JP3120517B2 - シリサイドプラグの形成方法 - Google Patents
シリサイドプラグの形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のコンタク
トホール内にシリサイドプラグを形成する方法に関す
る。
トホール内にシリサイドプラグを形成する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩにおいて、微細な開口部を配線
材料で埋め込み、コンタクトホール（以下、接続孔とも
いう）を形成する技術として、タングステンＣＶＤ法が
ある。タングステンＣＶＤ法は、従来のタングステンス
パッタ法と比較し、優れたステップカバレッジ及び埋め
込み能力を有する。タングステンＣＶＤ法では、例えば
ＷＦ6ガス／ＳｉＨ4ガス及びＨ2ガスが使用され、Ｓｉ
Ｈ4及びＨ2によってＷＦ6が還元され、タングステンが
開口部内に堆積する。
材料で埋め込み、コンタクトホール（以下、接続孔とも
いう）を形成する技術として、タングステンＣＶＤ法が
ある。タングステンＣＶＤ法は、従来のタングステンス
パッタ法と比較し、優れたステップカバレッジ及び埋め
込み能力を有する。タングステンＣＶＤ法では、例えば
ＷＦ6ガス／ＳｉＨ4ガス及びＨ2ガスが使用され、Ｓｉ
Ｈ4及びＨ2によってＷＦ6が還元され、タングステンが
開口部内に堆積する。
【０００３】タングステンＣＶＤ法には、ブランケット
タングステンＣＶＤ法と、選択タングステンＣＶＤ法が
あるが、現在ブランケットタングステンＣＶＤ法が主流
である。ブランケットタングステンＣＶＤ法では、半導
体基板表面に層間絶縁層を形成し、かかる層間絶縁層に
開口部を設ける。そして、層間絶縁層の表面及び開口部
内にＣＶＤ法にてタングステンを堆積させた後、エッチ
バックによって開口部内にのみタングステンを残す。こ
れによって開口部内にタングステンから成るメタルプラ
グが形成され、接続孔が完成する。
タングステンＣＶＤ法と、選択タングステンＣＶＤ法が
あるが、現在ブランケットタングステンＣＶＤ法が主流
である。ブランケットタングステンＣＶＤ法では、半導
体基板表面に層間絶縁層を形成し、かかる層間絶縁層に
開口部を設ける。そして、層間絶縁層の表面及び開口部
内にＣＶＤ法にてタングステンを堆積させた後、エッチ
バックによって開口部内にのみタングステンを残す。こ
れによって開口部内にタングステンから成るメタルプラ
グが形成され、接続孔が完成する。
【０００４】選択タングステンＣＶＤ法は、タングステ
ンが絶縁膜表面では成長し難いことを応用し、ＣＶＤ法
にて選択的に開口部内にのみタングステンを成長させ、
これによって開口部内にタングステンから成るメタルプ
ラグを形成し、接続孔を完成させる方法である。
ンが絶縁膜表面では成長し難いことを応用し、ＣＶＤ法
にて選択的に開口部内にのみタングステンを成長させ、
これによって開口部内にタングステンから成るメタルプ
ラグを形成し、接続孔を完成させる方法である。
【０００５】ブランケットタングステンＣＶＤ法は、タ
ングステンと下地であるシリコン酸化膜との密着性が余
り良くないため、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタ
ンタングステン（ＴｉＷ）等から成る密着層をタングス
テンとシリコン酸化膜との間に介在させている。ＴｉＮ
はコンタクト抵抗が高いため、ＴｉＮから成る密着層の
下に予めチタン（Ｔｉ）あるいはチタンシリサイド（Ｔ
ｉＳｉ2）を堆積させて、コンタクト抵抗の低減を図っ
ている。
ングステンと下地であるシリコン酸化膜との密着性が余
り良くないため、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタ
ンタングステン（ＴｉＷ）等から成る密着層をタングス
テンとシリコン酸化膜との間に介在させている。ＴｉＮ
はコンタクト抵抗が高いため、ＴｉＮから成る密着層の
下に予めチタン（Ｔｉ）あるいはチタンシリサイド（Ｔ
ｉＳｉ2）を堆積させて、コンタクト抵抗の低減を図っ
ている。
【０００６】現状では、これらの密着層をスパッタ法に
て堆積させているため、層間絶縁層に形成された高アス
ペクト比且つ微小径の開口部の底部における密着層の被
覆性が悪い。その結果、自然酸化膜の影響を受けてチタ
ンのシリサイド化が均一に起こらず、コンタクト抵抗が
増加するという問題がある。
て堆積させているため、層間絶縁層に形成された高アス
ペクト比且つ微小径の開口部の底部における密着層の被
覆性が悪い。その結果、自然酸化膜の影響を受けてチタ
ンのシリサイド化が均一に起こらず、コンタクト抵抗が
増加するという問題がある。
【０００７】また、ブランケットタングステンＣＶＤ法
においては、接続孔内に形成されたタングステンプラグ
は、タングステン（Ｗ）／ＴｉＮ／Ｔｉの多層構造とな
っている。それ故、エッチバック時、Ｗをフッ素系のガ
スで、ＴｉＮ／Ｔｉを塩素系のガスで、それぞれエッチ
ングする必要があり、エッチバックプロセスが複雑にな
るという問題もある。
においては、接続孔内に形成されたタングステンプラグ
は、タングステン（Ｗ）／ＴｉＮ／Ｔｉの多層構造とな
っている。それ故、エッチバック時、Ｗをフッ素系のガ
スで、ＴｉＮ／Ｔｉを塩素系のガスで、それぞれエッチ
ングする必要があり、エッチバックプロセスが複雑にな
るという問題もある。
【０００８】ブランケットタングステンＣＶＤ法の上記
の問題を解決するための一手段として、ＣＶＤ法により
ＴｉＮ膜を成膜してＴｉＮから成るプラグを形成する方
法が検討されている。しかしながら、たとえ膜中の不純
物が少なくしかもステップカバレッジの優れたＣＶＤ法
によるＴｉＮ膜が得られたとしても、ＴｉＮプラグ自体
の抵抗が高く、しかも、低コンタクト抵抗を得るために
はＴｉ層あるいはＴｉＳｉX層を必要とする。
の問題を解決するための一手段として、ＣＶＤ法により
ＴｉＮ膜を成膜してＴｉＮから成るプラグを形成する方
法が検討されている。しかしながら、たとえ膜中の不純
物が少なくしかもステップカバレッジの優れたＣＶＤ法
によるＴｉＮ膜が得られたとしても、ＴｉＮプラグ自体
の抵抗が高く、しかも、低コンタクト抵抗を得るために
はＴｉ層あるいはＴｉＳｉX層を必要とする。
【０００９】タングステンあるいはＴｉＮから成るプラ
グの代わりに、ＴｉＳｉXの単層で開口部を埋め込み、
接続孔内にＴｉＳｉ2から成るプラグを形成し、これに
よって、低コンタクト抵抗を実現し且つエッチバックプ
ロセスを簡素化しようとする技術が提案されている。現
在、このＴｉＳｉX埋め込みプラグの形成方法として、
次の方法を挙げることができる。 （Ａ）ＴｉＣｌ4ガスとＳｉＨ4ガスとを用いて、熱ＣＶ
Ｄ法にて開口部の埋め込みを行う（例えば、「Contact
Plug Formed With Chemical Vapour DepositedTiN」,
K. Mori, et al, Extended Abstracts of the 1991 Int
ernational Conference on Solid State Device and Ma
terials, Yokohama, 1991, pp. 210-212参照）。 （Ｂ）選択的に開口部内にエピタキシャルなあるいは多
結晶状のシリコン層を形成した後、スパッタ法にてかか
るシリコン層の上にチタンを堆積させる。次いで、アニ
ール処理を行うことによって、開口部内のチタンとシリ
コンとを反応させ、開口部内のみＴｉＳｉ2を形成する
（例えば、「The Use of Selective Silicon Or Silici
de Plugs For Submicron Contact Fill」, C.S. Wei et
al, ULSI Sci Tech, 1989, pp.637-648 参照）。
グの代わりに、ＴｉＳｉXの単層で開口部を埋め込み、
接続孔内にＴｉＳｉ2から成るプラグを形成し、これに
よって、低コンタクト抵抗を実現し且つエッチバックプ
ロセスを簡素化しようとする技術が提案されている。現
在、このＴｉＳｉX埋め込みプラグの形成方法として、
次の方法を挙げることができる。 （Ａ）ＴｉＣｌ4ガスとＳｉＨ4ガスとを用いて、熱ＣＶ
Ｄ法にて開口部の埋め込みを行う（例えば、「Contact
Plug Formed With Chemical Vapour DepositedTiN」,
K. Mori, et al, Extended Abstracts of the 1991 Int
ernational Conference on Solid State Device and Ma
terials, Yokohama, 1991, pp. 210-212参照）。 （Ｂ）選択的に開口部内にエピタキシャルなあるいは多
結晶状のシリコン層を形成した後、スパッタ法にてかか
るシリコン層の上にチタンを堆積させる。次いで、アニ
ール処理を行うことによって、開口部内のチタンとシリ
コンとを反応させ、開口部内のみＴｉＳｉ2を形成する
（例えば、「The Use of Selective Silicon Or Silici
de Plugs For Submicron Contact Fill」, C.S. Wei et
al, ULSI Sci Tech, 1989, pp.637-648 参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ＴｉＳｉ2によって開
口部を埋め込むこれらの方法においては、塩素系のガス
によるプラズマエッチングによってＴｉＳｉX層をエッ
チバックすることでプラグを形成できる。従って、ブラ
ンケットタングステンＣＶＤ法と比較し、エッチング工
程の簡素化を図ることができる。
口部を埋め込むこれらの方法においては、塩素系のガス
によるプラズマエッチングによってＴｉＳｉX層をエッ
チバックすることでプラグを形成できる。従って、ブラ
ンケットタングステンＣＶＤ法と比較し、エッチング工
程の簡素化を図ることができる。
【００１１】しかしながら、上記の方法においても以下
のような問題がある。 （ａ）上記（Ａ）の方法は、埋め込み性は優れている
が、ＴｉＣｌ4ガスとＳｉＨ4ガスの比率が変動した場
合、形成されたＴｉＳｉXの膜質に大きな変動が生じ
る。特にＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4の割合が０〜１のような小
さい値の場合、ＴｉＣｌ4が下地である拡散層を浸食す
る虞れがある。また、ＴｉＳｉXの成膜温度が約７００
゜Ｃと高い。そのため、原料ガスであるＴｉＣｌ4が下
地である拡散層を著しく浸食し、リーク電流が増大す
る。 （ｂ）上記（Ｂ）の方法では、スパッタ法にてチタンを
堆積させるために、微小径の開口部におけるチタンの被
覆性が悪く、開口部内に堆積したチタンにボイドが発生
し易い。
のような問題がある。 （ａ）上記（Ａ）の方法は、埋め込み性は優れている
が、ＴｉＣｌ4ガスとＳｉＨ4ガスの比率が変動した場
合、形成されたＴｉＳｉXの膜質に大きな変動が生じ
る。特にＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4の割合が０〜１のような小
さい値の場合、ＴｉＣｌ4が下地である拡散層を浸食す
る虞れがある。また、ＴｉＳｉXの成膜温度が約７００
゜Ｃと高い。そのため、原料ガスであるＴｉＣｌ4が下
地である拡散層を著しく浸食し、リーク電流が増大す
る。 （ｂ）上記（Ｂ）の方法では、スパッタ法にてチタンを
堆積させるために、微小径の開口部におけるチタンの被
覆性が悪く、開口部内に堆積したチタンにボイドが発生
し易い。
【００１２】従って、本発明の目的は、埋め込み性に優
れ、下地が浸食される虞れが無く、低リーク、低コンタ
クト抵抗を得ることができる、安定なＴｉＳｉ2から成
るプラグの形成技術の確立にある。
れ、下地が浸食される虞れが無く、低リーク、低コンタ
クト抵抗を得ることができる、安定なＴｉＳｉ2から成
るプラグの形成技術の確立にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のシリサイドプラグの形成方法は、半導体基
板上に形成された層間絶縁層に開口部を設け、かかる開
口部をシリサイドで埋め込む方法である。
めの本発明のシリサイドプラグの形成方法は、半導体基
板上に形成された層間絶縁層に開口部を設け、かかる開
口部をシリサイドで埋め込む方法である。
【００１４】そして、本発明のシリサイドプラグの形成
方法の第１の態様は、（イ）少なくとも開口部の底部に
シリコン層を形成する工程と、（ロ）ＣＶＤ法にて開口
部をシリサイドで埋め込む工程、から成ることを特徴と
する。
方法の第１の態様は、（イ）少なくとも開口部の底部に
シリコン層を形成する工程と、（ロ）ＣＶＤ法にて開口
部をシリサイドで埋め込む工程、から成ることを特徴と
する。
【００１５】この第１の態様においては、上記（イ）の
工程では、開口部の底部並びに側壁及び層間絶縁層の表
面にシリコン層を形成することが望ましい。また、シリ
サイドはチタンシリサイドから成ることが好ましい。上
記（ロ）の工程に引き続き、開口部に埋め込まれたシリ
サイドの表面を窒化することが好ましい。
工程では、開口部の底部並びに側壁及び層間絶縁層の表
面にシリコン層を形成することが望ましい。また、シリ
サイドはチタンシリサイドから成ることが好ましい。上
記（ロ）の工程に引き続き、開口部に埋め込まれたシリ
サイドの表面を窒化することが好ましい。
【００１６】本発明のシリサイドプラグの形成方法の第
２の態様は、（イ）少なくとも開口部の底部にシリサイ
ドから成る薄膜を形成した後、該薄膜を窒化させる工程
と、（ロ）ＣＶＤ法にて開口部をシリサイドで埋め込む
工程、から成ることを特徴とする。
２の態様は、（イ）少なくとも開口部の底部にシリサイ
ドから成る薄膜を形成した後、該薄膜を窒化させる工程
と、（ロ）ＣＶＤ法にて開口部をシリサイドで埋め込む
工程、から成ることを特徴とする。
【００１７】この第２の態様においては、上記（イ）の
工程におけるシリサイドから成る薄膜の形成はプラズマ
ＣＶＤ法にて行うことが好ましい。また、上記（ロ）の
工程に引き続き、開口部に埋め込まれたシリサイドの表
面を窒化することが望ましい。
工程におけるシリサイドから成る薄膜の形成はプラズマ
ＣＶＤ法にて行うことが好ましい。また、上記（ロ）の
工程に引き続き、開口部に埋め込まれたシリサイドの表
面を窒化することが望ましい。
【００１８】
【作用】本発明の第１の態様におけるシリサイドの形成
方法においては、少なくとも開口部の底部にシリコン層
が形成されているので、シリサイドの原料ガスが直接下
地と接触することがなく、かかる原料ガスによる下地の
浸食を防止することができる。また、ＣＶＤ法にて開口
部をシリサイドで埋め込むので、開口部に対するシリサ
イドの埋め込み性に優れている。
方法においては、少なくとも開口部の底部にシリコン層
が形成されているので、シリサイドの原料ガスが直接下
地と接触することがなく、かかる原料ガスによる下地の
浸食を防止することができる。また、ＣＶＤ法にて開口
部をシリサイドで埋め込むので、開口部に対するシリサ
イドの埋め込み性に優れている。
【００１９】本発明の第２の態様におけるシリサイドの
形成方法においては、少なくとも開口部の底部にシリサ
イドから成る薄膜を形成した後、かかる薄膜を窒化させ
るので、この薄膜は、シリサイドのみから成る薄膜より
もシリサイドの原料ガスに対するバリア性が向上する。
従って、シリサイドの原料ガスが直接下地と接触するこ
とがなく、かかる原料ガスによる下地の浸食を一層効果
的に防止することができる。また、ＣＶＤ法にて開口部
をシリサイドで埋め込むので、開口部に対するシリサイ
ドの埋め込み性に優れている。
形成方法においては、少なくとも開口部の底部にシリサ
イドから成る薄膜を形成した後、かかる薄膜を窒化させ
るので、この薄膜は、シリサイドのみから成る薄膜より
もシリサイドの原料ガスに対するバリア性が向上する。
従って、シリサイドの原料ガスが直接下地と接触するこ
とがなく、かかる原料ガスによる下地の浸食を一層効果
的に防止することができる。また、ＣＶＤ法にて開口部
をシリサイドで埋め込むので、開口部に対するシリサイ
ドの埋め込み性に優れている。
【００２０】本発明の第１及び第２の態様において、上
記（ロ）の工程に引き続き、開口部に埋め込まれたシリ
サイドの表面を窒化することによって、その後に形成さ
れるアルミニウム配線に対するＴｉＮバリア層をプラグ
表面に容易に形成することができる。
記（ロ）の工程に引き続き、開口部に埋め込まれたシリ
サイドの表面を窒化することによって、その後に形成さ
れるアルミニウム配線に対するＴｉＮバリア層をプラグ
表面に容易に形成することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を、図面を参照して実施例に基
づき詳しく説明する。尚、各図は、半導体素子の模式的
な一部断面図である。
づき詳しく説明する。尚、各図は、半導体素子の模式的
な一部断面図である。
【００２２】（実施例−１）先ず、本発明のシリサイド
プラグの形成方法の第１の態様を、実施例−１に基づき
説明する。
プラグの形成方法の第１の態様を、実施例−１に基づき
説明する。
【００２３】［工程−１００］半導体基板１０に拡散層
１２を形成した後、その上に層間絶縁層１４を堆積さ
せ、次いで、層間絶縁層１４に開口部１６を形成する
（図１の（Ａ）参照）。開口部１６は、例えば、口径
０．４μｍ、アスペクト比２とすることができる。
１２を形成した後、その上に層間絶縁層１４を堆積さ
せ、次いで、層間絶縁層１４に開口部１６を形成する
（図１の（Ａ）参照）。開口部１６は、例えば、口径
０．４μｍ、アスペクト比２とすることができる。
【００２４】［工程−１１０］次に、希フッ酸洗浄にて
自然酸化膜を除去した後、開口部１６の底部に選択的に
膜厚２０〜４０ｎｍのシリコン層１８を形成する（図１
の（Ｂ）参照）。シリコン層１８の形成は、例えば、選
択エピタキシャルＳｉ成長あるいは選択多結晶Ｓｉ成長
によって行うことができる。選択エピタキシャルＳｉ成
長を用いる場合、その条件を、ＳｉＨ2Ｃｌ2＝３００ｓ
ｃｃｍ、ＨＣｌ＝３００〜１０００ｓｃｃｍ、圧力３０
００〜７０００Ｐａ、温度８００〜１０００゜Ｃとする
ことができる。また、選択多結晶Ｓｉ成長を用いる場
合、その条件を、ＳｉＨ2Ｃｌ2／ＨＣｌ＝２〜３、圧力
１０００Ｐａ、温度７００〜８００゜Ｃとすることがで
きる。
自然酸化膜を除去した後、開口部１６の底部に選択的に
膜厚２０〜４０ｎｍのシリコン層１８を形成する（図１
の（Ｂ）参照）。シリコン層１８の形成は、例えば、選
