NL190210C - Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffecttransistoren met een geisoleerde stuurelektrode en van condensatoren met een dunne dielektrische laag tussen een eerste en een tweede elektrode. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffecttransistoren met een geisoleerde stuurelektrode en van condensatoren met een dunne dielektrische laag tussen een eerste en een tweede elektrode.

Info

Publication number
NL190210C
NL190210C NLAANVRAGE8020272,A NL8020272A NL190210C NL 190210 C NL190210 C NL 190210C NL 8020272 A NL8020272 A NL 8020272A NL 190210 C NL190210 C NL 190210C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
thin
manufacturing
field
effect transistors
semiconductor circuit
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE8020272,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL190210B (nl
NL8020272A (nl
Original Assignee
American Micro Syst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by American Micro Syst filed Critical American Micro Syst
Publication of NL8020272A publication Critical patent/NL8020272A/nl
Publication of NL190210B publication Critical patent/NL190210B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL190210C publication Critical patent/NL190210C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/981—Utilizing varying dielectric thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
NLAANVRAGE8020272,A 1979-07-06 1980-06-23 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffecttransistoren met een geisoleerde stuurelektrode en van condensatoren met een dunne dielektrische laag tussen een eerste en een tweede elektrode. NL190210C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/055,170 US4261772A (en) 1979-07-06 1979-07-06 Method for forming voltage-invariant capacitors for MOS type integrated circuit device utilizing oxidation and reflow techniques
US5517079 1979-07-06

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8020272A NL8020272A (nl) 1981-03-31
NL190210B NL190210B (nl) 1993-07-01
NL190210C true NL190210C (nl) 1993-12-01

Family

ID=21996093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE8020272,A NL190210C (nl) 1979-07-06 1980-06-23 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffecttransistoren met een geisoleerde stuurelektrode en van condensatoren met een dunne dielektrische laag tussen een eerste en een tweede elektrode.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4261772A (nl)
EP (1) EP0031367B1 (nl)
JP (1) JPS6335107B2 (nl)
DE (1) DE3038773C2 (nl)
GB (1) GB2067014B (nl)
NL (1) NL190210C (nl)
WO (1) WO1981000171A1 (nl)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE32090E (en) * 1980-05-07 1986-03-04 At&T Bell Laboratories Silicon integrated circuits
NL8005756A (nl) * 1980-10-20 1982-05-17 Philips Nv Inrichting voor het opwekken van een reeks binair gewogen waarden van een elektrische grootheid.
US4417914A (en) * 1981-03-16 1983-11-29 Fairchild Camera And Instrument Corporation Method for forming a low temperature binary glass
DE3137708A1 (de) * 1981-09-22 1983-04-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integratorschaltung mit einem differenzverstaerker
FR2526225B1 (fr) * 1982-04-30 1985-11-08 Radiotechnique Compelec Procede de realisation d'un condensateur integre, et dispositif ainsi obtenu
US4419812A (en) * 1982-08-23 1983-12-13 Ncr Corporation Method of fabricating an integrated circuit voltage multiplier containing a parallel plate capacitor
JPS5965481A (ja) * 1982-10-06 1984-04-13 Nec Corp 半導体装置
US5202751A (en) * 1984-03-30 1993-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit
JPS60206161A (ja) * 1984-03-30 1985-10-17 Toshiba Corp 半導体集積回路
US4679302A (en) * 1986-05-12 1987-07-14 Northern Telecom Limited Double polysilicon integrated circuit process
US5851871A (en) * 1987-12-23 1998-12-22 Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. Process for manufacturing integrated capacitors in MOS technology
IT1224656B (it) * 1987-12-23 1990-10-18 Sgs Thomson Microelectronics Procedimento per la fabbricazione di condensatori integrati in tecnologia mos.
DE4343983C2 (de) * 1993-12-22 1996-09-05 Siemens Ag Integrierte Halbleiterschaltung mit Kondensatoren genau definierter Kapazität und Verfahren zur Herstellung einer solchen Schaltung
JP3474332B2 (ja) * 1994-10-11 2003-12-08 台灣茂▲夕▼電子股▲分▼有限公司 Ｄｒａｍ用の自己調整されたキャパシタ底部プレート・ローカル相互接続方法
US5686751A (en) * 1996-06-28 1997-11-11 Winbond Electronics Corp. Electrostatic discharge protection circuit triggered by capacitive-coupling
KR101677701B1 (ko) * 2015-11-04 2016-11-21 충북대학교 산학협력단 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩 제조용 조성물 및 이를 이용한 인조대리석 칩의 제조방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3860836A (en) * 1972-12-01 1975-01-14 Honeywell Inc Stabilization of emitter followers
US3893146A (en) * 1973-12-26 1975-07-01 Teletype Corp Semiconductor capacitor structure and memory cell, and method of making
US3986903A (en) * 1974-03-13 1976-10-19 Intel Corporation Mosfet transistor and method of fabrication
JPS518881A (en) * 1974-07-10 1976-01-24 Sanyo Electric Co Mos gatahandotaishusekikairo
US4035820A (en) * 1975-12-29 1977-07-12 Texas Instruments Incorporated Adjustment of avalanche voltage in DIFMOS memory devices by control of impurity doping
US4055444A (en) * 1976-01-12 1977-10-25 Texas Instruments Incorporated Method of making N-channel MOS integrated circuits
NL176415C (nl) * 1976-07-05 1985-04-01 Hitachi Ltd Halfgeleidergeheugeninrichting omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een veldeffekttransistor en een opslagcapaciteit.
US4125933A (en) * 1976-07-08 1978-11-21 Burroughs Corporation IGFET Integrated circuit memory cell
US4110776A (en) * 1976-09-27 1978-08-29 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit with implanted resistor element in polycrystalline silicon layer
US4102733A (en) * 1977-04-29 1978-07-25 International Business Machines Corporation Two and three mask process for IGFET fabrication
US4214917A (en) * 1978-02-10 1980-07-29 Emm Semi Process of forming a semiconductor memory cell with continuous polysilicon run circuit elements
US4191603A (en) * 1978-05-01 1980-03-04 International Business Machines Corporation Making semiconductor structure with improved phosphosilicate glass isolation
JPS54147789A (en) * 1978-05-11 1979-11-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor divice and its manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
GB2067014A (en) 1981-07-15
WO1981000171A1 (en) 1981-01-22
JPS56500631A (nl) 1981-05-07
US4261772A (en) 1981-04-14
NL190210B (nl) 1993-07-01
NL8020272A (nl) 1981-03-31
DE3038773T1 (de) 1982-02-11
EP0031367A4 (en) 1984-04-27
GB2067014B (en) 1983-06-15
DE3038773C2 (de) 1985-05-02
EP0031367A1 (en) 1981-07-08
JPS6335107B2 (nl) 1988-07-13
EP0031367B1 (en) 1986-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL190210C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffecttransistoren met een geisoleerde stuurelektrode en van condensatoren met een dunne dielektrische laag tussen een eerste en een tweede elektrode.
NL7613464A (nl) Halfgeleiderinrichting, bestand tegen hoge spanningen, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL182604C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL188315C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL184267B (nl) Glasemailweerstandmateriaal, elektrische weerstand, die dit materiaal bevat, en werkwijze voor het vervaardigen van deze weerstand.
NL7713855A (nl) Werkwijze voor het door middel van ionen-im- plantatie veranderen van de elektrische eigen- schappen van mos-inrichtingen.
NL7707320A (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van een geisoleerde elektrische draad van het geemailleerde draadtype.
NL182999C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd.
NL7611870A (nl) Klemorgaan voor het aansluiten van elektrische geleiders.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL185249C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrische geleiders op een isolerend substraat.
NL7606639A (nl) Geintegreerde logische schakeling en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke schake- ling.
NL193360B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektroden.
NL180264C (nl) Bipolaire transistor voor een geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijzen voor het vervaardigen daarvan.
NL7713947A (nl) Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7705523A (nl) Werkwijze en inrichting voor het afregelen van elektrische netwerken van kunststoffolie.
NL7604012A (nl) Van een drukknop voorziene commando-inrichting voor het doorverbinden van een elektronisch of een elektrisch circuit.
NL174304C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld.
NL7601801A (nl) Inrichting voor het regelen van een elektrische stroom.
NL7507416A (nl) Elektrische inrichting van het elektrolytische type en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL185431C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling, omvattende een halfgeleiderlichaam met ten minste twee basisschakelingen van complementaire veldeffekttransistoren met geisoleerde stuurelektrode.
NL166430C (nl) Werkwijze voor het witmaken van koper(i)jodide, alsmede registratievel, voorzien van elektrische geleidende lagen van aldus behandeld koper(i) jodide.
BE618081A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van elektrische halfgeleiderinrichtingen
NL7501098A (nl) Elektrische condensator met een verbeterd dielektrisch systeem, alsmede werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL7610999A (nl) Uit dunne lagen opgebouwde condensator en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 20000623