NO20140237A1 - Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumdioksidpartikler - Google Patents
Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumdioksidpartiklerInfo
- Publication number
- NO20140237A1 NO20140237A1 NO20140237A NO20140237A NO20140237A1 NO 20140237 A1 NO20140237 A1 NO 20140237A1 NO 20140237 A NO20140237 A NO 20140237A NO 20140237 A NO20140237 A NO 20140237A NO 20140237 A1 NO20140237 A1 NO 20140237A1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- zirconium oxide
- particles
- reducing agent
- spherical
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 37
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 30
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 30
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910021487 silica fume Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011398 Portland cement Substances 0.000 description 1
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
- C01B33/182—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by reduction of a siliceous material, e.g. with a carbonaceous reducing agent and subsequent oxidation of the silicon monoxide formed
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Teknisk område
Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid. I tillegg vedrører foreliggende oppfinnelse de sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid fremstilt derved.
Bakgrunnsteknikk
Ifølge kjent teknikk fremstilles submikron amorfe silisiumdioksidpartikler fra avgassene fra ovner slik som silisium- og ferrosilisiumovner. Elkem AS har over mange år utviklet denne teknologien vedrørende avgassene fra forskjellige ovner og fremstilling av fine amorfe silisiumdioksidpartikler (mikrosilika). Mikrosilikapartiklene har generelt en partikkelstørrelse på omtrent 0,15 mikron og et overflateareal (BET) på mellom 20 og 30 m<2>/g. Det relativt høye spesifikke overflatearealet er for noen anvendelser slik som betong en ulempe på grunn av lave flytegenskaper til mikrosilikapartiklene.
De amorfe silisiumdioksidpartiklene oppnådd ved den ovennevnte fremgangsmåten har imidlertid den ulempen at sammensetningen og fargen varierer med forskjellig ovnsdrift og også med forskjellige råmaterialer anvendt for fremstillingen av silisium eller ferrosilisium. SiCh-innholdet kan således variere fra 99 vekt-% ned til 70 vekt-% og fargen kan variere fra sort til hvit.
Fine amorfe silisiumdioksidpartikler anvendes i mange applikasjoner slik som betong, ildfaste materialer, keramiske materialer, fyllstoffer i plast og gummi.
Fra US 3194634 er det kjent en fremgangsmåte for å fremstille finfordelt pulver av silisiumdioksid, der silisiumdioksid og et reduksjonsmiddel tilføres et reaksjonskammer inneholdene et flytende silisiumbad. Reaksjonskammeret holder en temperatur på mellom 2000 og 2600 °C. Silisiumdioksid reduseres delvis, av karbon som reduksjonsmiddel, til silisiummonoksid, hvilken silisiummonoksid videre fordampes og blir så oksidert til finfordelt pulver av silisiumdioksid.
Det er ytterligere kjent å fremstille submikron-silisiumdioksidpartikler ved å brenne uorganiske silaner. Denne fremgangsmåten er imidlertid meget kostbar.
Et formål med foreliggende oppfinnelse er således å tilveiebringe en stabil og akslerert fremgangsmåte for å fremstille sfæriske submikron amorfe silisiumdioksidpartikler med en høy og jevn renhet og en jevn farge.
Beskrivelse av oppfinnelsen
Formålet med foreliggende oppfinnelse er å overkomme ulempene ved eksisterende teknologier og tilveiebringe en stabil og akselerert fremgangsmåte for fremstilling av submikron amorft silisiumdioksid.
Formålet med foreliggende oppfinnelse er å fremstille silisium-suboksiddamper som får reagere med oksygen og derved danne submikron silisiumdioksidpartikler som er av en sfærisk amorf type.
Kilden til de forbrennbare silisium-suboksidgassene er en reaksjonsbeholder hvori et bad av reaktanter holdes ved tilstrekkelig temperatur ved hjelp av en egnet varmeanordning.
Prinsippet er å la en silisiumdioksidkilde reagere med et reduksjonsmiddel og derved fremstille silisium-suboksid som tjener som forbrenningsmediet. Fremstillingen av gassformige suboksider ved partiell reduksjon av silisiumdioksidet er vanligvis en varmeforbrukende reaksjon. Eksistensen av et slikt varmereservoar forenkler og stabiliserer derfor fremgangsmåten.
