NL144778B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.Info
- Publication number
- NL144778B NL144778B NL676716390A NL6716390A NL144778B NL 144778 B NL144778 B NL 144778B NL 676716390 A NL676716390 A NL 676716390A NL 6716390 A NL6716390 A NL 6716390A NL 144778 B NL144778 B NL 144778B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- anisotroope
- etching
- manufacturing
- well
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/01—Manufacture or treatment
- H10W10/021—Manufacture or treatment of air gaps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/60—Wet etching
- H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
- H10P50/642—Chemical etching
- H10P50/644—Anisotropic liquid etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
- H10P50/691—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials
- H10P50/693—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials characterised by their size, orientation, disposition, behaviour or shape, in horizontal or vertical plane
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/20—Air gaps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US60329266A | 1966-12-20 | 1966-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL6716390A NL6716390A (https=) | 1968-06-21 |
| NL144778B true NL144778B (nl) | 1975-01-15 |
Family
ID=24414811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL676716390A NL144778B (nl) | 1966-12-20 | 1967-12-01 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE708163A (https=) |
| DE (1) | DE1621532B2 (https=) |
| FR (1) | FR1548079A (https=) |
| GB (1) | GB1212379A (https=) |
| MY (1) | MY7300447A (https=) |
| NL (1) | NL144778B (https=) |
| SE (1) | SE342526B (https=) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1288278A (https=) * | 1968-12-31 | 1972-09-06 | ||
| US3844858A (en) * | 1968-12-31 | 1974-10-29 | Texas Instruments Inc | Process for controlling the thickness of a thin layer of semiconductor material and semiconductor substrate |
| US3579057A (en) * | 1969-08-18 | 1971-05-18 | Rca Corp | Method of making a semiconductor article and the article produced thereby |
| CA957782A (en) * | 1970-01-26 | 1974-11-12 | Theodore Kamprath | Capacitor structure for integrated circuits |
| DE2106540A1 (de) * | 1970-02-13 | 1971-08-19 | Texas Instruments Inc | Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US4668333A (en) * | 1985-12-13 | 1987-05-26 | Xerox Corporation | Image sensor array for assembly with like arrays to form a longer array |
| EP0296348B1 (de) * | 1987-05-27 | 1993-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Ätzverfahren zum Erzeugen von Lochöffnungen oder Gräben in n-dotiertem Silizium |
| GB9204078D0 (en) * | 1992-02-26 | 1992-04-08 | Philips Electronics Uk Ltd | Infrared detector manufacture |
| US5508231A (en) * | 1994-03-07 | 1996-04-16 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for achieving mechanical and thermal isolation of portions of integrated monolithic circuits |
-
1967
- 1967-12-01 NL NL676716390A patent/NL144778B/xx not_active IP Right Cessation
- 1967-12-18 BE BE708163D patent/BE708163A/xx not_active IP Right Cessation
- 1967-12-19 DE DE19671621532 patent/DE1621532B2/de not_active Withdrawn
- 1967-12-19 SE SE17410/67A patent/SE342526B/xx unknown
- 1967-12-19 GB GB57551/67A patent/GB1212379A/en not_active Expired
- 1967-12-20 FR FR1548079D patent/FR1548079A/fr not_active Expired
-
1973
- 1973-12-30 MY MY447/73A patent/MY7300447A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6716390A (https=) | 1968-06-21 |
| BE708163A (https=) | 1968-05-02 |
| SE342526B (https=) | 1972-02-07 |
| MY7300447A (en) | 1973-12-31 |
| GB1212379A (en) | 1970-11-18 |
| FR1548079A (https=) | 1968-11-29 |
| DE1621532B2 (de) | 1971-10-07 |
| DE1621532A1 (de) | 1970-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL153947B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze. | |
| NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL140175B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan, alsmede aldus vervaardigd zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan. | |
| NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL161305B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL159124B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan. | |
| NL142287B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL158026B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
| NL154062B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze. | |
| NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
| NL161300C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. | |
| NL144778B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. | |
| NL139843B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen. | |
| NL152115B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen. | |
| NL149562B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een massieve plaat. | |
| NL139874B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze. | |
| NL145442B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting, alsmede een ritssluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze. | |
| NL155131B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL140363B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
| NL145001B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een poreuze foelie. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NR80 | Reference from main patent to patent of addition |
Ref document number: 152115 Country of ref document: NL Date of ref document: 19750516 Format of ref document f/p: P |
|
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
| NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: WESTERN ELECTRI |