NL184136C - Werkwijze voor het vervaardigen van een geleiderpatroon op een halfgeleiderlichaam. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geleiderpatroon op een halfgeleiderlichaam.

Info

Publication number
NL184136C
NL184136C NLAANVRAGE7909363,A NL7909363A NL184136C NL 184136 C NL184136 C NL 184136C NL 7909363 A NL7909363 A NL 7909363A NL 184136 C NL184136 C NL 184136C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductor
semi
manufacturing
conductor pattern
pattern
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7909363,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7909363A (nl
NL184136B (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7909363A publication Critical patent/NL7909363A/nl
Publication of NL184136B publication Critical patent/NL184136B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL184136C publication Critical patent/NL184136C/xx

Links

Classifications

    • H10D64/0131—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/661—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of silicon contacting the insulator, e.g. polysilicon having vertical doping variation
    • H10D64/662—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of silicon contacting the insulator, e.g. polysilicon having vertical doping variation the conductor further comprising additional layers, e.g. multiple silicon layers having different crystal structures
    • H10D64/663—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of silicon contacting the insulator, e.g. polysilicon having vertical doping variation the conductor further comprising additional layers, e.g. multiple silicon layers having different crystal structures the additional layers comprising a silicide layer contacting the layer of silicon, e.g. polycide gates
    • H10P14/416—
    • H10W20/066—
    • H10W20/4451—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/14—Schottky barrier contacts
NLAANVRAGE7909363,A 1978-12-29 1979-12-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een geleiderpatroon op een halfgeleiderlichaam. NL184136C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97437878 1978-12-29
US05/974,378 US4276557A (en) 1978-12-29 1978-12-29 Integrated semiconductor circuit structure and method for making it

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7909363A NL7909363A (nl) 1980-07-01
NL184136B NL184136B (nl) 1988-11-16
NL184136C true NL184136C (nl) 1989-04-17

Family

ID=25521962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7909363,A NL184136C (nl) 1978-12-29 1979-12-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een geleiderpatroon op een halfgeleiderlichaam.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4276557A (enExample)
JP (1) JPS55108752A (enExample)
CA (1) CA1136771A (enExample)
DE (1) DE2951734A1 (enExample)
FR (1) FR2445625B1 (enExample)
GB (1) GB2038552B (enExample)
IE (1) IE48724B1 (enExample)
IT (1) IT1127770B (enExample)
NL (1) NL184136C (enExample)
SE (1) SE439214B (enExample)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE32207E (en) * 1978-12-29 1986-07-15 At&T Bell Laboratories Method for making integrated semiconductor circuit structure with formation of Ti or Ta silicide
US4285761A (en) * 1980-06-30 1981-08-25 International Business Machines Corporation Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices
US4337476A (en) * 1980-08-18 1982-06-29 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Silicon rich refractory silicides as gate metal
JPS5737888A (en) * 1980-08-19 1982-03-02 Mitsubishi Electric Corp Photo detector
US4398335A (en) * 1980-12-09 1983-08-16 Fairchild Camera & Instrument Corporation Multilayer metal silicide interconnections for integrated circuits
JPS58500680A (ja) * 1981-05-04 1983-04-28 モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド 低抵抗合成金属導体を具えた半導体デバイスおよびその製造方法
JPS584924A (ja) * 1981-07-01 1983-01-12 Hitachi Ltd 半導体装置の電極形成方法
US4359490A (en) * 1981-07-13 1982-11-16 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method for LPCVD co-deposition of metal and silicon to form metal silicide
JPS5873156A (ja) * 1981-10-28 1983-05-02 Hitachi Ltd 半導体装置
US4816425A (en) * 1981-11-19 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Polycide process for integrated circuits
US4495512A (en) * 1982-06-07 1985-01-22 International Business Machines Corporation Self-aligned bipolar transistor with inverted polycide base contact
WO1984001471A1 (en) * 1982-09-30 1984-04-12 Advanced Micro Devices Inc An aluminum-metal silicide interconnect structure for integrated circuits and method of manufacture thereof
US5136361A (en) * 1982-09-30 1992-08-04 Advanced Micro Devices, Inc. Stratified interconnect structure for integrated circuits
US4565157A (en) * 1983-03-29 1986-01-21 Genus, Inc. Method and apparatus for deposition of tungsten silicides
US4920908A (en) * 1983-03-29 1990-05-01 Genus, Inc. Method and apparatus for deposition of tungsten silicides
DE3326142A1 (de) * 1983-07-20 1985-01-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierte halbleiterschaltung mit einer aus aluminium oder aus einer aluminiumlegierung bestehenden aeusseren kontaktleiterbahnebene
US4477310A (en) * 1983-08-12 1984-10-16 Tektronix, Inc. Process for manufacturing MOS integrated circuit with improved method of forming refractory metal silicide areas
US4641170A (en) * 1983-12-12 1987-02-03 International Business Machines Corporation Self-aligned lateral bipolar transistors
JPS60134466A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US4693925A (en) * 1984-03-01 1987-09-15 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit structure having intermediate metal silicide layer
US4581815A (en) * 1984-03-01 1986-04-15 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit structure having intermediate metal silicide layer and method of making same
US4555842A (en) * 1984-03-19 1985-12-03 At&T Bell Laboratories Method of fabricating VLSI CMOS devices having complementary threshold voltages
KR940002772B1 (ko) * 1984-08-31 1994-04-02 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법
US4569722A (en) * 1984-11-23 1986-02-11 At&T Bell Laboratories Ethylene glycol etch for processes using metal silicides
US4597163A (en) * 1984-12-21 1986-07-01 Zilog, Inc. Method of improving film adhesion between metallic silicide and polysilicon in thin film integrated circuit structures
US4612258A (en) * 1984-12-21 1986-09-16 Zilog, Inc. Method for thermally oxidizing polycide substrates in a dry oxygen environment and semiconductor circuit structures produced thereby
JPS61164262A (ja) * 1985-01-17 1986-07-24 Toshiba Corp 半導体装置
US4725872A (en) * 1985-02-25 1988-02-16 Tektronix, Inc. Fast channel single phase buried channel CCD
KR870700250A (ko) * 1985-05-03 1987-05-30 마이클 와이. 엡스타인 폴리실리사이드 형성방법
US4782033A (en) * 1985-11-27 1988-11-01 Siemens Aktiengesellschaft Process for producing CMOS having doped polysilicon gate by outdiffusion of boron from implanted silicide gate
US4796562A (en) * 1985-12-03 1989-01-10 Varian Associates, Inc. Rapid thermal cvd apparatus
US4709655A (en) * 1985-12-03 1987-12-01 Varian Associates, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US4811067A (en) * 1986-05-02 1989-03-07 International Business Machines Corporation High density vertically structured memory
US5063168A (en) * 1986-07-02 1991-11-05 National Semiconductor Corporation Process for making bipolar transistor with polysilicon stringer base contact
US4974046A (en) * 1986-07-02 1990-11-27 National Seimconductor Corporation Bipolar transistor with polysilicon stringer base contact
US4974056A (en) * 1987-05-22 1990-11-27 International Business Machines Corporation Stacked metal silicide gate structure with barrier
JPH0258874A (ja) * 1988-08-24 1990-02-28 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH02285638A (ja) * 1989-04-27 1990-11-22 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0758773B2 (ja) * 1989-07-14 1995-06-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US5139966A (en) * 1990-04-02 1992-08-18 National Semiconductor Corporation Low resistance silicided substrate contact
US5290396A (en) * 1991-06-06 1994-03-01 Lsi Logic Corporation Trench planarization techniques
US5413966A (en) * 1990-12-20 1995-05-09 Lsi Logic Corporation Shallow trench etch
US5322812A (en) * 1991-03-20 1994-06-21 Crosspoint Solutions, Inc. Improved method of fabricating antifuses in an integrated circuit device and resulting structure
US5252503A (en) * 1991-06-06 1993-10-12 Lsi Logic Corporation Techniques for forming isolation structures
US5225358A (en) * 1991-06-06 1993-07-06 Lsi Logic Corporation Method of forming late isolation with polishing
US5248625A (en) * 1991-06-06 1993-09-28 Lsi Logic Corporation Techniques for forming isolation structures
US5581111A (en) 1993-07-07 1996-12-03 Actel Corporation Dielectric-polysilicon-dielectric antifuse for field programmable logic applications
US5485031A (en) 1993-11-22 1996-01-16 Actel Corporation Antifuse structure suitable for VLSI application
US5474619A (en) * 1994-05-04 1995-12-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Thin film high temperature silicide thermocouples
US5986322A (en) * 1995-06-06 1999-11-16 Mccollum; John L. Reduced leakage antifuse structure
JP3355127B2 (ja) * 1998-02-23 2002-12-09 株式会社日立製作所 熱式空気流量センサ
US6586318B1 (en) * 1999-12-28 2003-07-01 Xerox Corporation Thin phosphorus nitride film as an N-type doping source used in laser doping technology
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) * 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7510903A (nl) * 1975-09-17 1977-03-21 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
US4180596A (en) * 1977-06-30 1979-12-25 International Business Machines Corporation Method for providing a metal silicide layer on a substrate
US4128670A (en) * 1977-11-11 1978-12-05 International Business Machines Corporation Fabrication method for integrated circuits with polysilicon lines having low sheet resistance

Also Published As

Publication number Publication date
DE2951734A1 (de) 1980-07-10
FR2445625A1 (fr) 1980-07-25
DE2951734C2 (enExample) 1988-02-04
GB2038552A (en) 1980-07-23
GB2038552B (en) 1983-04-13
US4276557A (en) 1981-06-30
NL7909363A (nl) 1980-07-01
IT7928441A0 (it) 1979-12-28
NL184136B (nl) 1988-11-16
SE7910379L (sv) 1980-06-30
JPS6260812B2 (enExample) 1987-12-18
IE792525L (en) 1980-06-29
IE48724B1 (en) 1985-05-01
FR2445625B1 (fr) 1985-10-18
JPS55108752A (en) 1980-08-21
SE439214B (sv) 1985-06-03
CA1136771A (en) 1982-11-30
IT1127770B (it) 1986-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL184136C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geleiderpatroon op een halfgeleiderlichaam.
NL185043C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp onder toepassing van een plasma-etsing.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL172176C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vilt.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL187505C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL188550C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7713004A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7902338A (nl) Werkwijze voor het vormen van een klep en daarmede gevormde klep.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL180372C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gedrukte bedradingen.
NL7900497A (nl) Werkwijze voor het positioneren van een substraat.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7704678A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een drager- baan.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL185578C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een synthetisch crepegaren.
NL7710635A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7614198A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een eenheids- patroonstelsel.
NL7614197A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een enkel- voudig patroonstelsel.
NL177574C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bekleed vormlichaam.
NL7709411A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting.
NL7612483A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een metal- lisering op een substraat.

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 19991228