NL9120003A - Wolfraamdisilicide-cvd. - Google Patents

Wolfraamdisilicide-cvd. Download PDF

Info

Publication number
NL9120003A
NL9120003A NL9120003A NL9120003A NL9120003A NL 9120003 A NL9120003 A NL 9120003A NL 9120003 A NL9120003 A NL 9120003A NL 9120003 A NL9120003 A NL 9120003A NL 9120003 A NL9120003 A NL 9120003A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
tungsten
mtorr
silane
disilane
partial pressure
Prior art date
Application number
NL9120003A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Bct Spectrum Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bct Spectrum Inc filed Critical Bct Spectrum Inc
Publication of NL9120003A publication Critical patent/NL9120003A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
    • H01L21/443—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes from a gas or vapour, e.g. condensation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/42—Silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
    • H01L21/32053—Deposition of metallic or metal-silicide layers of metal-silicide layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/147—Silicides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Korte aanduiding: Wolfraamdisilicide-CVD Beschrijving.
§êbied_van_de_Uitvending
De uitvinding heeft betrekking op de fabricage van halfgeleider- schijven onder gebruikmaking van chemisch opdampen (CVD) van wolfraam- silicide en in het bijzonder op een werkwijze voor het aanbrengen van wolfraamsiLicide door de reductie van wolfraamhexafluoride (WF.) door 6 si laangassen.
££h£§I9£2ü£i_yan_de_Techniek
Vanwege hun stabiliteit bij hoge temperatuur zijn vuurvaste metaalsiLiciden, zoals wolfraamsilicide, in toenemende mate gebruikt bij de fabricage van geïntegreerde halfgeleiderschakelingen, b.v. als Schottky-barriéres, ohmse contacten of poortmetaLliseringen. Voor de Laatstgenoemde toepassing wordt een wolfraamsilicidelaag met een Lage soortelijke weerstand op een polysi liciumlaag gevormd. Ten gevolge van de steeds afnemende geometrie van inrichtingen in een geïntegreerde schakeling is uniformiteit van de aanbrengen van groot belang. Gelijksoortigerwijze is de aanbren-gingsmate van belang, aangezien deze de produktiesnelheden bepaalt.
Lage druk-CVD van wolfraamsiLicide onder gebruikmaking van een mengsel van WF^ en monosilaan (SiH^) is beschreven in Solid_State Technology, april 1983, bladzijden 183-185. Monosilaan heeft een grotere tendens deeltjes in de gasfase te kiemen dan de chloorsilanen doen. De verzameling van silicium binnen de aanbrengingskamer zal uiteindelijk fragmenteren, waarbij deeltjes worden voortgebracht, die een schijf kunnen verontreinigen. Aldus zal het gebruik van chloorsilanen, zoals dichloor-silaan (DCS) (SiCl^H^^ Leiden tot een schonere aanbrengingskamer.
Andere verbindingen dissociëren minder snel, zoals silicium-tetrachloride (SiCl^), maar dit veroorzaakt moeilijkheden bij het starten van de aanbrengingscyclus. Tussenverbindingen, zoals dichloorsiLaan (SiH^C^i hebben tussenliggende karakteristieken. Het gebruik van dicloor-siLaan in plaats van si Laan is beschreven in Amerikaans octrooi 4 692 343; in ;ii_y§£i_Scii.TechnoL^ B 6 (6), nov-dec 1988, bladzijden 1707-1713; in §yii§£Ê_§üd_Interface_Analysis, jrg. 14 (1989), bladzijden 13-17; en in ' *ii_ii꣣£2£t!ê[0i_l2£i/ )Γ9· 136, nr. 4, april 1989, bladzijden 1177-1180.
Alternatief is het, zoals is beschreven in Ji.Electrochem._Soc., jrg, 134, nr. 5, mei 1987, bladzijden 1220-1224, bekend om disilaan (Si-,H.)
<L O
te gebruiken in plaats van si Laan voor het reduceren van het WF,. In dit
O
artikel worden resultaten van silaan en disilaan vergeleken.
Bij al deze processen wordt men geconfronteerd met de tegenstrijdig vereisten van hoge aanbrengingssnelheid en aanbrengingsuniformi-teit. Verbeteren van het ene, terwijl het andere constant wordt gehouden, is wenselijk; verbetering van beide is zeer moeilijk.
Het proces verder complicerend, is het moeilijk de silicium/-wolfraamverhouding te doen toenemen zonder zowel aanbrengingssnelheid als uniformiteit te verslechteren. Een hoge silicium/wolfraamverhouding, d.w.z. groter dan 2,6:1, voorkomt verslechtering van de silicidefilm in opvolgende stappen en slechte hechting aan de onderliggende polysiliciumfilm. Een silicium/wolfraamverhouding van groter dan 2,6:1 is wenselijk om oxydatie van het wolfraam in de silicidefilm te onderdrukken en om verbruik van de onderliggende polysiLiciumfilm gedurende vorming van het SiO^-diëlektricum te sturen. De overmaat van silicium in de silicidefilm reduceert eveneens filmspanning en voorziet in wenselijkere etskarakteristieken. In de stand van de techniek kon de verhouding alleen worden vergroot door het doen afnemen van de deeldruk van het WF^ (of het doen toenemen van de deeldruk van SiH^/SiH2Cl2/Si2H^). Dit leidt tot lagere aanbrengingssnelheden en slechtere uniformiteit.
Een techniek voor het modificeren van de silicium/wolfraam-verhouding is een dunne laag van silicium voorafgaand aan het aanbrengen van silicide aan te brengen, zoals is beschreven in Amerikaans octrooi 4 737 474. Hoewel dit voorziet in grotere hechtkracht, modificeert dit niet het si Liciumgehalte van de massa van de silicidelaag.
Met het oog op het voorafgaande, is het daarom een doel van de onderhavige uitvinding om te voorzien in een verbeterde werkwijze voor het aanbrengen van silicide door de chemische reductie van WF^·
Een ander doel van de onderhavige uitvinding is om te voorzien in een werkwijze voor het sturen van de silicium/wolfraamverhouding, en wel onafhankelijk van de aanbrengingsmate en uniformiteit.
Een verder doel van de onderhavige uitvinding is om te voorzien in een silicium/wolfraamverhouding van 2,6:1 of groter.
§§schr;^ving_van_de_yitvinding
De voorafgaande doelen worden bereikt in de onderhavige uitvinding waarbij de silicium/wolfraamverhouding in een wolfraamsilicidefilm aanzienlijk kan worden vergroot door het toevoegen van minder dan tien procent disilaan (Si-,Η.) aan het gasmengsel van WF, en SiH-,CL·; d.w.z. dat
c. O O CC
disilaan wordt toegevoegd aan het mengsel in plaats van het vervangen van een ander gas, zoals in de stand van de techniek. Zoals hierin vollediger wordt beschreven, is het ontdekt dat deze toevoeging voorziet in belangrijk verbeterde en onverwachte resultaten.
K°E£Ë_§Ê§chrijying_yan_de_Tekening Een vollediger begrip van de onderhavige uitvinding kan worden verkregen door de volgende gedetailleerde beschrijving in combinatie met de begeleidende tekening in beschouwing te nemen, in welke tekening: figuur 1 de onderhavige uitvinding illustreert in termen van het effect van de stroming van WF^ op de soortelijke fiLmweerstand.
Figuur 2 illustreert de onderhavige uitvinding in termen van het effect van de stroming van WF^ op de fiImuniformiteit.
Figuur 3 illustreert de onderhavige uitvinding in termen van het effect van de stroming van WF^ op fiLmaanbrengingsmate.
§Ë§te_Manier_yggr_het_yitygeren_yan_de_yityinding In figuren 1-3 vertegenwoordigt de abscis de mate van stroming van WF^ in SCCM. WaardeLabels 11 en 12 geven de WF^ stroming respectievelijk zonder en met disilaan aan. De ordinaat in figuur 1 vertegenwoordigt de soortelijke weerstand. Lijn 10 geeft het resultaat van het gebruiken van een combinatie van alleen SiH^Cl^ en WF^ aan. Lijn 20 geeft het resultaat van het toevoegen van disilaan aan het mengsel aan. Het is duidelijk dat het toevoegen van disilaan het effect van het toenemen van de stroming van WF^ reduceert.
In figuur 2 vertegenwoordigt de ordinaat de uniformiteit, die als een percentage is uitgedrukt. Lijn 13 laat de typische betrekking zien, die in de stand van de techniek wordt verkregen door de toevoeging van disilaan. Lijn 23 laat het effect van het toevoegen van disilaan zien.
Onverwacht en onvoorspelbaar is de helling van de lijn omgekeerd ten opzichte van die van lijn 13.
In overeenstemming met de onderhavige uitvinding kan men de soortelijke weerstand doen toenemen door het toevoegen van disilaan zonder de mate van aanbrenging of aanbrengingsuniformiteit te beïnvloeden. Verder heeft, zoals door figuren 1 en 2 is aangegeven, men nu de keuze van het reduceren van WF, om de soortelijke weerstand verder te doen toenemen. Door o het toevoegen van disilaan verkrijgt men niet alleen een toeneming in soortelijke weerstand, maar verbetert eveneens de uniformiteit.
De toeneming in soorteLijke weerstand (Si:W-verhouding) is niet zonder beperking. Om redenen die geen verband houden met de onderhavige uitvinding wenst men een soortelijke weerstand voor het uitstoken van 800-1 200 μΩ-cm. Aldus wordt de combinatie van stroming, druk, temperatuur, enz. zo gekozen, dat de soorteLijke weerstand binnen deze grenzen blijft. Zoals in de achtergrond van de techniek is besproken, was het moeilijk een soortelijke weerstand van veel hoger dan 850 yiï-cm te verkrijgen. Met goede uniformiteit en hoge aanbrengingssnelheid onder gebruikmaking van werkwijzen van de stand van de techniek. Met de onderhavige uitvinding is die moeilijkheid verdwenen. Dit betekent niet dat de soortelijke weerstand zoveel mogelijk dient te worden verhoogd. Het betekent dat de schijf-fabrikant het veel gemakkelijker heeft met het bepalen van een proces aangezien een vroeger compromis niet langer hoeft te worden gesloten.
In figuur 3 geeft Lijn 15 een typisch resultaat zonder het gebruik van disilaan aan. Lijn 25 geeft het resultaat van het toevoegen van disilaan aan het mengsel van WF^ en SiH2CL^ aan. Zoals aan de hand van de respectieve heLLingen van de Lijnen kan worden gezien, reduceert het toevoegen van disilaan in overeenstemming met de onderhavige uitvinding het effect van het doen toenemen van de WF^-stroming.
Het volgende voorbeeld is een de voorkeur hebbende uitvoeringsvorm van de aanbrengingswerkwijze in overeenstemming met de onderhavige uitvinding. Deze en de andere voorbeelden werden uitgevoerd in een reactie die gelijksoortig is aan die, welke is beschreven in de hierboven geïdentificeerde octrooien en in J^Vac^Sci^TechnoJL B 6 (6), nov-dec 1988, bladzijden 1707-1713.
\/00RBEELD_1
Schijftemperatuur 560 °C
SiH2Cl2~deeldruk 82 mtorr WF^-deeldruk 4 mtorr
Si^H^-deeldruk 4 mtorr
Druk 90 mtorr
Aanbrengingssnelheid 1 300 R/min.
SoorteLijke weerstand 900 μΩ-cm.
Si:W-verhouding 2,7
Uniformiteit 3 %
Films die waren voortgebracht zoals hierboven is beschreven, werden gedurende 180 seconden uitgestookt op een temperatuur van 1 050°C. De soortelijke weerstand daalde tot 60 μΩ-cm. Films die werden geoxydeerd, vertonen zeer uniforme Sit^-groei zonder oxydatie van wolfraam.
Als een ander voorbeeld van de onderhavige uitvinding bracht het volgende bevredigende resultaten voort.
VOORBEELDJ
Schijftemperatuur 500 °C
SiH^Cl^-deeldruk 84 mtorr WF,-deeldruk 4 mtorr
O
S^2H6_cleel'<:lrU'< 2 mtorr
Druk 90 mtorr
Aanbrengingssnelheid 1 080 R/min
SoorteLijke weerstand 923 μΩ-cm.
Si:W-verhouding 2,8
Uniformiteit 3,4 %
In de volgende voorbeelden werd de deeldruk van si2H6 9ev/ar^~ eerd. Voor al deze voorbeelden is de schijftemperatuur 560°C en is de druk 90 mtorr.
V00RBEILD 3456 S^C^-deeldruk 87,3 86,6 85,2 82,5 mtorr WFó-deeldruk 1.9 1.9 1,8 1,8 mtorr
Si ^-deeldruk 0,8 1,5 3,0 5,7 mtorr
Aanbrengingssnelheid 1 334 1 309 1 190 1 141 R/min.
SoorteLijke weerstand 769 823 943 1 255 μΩ-cm.
Si :W-verhouding 2,6 2,6 2,8 3,2
Uniformiteit 3,35 3,71 7,39 6,80 %
In het algemeen brengt het toevoegen van minder dan tien procent disilaan aanvaardbare resultaten voort. Hoewel de aanbrengingssnelheid afneemt, is de afneming veel minder geprononceerd dan zou worden verkregen door het 'verlagen van de relatieve hoeveelheid WF^ om dezelfde toeneming in soortelijke weerstand (en silicium/wolfraamverhouding) te verkrijgen.
In de volgende voorbeelden worden werkwijzen met en zonder
Si-,Η, vergeleken. Dit is een gedeelte van de gegevens die worden gebruikt ά o om figuren 1-3 voort te brengen, die hierboven zijn beschreven. Voor deze twee voorbeelden is de schijftemperatuur 560°C en is de druk 90 mtorr. VOORBEELD 7 8
Sih^Cl^-deeldruk 88,6 84,4 mtorr WF^-deeldruk 1,4 2,8 mtorr
Si2^6-deeldruk 0 2,8 mtorr
Aanbrengingssnelheid 1 300 1 300 8/min.
Soortelijke weerstand 800 900 μΩ-cm.
Si:W-verhouding 2,6 2,8
Uniformiteit 3 3 %
Merkt op dat de aanbrengingssnelheid en uniformiteit ongewijzigd zijn, maar toch de soortelijke weerstand (en de silicium/wolfraamverhouding) toeneemt met de toevoeging van disilaan. Dit was niet verwacht.
Aldus wordt er door de onderhavige uitvinding voorzien in een verbeterde werkwijze voor het aanbrengen van wolfraamsi licide dat een silicium/wolfraamverhouding van 2,6:1 of groter heeft, waarbij de verhouding betrekkelijk onafhankelijk van aanbrengingssnelheid en -uniformiteit kan worden gestuurd.
Aldus de uitvinding beschreven hebbend, zal het aan vaklui op dit gebied van de techniek duidelijk zijn dat verscheidene modificaties binnen de strekking van de onderhavige uitvinding kunnen worden gemaakt. De schijftemperatuur kan bijvoorbeeld variëren vanaf 450°C tot en met 650°C, waarbij de hogere temperaturen de aanbrengingssnelheid doen toenemen. Geschikte drukken zijn vanaf 30 tot en met 300 mtorr. De deeldruk van dichloorsilaan kan variëren vanaf 27 tot en met 285 mtorr, met overeenkomstige instellingen van de deeldrukken van WF, en disilaan. De hoeveel-
O
heid toegevoegd disilaan kan tot tien procent van het gasmengsel omvatten. Aldus heeft, zoals voorafgaand is aangegeven, men nu de mogelijkheid andere parameters over een breder bereik te modificeren zonder de soortelijke weerstand op te offeren.

Claims (4)

1. Werkwijze voor het aanbrengen van een wolfraamdisilicidelaag op een schijf die is verwarmd tot een temperatuur boven 450°C in een kamer waardoor een gasmengsel van WF^ en SiH^Cl^ stroomt; gekenmerkt door de stappen van: het toevoegen van minder dan tien procent disilaan aan het gasmengsel.
2. Werkwijze voor het aanbrengen van een wolfraamsilicidelaag op een halfgeleiderschijf in een reactiekamer, omvattende de stap van het toevoeren van een gasmengsel van dichloorsilaan en wolfraamhexafluoride aan de reactiekamer; gekenmerkt door de stappen van: a. het toevoegen van disilaan aan het gasmengsel van dichloorsilaan en wolfraamhexafluoride, waarbij het disilaan minder dan tien procent van het gasmengsel omvat; b. het handhaven van de druk in de kamer tussen 30 en 300 mtorr; en c. het verwarmen van de schijf tot een temperatuur van vanaf 450° C tot en met 650°C om de wolfraamsiLicidelaag aan te brengen.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij de deeldruk van dichloorsi Laan vanaf 27 tot en met 285 mtorr is.
4. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij de schijf wordt verwarmd tot een temperatuur van bij benadering 560°C, waarbij de deeldruk van dichloorsi laan bij benadering 82 mtorr is, de deeldruk van wolfraamhexafluo-ride bij benadering 4 mtorr is en de deeldruk van disilaan bij benadering 4 mtorr is.
NL9120003A 1990-05-04 1991-05-03 Wolfraamdisilicide-cvd. NL9120003A (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US51953890 1990-05-04
US07/519,538 US4966869A (en) 1990-05-04 1990-05-04 Tungsten disilicide CVD
PCT/US1991/003049 WO1991017566A1 (en) 1990-05-04 1991-05-03 Tungsten disilicide cvd
US9103049 1991-05-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL9120003A true NL9120003A (nl) 1992-05-06

Family

ID=24068739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9120003A NL9120003A (nl) 1990-05-04 1991-05-03 Wolfraamdisilicide-cvd.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4966869A (nl)
JP (1) JPH05504660A (nl)
KR (1) KR920702794A (nl)
DE (1) DE4190885T (nl)
NL (1) NL9120003A (nl)
WO (1) WO1991017566A1 (nl)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2723396B2 (ja) * 1991-09-19 1998-03-09 シャープ株式会社 不揮発性メモリ装置の製造方法
JP3163687B2 (ja) * 1991-11-12 2001-05-08 富士通株式会社 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法
US5231056A (en) * 1992-01-15 1993-07-27 Micron Technology, Inc. Tungsten silicide (WSix) deposition process for semiconductor manufacture
JP2599560B2 (ja) * 1992-09-30 1997-04-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ケイ化タングステン膜形成方法
US5500249A (en) * 1992-12-22 1996-03-19 Applied Materials, Inc. Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor deposition
US5643633A (en) * 1992-12-22 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor depostiton
US6090706A (en) * 1993-06-28 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Preconditioning process for treating deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on active substrates therein
JPH07176484A (ja) * 1993-06-28 1995-07-14 Applied Materials Inc 窒化アルミニューム面を有するサセプタをサセプタの浄化後珪化タングステンで処理することによって半導体ウエハ上に珪化タングステンを一様に堆積する方法
US5482749A (en) * 1993-06-28 1996-01-09 Applied Materials, Inc. Pretreatment process for treating aluminum-bearing surfaces of deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on substrate therein
USRE39895E1 (en) 1994-06-13 2007-10-23 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit arrangement fabrication method
DE69518710T2 (de) * 1994-09-27 2001-05-23 Applied Materials Inc Verfahren zum Behandeln eines Substrats in einer Vakuumbehandlungskammer
JPH08153804A (ja) * 1994-09-28 1996-06-11 Sony Corp ゲート電極の形成方法
EP0746027A3 (en) * 1995-05-03 1998-04-01 Applied Materials, Inc. Polysilicon/tungsten silicide multilayer composite formed on an integrated circuit structure, and improved method of making same
KR100341247B1 (ko) * 1995-12-29 2002-11-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법
EP0785574A3 (en) 1996-01-16 1998-07-29 Applied Materials, Inc. Method of forming tungsten-silicide
US6335280B1 (en) 1997-01-13 2002-01-01 Asm America, Inc. Tungsten silicide deposition process
TW396646B (en) 1997-09-11 2000-07-01 Lg Semicon Co Ltd Manufacturing method of semiconductor devices
KR100425147B1 (ko) * 1997-09-29 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법
DE10134461B4 (de) * 2001-07-16 2006-05-18 Infineon Technologies Ag Prozess zur Abscheidung von WSix-Schichten auf hoher Topografie mit definierter Stöchiometrie und dadurch hergestelltes Bauelement
US6913670B2 (en) * 2002-04-08 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Substrate support having barrier capable of detecting fluid leakage
US8859417B2 (en) 2013-01-03 2014-10-14 Globalfoundries Inc. Gate electrode(s) and contact structure(s), and methods of fabrication thereof
JP6503543B2 (ja) * 2015-05-08 2019-04-24 国立研究開発法人産業技術総合研究所 遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3211752C2 (de) * 1982-03-30 1985-09-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum selektiven Abscheiden von aus Siliziden hochschmelzender Metalle bestehenden Schichtstrukturen auf im wesentlichen aus Silizium bestehenden Substraten und deren Verwendung
JPS621228A (ja) * 1985-06-26 1987-01-07 Fujitsu Ltd タングステンシリサイドの選択成長方法
US4692343A (en) * 1985-08-05 1987-09-08 Spectrum Cvd, Inc. Plasma enhanced CVD
US4737474A (en) * 1986-11-17 1988-04-12 Spectrum Cvd, Inc. Silicide to silicon bonding process
US4902645A (en) * 1987-08-24 1990-02-20 Fujitsu Limited Method of selectively forming a silicon-containing metal layer

Also Published As

Publication number Publication date
US4966869A (en) 1990-10-30
DE4190885T (nl) 1992-12-10
JPH05504660A (ja) 1993-07-15
KR920702794A (ko) 1992-10-06
WO1991017566A1 (en) 1991-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL9120003A (nl) Wolfraamdisilicide-cvd.
US6193813B1 (en) Utilization of SiH4 soak and purge in deposition processes
US6037263A (en) Plasma enhanced CVD deposition of tungsten and tungsten compounds
KR900006486B1 (ko) 박막배선층을 갖는 반도체장치 및 그의 박막배선층 형성방법
JP2591566B2 (ja) 半導体集積回路の製造方法
US4751101A (en) Low stress tungsten films by silicon reduction of WF6
JPH0773102B2 (ja) 半導体ウエーハにチタンケイ化物を蒸着させるための化学蒸着技術
US20060024959A1 (en) Thin tungsten silicide layer deposition and gate metal integration
JPH09503623A (ja) 低温での窒化チタンフィルムの化学蒸着方法
JP3050152B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20070059930A1 (en) Method of forming conductive metal silicides by reaction of metal with silicon
US6284650B1 (en) Integrated tungsten-silicide processes
JP2004128501A (ja) 表面保護によるニッケルシリサイド−窒化ケイ素の接着性の改良
EP0591086A2 (en) Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration
JP2592844B2 (ja) 高融点金属膜の形成方法
US6103620A (en) Method for producing titanium silicide
US5882975A (en) Method of fabricating salicide-structure semiconductor device
JP3120517B2 (ja) シリサイドプラグの形成方法
JPH07100860B2 (ja) タングステンシリサイド膜の形成方法
JPH0766924B2 (ja) ポリエミッタ構造およびその製造方法
US5981387A (en) Method for forming silicide film in semiconductor device
JP3243816B2 (ja) 絶縁膜の形成方法
JPS6376875A (ja) 気相成長法
JPH06314661A (ja) 半導体薄膜の形成方法
JP2000040675A (ja) 半導体装置の製造方法およびそれによる半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT

BV The patent application has lapsed