NL148360B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.

Info

Publication number
NL148360B
NL148360B NL6704404A NL6704404A NL148360B NL 148360 B NL148360 B NL 148360B NL 6704404 A NL6704404 A NL 6704404A NL 6704404 A NL6704404 A NL 6704404A NL 148360 B NL148360 B NL 148360B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
manufacture
well
manufactured according
semiconductor device
Prior art date
Application number
NL6704404A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6704404A (xx
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Publication of NL6704404A publication Critical patent/NL6704404A/xx
Publication of NL148360B publication Critical patent/NL148360B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
NL6704404A 1966-03-29 1967-03-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. NL148360B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020966 1966-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6704404A NL6704404A (xx) 1967-10-02
NL148360B true NL148360B (nl) 1976-01-15

Family

ID=12020759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6704404A NL148360B (nl) 1966-03-29 1967-03-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.

Country Status (7)

Country Link
BE (1) BE696171A (xx)
CH (1) CH474854A (xx)
DE (1) DE1614136B1 (xx)
FR (1) FR1515732A (xx)
GB (1) GB1107620A (xx)
NL (1) NL148360B (xx)
SE (1) SE325338B (xx)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3562606A (en) * 1969-08-13 1971-02-09 Varian Associates Subsurface gallium arsenide schottky-type diode and method of fabricating same
KR102355507B1 (ko) * 2018-11-14 2022-01-27 (주)디엔에프 몰리브덴 함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 몰리브덴함유 박막

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE624959A (xx) * 1961-11-20
GB1064290A (en) * 1963-01-14 1967-04-05 Motorola Inc Method of making semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
GB1107620A (en) 1968-03-27
FR1515732A (fr) 1968-03-01
DE1614136B1 (de) 1971-08-12
SE325338B (xx) 1970-06-29
NL6704404A (xx) 1967-10-02
CH474854A (de) 1969-06-30
BE696171A (xx) 1967-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL141329B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL145396B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL149859B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154868B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154872B (nl) Een werkwijze voor het vervaardigen van omhulsels voor halfgeleiderelementen en voor geintegreerde halfgeleiderschakelingen en omhulsels vervaardigd volgens de werkwijze.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL141031B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL153475B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van schoeisel, alsmede schoeisel verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
NL139843B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL161920B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd.
NL161919B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL143734B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze.
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL146128B (nl) Verbetering van een inrichting voor de vervaardiging van vlak drijfglas.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL143073B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze.