NL8802032A - Halfgeleider-element en werkwijze voor het vervaardigen ervan. - Google Patents

Halfgeleider-element en werkwijze voor het vervaardigen ervan. Download PDF

Info

Publication number
NL8802032A
NL8802032A NL8802032A NL8802032A NL8802032A NL 8802032 A NL8802032 A NL 8802032A NL 8802032 A NL8802032 A NL 8802032A NL 8802032 A NL8802032 A NL 8802032A NL 8802032 A NL8802032 A NL 8802032A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
source region
semiconductor layer
region
type
Prior art date
Application number
NL8802032A
Other languages
English (en)
Other versions
NL189380C (nl
NL189380B (nl
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of NL8802032A publication Critical patent/NL8802032A/nl
Publication of NL189380B publication Critical patent/NL189380B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL189380C publication Critical patent/NL189380C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
    • H01L29/0873—Drain regions
    • H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
    • H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

V.
«V
ΗALFGELEIDER-ELEMENT EN WERKWIJZE VOOR HET VERVAARDIGEN ERVAN
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een halfgeleider-element met geleidbaarheids-modulatie, zoals een bipolaire transistor met een geïsoleerde gate, en op een werkwijze voor het vervaardigen ervan.
5 Fig. 1 is een doorsnede-aanzicht, dat de structuur toont van een vertikale conventionele bipolaire transistor met eengeïsoleerde gate (insulated gate bipolar transistor = IGBT) volgens de stand van de techniek, zoals deze beschreven is in IEDM Transactions 1984, pag. 274-277.
10 Refererend aan fig. 1 wordt een collector-laag 21 van het p+-type gevormd door een halfgeleider-substraat van het p+-type. Op een hoofdvlak van de collectorlaag 21 van het p+-type is een basislaag 22 van het n”-type aangebracht. Voor het vormen van een brongebied 23 van het p-type is in een 15 deelgebied van het vlak van de basislaag 22 van het n”-type een verontreiniging van het p-type selektief gediffundeerd.
Verder is, voor het vormen van een emittergebied 24 van het n+-type een verontreiniging van het n-type met een hoge concentratie selektief gediffundeerd in een deelgebied van het 20 vlak van het brongebied 23 van het p-type. Op het vlak van een kanaaldeel 25 van het brongebied 23 van het p-type is tussen de oppervlakken van de basislaag 22 van het n~-type en het emittergebied 24 van het n+-type een gate-isolatielaag 26 gevormd. Op het oppervlak van de basislaag 22 van het n_-type 25 is de gate-isolatielaag 26 aangebracht, zodat deze geïntegreerd wordt met een gate-isolatielaag van een naburige IGBT-cel. Zo is bijvoorbeeld op de gate-isolatielaag 26 een gate-elektrode 27 van polysilicium gevormd, terwijl een van metaal, zoals aluminium vervaardigde emitterelektrode 28 ge-30 vormd is, zodat deze elektrisch verbonden is met zowel het brongebied 23 van het p-type en het emittergebied 24 van het n+-type. Op het achtervlak van de collectorlaag 21 van het p-type is, gemeenschappelijk voor alle IGBT-cellen een meta- .8802032 * ' -2" len collectorelektrode 29 aangebracht.
In de nabijheid van het kanaaldeel 25 is een N-ka-naal-MOS-structuur aangebracht. Wanneer aldus een positieve spanning op de gate-elektrode 27 wordt aangelegd, vloeien 5 elektronen van het emittergebied 24 van het n+-type door het kanaaldeel 25 heen haar de basislaag 22 van het n“-type. Aan de andere zijde worden gaten van minderheids-ladingsdragers vanaf de collectorlaag 21 van het p+-type tot in de basislaag 22 van het n"-type geïnjecteerd. Een deel van de gaten ver-10 dwijnt door recombinatie met de reeds genoemde elektronen terwijl de overblijvende gaten als een gatstroom naar het brongebied 23 van het p-type vloeien. Aldus werkt de IGBT hoofdzakelijk op de wijze van een bipolaire transistor, en neemt de geleidbaarheid toe door een effect van geleidbaar-15 heidsmodulatie in de basislaag 22 van het n~type, zodat een kleinere spanning in de ingeschakelde toestand en een groter vermogen voor het geleiden van stroom bereikt kunnen worden in vergelijking met een gebruikelijke vermogens-MOS-transis-tor.
20 In het algemeen omvat een IGBT in zijn structuur een parasitaire pnpn-thyristor, zodat het latch-up-verschijn-sel van een dergelijke parasitaire thyristor onderdrukt moet worden. De werking van een parasitaire bipolaire transistor, die gevormd wordt door het emittergebied 24 van het n+-type, 25 het brongebied 23 van het p-type en het basisgebied 22 van het n"-type wordt dan ook in het algemeen onderdrukt.
Volgens een werkwijze voor het onderdrukken van de werking van een dergelijke parasitaire bipolaire transistor worden het emittergebied 24 van het n+-type en het brongebied 30 23 van het p-type met elkaar kortgesloten. Verder wordt de verontreinigingsconcentratie van het brongebied 23 van het p-type vergroot om de gaten, dat wil zeggen de minderheids-ladingsdragers, die zich vanaf het basisgebied 22 van het n“-type verzamelen naar het brongebied 23 van het p-type, naar 35 het brongebied 23 heen te laten stromen, zonder de parasitaire bipolaire transistor in te schakelen.
.8802032 it -3-
Met deze werkwijze neemt de verontreinigingsconcen-tratie bij het vormen van het brongebied 23 van het p-type in het algemeen toe. Hiertoe is reeds gedurende een lange tijd diepe diffusie uitgevoerd bij een hoge temperatuur, terwijl, 5 naar wens verontreinigingsdiffusie met een hoge concentratie een aantal malen is herhaald.
Een toename van de diepte van het brongebied 23 van het p-type leidt tot een verbetering van de inverse piek-doorslagspanning van de door het brongebied 23 van het p-type 10 en de basislaag 22 gevormde pn-junctie. Aldus is het tevens met betrekking tot een verbetering van de doorslagspanning van het element noodzakelijk het brongebied 23 van het p-type diep uit te voeren. Zo is bijvoorbeeld een diepte van 15 tot 20 pm noodzakelijk voor een brongebied -23 van het p-type bij 15 een element met een doorslagspanning van 1000 V.
Bij de werkwijze voor het doen toenemen van de ver-ontreinigingsconcentratie van het brongebied 23 van het p-type, kan, wanneer de warmtebehandeling bij een hoge temperatuur gedurende een lange tijd wordt uitgevoerd, een defect 20 als thermische vervorming ontstaan. Verder zal de concentra-tieverdeling van de verontreiniging onvermijdelijk afnemen bij het toenemen van de diepte, aangezien het brongebied 23 van het p-type gevormd wordt door diffusie van het oppervlak van de basislaag 22 van het n"-type. Aldus kan de vertikale 25 stand in het brongebied 23 van het p-type in het bodemdeel niet voldoende beperkt worden, hetgeen leidt tot een onvoldoende voorkoming van het latch-up-verschijnsel.
Volgens een andere werkwijze voor het onderdrukken van de werking van de parasitaire bipolaire transistor wordt 30 de verhouding van het oppervlak van het emittergebied 24 van het n+-type binnen het oppervlak van het brongebied 23 van het p-type beperkt om de hoeveelheid naar het brongebied 23 zonder onder het emittergebied 24 van het n+-type door te gaan vloeiende gaten te doen toenemen, dat wil zeggen door 35 het verschaffen van een passeergebied. Er bestaat in het bijzonder de mogelijkheid, dat de grote spanningsval, die . veroorzaakt is door het vloeien van een grote hoeveelheid lading- .8802032 tj -4- dragers door het brongebied 23 net onder de n+-emitter 24 de transistor in de nabijheid van een einddeel van het n+-emit-tergebied 23 bij het kanaaldeel 25 in een ingeschakelde toestand kan brengen, zelfs wanneer de weerstandswaarde van het 5 brongebied 23 van het p-type klein is. De reeds genoemde werkwijze voor het verschaffen van een passeergebied dient voor het beperken van deze mogelijkheid. Hierdoor wordt echter het oppervlak van het kanaaldeel 25 verkleind, zodat de capaciteit voor het voeren van een stroom beperkt wordt.
10 Verder vormt, afgezien van het latch-up-verschijnsel, het junctie-veld-effect-transistor (JFET)-effect dat tussen een naburig paar brongebieden 23 van het p-type wordt veroorzaakt, een probleem. Bij een IGBT vloeit, door het kanaaldeel 25 in een ingeschakelde toestand 15 vloeiende stroom, door de basislaag 22 van het n"-type tussen het naburige paar brongebieden 23 van het p-type. Wanneer een ruimte tussen het naburige paar brongebieden 23 van het p-type klein wordt, neemt een verarmingslaag een groter deel in van de basislaag 22 van het n~-type tussen de brongebieden 20 23 van het p-type om het vloeien van de stroom te beperken, zodat emitter-collector-weerstandscomponenten van het IGBT toenemen. Dit is het JFET-effect. De spanning in de ingeschakelde toestand over de IGBT wordt door dit JFET-effect vergroot.
Bij een IGBT met een hoge doorslagspanning, wordt 25 in het bijzonder het substraat (basisgebied 22 van het n“-type) met een geringe verontreinigingsconcentratie, dat wil zeggen een grote specifieke weerstandswaarde gebruikt, en wordt een diep brongebied 23 van het p-type gevormd, zodat het JFET-effect verder wordt vergroot. Aldus kan de ruimte 30 tussen de IGBT-cellen niet beperkt worden. Tevens is het moeilijk de capaciteit voor grote stromen te doen toenemen door de cellen te verkleinen om de celdichtheid te vergroten.
De onderhavige uitvinding is gericht op een halfgeleiderelement met geleidbaarheids-modulatie, zoals een IGBT, 35 en een werkwijze voor het vervaardigen ervan.
Volgens een eerste aspect omvat een halfgeleiderelement volgens de onderhavige uitvinding een eerste halfge- .8802032 -5- leiderlaag van een eerste geleidbaarheidssoort, een tweede halfgeleiderlaag van een tweede geleidbaarheidssoort, welke tweede laag gevormd is op een oppervlak van de eerste geleid-baarheidslaag, en een op het oppervlak van de tweede halfge-5 leiderlaag gevormd brongebied van het eerste geleidbaarheidstype, welk brongebied een eerste gebied heeft met een relatief hoge verontreinigingsconcentratie in tenminste een onderste deel van het brongebied.
Het halfgeleiderelement omvat verder een halfgelei-10 dergebied van het tweede geleidbaarheidstype, dat afzonderlijk van de tweede halfgeleiderlaag in een deel van het vlak van het brongebied gevormd is? een op het vlak van het brongebied tussen het halfgeleidergebied en de tweede halfgeleiderlaag gevormde isolatielaag? een op het oppervlak van de 15 isolatielaag gevormde regelelektrode? eên op het halfgeleidergebied en het brongebied gevormde eerste elektrode? en een op een achtervlak van de eerste halfgeleiderlaag gevormde tweede elektrode, waarbij de tweede halfgeleiderlaag een tweede gebied heeft met een relatief grote verontreinigings-20 concentratie in tenminste een deel van een diepte, die overeenkomt met het brongebied.
Volgens een tweede aspect omvat een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement volgens de onderhavige uitvinding het vervaardigen van een eerste halfge-25 leiderlaag van een eerste geleidbaarheidstype? het op een oppervlak van de eerste halfgeleiderlaag vormen van een tweede halfgeleiderlaag van een tweede geleidbaarheidstype? het in een oppervlak van de tweede halfgeleiderlaag vormen van een eerste brongebied? het op de oppervlakken van de tweede half-30 geleiderlaag en het eerste brongebied vormen van een andere tweede halfgeleiderlaag van het tweede geleidbaarheidstype? het in de andere tweede halfgeleiderlaag op het eerste brongebied vormen van een tweede brongebied van het eerste geleidbaarheidstype, zodat het tweede brongebied met het eerste 35 brongebied gekoppeld is? het in een oppervlak van het tweede brongebied vormen van een halfgeleidergebied van het tweede geleidbaarheidstype? het op het oppervlak van het brongebied <8802032 -6- tussen het halfgeleidergebied en de andere tweede halfgelei-derlaag vormen van een isolatielaag op het oppervlak van het brongebied; het op het oppervlak van de isolatielaag vormen van een regelelektrode; het op het tweede brongebied vormen 5 van een eerste elektrode, en het op een achtervlak van de eerste halfgeleiderlaag vormen van een tweede elektrode.
Het is dan ook een doel van de onderhavige uitvinding een halfgeleiderelement met geleidbaarheidsmodulatie, zoals een bipolaire transistor met een geïsoleerde gate, en 10 een werkwijze voor het vervaardigen ervan te verschaffen, waarbij cellen zodanig ontworpen kunnen worden, dat zij een groot kanaaloppervlak hebben, zonder dat zij lijden aan het latch-up-verschijnsel.
Een ander doel van de onderhavige uitvinding is het 15 verschaffen van een halfgeleiderelement en een werkwijze voor het vervaardigen ervan, waarbij de cellen met een grote dichtheid kunnen worden aangebracht zonder bij toenemende doorslagspanning de spanning in de geleidende toestand te vergroten.
20 Deze en andere doeleinden, eigenschappen, aspecten en voordelen van de onderhavige uitvinding zullen blijken uit de volgende gedetaileerde beschrijving van de onderhavige uitvinding in samenhang met de bijgaande tekeningen.
Pig. 1 is een doorsnede-aanzicht, dat de celstruc-25 tuur van een conventionele IGBT toont; fig. 2(a) tot 2(f) zijn doorsnede-aanzichten, die de celstructuur volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding tonen voor het illustreren van een werkwijze voor het vervaardigen van een IGBT; en 30 fig* 3 is een doorsnede-aanzicht, dat de celstruc tuur toont van een IGBT volgens een andere uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
Fig. 2(a) tot 2(f) zijn doorsnede-aanzichten van een celstructuur, die een werkwijze tonen voor het vervaardi-35 gen van een n-kanaal-IGBT volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Aan de hand van de fig. 2(a) tot 2(f) zullen de vervaardigingsstappen worden beschreven.
C$802032 w -7-
Ten eerste wordt een eerste basislaag 2a van het n“-type met een lage verontreinigingsconcentratie met een dikte van 50-100 en enige tientallen μια gevormd op een half-geleidersubstraat van het p+-type om dienst te doen als een 5 collectorlaag 1 van het p+-type.
Dan wordt een masker 10 van bijvoorbeeld een oxide-laag op het oppervlak van de eerste basislaag 2a van het n~-type gevormd, waarna een verontreiniging van het p-type se-lektief wordt aangebracht door een proces, zoals ionen-im-10 plantatie, diffusie of iets dergelijks voor het vormen van eerste brongebieden 3a van het p-type met een grote verontreinigingsconcentratie van ongeveer 10x10^ cm" 3 tot 1x10^ cm" 3 ais oppervlakteconcentratie, zoals in fig. 2(a) is getoond. Dan wordt het masker 10 geheel verwijderd, en een 15 tweede basislaag 2b van het n-type, met een hogere verontreinigingsconcentratie dan de eerste basislaag 2a van het n"-type wordt geheel door epitaxiale groei op de oppervlakken van de eerste basislaag 2a van het n"-type en de eerste brongebieden 3a van het p-type gevormd, zoals in fig. 2(b) is ge-20 toond. Aldus wordt een basislaag 2 met inbegrip van eerste en tweede basislagen 2a en 2b gevormd. De dikte van de tweede basislaag 2b van het n-type bedraagt ongeveer 5-10 pm afhankelijk van het ontwerp van de collector-emitter-doorslag-spanning. Een geschikte specifieke weerstand van de tweede 25 basislaag van het n-type bedraagt enige Λ cm met betrekking tot element-eigenschappen, afhankelijk van het ontwerp van de ruimte tussen elk naburig paar brongebieden 3 van het p-type, de diepte van de brongebieden 3 van het p-type met betrekking tot de collector-emitter-doorslagspanning en oppervlaktecon-30 centratie van de eerste brongebieden 3a van het p-type.
Dan wordt een verontreiniging van het p-type selek-tief gediffundeerd op de oppervlaktedelen van het tweede basisgebied 2b van het n-type, dat zich direct boven de eerste brongebieden 3a van het p-type vormt, en wel via een masker 35 11 van bijvoorbeeld een oxidelaag voor het vormen van tweede brongebieden 3b van het p-type, die een kleinere verontreinigingsconcentratie hebben dan de eerste brongebieden 3a van .8802032 * -8- het p-type, zoals in fig. 2(c) is getoond. Op dit tijdstip zijn de eerst brongebieden 3a van het p-type en de tweede brongebieden 3b van het p-type met elkaar gekoppeld via bovenwaartse diffusie van de verontreiniging in de eerste bron-5 gebieden 3a van het p-type onder de tweede basisgebieden 2b van het n-type voor het vormen van brongebieden 3 van het p~ type. Aldus zijn de diffusie-omstandigheden, zoals diffusie-temperatuur, tijd en dergelijke aanmerkelijk beperkt in vergelijking met het conventionele geval. De verontreinigings-10 concentratie van de tweede brongebieden 3b van het p-type kan groter zijn dan die van de eerste brongebieden 3a van het p-type wanneer de funktie van de kanaaldelen 4 niet nadelig beïnvloed wordt door de verontreinigingsconcentratie.
De kanaaldelen 4 worden gevormd door een verontrei-15 niging van het p-type aan beide einden van de betreffende tweede brongebieden 3b te diffunderen in overeenstemming met de kanaallengte. Op de kanaaldelen 4 worden isolatielagen 6 en delen van de basislaag 2b van het n-type tussen de brongebieden 3 van het p-type gevormd, zoals in fig. 2(d) is ge-20 toond. Verder worden op de isolatielagen 6 gate-elektroden 7 van bijvoorbeeld verontreinigd polysilicium aangebracht.
Voor het vormen van emittergebieden 5 van het n+-type wordt een verontreiniging van het n-type selektief in de tweede brongebieden 3b van het p-type gediffundeerd door au-25 tomatische uitrichting, waarbij de gate-elektroden 7 van verontreinigd polysilicium als maskers gebruikt worden, zoals in fig. 2(e) is getoond.
Dan worden alle gate-elektroden 7 geheel met een isolatielaag 12 bedekt, waarbij het vlak van slechts een 30 enkele bijzondere gate-elektrode 7' wordt blootgesteld, waarna een metalen laag over het gehele vlak wordt gevormd. Deze metalen laag wordt selektief geëtst voor het op de specifieke gate-elektrode 7' vormen van een gate-extraherend deel 13 op de betreffende gate-elektrode 7' en een emitterelektrode 8, 35 die de emittergebieden 5 van het n+-type en de brongebieden 3 van het p-type met elkaar verbindt om het latch-up-verschijn- o 8802032 $, -9- sel te voorkomen, zoals in fig. 2(f) is getoond. Aldus wordt via de bovengenoemde stappen een complete IGBT vervaardigd.
Bij deze IGBT omvat de basislaag 2 de tweede basislaag 2b van het n-type boven de bodemdelen van de brongebie- 5 den 3 van het p-type. Aangezien de tweede basislaag 2b van het n-type een vergrote verontreinigingsconcentratie heeft, verspreidt een verarmingslaag van de p-n-junctie, die gevormd is tussen de basislaag 2b van het n-type en de brongebieden 3b van het p-type^ zich niet tot in de basislaag 2b van het 10 n-type. Aldus kan het JFET-effect, dat een toename van spanning in de ingeschakelde toestand veroorzaakt, voorkomen worden, zodat het mogelijk wordt de ruimte van de cel te beperken.
Verder zijn eerste brongebieden 3a met een grote 15 verontreinigingsconcentratie in de bodemdelen van de brongebieden 3 van het p-type aangebracht, zodat minderheidsdragers van de basislaag 2 in concentratie naar de bodemdelen van de brongebieden 3 van het p-type met kleine weerstandswaarden vloeien. Aldus worden de door de emittergebieden 5, van het 20 n+-type, de brongebieden 3 van het p-type en de basislaag 2 gevormde parasitaire bipolaire transistoren nauwelijks ingeschakeld, zodat een latch-up-verschijnsel op effectieve wijze kan worden voorkomen.
Met andere woorden wordt diffusie van de eerste 25 brongebieden 3a van het p-type met een grote verontreinigingsconcentratie uitgevoerd vanaf het oppervlak van de eerste basislagen 2a van het n”-type, zodat de vertikale weer-standswaarde in de brongebieden 3 van het p-type voldoende kunnen worden verlaagd, zodat het latch-up-verschijnsel op 30 effectieve wijze kan worden voorkomen.
Bovendien resulteert de bovenwaartse verontreini-gingsdiffusie vanaf de eerste brongebieden 3a in een verlaging van de weerstandswaarde van de brongebieden 3 onder de emittergebieden 5 van het n+-type zonder de verontreinigings-35 concentratie bij de kanaaldelen 4 nadelig te beïnvloeden. Dit voorkomt eveneens op effectieve wijze het latch-up-verschijnsel.
» ,8802032 b -10-
Volgens de vervaardigingswerkwijze in overeenstemming met de onderhavige uitvinding, worden de brongebieden 3 van het p-type gevormd door het koppelen van de eerste brongebieden 3a van het p-type met een hoge verontreinigingscon-5 centratie, die in de eerste basislaag 2a van het n”-type zijn aangebracht met de tweede brongebieden 3b van het p-type, die in de tweede basislaag 2b gevormd zijn, welke epitaxiaal gegroeid zijn op de eerste basislaag 2a van het n“-type. Aldus kunnen de diepe brongebieden 3 van het p-type, die onvermij-10 delijk zijn voor het implementeren van een element met een hoge doorslagspanning, gevormd worden zonder het uitvoeren van een warmtebehandeling bij een hoge temperatuur en gedurende een lange tijdsduur, dat een defect, zoals thermische vervorming kan veroorzaken. Verder kunnen de eerste bronge-15 bieden 3a van het p-type, de tweede brongebieden 3b van het p-type, de eerste basislaag 2a van het n“-type en de tweede basislaag 2b van het n-type voor wat betreft de verontreini-gingsconcentratie geregeld worden, zodat een halfgeleiderelement met diverse karakteristieken gemakkelijk kan worden ver-20 kregen.
De eerste basislaag 2a van het n”-type heeft een kleine verontreinigingsconcentratie, die overeenkomt met een conventionele basislaag van het n“-type, zodat een voldoende hoge doorslagspanning kan worden verkregen.
25 Alhoewel de tweede brongebieden 3b van het p-type een groter diffusiepatroon-afmeting hebben, dan de eerste brongebieden van het p-type bij de brongebieden 3 van het p-type, kunnen bij de onderhavige uitvoeringsvorm de eerste brongebieden 3a breder zijn dan of qua afmetingen hoofdzake-30 lijk overeenstemmen met de tweede brongebieden 3b van het p-type, zoals in fig. 3 getoond is met betrekking tot het voorkomen van een latch-up-verschijnsel, voor zover de specifieke weerstandswaarde van de eerste basislaag van het n”-type geoptimaliseerd wordt om het JFET-effect tussen de brongebieden 35 3 van het p-type te voorkomen.
De tweede basislaag 2b hoeft niet noodzakelijkerwijs uitgevoerd te worden met een hoge verontreinigingscon- .8802032 -11- centratie met betrekking tot het vormen van de brongebieden 3 van het p-type om een hoge doorslagspanning te bereiken en op effectieve wijze een latch-up-verschijnsel te voorkomen, zonder thermische vervorming of iets dergelijks te veroorzaken.
5 Daarentegen bestaat er met betrekking tot het voorkomen van het JFET-effect geen behoefte voor het verschaffen van een verschil in verontreinigingsconcentratie tussen de eerste en de tweede brongebieden 3a en 3b van het p-type.
De effect van het voorkomen van een latch-up-ver-10 schijnsel kan verder worden verbeterd door de tweede brongebieden 3b van het p-type via twee diffusiestappen uit te voeren om gebieden, buiten die in de nabijheid van de kanaalde-len 4 met een grote verontreinigingsconcentratie uit te voeren om de vertikale weerstandswaarde te beperken.
15 Alhoewel bovenstaand uitvoeringsvoorbeeld beschre ven is met betrekking tot een bipolaire transistor met een geïsoleerde gate van het n-kanaal-type, is de onderhavige uitvinding hiertoe niet beperkt, maar is deze tevens toepasbaar bij bipolaire transistor met een geïsoleerde gate van 20 het p-kanaal-type, evenals op een vertikale MOS-transistor en dergelijke.
Alhoewel de onderhavige uitvinding beschreven en tot in detail geïllustreerd is, zal het duidelijk zijn, dat deze slechts bij wijze van illustratie en voorbeeld is gege-25 ven, en niet als beperking moet worden opgevat. De bescher-mingsomvang van de onderhavige uitvinding wordt slechts beperkt door de bijgaande conclusies.
.8802032