択エピタキシャルＳｉ成長あるいは選択多結晶Ｓｉ成長
によって行うことができる。選択エピタキシャルＳｉ成
長を用いる場合、その条件を、ＳｉＨ2Ｃｌ2＝３００ｓ
ｃｃｍ、ＨＣｌ＝３００〜１０００ｓｃｃｍ、圧力３０
００〜７０００Ｐａ、温度８００〜１０００゜Ｃとする
ことができる。また、選択多結晶Ｓｉ成長を用いる場
合、その条件を、ＳｉＨ2Ｃｌ2／ＨＣｌ＝２〜３、圧力
１０００Ｐａ、温度７００〜８００゜Ｃとすることがで
きる。
【００２５】［工程−１２０］次いで、熱ＣＶＤ法にて
開口部をシリサイドで埋め込む。この工程を以下、工程
−１２０Ａ〜工程−１２０Ｃにて説明する。
開口部をシリサイドで埋め込む。この工程を以下、工程
−１２０Ａ〜工程−１２０Ｃにて説明する。
【００２６】［工程−１２０Ａ］シリサイドの原料ガス
としてＴｉＣｌ4とＳｉＨ4を用いて、熱ＣＶＤ法にて層
間絶縁層１４の表面及び開口部１６の内部にＴｉＳｉX
層２０を堆積させる（図１の（Ｃ）参照）。ＴｉＳｉX
層２０を堆積させる条件として、例えば、温度７００゜
Ｃ、ＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4＝１〜５とすることができる。
開口部１６の内部のＴｉＳｉX層２０にボイドが発生し
ないように注意する必要がある。尚、形成されたＴｉＳ
ｉXのＸの値は、１．０〜１．８程度である。この工程
において、開口部１６の底部にはシリコン層１８が既に
形成されているので、ＴｉＣｌ4ガスが拡散層１２と直
接接触することがなく、拡散層１２のＴｉＣｌ4による
浸食を防止することができる。
としてＴｉＣｌ4とＳｉＨ4を用いて、熱ＣＶＤ法にて層
間絶縁層１４の表面及び開口部１６の内部にＴｉＳｉX
層２０を堆積させる（図１の（Ｃ）参照）。ＴｉＳｉX
層２０を堆積させる条件として、例えば、温度７００゜
Ｃ、ＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4＝１〜５とすることができる。
開口部１６の内部のＴｉＳｉX層２０にボイドが発生し
ないように注意する必要がある。尚、形成されたＴｉＳ
ｉXのＸの値は、１．０〜１．８程度である。この工程
において、開口部１６の底部にはシリコン層１８が既に
形成されているので、ＴｉＣｌ4ガスが拡散層１２と直
接接触することがなく、拡散層１２のＴｉＣｌ4による
浸食を防止することができる。
【００２７】［工程−１２０Ｂ］次に、Ｎ2、ＮＨ3ある
いはＡｒガス雰囲気下、８００〜１０００゜Ｃ、３０〜
６０秒の条件にてアニール処理を行い、開口部１６の底
部において、シリコン層１８とＴｉＳｉX層２０とを反
応させ、ＴｉＳｉ2層２２を生成させる（図２の（Ａ）
参照）。即ち、堆積したＴｉＳｉX層２０（Ｘ＝１．０
〜１．８）は、Ｔｉリッチであるため、このアニール処
理によって開口部１６底部のシリコン層１８はＴｉＳｉ
X層２０に拡散、吸収される。これによって、ＴｉＳｉX
は化学量論的にＴｉＳｉ2となり、ＴｉＳｉ2層２２が形
成される。ＴｉＳｉ2層２２は拡散層１２と直接接触す
るので、低コンタクト抵抗が得られる。
いはＡｒガス雰囲気下、８００〜１０００゜Ｃ、３０〜
６０秒の条件にてアニール処理を行い、開口部１６の底
部において、シリコン層１８とＴｉＳｉX層２０とを反
応させ、ＴｉＳｉ2層２２を生成させる（図２の（Ａ）
参照）。即ち、堆積したＴｉＳｉX層２０（Ｘ＝１．０
〜１．８）は、Ｔｉリッチであるため、このアニール処
理によって開口部１６底部のシリコン層１８はＴｉＳｉ
X層２０に拡散、吸収される。これによって、ＴｉＳｉX
は化学量論的にＴｉＳｉ2となり、ＴｉＳｉ2層２２が形
成される。ＴｉＳｉ2層２２は拡散層１２と直接接触す
るので、低コンタクト抵抗が得られる。
【００２８】［工程−１２０Ｃ］次に、塩素系のガスを
用いたプラズマエッチングによって、層間絶縁層１４の
表面に形成されたＴｉＳｉ2層２２をエッチバックして
除去し、開口部１６内にのみＴｉＳｉ2層２２を残す
（図２の（Ｂ）参照）。エッチバックの条件を、Ｃｌ2
／Ａｒ＝５０／２５ｓｃｃｍ、ＲＦパワー２５０Ｗ、圧
力２０Ｐａとすることができる。これによって、開口部
１６はＴｉＳｉ2から成るシリサイドで埋め込まれ、シ
リサイドプラグを有する接続孔が完成する。ブランケッ
トタングステンＣＶＤ法では、Ｗ／ＴｉＮ／Ｔｉの多層
構造の層をエッチバックする必要があるために、Ｗをフ
ッ素系ガスで、ＴｉＮ／Ｔｉを塩素系ガスでエッチング
しなければならず、エッチバックプロセスが複雑にな
る。これに対して、本発明においては、ＴｉＳｉ2をエ
ッチバックすればよいので、エッチバックプロセスは簡
素化される。
用いたプラズマエッチングによって、層間絶縁層１４の
表面に形成されたＴｉＳｉ2層２２をエッチバックして
除去し、開口部１６内にのみＴｉＳｉ2層２２を残す
（図２の（Ｂ）参照）。エッチバックの条件を、Ｃｌ2
／Ａｒ＝５０／２５ｓｃｃｍ、ＲＦパワー２５０Ｗ、圧
力２０Ｐａとすることができる。これによって、開口部
１６はＴｉＳｉ2から成るシリサイドで埋め込まれ、シ
リサイドプラグを有する接続孔が完成する。ブランケッ
トタングステンＣＶＤ法では、Ｗ／ＴｉＮ／Ｔｉの多層
構造の層をエッチバックする必要があるために、Ｗをフ
ッ素系ガスで、ＴｉＮ／Ｔｉを塩素系ガスでエッチング
しなければならず、エッチバックプロセスが複雑にな
る。これに対して、本発明においては、ＴｉＳｉ2をエ
ッチバックすればよいので、エッチバックプロセスは簡
素化される。
【００２９】［工程−１３０］ＴｉＳｉ2からなるプラ
グを形成した後、必要に応じて、ＮＨ3雰囲気中で、温
度７００〜９００゜Ｃ、１０〜６０秒の条件下、プラグ
の表面を窒化してＴｉＮ２４を形成することができる
（図２の（Ｃ）参照）。
グを形成した後、必要に応じて、ＮＨ3雰囲気中で、温
度７００〜９００゜Ｃ、１０〜６０秒の条件下、プラグ
の表面を窒化してＴｉＮ２４を形成することができる
（図２の（Ｃ）参照）。
【００３０】［工程−１４０］次いで、通常の方法でア
ルミニウム配線を形成する。即ち、スパッタ法にてＴｉ
ＯＮ、アルミニウムを順次堆積させ、アルミニウム配線
層を形成すればよい（図３参照）。
ルミニウム配線を形成する。即ち、スパッタ法にてＴｉ
ＯＮ、アルミニウムを順次堆積させ、アルミニウム配線
層を形成すればよい（図３参照）。
【００３１】（実施例−２）本発明のシリサイドプラグ
の形成方法の第１の態様を、更に、実施例−２に基づき
説明する。実施例−１では、開口部１６の底部にシリコ
ン層１８を形成したが、実施例−２においては、シリコ
ン層を開口部１６のみならず層間絶縁層１４の表面にも
形成する。
の形成方法の第１の態様を、更に、実施例−２に基づき
説明する。実施例−１では、開口部１６の底部にシリコ
ン層１８を形成したが、実施例−２においては、シリコ
ン層を開口部１６のみならず層間絶縁層１４の表面にも
形成する。
【００３２】［工程−２００］この工程は、実施例−１
における工程−１００と同様であり、その詳細な説明は
省略する。
における工程−１００と同様であり、その詳細な説明は
省略する。
【００３３】［工程−２１０］次に、希フッ酸洗浄にて
自然酸化膜を除去した後、開口部１６の底部並びに側壁
及び層間絶縁層１４に膜厚２０〜４０μｍのシリコン層
１８を形成する（図４参照）。シリコン層１８の形成
は、例えばアモルファスＳｉ成長あるいは多結晶Ｓｉ成
長によって行うことができる。アモルファスＳｉ成長を
用いる場合、その条件を、ＳｉＨ4／Ｈｅ＝５００／３
０ｓｃｃｍ、圧力２７０Ｐａ、温度５５０゜Ｃとするこ
とができる。また、多結晶Ｓｉ成長を用いる場合、その
条件を、ＳｉＨ4／Ｈｅ＝１００／４００ｓｃｃｍ、圧
力７０Ｐａ、温度６５０゜Ｃとすることができる。
自然酸化膜を除去した後、開口部１６の底部並びに側壁
及び層間絶縁層１４に膜厚２０〜４０μｍのシリコン層
１８を形成する（図４参照）。シリコン層１８の形成
は、例えばアモルファスＳｉ成長あるいは多結晶Ｓｉ成
長によって行うことができる。アモルファスＳｉ成長を
用いる場合、その条件を、ＳｉＨ4／Ｈｅ＝５００／３
０ｓｃｃｍ、圧力２７０Ｐａ、温度５５０゜Ｃとするこ
とができる。また、多結晶Ｓｉ成長を用いる場合、その
条件を、ＳｉＨ4／Ｈｅ＝１００／４００ｓｃｃｍ、圧
力７０Ｐａ、温度６５０゜Ｃとすることができる。
【００３４】［工程−２２０］〜［工程−２４０］以下
の工程は、実施例−１における［工程−１２０Ａ］〜
［工程−１２０Ｃ］、［工程−１３０］及び［工程−１
４０］と同様であり、その詳細な説明は省略する。但
し、工程−２２０において、層間絶縁層１４表面のＴｉ
Ｓｉ2層だけでなくシリコン層１８もエッチバックす
る。
の工程は、実施例−１における［工程−１２０Ａ］〜
［工程−１２０Ｃ］、［工程−１３０］及び［工程−１
４０］と同様であり、その詳細な説明は省略する。但
し、工程−２２０において、層間絶縁層１４表面のＴｉ
Ｓｉ2層だけでなくシリコン層１８もエッチバックす
る。
【００３５】（実施例−３）本発明のシリサイドプラグ
の形成方法の第２の態様を、実施例−３に基づき説明す
る。実施例−１及び実施例−２では、少なくとも開口部
１６の底部にシリコン層１８を形成したが、実施例−３
においては、開口部の底部にＴｉＳｉXから成るの薄膜
を形成した後、この薄膜を窒化させる。
の形成方法の第２の態様を、実施例−３に基づき説明す
る。実施例−１及び実施例−２では、少なくとも開口部
１６の底部にシリコン層１８を形成したが、実施例−３
においては、開口部の底部にＴｉＳｉXから成るの薄膜
を形成した後、この薄膜を窒化させる。
【００３６】［工程−３００］この工程は、実施例−１
における工程−１００と同様であり、その詳細な説明は
省略する。
における工程−１００と同様であり、その詳細な説明は
省略する。
【００３７】［工程−３１０］次に、開口部の底部にシ
リサイドから成る薄膜を熱ＣＶＤ法にて形成した後、薄
膜を窒化させる。この工程を、以下、工程−３１０Ａ〜
工程−３１０Ｂにて説明する。 ［工程−３１０Ａ］先ず、原料ガスとしてＴｉＣｌ4及
びＳｉＨ4を用いて、開口部１６の底部並びに側壁及び
層間絶縁層１４の表面にＴｉＳｉXから成る薄膜３０を
熱ＣＶＤ法にて形成する（図５の（Ａ）参照）。薄膜３
０の形成条件を、例えば、ＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4＝８〜１
０、温度７００゜Ｃとすることができる。 ［工程−３１０Ｂ］次に、例えば８００゜Ｃ、３０秒
間、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中にてランプアニール
処理を行い、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の表面を窒化
する（図５の（Ｂ）参照）。これによって、ＴｉＳｉX
から成る薄膜３０は、ＴｉＮ層３２／ＴｉＳｉX層３４
の２層構造を有する薄膜に変化する。
リサイドから成る薄膜を熱ＣＶＤ法にて形成した後、薄
膜を窒化させる。この工程を、以下、工程−３１０Ａ〜
工程−３１０Ｂにて説明する。 ［工程−３１０Ａ］先ず、原料ガスとしてＴｉＣｌ4及
びＳｉＨ4を用いて、開口部１６の底部並びに側壁及び
層間絶縁層１４の表面にＴｉＳｉXから成る薄膜３０を
熱ＣＶＤ法にて形成する（図５の（Ａ）参照）。薄膜３
０の形成条件を、例えば、ＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4＝８〜１
０、温度７００゜Ｃとすることができる。 ［工程−３１０Ｂ］次に、例えば８００゜Ｃ、３０秒
間、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中にてランプアニール
処理を行い、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の表面を窒化
する（図５の（Ｂ）参照）。これによって、ＴｉＳｉX
から成る薄膜３０は、ＴｉＮ層３２／ＴｉＳｉX層３４
の２層構造を有する薄膜に変化する。
【００３８】［工程−３２０］次に、熱ＣＶＤ法にて開
口部をＴｉＳｉXから成るシリサイドで埋め込む。この
工程を、以下、工程−３２０Ａ〜工程−３２０Ｂに従っ
て説明する。
口部をＴｉＳｉXから成るシリサイドで埋め込む。この
工程を、以下、工程−３２０Ａ〜工程−３２０Ｂに従っ
て説明する。
【００３９】［工程−３２０Ａ］先ず、開口部１６が充
