NL151214B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bedekt met een passiverende laag op het halfgeleideroppervlak, alsmede aldus vervaardigde inrichting.
- Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bedekt met een passiverende laag op het halfgeleideroppervlak, alsmede aldus vervaardigde inrichting.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi LtdfiledCriticalHitachi Ltd
Publication of NL6815728ApublicationCriticalpatent/NL6815728A/xx
Publication of NL151214BpublicationCriticalpatent/NL151214B/xx
NL686815728A1967-11-061968-11-05Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bedekt met een passiverende laag op het halfgeleideroppervlak, alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL151214B
(nl)
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bedekt met een passiverende laag op het halfgeleideroppervlak, alsmede aldus vervaardigde inrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het reinigen van het oppervlak van een op een halfgeleider aangebrachte metaallaag door kathodeverstuiving, alsmede met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bedekt met een passiverende laag op het halfgeleideroppervlak, alsmede aldus vervaardigde inrichting.