Claims (15)

1. Halfgeleiderelement, omvattende: een eerste halfgeleiderlaag van een eerste geleid-baarheidstype; een tweede halfgeleiderlaag van een tweede geleid-5 baarheidstype, die op het oppervlak van de eerste halfgeleiderlaag gevormd is? een brongebied van het eerste geleidbaarheidstype, dat in het oppervlak van de tweede halfgeleiderlaag is aangebracht; 10 een halfgeleidergebied van het tweede geleidbaar heidstype, dat afzonderlijk van de tweede halfgeleiderlaag in een oppervlak van het brongebied is gevormd; een op het oppervlak van het brongebied tussen het halfgeleidergebied en de tweede halfgeleiderlaag gevormde 15 isolatielaag; een op een oppervlak van de isolatielaag gevormde regelelektrode? een op het halfgeleidergebied en het brongebied gevormde eerste elektrode; en 20 een op een achtervlak van de eerste halfgeleider laag gevormde tweede elektrode, waarbij de tweede halfgeleiderlaag in een deel van een diepte, die overeenkomt met het brongebied tenminste gedeeltelijk een gebied heeft met een relatief hoge verontreinigingsconcentratie.
2. Halfgeleiderelement, omvattende: een eerste halfgeleiderlaag van een eerste geleidbaarheidstype ; een tweede halfgeleiderlaag van een tweede geleidbaarheidstype, die op het oppervlak van de eerste halgelei-30 derlaag gevormd is; een brongebied van het eerste geleidbaarheidstype, dat in het oppervlak van de tweede halfgeleiderlaag is aangebracht, waarbij het brongebied in tenminste een onderste deel van het brongebied een gebied heeft met een relatief hoge 35 verontreinigingsconcentratie; «8802032 -13- een halfgeleidergebied van het tweede geleidbaar-heidstype, dat afzonderlijk van de tweede halfgeleiderlaag in een oppervlak van het brongebied is gevormd; een op het oppervlak van het brongebied tussen het 5 halfgeleidergebied en de tweede halfgeleiderlaag gevormde isolatielaag; een op een oppervlak van de isolatielaag gevormde regelelektrode; een op het halfgeleidergebied en het brongebied ge-10 vormde eerste elektrode; en een op een achtervlak van de eerste halfgeleiderlaag gevormde tweede elektrode.
3. Halfgeleiderelement, omvattende; een eerste halfgeleiderlaag van een eerste geleid-15 baarheidstype; een tweede halfgeleiderlaag van een tweede geleidbaarheids type, die op het oppervlak van de eerste halgelei-derlaag gevormd is; een brongebied van het eerste geleidbaarheidstype, 20 dat in het oppervlak van de tweede halfgeleiderlaag is aangebracht, waarbij het brongebied in tenminste een onderste deel van het brongebied een gebied heeft met een relatief hoge verontreinigingsconcentratie; een halfgeleidergebied van het tweede geleidbaar-25 heidstype, dat afzonderlijk van de tweede halfgeleiderlaag in een oppervlak van het brongebied is gevormd; een op het oppervlak van het brongebied tussen het halfgeleidergebied en de tweede halfgeleiderlaag gevormde isolatielaag; 30 een op een oppervlak van de isolatielaag gevormde regelelektrode; een op het halfgeleidergebied en het brongebied gevormde eerste elektrode; en een op een achtervlak van de eerste halfgeleider-35 laag gevormde tweede elektrode, waarbij de tweede halfgeleiderlaag in een deel van een diepte, die overeenkomt met het brongebied tenminste gedeeltelijk een gebied heeft met een relatief hoge verontreinigingsconcentratie. .8802032 ¢- -14-
4. Halfgeleiderelement volgens conclusie 3, waarin het onderste deel van het brongebied groter is dan het bovenste deel van het brongebied.
5. Halfgeleiderelement volgens conclusie 3, waarbij 5 het tweede gebied van de tweede halfgeleiderlaag aangebracht is in een deel, dat·hoger is dan het onderste deel van het brongebied.
6. Halfgeleiderelement volgens conclusie 3, waarbij het halfgeleiderelement een bipolaire transistor 10 met een geïsoleerde gate omvat, de eerste halfgeleiderlaag een collectorlaag omvat, de tweede halfgeleiderlaag een basislaag omvat, het halfgeleidergebied een emittergebied omvat, de regelelektrode en gate-elektrode omvat, 15 de eerste elektrode een emitterelektrode omvat, en de tweede elektrode een collectorelektrode omvat.
7. Halfgeleiderelement volgens conclusie 3, waarbij het eerste geleidbaarheidstype het p-type en het tweede ge-leidbaarheidstype het n-type is.
8. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 3, waarbij het eerste geleidbaarheidstype een n-type en het tweede geleidbaarheidstype het p-type is.
9. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement, omvattende de volgende stappen: 25 het vervaardigen van een eerste halfgeleiderlaag van een eerste geleidbaarheidstype; het vormen van een tweede halfgeleiderlaag van een tweede geleidbaarheidstype op een oppervlak van het eerste geleidbaarheidslaag; 30 het vormen van een eerste brongebied van het eerste geleidbaarheidstype in een oppervlak van de tweede halfgeleiderlaag; het vormen van een andere tweede halfgeleiderlaag van het tweede geleidbaarheidstype op oppervlakken van de 35 tweede halfgeleiderlaag en het eerste brongebied; het vormen van het tweede brongebied van het eerste geleidbaarheidstype in een andere tweede halfgeleiderlaag op .8802032 £ -15- het eerste brongebied, zodat het tweede brongebied met het eerste brongebied gekoppeld is; het vormen van een halfgeleidergebied van de tweede halfgeleidbaarheidstype in een vlak van het tweede bronge-5 bied; het vormen van een isolatielaag op het oppervlak van het brongebied tussen het halfgeleidergebied en de andere tweede halfgeleiderlaag; het vormen van een regelelektrode op een oppervlak 10 van de isolatielaag; het vormen van een eerste elektrode op het halfgeleidergebied en het tweede brongebied; en het vormen van een tweede elektrode op een achter-vlak van de eerste halfgeleiderlaag.
10. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge leiderelement volgens conclusie 9, waarbij de tweede halfgeleider laag een door epitaxiale groei worden gevormd, en waarbij de eerste en de tweede brongebieden en het halfgeleidergebied door ionenimplantatie of diffusie worden gevormd.
11. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge leiderelement volgens conclusie 9, verder omvattende een stap van het vormen van een kanaaldeel van het eerste geleidbaar-heidstype, dat zich lateraal vanaf een einddeel van het vlak van het tweede brongebied uitstrekt.
12. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge leiderelement volgens conclusie 9, waarbij het eerste brongebied groter is dan het tweede brongebied.
13. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement volgens conclusie 9, waarbij het halfgeleider-30 element omvat een bipolaire transistor met een geïsoleerde gate; de tweede halfgeleiderlaag een collectorlaag omvat, de tweede halfgeleiderlagen een basislaag omvatten, het halfgeleidergebied een emittergebied omvat, 35 de regelelektrode een gate-elektrode omvat, de eerste elektrode een emitterelektrode omvat; en de tweede elektrode een collectorelektrode om- !88 02032 <· -16- vat.
14. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement volgens conclusie 9, waarbij de eerste geleid-baarheidssoort van het p-type en het tweede geleidbaarheids- 5 type het n-type is.
15. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement volgens conclusie 9, waarbij het eerste geleid-baarheidstype het n-type, en het tweede geleidbaarheidstype het p-type is. .8802032
NLAANVRAGE8802032,A 1987-08-19 1988-08-16 Halfgeleiderelement en werkwijze voor het vervaardigen ervan. NL189380C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62206857A JPS6449273A (en) 1987-08-19 1987-08-19 Semiconductor device and its manufacture
JP20685787 1987-08-19

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8802032A true NL8802032A (nl) 1989-03-16
NL189380B NL189380B (nl) 1992-10-16
NL189380C NL189380C (nl) 1993-03-16

Family

ID=16530194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE8802032,A NL189380C (nl) 1987-08-19 1988-08-16 Halfgeleiderelement en werkwijze voor het vervaardigen ervan.

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5047813A (nl)
JP (1) JPS6449273A (nl)
DE (1) DE3823270C2 (nl)
NL (1) NL189380C (nl)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2752184B2 (ja) * 1989-09-11 1998-05-18 株式会社東芝 電力用半導体装置
IT1247293B (it) * 1990-05-09 1994-12-12 Int Rectifier Corp Dispositivo transistore di potenza presentante una regione ultra-profonda, a maggior concentrazione
US5766966A (en) * 1996-02-09 1998-06-16 International Rectifier Corporation Power transistor device having ultra deep increased concentration region
JP2858404B2 (ja) * 1990-06-08 1999-02-17 株式会社デンソー 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法
JPH05160407A (ja) * 1991-12-09 1993-06-25 Nippondenso Co Ltd 縦型絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
US5321281A (en) * 1992-03-18 1994-06-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Insulated gate semiconductor device and method of fabricating same
EP0586716B1 (de) * 1992-08-10 1997-10-22 Siemens Aktiengesellschaft Leistungs-MOSFET mit verbesserter Avalanche-Festigkeit
US5396087A (en) * 1992-12-14 1995-03-07 North Carolina State University Insulated gate bipolar transistor with reduced susceptibility to parasitic latch-up
JPH06244430A (ja) * 1993-02-16 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US5396097A (en) * 1993-11-22 1995-03-07 Motorola Inc Transistor with common base region
US5723890A (en) * 1994-01-07 1998-03-03 Fuji Electric Co., Ltd. MOS type semiconductor device
TW280945B (nl) * 1994-11-21 1996-07-11 Fuji Electric Co Ltd
US5869371A (en) * 1995-06-07 1999-02-09 Stmicroelectronics, Inc. Structure and process for reducing the on-resistance of mos-gated power devices
JPH0955496A (ja) * 1995-08-17 1997-02-25 Oki Electric Ind Co Ltd 高耐圧ｍｏｓトランジスタ及びその製造方法
US5789951A (en) * 1997-01-31 1998-08-04 Motorola, Inc. Monolithic clamping circuit and method of preventing transistor avalanche breakdown
EP1009036B1 (en) * 1998-12-09 2007-09-19 STMicroelectronics S.r.l. High-voltage MOS-gated power device, and related manufacturing process
DE10009347C2 (de) * 2000-02-28 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US7221010B2 (en) * 2002-12-20 2007-05-22 Cree, Inc. Vertical JFET limited silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors
US7157785B2 (en) * 2003-08-29 2007-01-02 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Semiconductor device, the method of manufacturing the same, and two-way switching device using the semiconductor devices
US8432012B2 (en) 2006-08-01 2013-04-30 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same
US7728402B2 (en) 2006-08-01 2010-06-01 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown
EP2052414B1 (en) 2006-08-17 2016-03-30 Cree, Inc. High power insulated gate bipolar transistors
US8835987B2 (en) 2007-02-27 2014-09-16 Cree, Inc. Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers
US7687825B2 (en) * 2007-09-18 2010-03-30 Cree, Inc. Insulated gate bipolar conduction transistors (IBCTS) and related methods of fabrication
US20090159927A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Infineon Technologies Austria Ag Integrated circuit device and method for its production
US8232558B2 (en) 2008-05-21 2012-07-31 Cree, Inc. Junction barrier Schottky diodes with current surge capability
US7910983B2 (en) * 2008-09-30 2011-03-22 Infineon Technologies Austria Ag MOS transistor having an increased gate-drain capacitance
US8294507B2 (en) 2009-05-08 2012-10-23 Cree, Inc. Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits
US8629509B2 (en) 2009-06-02 2014-01-14 Cree, Inc. High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter
US8193848B2 (en) 2009-06-02 2012-06-05 Cree, Inc. Power switching devices having controllable surge current capabilities
US8541787B2 (en) 2009-07-15 2013-09-24 Cree, Inc. High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability
US8354690B2 (en) 2009-08-31 2013-01-15 Cree, Inc. Solid-state pinch off thyristor circuits
US9117739B2 (en) 2010-03-08 2015-08-25 Cree, Inc. Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same
US8415671B2 (en) 2010-04-16 2013-04-09 Cree, Inc. Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices
US8674439B2 (en) 2010-08-02 2014-03-18 Microsemi Corporation Low loss SiC MOSFET
TWI424564B (zh) * 2011-01-13 2014-01-21 Anpec Electronics Corp Insulator gate with high operational response speed
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
CN103918079B (zh) 2011-09-11 2017-10-31 科锐 包括具有改进布局的晶体管的高电流密度功率模块
US8664665B2 (en) 2011-09-11 2014-03-04 Cree, Inc. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
US8618582B2 (en) 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US8680587B2 (en) 2011-09-11 2014-03-25 Cree, Inc. Schottky diode
WO2014204491A1 (en) * 2013-06-21 2014-12-24 Microsemi Corporation Low loss sic mosfet
WO2018016208A1 (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0229362A2 (en) * 1986-01-10 1987-07-22 General Electric Company Semiconductor device and method of fabrication

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3955269A (en) * 1975-06-19 1976-05-11 International Business Machines Corporation Fabricating high performance integrated bipolar and complementary field effect transistors
US4684971A (en) * 1981-03-13 1987-08-04 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Ion implanted CMOS devices
US4803532A (en) * 1982-11-27 1989-02-07 Nissan Motor Co., Ltd. Vertical MOSFET having a proof structure against puncture due to breakdown
US4622573A (en) * 1983-03-31 1986-11-11 International Business Machines Corporation CMOS contacting structure having degeneratively doped regions for the prevention of latch-up
US4477310A (en) * 1983-08-12 1984-10-16 Tektronix, Inc. Process for manufacturing MOS integrated circuit with improved method of forming refractory metal silicide areas
US4637125A (en) * 1983-09-22 1987-01-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for making a semiconductor integrated device including bipolar transistor and CMOS transistor
US4587713A (en) * 1984-02-22 1986-05-13 Rca Corporation Method for making vertical MOSFET with reduced bipolar effects
JPS60196974A (ja) * 1984-03-19 1985-10-05 Toshiba Corp 導電変調型ｍｏｓｆｅｔ
JPS61150378A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Toshiba Corp 電界効果トランジスタ
US4684413A (en) * 1985-10-07 1987-08-04 Rca Corporation Method for increasing the switching speed of a semiconductor device by neutron irradiation
JPH0685441B2 (ja) * 1986-06-18 1994-10-26 日産自動車株式会社 半導体装置
US4821095A (en) * 1987-03-12 1989-04-11 General Electric Company Insulated gate semiconductor device with extra short grid and method of fabrication

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0229362A2 (en) * 1986-01-10 1987-07-22 General Electric Company Semiconductor device and method of fabrication

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEDM TRANSACTIONS 1984, blz. 274-277, IEDM; H. YILMAZ et al.: "Insulated gate transistor modeling and optimization" *

Also Published As

Publication number Publication date
US5047813A (en) 1991-09-10
JPS6449273A (en) 1989-02-23
US5468654A (en) 1995-11-21
DE3823270C2 (de) 1995-08-10
DE3823270A1 (de) 1989-03-02
NL189380C (nl) 1993-03-16
NL189380B (nl) 1992-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8802032A (nl) Halfgeleider-element en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
US5554862A (en) Power semiconductor device
USRE42864E1 (en) Rugged and fast power MOSFET and IGBT
US5621234A (en) Vertical semiconductor device with breakdown voltage improvement region
JP2766239B2 (ja) 高耐圧半導体装置
US5169793A (en) Method of making an insulated gate bipolar transistor having gate shield region
US4639762A (en) MOSFET with reduced bipolar effects
JPH037149B2 (nl)
EP0646964B1 (en) Integrated structure active clamp for the protection of power devices against overvoltages, and manufacturing process thereof
US6548864B2 (en) High density MOS technology power device
KR100275758B1 (ko) 제너 다이오드를 내장한 수평형 모스 게이트형 반도체 소자 및그 제조 방법
JPH06169087A (ja) ショットキーバリアダイオード
US20090014792A1 (en) Power semiconductor device
JP3338276B2 (ja) 電力用半導体装置
KR100301071B1 (ko) 디모스(dmos)트랜지스터및그제조방법
JP3192857B2 (ja) 縦型ｍｏｓ半導体装置及びその製造方法
JP3333299B2 (ja) 電力用半導体素子
JP3454076B2 (ja) 炭化けい素半導体装置
KR20000061463A (ko) 낮은 온 저항과 큰 견고함을 갖는 전력용 모스 트랜지스터 및 그 제조방법
US6780722B2 (en) Field effect transistor on insulating layer and manufacturing method
US5460981A (en) Semiconductor device having increased current capacity
JPH10229191A (ja) 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法
KR19990065744A (ko) 콜렉터와 에미터 사이에 다이오드를 내장한 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
JP4488668B2 (ja) 電力用半導体装置
JP3017783B2 (ja) 導電変調型ｍｏｓｆｅｔ

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20060301