分埋め込まれるまで、ＴｉＳｉX層２０を８００〜１０
００ｎｍ、開口部１６内及び層間絶縁層１４の表面に熱
ＣＶＤ法にて堆積させる（図５の（Ｃ）参照）。ＴｉＳ
ｉX層２０の堆積条件は、工程−３１０Ａで説明した薄
膜３０の形成条件と同様である。開口部１６の底部に
は、工程−３１０Ｂで形成されたＴｉＮ層が存在するの
で、ＴｉＳｉX層２０を堆積させるとき使用されるＴｉ
Ｃｌ4が下地の拡散層を浸食することが防止できる。
分埋め込まれるまで、ＴｉＳｉX層２０を８００〜１０
００ｎｍ、開口部１６内及び層間絶縁層１４の表面に熱
ＣＶＤ法にて堆積させる（図５の（Ｃ）参照）。ＴｉＳ
ｉX層２０の堆積条件は、工程−３１０Ａで説明した薄
膜３０の形成条件と同様である。開口部１６の底部に
は、工程−３１０Ｂで形成されたＴｉＮ層が存在するの
で、ＴｉＳｉX層２０を堆積させるとき使用されるＴｉ
Ｃｌ4が下地の拡散層を浸食することが防止できる。
【００４０】［工程−３２０Ｂ］次に、塩素系のガスを
用いたプラズマエッチングによって、層間絶縁層１４の
表面に形成されたＴｉＳｉX層２０、ＴｉＮ層３２／Ｔ
ｉＳｉX層３４をエッチバックして除去し、開口部１６
内にのみＴｉＳｉX層２０を残す（図６参照）。エッチ
バックの条件を、Ｃｌ2／Ａｒ＝５０／２５ｓｃｃｍ、
ＲＦパワー２５０Ｗ、圧力２０Ｐａとすることができ
る。これによって、開口部１６はＴｉＳｉ2から成るシ
リサイドで埋め込まれ、シリサイドプラグを有する接続
孔が完成する。
用いたプラズマエッチングによって、層間絶縁層１４の
表面に形成されたＴｉＳｉX層２０、ＴｉＮ層３２／Ｔ
ｉＳｉX層３４をエッチバックして除去し、開口部１６
内にのみＴｉＳｉX層２０を残す（図６参照）。エッチ
バックの条件を、Ｃｌ2／Ａｒ＝５０／２５ｓｃｃｍ、
ＲＦパワー２５０Ｗ、圧力２０Ｐａとすることができ
る。これによって、開口部１６はＴｉＳｉ2から成るシ
リサイドで埋め込まれ、シリサイドプラグを有する接続
孔が完成する。
【００４１】［工程−３３０］及び［工程−３４０］以
降の工程は、実施例−１の［工程−１３０］及び［工程
−１４０］と同様であるため、詳細な説明は省略する。
降の工程は、実施例−１の［工程−１３０］及び［工程
−１４０］と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００４２】（実施例−４）選択タングステンＣＶＤ法
で観察される下地である拡散層へのＷＦ6の浸食現象
は、ＣＶＤ成長温度が高い程顕著となる。実施例−３に
おいては、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０を形成するため
に熱ＣＶＤ法を採用し、温度条件を７００゜Ｃとした。
実施例−４においては、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の
形成をプラズマＣＶＤ法で行う。プラズマＣＶＤ法でＴ
ｉＳｉXから成る薄膜３０を形成するときの温度条件は
４５０゜Ｃ程度とすることができ、これによって、Ｔｉ
Ｃｌ4の下地への浸食をより一層防止することができ
る。
で観察される下地である拡散層へのＷＦ6の浸食現象
は、ＣＶＤ成長温度が高い程顕著となる。実施例−３に
おいては、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０を形成するため
に熱ＣＶＤ法を採用し、温度条件を７００゜Ｃとした。
実施例−４においては、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の
形成をプラズマＣＶＤ法で行う。プラズマＣＶＤ法でＴ
ｉＳｉXから成る薄膜３０を形成するときの温度条件は
４５０゜Ｃ程度とすることができ、これによって、Ｔｉ
Ｃｌ4の下地への浸食をより一層防止することができ
る。
【００４３】［工程−４００］この工程は、実施例−１
における工程−１００と同様であり、その詳細な説明は
省略する。
における工程−１００と同様であり、その詳細な説明は
省略する。
【００４４】［工程−４１０］次に、開口部の底部にシ
リサイドから成る薄膜をプラズマＣＶＤ法にて形成した
後、薄膜を窒化させる。この工程を、以下、工程−４１
０Ａ〜工程−４１０Ｂにて説明する。
リサイドから成る薄膜をプラズマＣＶＤ法にて形成した
後、薄膜を窒化させる。この工程を、以下、工程−４１
０Ａ〜工程−４１０Ｂにて説明する。
【００４５】［工程−４１０Ａ］ 先ず、図５の（Ａ）に示したと同様に、原料ガスとして
ＴｉＣｌ4及びＳｉＨ4を用いて、開口部１６の底部並び
に側壁及び層間絶縁層１４の表面にＴｉＳｉXから成る
薄膜３０をプラズマＣＶＤ法にて形成する。薄膜３０の
形成条件を、例えば、ＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4＝１〜８、温
度４５０°Ｃ、ＲＦパワー２００〜４００Ｗとすること
ができる。ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の形成温度が４
５０°Ｃと低いため、熱ＣＶＤ法と比較して、ＴｉＣｌ
4の下地に対する侵食は一層少なくなる。
ＴｉＣｌ4及びＳｉＨ4を用いて、開口部１６の底部並び
に側壁及び層間絶縁層１４の表面にＴｉＳｉXから成る
薄膜３０をプラズマＣＶＤ法にて形成する。薄膜３０の
形成条件を、例えば、ＳｉＨ4／ＴｉＣｌ4＝１〜８、温
度４５０°Ｃ、ＲＦパワー２００〜４００Ｗとすること
ができる。ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の形成温度が４
５０°Ｃと低いため、熱ＣＶＤ法と比較して、ＴｉＣｌ
4の下地に対する侵食は一層少なくなる。
【００４６】［工程−４１０Ｂ］次に、図５の（Ｂ）に
示したと同様に、例えば７００〜９００゜Ｃ、１０〜６
０秒間、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中にてアニール処
理を行い、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の表面を窒化す
る。これによって、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０は、Ｔ