Foreliggende oppfinnelse omfatter en fremgangsmåte for fremstilling av sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid. I foreliggende oppfinnelse tilsettes en silisiumdioksidkilde og et reduksjonsmiddel til en reaksjonsbeholder omfattende et zirkoniumoksidbasert smeltebad. Det zirkoniumoksidbaserte smeltebadet tjener som et varmereservoar som stabiliserer foreliggende fremgangsmåte. Zirkonsiumoksid er et ikke-reaktivt metalloksid med høyt smeltepunkt.
Den zirkoniumoksidbaserte smeiten er foretrukket zirkoniumoksid, og inneholder mindre enn 10 vekt-%, og mer foretrukket mindre enn 5 vekt-% av andre elementer. Hvis den zirkoniumbaserte smeiten inneholder andre elementer kan smeltepunktet senkes til omtrent 2650 °C sammenlignet med omtrent 2715 °C for rent zirkonium dioksid.
Smeltet zirkoniumoksid har et meget lavt damptrykk og ingen zirkonium-suboksider vil fremstilles som vil forurense de fremstilte silisiumdioksidpartikler. Silisiumdioksidet reagerer med reduksjonsmidlet og gir en silisium-suboksiddamp, og nevnte silisium-suboksiddamp oksideres til nevnte sfæriske silisiumdioksidpartikler.
Foreliggende oppfinnelse omfatter således en fremgangsmåte for fremstilling av sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid, hvori silisiumdioksid og et reduksjonsmiddel injiseres i en reaksjonsbeholder omfattende et zirkoniumoksidbasert smeltebad som inneholder mindre enn 10 vekt-% av andre elementer, hvori nevnte zirkoniumoksidbaserte smeltebad tjener som et varmereservoar, hvori silisiumdioksid reagerer med reduksjonsmidlet og gir en silisium-suboksiddamp, SiO, nevnte silisium-suboksiddamp oksideres til nevnte sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid.
Temperaturen til det zirkoniumoksidbaserte materialet inneholdt i beholderen holdes og opprettholdes minst ved eller høyere enn smeltepunktet til nevnte zirkoniumoksidbaserte materiale. Temperaturen til det zirkoniumoksidbaserte materialet velges fra ett av de følgende områder: 2650-2800 °C, 2700-2710 °C, 2710-2720 °C, 2720-2800 °C, 2800-2900 °C, 2900-3000 °C.
I en utførelsesform velges reduksjonsmidlet blant en rekke av forskjellige forbindelser; imidlertid er karbonmaterialer, slik som koks, kull, sot og andre er foretrukket reduksjonsmiddel for fremstillingen av sfæriske silisiumdioksidpartikler. Videre er den fremstilte silisium-suboksiddampen ifølge oppfinnelsen silisiumoksid; SiO. Videre oksideres silisiumoksiddampen til sfæriske amorfe silisiumdioksidpartikler.
I en utførelsesform av foreliggende oppfinnelse injiseres eventuelt en gass i det zirkoniumoksidbaserte smeltebadet for å øke paitialtrykket til metall-suboksidet som frisettes fra badet. Gassen velges fra gruppen bestående av nitrogen eller luft.
Ved fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse oppnås meget rene silisiumdioksidpartikler, ved å velge rent silisiumdioksid og rene karbonreduksjonsmidler som reaktanter. Videre er fargen til de fremstilte silisiumdioksidpartikler hvit.
De fremstilte silisiumdioksidpartiklene har en sfærisk morfologi. De oppnådde sfæriske silisiumdioksidpartikler har en størrelse valgt fra ett av de følgende områder: IO"<9>- IO"<6>m, IO"<9->IO"<8>m, IO"8 - IO"<7>m, IO"7 - IO"<6>m.
De fremstilte silisiumdioksidpartiklene har, på grunn av den høye temperaturen for å fremstille silisium-suboksiddampen, et mindre overflateareal enn mikrosilika fremstilt ifølge kjent teknikk. Silisiumdioksidpartiklene fremstilt i overensstemmelse med fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse har foretrukket et spesifikt overflateareal på mellom 5 og 15 m<2>/g og mer foretrukket mellom 10 og 12 m<2>/g.
Det lave spesifikke overflatearealet til de fremstilte silisiumdioksidpartiklene har vist seg å forbedre flyten når anvendt i ildfaste støpemasser og Portlandsementbaserte mortere og betong. Den forbedrede flytegenskapen til de fremstilte silisiumdioksidpartiklene har fordelen at rimeligere dispergeringsmidler kan tilsettes støpemasser, mortere og betong
Foreliggende oppfinnelse omfatter sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid, partikler fremstilt ifølge fremgangsmåten beskrevet over.
Detaljert beskrivelse av oppfinnelsen
Fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse kan også omfatte fremstilling av mikrosilika eller sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid, SiC>2, hvorved en blanding av silisiumdioksid og reduksjonsmidlet karbon tilsettes zirkoniumoksidbasert smeltebad i en beholder.
Hovedreaksjonen for å fremstille silisium-suboksiddamp silisiumoksid, SiO, er som følger:
Således er fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse en karbotermisk prosess.
Det zirkoniumoksidbaserte smeltebadet holdes ved temperaturer over 2650 °C og foretrukket over smeltepunktet til rent zirkoniumoksid. Det smeltede zirkoniumoksidbaserte materialet kan også holdes ved et temperaturintervall på 2710 - 2720 °C. Damptrykket til det fremstilte silisium-suboksidet, SiO-damptrykkket, når 1 atmosfære omtrent ved 1800 °C. I denne utførelsesformen er temperaturen over 2650 °C mye høyere enn temperatuen på omtrent 1800 °C som er påkrevd for å fremstille SiO-damp. Således vil smeltebadet tjene som et varmereservoar. Ved de høye temperaturene som nevnt over vil imidlertid overflatearealet til de resulterende silisiumdioksidpartiklene være modifisert mot lavere overflatearaler mens de fremdeles er hovedsakelig submikron. Den fremstilte silisium-suboksiddampen, SiO-gass, oksideres til Si02partikler umiddelbart over badet og gjenvinnes i filtere slik som blant annet pose-filtere.
Smeltebadet av det zirkoniumoksidbaserte materialet ifølge foreliggende oppfinnelse vil tjene som et varmereservoar som nevnt over og således stabilisere og akselerere prosessen for å fremstille sfæriske submikronpartikler av et amorft silisiumdioksid. I foreliggende oppfinnelse vil zirkoniumoksid tjene som et nesten inert varmereservoar og således vil de fremstilte sfæriske submikronpartiklene av silisiumdioksid oppnå en høy renhet. I foreliggende oppfinnelse er den oppnådde renheten til de sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid minst 99 vekt-%.
Selv om det er beskrevet utførelsesformer av oppfinnelsen vil det være åpenbart for fagmannen at andre utførelsesf ormer som inkorporerer konseptene kan anvendes. Disse og andre eksempler på oppfinnelsen illustrert ovenfor er utelukkende ment som eksempler og det reelle omfanget av oppfinnelsen er bestemt utelukkende fra de etterfølgende kravene.
Claims (7)
1.
Fremgangsmåte for fremstilling av sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid,karakterisert vedat
silisiumdioksid og et reduksjonsmiddel injiseres i en reaksjonsbeholder omfattende et smeltebad av zirkoniumoksid som inneholder mindre enn 10 vekt-% av andre elementer, hvori nevnte smeltebad av zirkoniumoksidbasert materiale tjener som et varmereservoar, hvori silisiumdioksid reagerer med reduksjonsmidlet og gir en silisium-suboksiddamp, SiO, nevnte silisium-suboksiddamp oksideres til nevnte sfæriske submikronpartikler av amorft silisiumdioksid.
2.
Fremgangsmåte ifølge krav 1, hvori temperaturen til det zirkoniumoksidbaserte materialet inneholdt i beholderen er minst ved smeltepunktet til materialet.
3.
Fremgangsmåte ifølge hvilke som helst av foregående krav 1-2, hvori temperaturen til det zirkoniumoksidbaserte smeltebadet velges fra ett av de følgende områder: 2650 - 2800 °C, 2700-2710 °C, 2710-2720 °C, 2720-2800 °C, 2800-2900 °C, 2900-3000 °C.
4.
Fremgangsmåte ifølge hvilke som helst av foregående krav 1-3, hvori nevnte oppnådde sfæriske silisiumdioksidpartikler har en størrelse valgt fra ett av de følgende områdenlO"9 - IO"6 m, IO"<9->IO"<8>m, IO"8 -IO"7 m, IO"7 - IO"<6>m.
5.
Fremgangsmåte ifølge krav 1, hvori et reduksjonsmiddel er karbon.
6.
Fremgangsmåte ifølge hvilke som helst av foregående krav 1-5, hvori en gas injiseres i zirkoniumoksidet.
7.
Fremgangsmåte ifølge krav 6, hvori gassen velges fra gruppen bestående av nitrogen eller luft.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20140237A NO337545B1 (no) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumdioksidpartikler |
| AU2015219582A AU2015219582B2 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Process for the production of silicon dioxide particles |
| JP2016551273A JP6286573B2 (ja) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | 二酸化ケイ素粒子の製造方法 |
| PCT/NO2015/050039 WO2015126262A1 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Process for the production of silicon dioxide particles |
| US15/107,769 US10011496B2 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Process for the production of silicon dioxide particles |
| CA2935056A CA2935056C (en) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Process for the production of silicon dioxide particles |
| EP15751855.6A EP3110757B1 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Process for the production of silicon dioxide particles |
| BR112016017801-7A BR112016017801B1 (pt) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Processo para produção de partículas submicrônicas esféricas de dióxido de silício amorfo |
| MX2016008843A MX2016008843A (es) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Proceso para la produccion de particulas de dioxido de silicio. |
| CN201580007950.XA CN106103345B (zh) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | 用于生产二氧化硅颗粒的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20140237A NO337545B1 (no) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumdioksidpartikler |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO20140237A1 true NO20140237A1 (no) | 2015-08-25 |
| NO337545B1 NO337545B1 (no) | 2016-05-02 |
Family
ID=53878644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO20140237A NO337545B1 (no) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumdioksidpartikler |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10011496B2 (no) |
| EP (1) | EP3110757B1 (no) |
| JP (1) | JP6286573B2 (no) |
| CN (1) | CN106103345B (no) |
| AU (1) | AU2015219582B2 (no) |
| BR (1) | BR112016017801B1 (no) |
| CA (1) | CA2935056C (no) |
| MX (1) | MX2016008843A (no) |
| NO (1) | NO337545B1 (no) |
| WO (1) | WO2015126262A1 (no) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114288948B (zh) * | 2021-12-26 | 2022-09-30 | 江苏中腾石英材料科技股份有限公司 | 一种火焰法制备纳米高纯二氧化硅的装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2573057A (en) * | 1947-09-11 | 1951-10-30 | Kaiser Aluminium Chem Corp | Process of preparing white finely divided amorphous silica |
| BE538477A (no) * | 1954-05-28 | 1900-01-01 | ||
| NL261314A (no) * | 1960-02-26 | |||
| DE2443130A1 (de) * | 1973-09-10 | 1975-03-13 | Electricity Council | Verfahren und einrichtung zur herstellung ultrafeiner teilchen von siliziumoxid oder aluminiumoxid |
| GB2029420B (en) | 1977-08-11 | 1982-09-15 | Kestrel Chemicals Ltd | Thermoplastic resin compositions containing a filler and artifacts formed therefrom |
| KR950001660B1 (ko) * | 1989-04-07 | 1995-02-28 | 니혼 쇼꾸바이 가가꾸 고오교 가부시기가이샤 | 무기산화물 입자의 제조법 |
| ATE178286T1 (de) * | 1994-09-22 | 1999-04-15 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur herstellung von einem gemischten metalloxydpulver und das nach diesem verfahren hergestellte gemischte metalloxydpulver |
| NO310142B1 (no) | 1999-03-29 | 2001-05-28 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for fremstilling av amorft silica fra silisium og fra silisiumholdige materialer |
| US6495114B1 (en) * | 1999-07-22 | 2002-12-17 | Fina Research, S.A. | Production of silica particles |
| EP1361195B1 (en) * | 2000-06-20 | 2008-03-26 | Nippon Aerosil Co., Ltd. | Amorphous, fine silica particles, and method for their production and their use |
| JP4904567B2 (ja) * | 2000-11-15 | 2012-03-28 | 日本アエロジル株式会社 | 非晶質微細シリカ粒子とその用途 |
| JP2002362919A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シリカ超微粉の製造方法 |
| AU2003206626A1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Wacker-Chemie Gmbh | Method for producing amorphous silicon and/or organohalosilanes produced therefrom |
| JP2009215088A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Nihon Yamamura Glass Co Ltd | 球状シリカガラス微粒子及びその製法 |
| TW201033123A (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Radiant Technology Co Ltd | Method for manufacturing a silicon material with high purity |
| JP5758686B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2015-08-05 | 株式会社日本触媒 | 非晶質シリカ粒子 |
| CN102249240A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-11-23 | 浙江大学 | 利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法 |
-
2014
- 2014-02-24 NO NO20140237A patent/NO337545B1/no unknown
-
2015
- 2015-02-23 CA CA2935056A patent/CA2935056C/en active Active
- 2015-02-23 US US15/107,769 patent/US10011496B2/en active Active
- 2015-02-23 AU AU2015219582A patent/AU2015219582B2/en active Active
- 2015-02-23 CN CN201580007950.XA patent/CN106103345B/zh active Active
- 2015-02-23 WO PCT/NO2015/050039 patent/WO2015126262A1/en active Application Filing
- 2015-02-23 EP EP15751855.6A patent/EP3110757B1/en active Active
- 2015-02-23 BR BR112016017801-7A patent/BR112016017801B1/pt active IP Right Grant
- 2015-02-23 MX MX2016008843A patent/MX2016008843A/es unknown
- 2015-02-23 JP JP2016551273A patent/JP6286573B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR112016017801A2 (no) | 2017-08-08 |
| JP6286573B2 (ja) | 2018-02-28 |
| BR112016017801B1 (pt) | 2022-03-22 |
| CA2935056A1 (en) | 2015-08-27 |
| MX2016008843A (es) | 2017-04-13 |
| JP2017506205A (ja) | 2017-03-02 |
| CA2935056C (en) | 2019-03-05 |
| US20160318769A1 (en) | 2016-11-03 |
| CN106103345B (zh) | 2018-01-02 |
| EP3110757B1 (en) | 2019-07-03 |
| EP3110757A4 (en) | 2017-10-11 |
| AU2015219582B2 (en) | 2017-04-20 |
| US10011496B2 (en) | 2018-07-03 |
| EP3110757A1 (en) | 2017-01-04 |
| WO2015126262A1 (en) | 2015-08-27 |
| AU2015219582A1 (en) | 2016-10-06 |
| NO337545B1 (no) | 2016-05-02 |
| CN106103345A (zh) | 2016-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ghosh et al. | Sintering behaviour and hydration resistance of reactive dolomite | |
| NO20140237A1 (no) | Fremgangsmåte for fremstilling av silisiumdioksidpartikler | |
| JP2009190961A (ja) | 複合炭化物およびその合成方法 | |
| CN106336217A (zh) | 一种硬度和耐磨性能较好的耐磨氧化锆陶瓷 | |
| WO2017115698A1 (ja) | アルミナ・ジルコニア・シリカ質耐火物、ガラス溶融窯、およびガラス板の製造方法 | |
| Tangstad et al. | Small scale laboratory experiments simulating an industrial silicon furnace | |
| Zhao et al. | Synthesis of Al4SiC4 from alumina, silica and graphite | |
| CN110282960A (zh) | 一种碳复合耐火材料的制备方法 | |
| US10981837B2 (en) | Granule for producing a fire-proof product, use of such granules, fire-proof product, method for producing a fire-resistant product, and product produced by said method | |
| Dal Martello et al. | Trace elements in the Si furnace. part i: behavior of impurities in quartz during reduction | |
| CA2933476C (en) | Process for the production of aluminium oxide particles | |
| JPS5948773B2 (ja) | 溶融シリカおよびその製造方法 | |
| CN108585896A (zh) | 一种高性能超低碳镁碳材料的制备方法 | |
| CN108585796A (zh) | 一种引入碳化硅基合成料改善超低碳镁碳材料抗渣性的方法 | |
| CN106673659A (zh) | 一种Al4Si2C5粉体材料及其制备方法 | |
| JPS5815021A (ja) | β−ＳｉＣとＺｒＯ↓２を同時に製造する方法 | |
| Kodirov et al. | Silicon carbide synthesis in a solar oven from natural raw materials | |
| RU2371422C1 (ru) | Плавленый огнеупорный материал | |
| JP2021115611A (ja) | 製鋼用フラックスの製造に用いられる基材、製鋼用フラックス及びその製造方法 | |
| KR20120087894A (ko) | 유리 플릿 및 이것을 사용한 카본 미립자의 산화 방법 | |
| UA78462C2 (uk) | Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CHAD | Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften) |
Owner name: ELKEM ASA, NO |
|
| CREP | Change of representative |
Representative=s name: ROBERTHA NATALIA HOEGLUND, C/O ELKEM ASA |
|
| CREP | Change of representative |
Representative=s name: ZACCO NORWAY AS, POSTBOKS 2003 VIKA, 0125 OSLO |