24 novembre 1987.
Nella figura 5 è stata rappresentata una cella CE di un tale amplificatore distribuito.
La cella CE comprende due linee di gate SG 1—SG '1 e SG2-SG'2, rispettivamente, così come una linea di collettore SD-SD '. Le due linee dinegate sono munite di celle di filtraggio, di preferenza del tipo passa-tutto, FG1 e FG2, rispettivamente. Si farà riferimento alla domanda di brevetto citata per una descrizione particolareggiata della cella CE La funzione passa-tutto è completata dalla capacità gate-sorgente del transistore a sorgente comune (TS1 o TS2), associata alla linea di gate interessata. I collettori dei due transistori TS1 e TS2 sono direttamente collegati. Questo collegamento fra i due collettori è applicato attraverso un'induttanza LI alla sorgente di un transistore T'g montato in gate comune. .il collettore di questo transistore è collegato ad un'altra cella FD, di preferenza passa-tutto.
Secondo l'invenzione, la sorgente S' di un transistore ad effetto di campo ausiliario T' montato in carica saturabile è collegato al collegato al collettore del transistore Tg.
Il transistore T' funziona in modo analogo rispetto ai transistori ad effetto di campo ausiliari descritti con riferimento alla figura 3. Come in precedenza, la tensione di polarizzazione Vd è applicata al collettore D' del transistore T' attraverso una capacità di disaccoppiamento Cd montata in parallelo. La capacità addizionale Cdd che va verso la massa è stata soppressa nella cella CE descritta nella domanda di brevetto citata in precedenza. J.n effetti, questa capacità addizionale Cdd pub essere integrata nelle capacità parassite degli elerrienti autoinduttivi. Come in precedenza, la tensione di polarizzazione Vg2 viene applicata al gate G' del transistore ad effetto di campo ausiliario T' attraverso una resistenza RP. Analogamente , la sua sorgente S' è collegata al suo gate G' attraverso una capacità ausiliaria CP.
In questa cella CE, i transistori TS1 e TS2 hanno una larghezza di gate pari a Wg mentre il transistore Tg ha una larghezza di gate pari a 2 x Wg. Così, il transistore ad effetto di campo ausiliario T' destinato a polarizzare il transistore Tg, pud avere ad esempio una larghezza di gate che varia da 1,2 a 2 Wg per le ragioni richiamate con riferimento alla figura U.
In modo generale, l'invenzione pud essere applicata al filtraggio dei circuiti di polarizzazione per circuiti integrati monolitici a micro-onde. Essa pud essere anche applicata al filtraggio dei circuiti di polarizzazione delle celle di uno stadio a monte che precede un ampiificalore distribuito.
Claims (8)
- RIVENDICAZIONI -1. Amplificatore distribuito per segnali ad iperfrequenze a larga banda del tipo comprendente: - una pluralità di celle ampiificatrici di base (C1 a Cn) montate in serie con almeno una linea di collettore (drain) comune (Ld) ed almeno una linea di gate <grille) comune (Lg), ciascuna cella comprendendo almeno un transistore ad effetto di campo (TI) montato in sorgente comune ed elementi di filtraggio (LgV1, Lg12); - primi mezzi di polarizzazione per applicare una prima tensione di polarizzazione (Vd) sulla linea di collettore comune; - secondi i mezzi di polarizzazione per applicare una seconda tensione di polarizzazione sulla linea di gate comune, caratterizzato dal fatto che i primi mezzi di polarizzazione comprendono: - una pluralità di transistori ad effetto di campo ausiliari (T'1 a T'n) funzionanti in carica saturabile e le cui sorgenti (S'1 a S'n) rispettive sono collegate in modo distribuito sulla linea di collettore comune (Ld) ed i cui collettori <D'1 a D'n) rispettivi ricevono in serie la prima tensione di polarizzazione (Ld).
- 2. Amplificatore secondo la rivendicazione 1, caratterizzata dal fatto che comprende inoltre terzi mezzi di polarizzazione per fornire una terza tensione di polarizzazione (Vg2) e dal fatto che i gate (G‘1 a G'n) dei transistori ausiliari ricevono in serie la tersa tensione di polarizzazione (Vg2) attraverso una rispettiva resistenza (Rpl a Rpn).
- 3. Amp 1ificato re secondo urta qualsiasi delle precedenti rivendicazioni , caratterizzata dal fatto che i transistori ad effetto di campo ausiliari (T'1 a T'n) hanno la loro sorgente (S'1 a S'n) collegata al loro gate (G'1 a G'n), attraverso una rispettiva capacità ausiliaria (CP1 a CPn).
- 4·. Ampiificatare secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, caratterizzata dal fatto che la prima tensione di polarizzazione (Vd) è collegata alla massa in parallelo attraverso una capacità di disaccoppiamento (Cd).
- 5. Ampiificatore secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, caratterizzata dal fatto che la somma delle larghezze di gate dei transistori ad effetto di campo ausiliari (T'1 a T'n) è sostanzialmente pari o inferiore alla somma di quella dei transistori (TI a Tn) delle celle ampiificatrici di base (C1 a Cn) collegate in modo distribuita sulla linea di collettore comune (Ld).
- 6. Ampilificatore secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, caratterizzato dal fatto che ciascuna cella amplificatrice di base comprende un transistore ad effetto di campo montate' in sorgente comune, il suo gate essendo collegato alla linea di gate comune attraverso elementi di filtraggio ed il suo collettore essendo collegato alla linea di collettore comune attraverso elementi di filtraggio.
- 7. Amplificatore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1 a 5, caratterizzato dal fatto che la pluralità di celle ampiificatrici di base è montata in serie, con una linea di collettore comune (SO-SD') e una prima (SG1-SG1') e seconda (SG2-SGH') linea di gate comuni e dal fatto che ciascuna cella (CE) comprende tre transistori ad effetto di campa interconnessi fra loro in combinazione con elementi di filtraggio, il primo (TS1)edil secondo (TS2) transistore, montati in sorgente comune, essendo collegati rispettivamente alla prima linea di gate comune (SG1-SG1') ed alla seconda linea di gate comune (SG2-SG2') attraverso i loro rispettivi gate mentre i loro rispettivi collettori sono interconnessi al terzo transistore (Tg) montato in gate comune, con la sua sorgente collegata ai collettori del primo e secondo transistore ed avente il suo collettore collegato alla linea di collettore comune (SD-SD').
- 8. Amplificatore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1 a 5, caratterizzato dal fatto che comprende una pluralità'di celle ampiificatrici di base montata in serie, con una linea di collettore comune ed una linea di gate comune e dal fatto che ciascuna cella comprende due transistori ad effetto di campo interconnessi fra loro in combinazione con elementi di filtraggio, il primo transistore, montato in sorgente comune, essendo collegato alla linea di gate comune attraverso il suo gate, il secondo transistore, montato in gate comune, avendo il suo collettore collegato alla linea di collettore comune, mentre il collettore del primo transistore/collegato alla sorgente del secondo transistore.
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