ｉＮ層３２／ＴｉＳｉX層３４の２層構造を有する薄膜
に変化する。
示したと同様に、例えば７００〜９００゜Ｃ、１０〜６
０秒間、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中にてアニール処
理を行い、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０の表面を窒化す
る。これによって、ＴｉＳｉXから成る薄膜３０は、Ｔ
ｉＮ層３２／ＴｉＳｉX層３４の２層構造を有する薄膜
に変化する。
【００４７】［工程−４２０］〜［工程−４４０］ＣＶ
Ｄ法にて開口部をＴｉＳｉXから成るシリサイドで埋め
込む工程以降の工程は、実施例−３の［工程−３２０
Ａ］〜［工程−３４０］と同様であるため、詳細な説明
は省略する。
Ｄ法にて開口部をＴｉＳｉXから成るシリサイドで埋め
込む工程以降の工程は、実施例−３の［工程−３２０
Ａ］〜［工程−３４０］と同様であるため、詳細な説明
は省略する。
【００４８】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。各工程における各種の条件は例示であり、本発
明の方法の実施に使用する装置等に依存する。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。各工程における各種の条件は例示であり、本発
明の方法の実施に使用する装置等に依存する。
【００４９】
【発明の効果】本発明においては、開口部の少なくとも
底部にシリコン層あるいはＴｉＮ層／ＴｉＳｉX層が形
成されているので、シリサイドの原料ガスが下地に直接
接触することがなく、原料ガスによる下地の浸食を効果
的に防止することができる。その結果、低リーク、低コ
ンタクト抵抗のシリサイドプラグを形成することができ
る。
底部にシリコン層あるいはＴｉＮ層／ＴｉＳｉX層が形
成されているので、シリサイドの原料ガスが下地に直接
接触することがなく、原料ガスによる下地の浸食を効果
的に防止することができる。その結果、低リーク、低コ
ンタクト抵抗のシリサイドプラグを形成することができ
る。
【００５０】また、ＴｉＳｉXからプラグを形成するた
めに、エッチバックプロセスの簡素化を図ることがで
き、プラグ自体の抵抗も小さくすることができる。更に
は、ＣＶＤ法にてシリサイドで開口部を埋め込むが故
に、埋め込み性に優れる。尚、シリサイドプラグを形成
した後、プラグの表面を窒化処理すれば、アルミニウム
配線に対するＴｉＮバリア層を容易に形成することがで
きる。
めに、エッチバックプロセスの簡素化を図ることがで
き、プラグ自体の抵抗も小さくすることができる。更に
は、ＣＶＤ法にてシリサイドで開口部を埋め込むが故
に、埋め込み性に優れる。尚、シリサイドプラグを形成
した後、プラグの表面を窒化処理すれば、アルミニウム
配線に対するＴｉＮバリア層を容易に形成することがで
きる。
【図１】本発明の実施例−１で説明した方法の各工程を
示すための半導体素子の模式的な一部分断面図である。
示すための半導体素子の模式的な一部分断面図である。
【図２】図１に引き続き各工程を示すための半導体素子
の模式的な一部分断面図である。
の模式的な一部分断面図である。
【図３】図２に引き続き各工程を示すための半導体素子
の模式的な一部分断面図である。
の模式的な一部分断面図である。
【図４】本発明の実施例−２で説明した方法の各工程の
一部分を示すための半導体素子の模式的な一部分断面図
である。
一部分を示すための半導体素子の模式的な一部分断面図
である。
【図５】本発明の実施例−３及び４で説明した方法の工
程の一部分を示すための半導体素子の模式的な一部分断
面図である。
程の一部分を示すための半導体素子の模式的な一部分断
面図である。
【図６】図５に引き続き各工程を示すための半導体素子
の模式的な部分断面図である。
の模式的な部分断面図である。
【符号の説明】 １０ 半導体基板 １２ 拡散層 １４ 層間絶縁層 １６ 開口部 １８ シリコン層 ２０ ＴｉＳｉX層 ２２ ＴｉＳｉ2層 ２４ ＴｉＮ層 ３０ シリサイドから成る薄膜 ３２ ＴｉＮ層 ３４ ＴｉＳｉX層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−222531（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−243452（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−116751（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−359513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−61323（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−286527（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−164031（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−15620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−77934（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−41241（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−12132（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−206852（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−98723（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−76518（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−76424（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−72132（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 301 H01L 21/768
