NO154370B - Fremgangsmaate til toerr, selektiv sensibilisering av et isolerende substrats overflate. - Google Patents

Fremgangsmaate til toerr, selektiv sensibilisering av et isolerende substrats overflate. Download PDF

Info

Publication number
NO154370B
NO154370B NO803710A NO803710A NO154370B NO 154370 B NO154370 B NO 154370B NO 803710 A NO803710 A NO 803710A NO 803710 A NO803710 A NO 803710A NO 154370 B NO154370 B NO 154370B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
powder
substrate
compound
adhesion
insulating substrate
Prior art date
Application number
NO803710A
Other languages
English (en)
Other versions
NO803710L (no
NO154370C (no
Inventor
Gunnar Soerensen
Leo Gulvad Svendsen
Original Assignee
Neselco As
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Neselco As filed Critical Neselco As
Publication of NO803710L publication Critical patent/NO803710L/no
Publication of NO154370B publication Critical patent/NO154370B/no
Publication of NO154370C publication Critical patent/NO154370C/no

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/285Sensitising or activating with tin based compound or composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/22Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
    • G03G15/225Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 using contact-printing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/65Apparatus which relate to the handling of copy material
    • G03G15/6582Special processing for irreversibly adding or changing the sheet copy material characteristics or its appearance, e.g. stamping, annotation printing, punching
    • G03G15/6585Special processing for irreversibly adding or changing the sheet copy material characteristics or its appearance, e.g. stamping, annotation printing, punching by using non-standard toners, e.g. transparent toner, gloss adding devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502Patterning and lithography
    • H05K2203/0517Electrographic patterning
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1266Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by electrographic or magnetographic printing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991Coated
    • Y10T428/2998Coated including synthetic resin or polymer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte til selektiv sensibilisering av et isolerende substrat med hensyn på en følgende be-handling med en aktivator fulgt av strømløs utskillelse av et metall derpå.
Innen elektronikken har det i lang tid være ønskelig å overføre ledende metaller selektivt til et foreliggende mønster med god klebning til overflaten av et isolerende substrat. Særlig fordi slike foreliggende mønstre kan ha detaljer som ikke berører andre deler av mønsteret, har det vært anvendt strømløs avsetning. For dette formål kan det anvendes f.eks. maskering av de partier av overflaten som ikke skal metalliseres og/eller sensibilisering av partier som skal metalliseres. En lenge kjent fremgangsmåte er å anvende vandige sensibiliseringsoppløsninger og i senere tid rene organiske oppløsninger, som beskrevet i dansk patentskrift nr. 132 801. Dette patentskrift gir en særlig inn-gående beskrivelse av virkemåten av disse oppløsninger sammen med fordeler og ulemper med vandige og organiske oppløsningsmidler. Fremgangsmåten som anvender vandige oppløsninger er kort sagt følgende: 1) Neddykning i en Sn + 2-oppløsning (sensibilisator) for skylling. 2) Neddykning i en aktiverende oppløsning (f.eks. en Pd-forbindelse) for skylling.
3) Neddykning i et metalliseringsbad.
Fremgangsmåten hvor et organisk oppløsningsmiddel anvendes,
er basert på direkte overføring av f.eks. Pd-ioner til overflaten av substratet ved fordampning av det organiske oppløsningsmiddel som eventuelt også har etset overflaten av substratet.
Disse fremgangsmåter har den ulempe at presisjonen av metalliseringen er bestemt av fremgangsmåten som anvendes for overføring av det sensibiliserte mønster. Som et eksempel kan nevnes silketrykk hvor oppløsningen ikke vil være bedre enn maskevidden for silkeduken. Også sammenflytning og utflytning kan skje før tørking. Et annet problem i forbindelse med ovenfor nevnte fremgangsmåter er at klebingen i praksis ikke synes å være særlig god, og dette problem er godt kjent fra ikke-selektiv metallisering. Løsninger av dette problem er f.eks. beskrevet i svensk patentskrift nr. 350 774, hvor det anvendes inngnidning med lett slipning', britisk patentskrift nr. 1 324 653, hvor det anvendes ionebombardement og tysk utlegningsskrift nr. 1 571 802, hvor det anvendes avsetning av et bindesjikt før forstøvning av metallpartiklene.
Overføring av mønsteret kan også utføres ved selektiv desensibilisering ved hjelp av ultrafiolett lys, som beskrevet i Proceedings of Conference: Physics in Industry 1976, "New Photoimaging Processes for Industrial Use - a Link Between Basic and Applied Research" - sidene 101-105.
En ytterligere fremgangsmåte for overføring av et ledende mønster på overflaten av et substrat består i elektrostatisk utfelling av et maskeringssjikt som er en positiv av-bildning av det ønskede ledende mønster på et forhåndenvær-ende sjikt av Cu på det isolerende substrat. Ifølge US-patentskrifter nr. 2 966 429 og 2 910 351 frembringes sjiktet ved sammenflytning under smelting av et tynt elektrostatisk overført sjikt i form av dielektrisk pulver. Etter fjerning ved etsing av det ikke-maskerte Cu-sjikt fremtrer det ledende mønster. I det sistnevnte patentskrift er henvist til en ikke-publisert US-patentsøknad nr.
472 622, som angivelig beskriver en foto-elektrostatisk prosess, hvor overflaten av substratet dekkes av et foto-ledende, isolerende sjikt (sannsynligvis kjent fra en ZnO-prosess, også kjent som "Elektrofax"). Det samme patentskrift beskriver et dielektrisk pulver i en etterfølgende delprosess for forsølving, innblandet en Ag-forbindelse, som etter fastsmeltning sammen med det dielektriske pulver reduseres til metallisk Ag i et bad. På denne måte blir det ledende mønster som oppnås i den første delprosess
dekket av Ag-partikler, som deretter kan elektropletteres med andre materialer. Det skal bemerkes at denne partial-prosess medfører tilstedeværelsen av et ledende sjikt (i be-skrivelsen Cu) under de overførte og ved reduksjon dannede Ag-partikler.
Fremgangsmåtene beskrevet i de to sistnevnte US-patent-skrifter er tidkrevende, men gir godt resultat når grove detaljer, slik som trykte kretser, fremstilles med til-strekkelig klebing. Begge fremgangsmåter anvender imid-lertid stasjonære mønsterelektroder for overføring av mønsteret, hvilket gjør det vanskelig å endre ledende mønstre. Overføringen består egentlig bare i selektivt å gjøre deler av et laminert sjikt av Cu beskyttet mot etsingen, slik at den gode klebning må tilskrives laminer-ingsprosessen.
Hensikten med oppfinnelsen er å unngå de ovenfor nevnte ulemper og tilveiebringe en overføring av et mønster på
en overflate av et isolerende substrat som er mer flek-sibelt, dvs. lett å endre, og som gir bedre klebing og større mulighet for å oppnå finere detaljer enn ved de hittil kjente fremgangsmåter.
Dette oppnås ifølge oppfinnelsen ved at sensibiliseringen utføres som tørr prosess, idet det ved hjelp av en xerografisk prosess frembringes et latent bilde av det metall-mønster som skal utskilles ved strømløs plattinering,
det latente bildet fremkalles under anvendelse av et tonerpulver som inneholder en metallforbindelse som er en sensibilisator for den til strømløs plattering anvendte aktivator, det fremkalte bildet overføres til overflaten av det isolerende substrat og behandles derpå for å sikre dets klebing.
I krav 2 er det angitt at tonerpulveret er et termoplastisk materiale sominneholder en på overflaten av hver pulver-
partikkel"utskilte' Sn + 2-forbindelse.
I krav 3 er det angitt at tonerpulveret som anvendes ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er et termoplastisk materiale som inneholder en i hver pulverpartikkel fordelt Sn+ 2 forbindelse.
I krav 4 er det angitt at overflaten som skal sensibiliseres fuktes med det smeltede termoplastiske mateialet.
I krav 5 er det angitt at klebingen mellom tonerpulveret og substratets overflate oppnås ved anvendelse av et organisk oppløsningsmiddel.
I krav 6 er det angitt at en fremgangsmåte ifølge oppfinnelsen hvor klebingen mellom substratets overflate og pulverpartiklene oppnås ved i det minste lokal smelting.
I krav 7 angis en fremgangsmåte ifølge oppfinnelsen hvorved det anvendes pulverpartikler som inneholder et infrarødt absorberende materiale.
I krav 8 er det angitt en fremgangsmåte ifølge oppfinnelsen hvor tonerpulverets hovedbestanddel er et material med en stor tapsvinkel ved mikrobølgefrekvenser.
Oppfinnelsen skal beskrives nærmere i det følgende ved an-givelse av delprosesser og eksempler på preparater, som har vist seg særlig gunstige ved den praktiske utførelse av oppfinnelsen.
Det som muliggjør utnyttelsen av en fremgangsmåte som angitt i foreliggende oppfinnelse og som ikke har vært tid-ligere kjent, er at det stadig kan være fordelaktig å be-skytte en tretrinns prosess som angitt innledningsvis, men at det er mulig å unngå de våte prosesser ved overføringen av Sn + 2-forbindelsen, sensibiliseringsdelen av prosessen og den etterfølgende selektive desensibilisering. Klebingen
+ 2 mellom Sn -forbindelsen og substrates overflate ved den vate prosess er ikke særlig god, men det har overraskende nok vist seg at det ved overføringen ifølge oppfinnelsen oppnås en klebing som er særdeles god, dvs. de i neste delprosesser overførte Pd- og Cu-atomer er bedre fiksert på substratet enn det som hittil har kunnet oppnås.
Den xerografiske prosess har vist seg godt egnet for over-føring av den sensibiliserende Sn+ -forbindelse, idet det dermed både oppnås en passende dekning av det isolerende substrat og en passende oppløsningsevne, hvilket normalt er motstridende betingelser. Videre er en del av de plast-kvaliteter som anvendes som toningspulver i xerografiske kopieringsmaskiner vel egnet med hensyn til klebing til et stort antall forskjellige substratmaterialer. Som eksempel kan nevnes de som er angitt i US-patentskrift nr. 2 966 429. Videre vil det være enkelt for fagmannen å prøve brukbar-heten av i handelen forekommende plastmaterialer. Gode resultater er oppnådd med forskjellige slike materialer,
så som polyakrylater, polyamider, polyvinylklorider og fenolharpikser, og som egnede substratmaterialer kan nevnes polyestere, polyakrylater, polyvinylklorider, polykarbonater, dvs. en stor del av de i elektronisk praksis anvendte materialer.
Fiksering av det xerografisk overførte pulver til overflaten av det isolerende substrat kan dels foregå ved fremgangsmåter som i og for seg er kjent for pulveret, som ikke inneholder sensibiliserende metallforbindelser som er typisk for fastbrenning. Det betyr at hver pulverpartikkel oppvarmes slik at den ved smelting flyter ut på substratoverflaten i en grad som er avhengig av fuktingen (overflatespenningen). Ifølge oppfinnelsen stilles ikke de samme betingelser til porefri sammenflytning som det stilles ved de fremgangsmåter som er basert på å benytte det dannede sjikt som maskering før etsingen. Dette henger sannsynligvis sammen med sensi-biliseringsmekanismen som heller enn å'kreve et jevnt sjikt som grunnlag for den etterfølgende strømløse metallavsetning, benytter de på overflaten anbragte partikler av metallfor-bindelsen som utgangspunkt. Det vil si at kravene til klebingen er større enn kravene til sammenflytning.
Når det gjelder å oppnå en lokal oppvarming- av de overførte partikler er disse tilsatt stoffet som absorberer energi-stråling hvis bølgelengde avhenger av anvendelsen og kombinasjonen substrat/pulver.
I de tilfeller hvor pulvermaterialet ikke er termoplastisk vil det være hensiktsmessig å la hver pulverpartikkel opp-varme substratoverflaten i sin berøringsflate og et passende valg av mykningstemperatur for substratet vil muliggjøre fastsmeltning i dette tilfellet. Denne fremgangsmåte er bare et spesialtilfelle av fremgangsmåten, som består i å opp-varme hele overflaten til smeltepunktet.
I de tilfeller hvor oppvarming er uønsket kan fikseringen foretas ved å la pulveret på substratet passere en atmos-fære av et organisk oppløsningsmiddel med passende damp-trykk, som på kjent måte får substratet og partiklene til å klebes til hverandre, hvoretter oppløsningsmidlet igjen inn-dampes.
Det er flere muligheter for fremstilling av de ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen anvendte preparerte pulvere.. De ved utvikling av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen
hittil anvendte metoder har alle hatt til hensikt å sørge for at hver pulverpartikkel i det minste på sin overflate har en rimelig jevn fordeling av Sn+^-f orbindel.ser., Dette'kan oppnås på to prinsippielt forskjellige måter,, enten direkte ved impregnering av hver partikkels overflate eller ved fremstilling av en fast masse med tilnærmet jevn fordeling av den sensibiliserende forbindelse i. plastma-terialet, som deretter males på kjent måte- for oppnåelse av en passende partikkelstørrelse. Denne bestemmes av utformingen av det xerografiske overføringsapparat. og er vel kjent teknikk innen-for vedkommende fagområde.
Eksemgel_l
Fremstilling- av et sensibiliserende pulver med tilstrebet jevn fordeling av tinnforbindelser i materialet: 10 g av et plastmateriale tilsettes 0,05 — 0,5 g av SnCl..,, ZH^O. Denne pulverblanding kan underkastes en tørr eller
våt formaling i en vandig eller organisk væske. Deretter kan væsken eventuelt fjernes ved vanlig tørreteknikk., f..eks. fordampning, filtrering- eller sprøytetørring.
Impregnering av de enkelte plastpartikler med en tinnforbindelse ifølge oppfinnelsen kan gå ut fra. et allerede foreliggende pulver-, men kan også foretas ved fremstillingen av plastpulveret.
Enda mer hensiktsmessig kan den ønskede fordeling av tinnforbindelse i den enkelte plastpartikkel frembringes under pulverfremstillingen. Dette kan f.eks. oppnås ved å for-støvningstørre en plastholdi.g oppløsning, som også inneholder en tinnforbindelse.
Da visse Sn + 2-forbindelser, f.eks-. SnCl2"2H20, 2^0, er opp-løselige i organiske oppløsningsmidler, er det mulig å på-virke pulverpartiklene individuelt med et oppløsningsmiddel som får partiklene til å svelle^ og dermed oppta de. Sn-forbindelser som er oppløst i det organiske oppløsningsmiddel. Bortdampning- av oppløs-nin<g>smidlet frembringer den ønskede fordeling av SnCl2-2H20..
Eksemp_el_2
Et. plastpulver. som sveller- opp under anvendelse av et organisk oppløsningsmiddel oppslemmes- i et slikt oppløsningsmiddel, som tilsettes en mettet oppløsning av SnCl2-2H20 i metanol uten at det. skjer utfelling; av tinnforbindelser. Etter en viss reaksjonstid kan oppløsningsmidlet igjen fjernes,
f.eks. ved filtrering eller sprøytetørklng. av suspensjonen som inneholder det således preparerte pulver. Mengden av tilsatt tinnforbindelse avhenger meget av kombinasjonen av
plastmateriale og oppløsningsmiddel, samt deres volummessige forhold og videre av den anvendte pulvertørremetode. I den grad pulvermaterialet kan bringes i fullstendig oppløsning i et organisk oppløsningsmiddel, kan det tilsettes en tinnforbindelse likeledes i et organisk oppløsningsmiddel, hvoretter det impregnerte plastpulver kan tilbakevinnes ved en vanlig tørreprosess, f.eks. sprøytetørking av den plastholdige opp-løsning.
En annen metode som har vært benyttet med hell består i kjemisk utfelling av en Sn + 2-forbindelse pa pulverpartiklene under omrøring.
Eksempel_3
Utfelling av tinnforbindelse på hver enkelt plastpartikkel: 10 g plastpulver oppslemmes i 200 ml metanol. Deretter tilsettes under omrøring en mettet oppløsning av SnCl•21^0 i metanol i en mengde som er tilpasset etter plastpulverets partikkelstørrelse. Vektmengden av SnC^^I^O kan være 1-10% av plastpulveret. Under omrøring tilsettes et basisk agens, hvoretter det oppslemmede plastpulver virker som hjelpemiddel for utfelling av hydroksy-tinn-klorider.
Det således preparerte pulver kan deretter tørres, eventuelt formales og siktes.
Ved utviklingen av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er
det oppnådd at man kan sensibilisere en isolerende overflate med henblikk på etterfølgende strømløs metallisering etter kjente metoder, uten å stille betingelser om forut-gående utforming av spesielle originaler eller masker,
idet hvert mønster som kan kopieres med en xerografisk prosess også kan overføres til den ønskede substratover-flate. Fremgangsmåten er lite ressurskrevende og meget miljøvennlig, idet bortetsing av det overflødige metallsjikt unngås. Videre viser det seg at det ved den strøm-løse metallisering påførte metallsjikt har en langt bedre klebing til substratoverflaten (f.eks. målt med Scotch
Tape-metoden) enn sjikt av samme tykkelse som er påført ved vanlig strømløs avsetning eller ved pådampning eller vpd-metoder (vapour phase deposition). I tillegg hertil setter foreliggende metode meget mindre krav til rengjøring av overflaten av substratet før metalliseringen enn ved de ovenfor nevnte metoder.

Claims (8)

1. Fremgangsmåte til selektiv sensibilisering av overflaten av et isolerende substrat med hensyn på en etterfølgende be-handling med en aktivator fulgt av strømløs utskillelse av et metall derpå, karakterisert vedat sensibiliseringen utføres som tørr prosess, idet det ved hjelp av en xerografisk prosess frembringes et latent bilde av det metallmønster som skal utskilles ved strømløs plattinering, det latente bildet fremkalles under anvendelse av et tonerpulver som inneholder en metallforbindelse som er en sensibilisator for den til strømløs plattering anvendte aktivator, det fremkalte bildet overføres til overflaten av det isolerende substrat og behandles derpå for å sikre dets klebing.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert vedat tonerpulveret er et termoplastisk material som inneholder en på overflaten av hver pulverpartikkel utskilt Sn<+2->forbindelse.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert vedat tonerpulveret er et termoplastisk material som inneholder en i hver pulver- + 2 partikkel fordelt Sn -forbindelse.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 2 eller 3,karakterisert vedat overflaten som skal sensibiliseres fuktes ved det smeltede termoplastiske materialet.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert vedat klebingen mellom tonerpulveret og substratets overflate oppnås ved anvendelse av et organisk oppløsningsmiddel.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert vedat klebingen mellom substratets overflate og pulverpartiklene oppnås ved i det minste lokal smelting.
7. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 6,karakterisert vedat pulverpartiklene inneholder et infrarødt absorberende material.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 6,karakterisert vedat tonerpulverets hovedbestanddel er et material med en stor tapsvinkel ved mikrobølgefrekvenser.
NO80803710A 1979-04-11 1980-12-09 Fremgangsmaate til toerr, selektiv sensibilisering av et isolerende substrats overflate. NO154370C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DK150779A DK153337C (da) 1979-04-11 1979-04-11 Fremgangsmaade til toer sensibilisering af en isolerende overflade

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO803710L NO803710L (no) 1980-12-09
NO154370B true NO154370B (no) 1986-05-26
NO154370C NO154370C (no) 1986-09-03

Family

ID=8105559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO80803710A NO154370C (no) 1979-04-11 1980-12-09 Fremgangsmaate til toerr, selektiv sensibilisering av et isolerende substrats overflate.

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4504529A (no)
EP (1) EP0026211B1 (no)
JP (1) JPH0210593B2 (no)
CA (1) CA1162778A (no)
DE (1) DE3067809D1 (no)
DK (1) DK153337C (no)
IE (1) IE49192B1 (no)
IL (1) IL59807A (no)
IT (1) IT1128410B (no)
NO (1) NO154370C (no)
WO (1) WO1980002222A1 (no)
ZA (1) ZA802121B (no)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK427780A (da) * 1980-10-10 1982-04-11 Neselco As Pulver til brug ved toer sensibilisering for stroemloes metallisering
DK148327C (da) * 1981-07-24 1985-11-04 Neselco As Pulver til brug ved toer sensibilisering for stroemloes metallisering
DE3134507A1 (de) * 1981-09-01 1983-03-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "verfahren zur selektiven chemischen metallabscheidung"
DK153572C (da) * 1982-02-18 1988-12-19 Platonec Aps Pulver til brug ved toer aktivering for stroemloes metallisering, fremgangsmaade til fremstilling deraf samt anvendelse deraf
IT1184408B (it) * 1985-04-09 1987-10-28 Telettra Lab Telefon Processo per la fabbricazione di piastre e circuiti stampati,e prodotti relativi
US5244525A (en) * 1987-11-02 1993-09-14 Kimberly-Clark Corporation Methods for bonding, cutting and printing polymeric materials using xerographic printing of IR absorbing material
US4851320A (en) * 1988-05-23 1989-07-25 Tektronix, Inc. Method of forming a pattern of conductor runs on a dielectric sheet
US5213850A (en) * 1989-03-24 1993-05-25 Nippon Paint Co., Ltd. Process for plating a metallic deposit between functional pattern lines on a substrate
ES2137159T3 (es) 1990-11-19 1999-12-16 Loctite Corp Composicion de silicona fotocurable y procedimiento de preparacion.
US5269980A (en) * 1991-08-05 1993-12-14 Northeastern University Production of polymer particles in powder form using an atomization technique
DE4142658A1 (de) * 1991-12-19 1993-06-24 Siemens Ag Verfahren zum aufbringen von lot auf eine leiterplatte
US5304447A (en) * 1992-02-11 1994-04-19 Elf Technologies, Inc. Plateable toner and method for producing the same
DE4319759A1 (de) * 1993-06-15 1994-12-22 Bayer Ag Pulvermischungen zum Metallisieren von Substratoberflächen
DE19731346C2 (de) * 1997-06-06 2003-09-25 Lpkf Laser & Electronics Ag Leiterbahnstrukturen und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE19942054A1 (de) * 1999-09-03 2001-12-06 Schott Glas Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung
WO2002099162A2 (en) * 2001-06-04 2002-12-12 Qinetiq Limited Patterning method
GB2381274A (en) * 2001-10-29 2003-04-30 Qinetiq Ltd High resolution patterning method
GB2382798A (en) * 2001-12-04 2003-06-11 Qinetiq Ltd Inkjet printer which deposits at least two fluids on a substrate such that the fluids react chemically to form a product thereon
US20040265531A1 (en) * 2003-06-30 2004-12-30 Mckean Dennis R. Sliders bonded by a debondable silicon-based encapsulant
EP2003939A1 (en) 2007-06-14 2008-12-17 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method for preparing a pattern for a 3-dimensional electric circuit
WO2011087913A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-21 The Regents Of The University Of California A universal solution for growing thin films of electrically conductive nanostructures
WO2014059339A1 (en) 2012-10-12 2014-04-17 The Regents Of The University Of California Polyaniline membranes, uses, and methods thereto
EP2996799B1 (en) 2013-05-15 2021-07-28 The Regents of the University of California Polyaniline membranes formed by phase inversion for forward osmosis applications
US10532328B2 (en) 2014-04-08 2020-01-14 The Regents Of The University Of California Polyaniline-based chlorine resistant hydrophilic filtration membranes

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB299903A (en) * 1927-08-02 1928-11-02 Albert Ivan Gates Warren Improvements in processes for coating non-conducting substances with metals
GB567503A (en) * 1943-06-02 1945-02-16 Frank Enoch Kerridge Improvements in or relating to the production of metallic designs on non-metallic materials
US2910351A (en) * 1955-01-03 1959-10-27 Gen Electric Method of making printed circuit
US2947625A (en) * 1955-12-21 1960-08-02 Ibm Method of manufacturing printed circuits
US2966429A (en) * 1956-08-31 1960-12-27 Gen Electric Method of and apparatus for making printed circuits
US3043685A (en) * 1957-07-18 1962-07-10 Xerox Corp Xerographic and magnetic image recording and reproducing
US2939804A (en) * 1958-01-23 1960-06-07 Uarco Inc Resin particle coated with metal
NL241541A (no) * 1959-07-22
US3231374A (en) * 1960-09-02 1966-01-25 Rca Corp Methods for preparing etch resists using an electrostatic image developer composition
US3275436A (en) * 1962-07-24 1966-09-27 Xerox Corp Method of image reproduction utilizing a uniform releasable surface film
US3226256A (en) * 1963-01-02 1965-12-28 Jr Frederick W Schneble Method of making printed circuits
US3350202A (en) * 1964-10-27 1967-10-31 Union Carbide Corp Method of xerographically photosensitizing planographic printing plates
GB1175832A (en) * 1965-10-12 1969-12-23 Emi Ltd Improvements relating to the production of an Electrical Conductor Adhering to an Insulating Support
US3494790A (en) * 1965-10-29 1970-02-10 Texas Instruments Inc Preparation of welding surfaces on semiconductors
US3942983A (en) * 1967-06-09 1976-03-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electroless deposition of a non-noble metal on light generated nuclei of a metal more noble than silver
BE720382A (no) * 1967-09-14 1969-02-17
NL157659B (nl) * 1967-09-22 1978-08-15 Philips Nv Werkwijze voor het langs fotografische weg vervaardigen van elektrisch geleidende koperpatronen.
NL6808469A (no) * 1968-06-15 1969-12-17
CA929705A (en) * 1969-01-13 1973-07-10 Ransburg Corporation Deposition materials and methods
US3691993A (en) * 1970-11-23 1972-09-19 Ibm Apparatus for transferring developed image
US3785983A (en) * 1970-12-02 1974-01-15 Minolta Camera Kk Method of producing a liquid developer for use in the electronic photography
US3745045A (en) * 1971-01-06 1973-07-10 R Brenneman Electrical contact surface using an ink containing a plating catalyst
US3880689A (en) * 1971-09-30 1975-04-29 Eastman Kodak Co Magnetic developer containing an electroless plating sensitizer, and method of using same
BE789988A (fr) * 1971-10-12 1973-04-12 Xerox Corp Composition de revelateur et procede pour son emploi
CA986770A (en) * 1972-04-10 1976-04-06 Jack C. Goldfrank Pressure fixable magnetic toners
JPS511434B2 (no) * 1972-05-15 1976-01-17
JPS5187042A (no) * 1975-01-29 1976-07-30 Hitachi Metals Ltd
JPS5196330A (no) * 1975-02-21 1976-08-24
US4042730A (en) * 1976-03-29 1977-08-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Process for electroless plating using separate sensitization and activation steps
JPS5841760B2 (ja) * 1976-05-29 1983-09-14 神崎製紙株式会社 呈色剤の製造方法
NL7704238A (nl) * 1977-04-19 1978-10-23 Philips Nv Werkwijze voor het additief vervaardigen van bedradingspatronen.
US4307168A (en) * 1977-05-05 1981-12-22 Eastman Kodak Company Amplification of developed electrographic image patterns
JPS54126959A (en) * 1978-03-25 1979-10-02 Nippon Mektron Kk Method of producing circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
DK153337C (da) 1988-11-14
ZA802121B (en) 1981-04-29
DK153337B (da) 1988-07-04
NO803710L (no) 1980-12-09
NO154370C (no) 1986-09-03
IT1128410B (it) 1986-05-28
IE49192B1 (en) 1985-08-21
EP0026211B1 (en) 1984-05-16
EP0026211A1 (en) 1981-04-08
US4504529A (en) 1985-03-12
DK150779A (da) 1980-10-12
IT8067559A0 (it) 1980-04-10
IL59807A (en) 1983-11-30
WO1980002222A1 (en) 1980-10-16
IE800732L (en) 1980-10-11
DE3067809D1 (en) 1984-06-20
JPS56500435A (no) 1981-04-02
CA1162778A (en) 1984-02-28
JPH0210593B2 (no) 1990-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO154370B (no) Fremgangsmaate til toerr, selektiv sensibilisering av et isolerende substrats overflate.
CA1282367C (en) Glow discharge metal deposition on non-conductor from organometallic compound
JPS62260068A (ja) 非導電性物質の表面に導電性金属層をメツキする方法
DE1925760A1 (de) Verfahren zum Herstellen gemusterter Metall-Duennfilme
JP2004532334A (ja) 有機分離剤を使用することによる面平行な小板の製造方法
US4039698A (en) Method for making patterned platinum metallization
US3210214A (en) Electrical conductive patterns
US3077386A (en) Process for treating selenium
DE1597891A1 (de) Verfahren zur Bilderzeugung
US4230788A (en) Method of manufacturing an external electrically conducting metal pattern
CA1082817A (en) Method of depositing metal conducting patterns on large area surfaces
US4099969A (en) Coating method to improve adhesion of photoconductors
US4084968A (en) Method of manufacturing electrically conductive metal layers on substrates
CA1045909A (en) Processes and products of sensitizing substrates
US3740251A (en) Method of uniformly coating a tubular lamp envelope with phosphor
JPS5931703B2 (ja) 電子写真法による画像の製法
CA1290720C (en) Production of metallic structures on inorganic non-conductors
US3309227A (en) Wax masking process
JPH07224178A (ja) 無極性樹脂用表面処理剤
PL81184B1 (no)
SU1191877A1 (ru) Электрофотографический носитель
US2859350A (en) Xeroradiography device
SU1126581A1 (ru) Вакуумный фоторезист
SU1097708A1 (ru) Установка дл химического нанесени покрытий
JPS6317531A (ja) 微細導体層パタ−ンの製造方法とその装置