Claims (7)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された層間絶縁層に開
口部を設け、かかる開口部をシリサイドで埋め込みシリ
サイドプラグを形成する方法であって、 （イ）少なくとも開口部の底部にシリコン層を形成する
工程と、 （ロ）ＣＶＤ法にて開口部を化学量論比ではないシリサ
イドで埋め込む工程と、（ハ）シリコン層と化学量論比ではないシリサイドとを
反応させて、化学量論比を有するシリサイドを生成させ
る工程、 から成ることを特徴とするシリサイドプラグの形成方
法。 - 【請求項２】前記工程（イ）において、開口部の底部並
びに側壁及び層間絶縁層の表面にシリコン層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載のシリサイドプラグの
形成方法。 - 【請求項３】化学量論比ではないシリサイドはＴｉＳｉ
X （但し、Ｘ＝１．０〜１．８）であり、化学量論比を
有するシリサイドはＴｉＳｉ 2 であることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載のシリサイドプラグの形成
方法。 - 【請求項４】前記工程（ハ）に引き続き、開口部に埋め
込まれたシリサイドの表面を窒化することを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシリサイ
ドプラグの形成方法。 - 【請求項５】半導体基板上に形成された層間絶縁層に開
口部を設け、かかる開口部をシリサイドで埋め込みシリ
サイドプラグを形成する方法であって、 （イ）少なくとも開口部の底部にシリサイドから成る薄
膜を形成した後、該薄膜を窒化させる工程と、 （ロ）ＣＶＤ法にて開口部をシリサイドで埋め込む工
程、 から成ることを特徴とするシリサイドプラグの形成方
法。 - 【請求項６】前記工程（イ）におけるシリサイドから成
る薄膜の形成を、プラズマＣＶＤ法にて行うことを特徴
とする請求項５に記載のシリサイドプラグの形成方法。 - 【請求項７】前記工程（ロ）に引き続き、開口部に埋め
込まれたシリサイドの表面を窒化することを特徴とする
請求項５又は請求項６に記載のシリサイドプラグの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03344033A JP3120517B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | シリサイドプラグの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03344033A JP3120517B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | シリサイドプラグの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160065A JPH05160065A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3120517B2 true JP3120517B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=18366140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03344033A Expired - Fee Related JP3120517B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | シリサイドプラグの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120517B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0642926U (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | 美代子 星野 | 日避け野球帽 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794448A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5645887A (en) * | 1994-01-14 | 1997-07-08 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for forming platinum silicide plugs |
| DE19612725A1 (de) * | 1996-03-29 | 1997-10-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Metallisierung von Submikron-Kontaktlöchern in Halbleiterkörpern |
| JP2009170794A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP03344033A patent/JP3120517B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0642926U (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | 美代子 星野 | 日避け野球帽 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05160065A (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |