NL1026665C2

NL1026665C2 - Reticule, inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel en werkwijze voor het vervaardigen van een reticule.

Info

Publication number: NL1026665C2
Application number: NL1026665A
Authority: NL
Inventors: Takashi Sato; Masafumi Asano; Hideki Kanai
Original assignee: Toshiba Kk
Priority date: 2003-07-18
Filing date: 2004-07-15
Publication date: 2008-01-08
Also published as: US20050048378A1; TWI241395B; US7432021B2; JP4015079B2; NL1026665A1; TW200513629A; JP2005037598A; CN100462667C; US20090009775A1; CN1576778A; US7812972B2

Description

Korte aanduiding: Reticule, inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel en werkwijze voor het vervaardigen van een reticule.

5

KRUISVERWIJZING NAAR VERWANTE AANVRAGEN

Deze aanvrage is gebaseerd op en roept de prioriteit in van de eerdere Japanse octrooiaanvrage P 2003-199178 ingediend op 18 juli 2003; waarvan de gehele inhoud hierin door verwijzing is opgenomen.

10

ACHTERGROND VAN DE UITVINDING

1. Gebied van de Uitvinding

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op fotolithografische projectie en in het bijzonder op een reticule, een 15 inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, een werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel en een werkwijze voor het vervaardigen van de reticule.

2. Beschrijving van de Stand van de Techniek

Door op een halfgeleiderwafel gevormde fotolithografische 20 patronen voortdurend in hoge mate fijner en preciezer worden, wordt het belangrijker om de wafel precies in het brandpunt te rangschikken. Defocussering veroorzaakt door een verkeerde rangschikking van de wafel levert foutieve producten. Bijgevolg zijn er werkwijzen ontwikkeld voor het correct in het brandpunt rangschikken van de wafel. Er zijn 25 bijvoorbeeld asymmetrische diffractieroosters toegepast. De asymmetrische diffractieroosters hebben asymmetrische diffractiedelen welke faseverschillen opwekken voor het licht die een waarde kunnen bereiken welke groter is dan 0 graden en kleiner dan 180 graden. Deze asymmetrische diffractieroosters wekken een positief eerste-orde 30 diffractielicht op en een negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen. Wanneer de asymmetrische 1026665- 2 diffractieroosters worden belicht met laserlicht, verschuiven project!ebeelden van de asymmetrische diffractieroosters op de wafel loodrecht op de optische as wanneer de wafel wordt verschoven in de richting van de optische as. De verschuiving van de project!ebeelden en 5 de verschuiving van de wafel hebben een lineaire relatie. Wanneer deze lineaire relatie is verkregen, is het bijgevolg mogelijk om de wafel positie te berekenen uit het meten van de positie van de projectie-beelden. De bestaande werkwijze vereist echter het prepareren van twee reticules, een voor de inspectie van de wafel positie en een ander voor 10 het belichten van het inrichtingspatroon op de wafel. Dit komt omdat het moeilijk is zowel de asymmetrische diffractieroosters als het inrichtingspatroon op een enkel substraat te vervaardigen. Het prepareren van twee reticules leidt bijgevolg tot hoge ontwikkel kosten en uitwisseling van de reticules onderbreekt een continue productie. Voorts 15 kan defocussering worden veroorzaakt wanneer de reticules worden verwisseld.

SAMENVATTING VAN DE UITVINDING Een aspect van de onderhavige uitvinding rust in een reticule overeenkomstig een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding 20 met een maskersubstraat, een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrische diffractierooster teneinde positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen op te wekken, en een inrichtingspatroon aangrenzend aan het, op het maskersubstraat tot stand gebrachte 25 testpatroon.

Een verder aspect van de onderhavige uitvinding rust in een inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding met een projectiebeeld-informatie-extractieorgaan ingericht voor het verwerven van 30 beeldinformatie van een projectiebeeld door positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende 1 (126665- 3 diffractie-rendementen, een optisch informatiegeheugen ingericht voor opslag van de beeldinformatie, en een kalibratie-informatieverschaffingsorgaan ingericht voor het verschaffen van kalibratie-informatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

5 Een nog verder aspect van de onderhavige uitvinding rust in een computer-geïmplementeerde werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel volgens de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding met verkregen beeldinformatie van een project!ebeeld door positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met 10 verschillende diffractierendementen, en het verschaffen van kalibratie-informatie door toepassing van de beeldinformatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

Een nog weer verder aspect van de onderhavige uitvinding rust in een werkwijze voor het vervaardigen van een reticule 15 overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvattende neerslag van een licht-afschermende film op een maskersubstraat, bekleden van een eerste fotogevoelige film op de licht-af schermende film en het afbeelden van eerste openingen in de eerste fotogevoelige film, selectief etsten van de door de eerste openingen 20 blootliggende afschermende film, verwijderen van de eerste fotogevoelige film en bekleden van een tweede fotogevoelige film op het maskersubstraat en afbeelding van tweede openingen in de tweede fotogevoelige film, selectief etsen van het door de tweede openingen blootliggende maskersubstraat en vervaardigen van een veelheid van asymmetrische 25 diffractiedel en die positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht in verschillende diffractierendementen opwekken, verwijderen van de tweede fotogevoelige film en bekleden van een derde fotogevoelige film op het maskersubstraat en afbeelden van derde openingen in de derde fotogevoelige film, en selectief etsen van 30 het door de derde openingen blootliggende maskersubstraat en vervaardiging van een veelheid van symmetrische diffractiedel en die i o 2 6 8 6 5 - 4 positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht in gelijke diffractierendementen opwekken.

KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENINGEN

5 Figuur 1 is een perspectivisch aanzicht met uiteengenomen delen van een reductieprojectie-belichtingsinrichting in overeenstemming met een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 2 is een bovenaanzicht van een reticule in overeenstemming met de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 10 figuur 3 is een bovenaanzicht van een testpatroon van de reticule overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 4 is een bovenaanzicht van een asymmetrisch diffractierooster van het testpatroon overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 15 figuur 5 is een doorsnedeaanzicht van het asymmetrische diffractierooster overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 6 is een doorsnedeaanzicht van een inrichtings- patroon van de reticule overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de 20 onderhavige uitvinding; figuur 7 is een voorbeeldgrafiek van de verdeling van de lichtintensiteit op het oppervlak van de pupil overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 8 is een voorbeeldgrafiek van een optische-as- 25 doorsnijdingspunt versus relatieve afstand van project!ebeeldposities overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 9 is een blokschema van een inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 30 figuur 10 is een stroomschema dat een werkwijze weergeeft voor het bewaken van een optisch stelsel overeenkomstig de 1 026665-_ 5 uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 11 is een tweede stroomschema dat een werkwijze weergeeft voor het bewaken van het optische stelsel overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 5 figuur 12 is een bovenaanzicht van een eerste modificatie van het testpatroon overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 13 is een bovenaanzicht van een tweede modificatie van het testpatroon overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige 10 uitvinding; figuur 14 is een bovenaanzicht van een derde modificatie van het testpatroon overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 15 is een doorsnedeaanzicht van de reticule welke 15 het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 16 is een tweede doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 20 figuur 17 is een derde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 18 is een vierde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de 25 uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 19 is een vijfde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 20 is een zesde doorsnedeaanzicht van de reticule 30 welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 1026665- 6 figuur 21 is een zevende doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 22 is een achtste doorsnedeaanzicht van de reticule 5 welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 23 is een doorsnedeaanzicht van een reticule overeenkomstig een eerste modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 10 figuur 24 is een eerste doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de eerste modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 25 is een tweede doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de eerste 15 modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 26 is een derde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de eerste modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 27 is een vierde doorsnedeaanzicht van de reticule 20 welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de eerste modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 28 is een vijfde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de eerste modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 25 figuur 29 is een zesde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de eerste modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 30 is een doorsnedeaanzicht van een reticule overeenkomstig een tweede modificatie van de uitvoeringsvorm van de 30 onderhavige uitvinding; figuur 31 is een eerste doorsnedeaanzicht van de reticule 1026665- 7 welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de tweede modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 32 is een tweede doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de tweede 5 modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 33 is een derde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de tweede modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 34 is een vierde doorsnedeaanzicht van de reticule 10 welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de tweede modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 35 is een vijfde doorsnedeaanzicht van de reticule welke het vervaardigingsproces weergeeft overeenkomstig de tweede modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 15 figuur 36 is een perspectivisch aanzicht met uiteengenomen delen van een reductieprojectie-belichtingsinrichting overeenkomstig een derde modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 37 is bovenaanzicht van een asymmetrisch diffractierooster van het testpatroon overeenkomstig een vierde 20 modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 38 is een doorsnedeaanzicht van het asymmetrische diffractiepatroon overeenkomstig de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 39 is een bovenaanzicht van een geprojecteerd beeld 25 van het asynunetrische diffractierooster overeenkomstig de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 40 is een eerste voorbeeldgrafiek van een optische-as-doorsnijdingspunt versus lijnbreedte overeenkomstig de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 30 figuur 41 is een tweede voorbeeldgrafiek van een optische- as-doorsnijdingspunt versus lijnbreedte overeenkomstig de vierde 1 02 6665- δ modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 42 is een blokschema van een inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel overeenkomstig de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; en 5 figuur 43 is een stroomschema dat een werkwijze weergeeft voor het bewaken van het optische stelsel overeenkomstig de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.

GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE UITVINDING 10 Onder verwijzing naar de bijgaande tekeningen worden verschillende uitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding beschreven. Opgemerkt wordt dat in de tekeningen dezelfde of soortgelijke referentie-cijfers voor dezelfde of soortgelijke delen en elementen zijn toegepast en dat de beschrijving van dezelfde of soortgelijke delen en elementen 15 zal worden weggelaten of vereenvoudigd.

De reductieprojectie-belichtingsinrichting overeenkomstig een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvat een optisch stelsel 140 en een wafel trap 32, zoals getoond in figuur 1. Het optische stelsel 140 omvat een belichtingsbron 41, een condensorlens 43 geplaatst 20 onder de belichtingsbron 41 en een optisch projectiestelsel 42 geplaatst onder de condensorlens 43. Een reticule 5 welke een inrichtingspatroon 15 omvat, een veelheid oplijnmarkeringen 26a, 26b, 26c en een veelheid van testpatronen 20a, 20b, 20c is tussen de condensorlens 43 en het optische projectiestelsel 42 geplaatst. Het inrichtingspatroon 15 wordt opgenomen 25 in het vanaf de belichtingsbron 41 uitgestraalde licht en wordt achtereenvolgens door de condensorlens 43 gefocusseerd. Boven de wafel trap 32 is een wafel 31 geplaatst. Het aan het inrichtingspatroon 15 en elk van de testpatronen 20a, 20b, 20c gebroken licht wordt bij het optisch projectiestelsel 42 verdicht en op de wafel 31 afgebeeld.

30 Zoals weergegeven door het in figuur 2 getoonde vergrote bovenaanzicht, omvat de reticule 5 een maskersubstraat 1, een veelheid 1 fl ? 6 6 6 5 -_ 9 van op het maskersubstraat 1 tot stand gebrachte testpatronen 20a, 20b, 20c met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht in verschillende diffractierendementen, en een veelheid op het 5 maskersubstraat 1 tot stand gebrachte inrichtingspatronen 15a, 15b, 15c aangrenzend aan de testpatronen 20a-20c.

Het masker 1 is transparant en is samengesteld uit een substantie zoals gesmolten siliciumdioxideglas. Op het maskersubstraat 1 is een 1icht-afschermende film 17 aangebracht en op de licht-afschermende 10 film 17 is een veelheid van testpatroonvensters 56a, 56b, 56c tot stand gebracht. De 1 icht-afschermende film 17 is samengesteld uit een substantie zoals chroom (Cr). De testpatronen 20a, 20b, 20c verschaffen asymmetrische diffractieroosters 222a, 222b, 222c die op het maskersubstraat 1 tot stand zijn gebracht en blootliggen door de 15 testpatroonvensters 56a, 56b, 56c. De reticule 5 omvat ook op het maskersubstraat 1 tot stand gebrachte oplijnmarkeringen 26a, 26b, 26c, waarbij elk van de oplijnmarkeringen 26a, 26b, 26c aangrenzend aan één van de testpatronen 20a, 20b, 20c is gelegen. De testpatronen 20a-20c en de oplijnmarkeringen 26a-26c zijn aan de binnenzijde van het belichtings-20 gebied aangebracht en in het bijzonder aan de binnenzijde van de gietlijn van het masker. De reticule 5 omvat ook een op de licht-afschermende film 17 tot stand gebracht inrichtingspatroonvenster 57 en de inrichtingspatronen 15a, 15b, 15c liggen door het inrichtingpatroonvenster 57 bloot. De oplijnmarkeringen 26a, 26b, 26c worden voorts gebruikt voor 25 positioneringsoplijning van de wafel 31, zoals getoond in figuur 1.

Figuur 3 is een voorbeeld van een vergroot bovenaanzicht van het in figuur 2 getoonde testpatroon 20a. Het testpatroon 20a omvat asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d en 1icht-afscherm-patronen 61a, 61b, 61c, 61d die evenwijdig aan elk van de asymmetrische 30 diffractiepatronen 22a, 22b, 22c, 22d zijn geplaatst. De asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d zijn zodanig geplaatst dat zij vier 1 02 6 6 65- 10 zijden van een vierkant op het oppervlak van het maskersubstraat 1 vormen. Elk van de asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d wekken positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met eenverschillend diffractierendement op. De 5 asymmetrische diffractierendementen 22a, 22b, 22c, 22d vormen samen als groep het in figuur 2 getoonde asymmetrische diffractierooster 222a. De testpatronen 20b, 20c bezitten voorts dezelfde samenstelling als het, in het vergrote bovenaanzicht van figuur 3 getoonde testpatroon 20a.

Figuur 4 is een bovenaanzicht met een vergroot deel van het 10 in figuur 3 getoonde asymmetrische diffractierooster 22a en figuur 5 is een doorsnedeaanzicht van het in figuur 4 getoonde asymmetrische diffractierooster 22a genomen in de richting van de lijn I-I. Zoals getoond in de figuren 4 en 5, omvatten de asymmetrische diffractieroosters 22a van het testpatroon 20a een licht-afschermende 15 band 70a en is op het maskersubstraat, gelegen aangrenzend aan een zijde van de licht-afschermende band 70a, een asymmetrische diffractiedeel 13a tot stand gebracht. De licht-afschermende band 70a is op het oppervlak van het maskersubstraat geplaatst en is samengesteld uit een materiaal zoals chroom (Cr). De groep bestaande uit de licht-afschermende band 70a 20 en de asymmetrische diffractiedel en 13a vormen in paren samen de kleinste eenheid van het zich herhalende patroon van het asymmetrische diffractierooster 22a, en de andere licht-afschermende banden 70b, 70c, ... en de asymmetrische diffracti edel en 13, 13c, ... zijn alle op het maskersubstraat 1 in hetzelfde zich herhalende patroon tot stand 25 gebracht. De opbouw van elk van de asymmetrische diffractieroosters 22b t/m 22d is gelijk aan het asymmetrische diffracti erooster 22a, zoals getoond in de figuren 4 en 5.

De verhoudingen van de breedten van de licht-afschermende band 70a tot het aangrenzende asymmetrische diffractiedeel 13a is 2:1. 30 Het zich herhalende patroon dat de licht-afschermende band 70b en het aangrenzende asymmetrische diffractiedeel 13b verschaft is tot stand \026665- 11 gebracht met perioden van dezelfde breedte als het asymmetrische diffractiedeel 13a. Op de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-bel ichtingsinrichting is het bijvoorbeeld, bij belichting met een argonfluor-(ArF)-excimeerlaser met een golflengte van 193 nm vanaf de 5 belichtingsbron 41 op de reticule 5, acceptabel om de 1icht-afschermende band 70a een breedte van 0,2 pm te geven en om zowel het asymmetrische diffractiedeel 13a als de periode tussen de 1 icht-afschermende band 70a en het asymmetrische diffractiedeel 13b breedten van 0,1 μπι te geven. De verhouding van de breedten van de andere 1icht-afschermende banden 70b, 10 70c, ..., de asymmetrische diffractiedelen 13b, 13c, ... en de perioden welke het zich herhalende patroon tot stand brengen zijn op dezelfde wijze tot stand gebracht zoals boven beschreven. De asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b, 13c zijn alle groef achtige structuren die aan de binnenzijde van het maskersubstraat 1 nabij het bovenvlak tot stand 15 zijn gebracht, met een diepte waarbij het faseverschil van het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgelaten belichtingslaserlicht een veelheid van 90 graden is. Het maskersubstraat 1 is samengesteld uit een substantie zoals bijvoorbeeld gesmolten siliciumdioxideglas, dat een brekingsindex van 1,56 bezit. Bij belichting met een ArF-excimeerlaser 20 vanaf de in figuur 1 getoonde belichtingsbron 41 voor het opwekken van een 90 graden faseverschil, heeft elk van de asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b, ... een diepte van 86,2 nm.

Een voorbeeld van een vergroot doorsnedeaanzicht van het inrichtingspatroon 15a is in figuur 6 getoond. Zoals getoond in figuur 6, 25 omvat het inrichtingspatroon 15a een veelheid van op het maskersubstraat 1 tot stand gebrachte symmetrische diffractiedelen 23a, 23b, 23c.....

een veelheid van 1 icht-af schermende maskers 7a, 7b, 7c, 7d, 7e, 7f, ... welke zijn aangebracht tussen de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b, 23c, ... in het bovenste gebied van het maskersubstraat 1. De vergrote 30 doorsnedeaanzichten van elke van de andere inrichtingspatronen 15b, 15c zijn weggelaten omdat de inrichtingspatronen 15b, 15c op dezelfde wijze i 026665-1 12 ontstaan als in figuur 6.

De symmetrische diffractiedelen 23a, 23b, 23c, 23, ... zijn hier alle groefachtige structuren die aan de binnenzijde van het maskersubstraat 1 nabij het bovenvlak tot stand zijn gebracht, op een 5 diepte waarbij het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgelaten belichtingslaserlicht een veelvoud van 180 graden is. Het maskersubstraat 1 is samengesteld uit een substantie zoals bijvoorbeeld gesmolten siliciumdioxideglas, dat een brekingsindex van 1,56 bezit. Bij belichting met een ArF-excimeerlaser vanaf de in figuur 1 10 getoonde belichtingsbron 41 voor het opwekken van een 180 graden fasen-verschil, hebben de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b, 23c, ... alle een diepte van 172,3 nm.

Zoals getoond in figuur 2, zijn het deel waar elk van de testpatronen 20a, 20b, 20c, de in de figuren 4 en 5 getoonde 15 asymmetrische diffractieroosters 22a t/m 22d verschaffen en elk van de in figuur 6 getoonde inrichtingspatronen 15a, 15b, 15c op hetzelfde maskersubstraat 1 tot stand gebracht, hetgeen een van de eigenschappen van de reticule 5 overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding is. Figuur 7 toont de resultaten van de berekening van de 20 verdeling van de lichtintensiteit op het oppervlak van de pupil, wanneer de reticule 5 is aangebracht in een positie waarin het oppervlak dat de op het substraat 1 tot stand gebrachte asymmetrische diffractieroosters 22a t/m 22d heeft naar omlaag is gekeerd en van bovenaf door de ArF ecximeerlaser wordt belicht. Zoals getoond in figuur 7, representeert de 25 horizontale as de positie in het oppervlak van de pupil, terwijl de verticale as de lichtintensiteit representeert. Wanneer de lichtintensiteit langs de horizontale en verticale assen wordt uitgezet, kan worden gezien dat eerste-orde diffractielicht aan alleen de positieve zijde verschijnt in relatie tot het nulde-orde diffractielicht op de 30 pupillocatie. Wanneer elk van de, in figuur 5 getoonde asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b, 13c, ____ tot stand wordt gebracht op een 1Π2 6 665- 13 diepte welke een faseverschil opwekt van een veelvoud dat groter is dan 0 graden en kleiner dan 180 graden uit het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht, is het mogelijk om zowel positief eerste-orde diffractielicht alsook negatief eerste-orde 5 diffractielicht met verschillende diffractierendementen op te wekken.

Wanneer de asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b, 13c,... echter tot stand zijn gebracht op een diepte welke een faseverschil van 90 graden zal opwekken, is het mogelijk om het di ffracti erendement naar de meest positieve of meest negatieve zijde voor in te stellen. Een andere 10 effectieve wijze voor het voorinstellen van het diffractierendement naar ofwel de positieve of negatieve zijde is het tot stand brengen van de 1icht-afschermende banden 70a, 70b, 70c, ..., en de asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b, 13c..... met een breedteverhouding van 2:1, alsmede het tot stand brengen van het zich herhalende patroon met een 15 gelijke periode als die van de asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b, 13c.....

In het geval waarin de reticule 5 de asymmetrische diffractieroosters 22a t/m 22d omvat, zoals getoond in de figuren 3 t/m 5, en wanneer de reticule 5 wordt belicht met de in figuur 1 getoonde 20 reductieprojectie-belichtingsinrichting, verschuift het door elk van de asymmetrische diffractieroosters 22a t/m 22d op de wafel 31 geprojecteerde beeld loodrecht op de optische as wanneer de wafel trap 32 in de richting van de optische as wordt verschoven. De geprojecteerde beelden van de in figuur 3 getoonde 1icht-afschermende patronen 61a, 61b, 25 61c, 61d verschuiven echter niet loodrecht ten opzichte van de optische as zelfs wanneer de wafel trap 32 in de richting van de optische as wordt verschoven.

Het bovenstaande fenomeen kan ook theoretisch worden aangetoond. In het geval waarin bijvoorbeeld coherent licht met een 30 golflengte λ loodrecht op een asymmetrisch diffractierooster met een roosterperiode uitgedrukt door P invalt en dat alleen eerste-orde 1 096665- 14 diffractie!icht aan de positieve zijde opwekt, en het niveauvlak waarin de wafel is gelegen wordt uitgedrukt als x-y, en de optische asrichting die direct loodrecht met x-y is wordt uitgedrukt als z, kan de amplitude, uitgedrukt als E, van het op de wafel geprojecteerde licht worden 5 uitgedrukt met de navolgende formule (1): E (x, z) = c0 + Cj exp [2nl (x / P + kz - WJ] (1) waarin, k = (1 - [1 - (λ / P) 2 ] 1/2 ) / λ (2) 10 W1 is de diffractiefasefout als gevolg van aberratie, en ^ is de Fourierintensiteit van de i-orde diffractie.

De als I uitgedrukte lichtintensiteit van het op de wafel 15 geprojecteerde beeld wordt uitgedrukt als de absolute waarde van de voornoemde E tot de tweede macht en wordt uitgedrukt door de navolgende formule (3): I (x, z) = | E (x, z) |2 20 = c02 + C!2 + 2c0c, cos [2n (x / P + kz - Wt) ] (3)

Teneinde heldere lijnen (heldere randen) te verkrijgen, dient cos [ 2tt (x / P +kz - Wj ] in de formule (2) 1 te worden. Bijgevolg geldt 25 x/P+kz-W^O (4)

Wanneer formule (4) wordt gedifferentieerd naar z, wordt de onderstaande formule (5) verkregen.

dx/dz = -knooppunt (5) 1 0 2 6 6 6 5 - 30 15

Met het bovenstaande kan worden gezien dat de mate van verschuiving (dx) van het projectiebeeld van het asymmetrische diffractierooster en de mate van verschuiving (dz) van de wafel in de optische asrichting een evenredige verhouding hebben.

5 Met de in figuur 1 getoonde reductieprojectie- belichtingsinrichting is de wafel 31, hetgeen een met fotogevoelig materiaal bekleed siliciumsubstraat is, op de wafeltrap 32 gelegen. De wafel 31 wordt geleidelijk naar de optische as verplaatst en nadat een aantal wafels 31 op een aantal optische-as-doorsnijdingspunten zijn 10 belicht, wordt het fotogevoelige materiaal op de wafel 31 in een ontwikkel inrichting nat geëtst. De verandering in de relatieve afstanden van de projectiebeeldposities van zowel het asymmetrische diffractierooster 22a als het licht-afschermende patroon 61a wordt dan onder een aftast-elektronenmicroscoop ("scanning electron microscope") 15 (SEM), een atomische krachtmicroscoop ("atomic force microscope") (AFM) of dergelijke geobserveerd.

De resultaten zijn in de grafiek van figuur 8 getoond, waarin de horizontale as de optische-as-doorsnijdingspunten op het oppervlak van de wafel 31 representeert en de verticale as de relatieve 20 afstand van de projectiebeeldposities representeert. Er kan een relatie worden gezien wanneer de wafel 31 lOOnm wordt verschoven waarbij de relatieve afstand een verandering van ongeveer 25nm ondergaat. Hetzelfde geldt voor de relatieve afstand van de projectiebeeldposities van het andere asymmetrische diffractierooster 22b en het licht-afschermende 25 patroon 61b, het asymmetrische diffractierooster 22c en het licht- afschermende patroon 61c en eveneens het asymmetrische diffractierooster 22d en het licht-afschermende patroon 61d.

Bijgevolg is het mogelijk om de benaderingsformule (een lineaire-functieformule) te berekenen welke de verhouding uitdrukt tussen 30 de relatieve afstand van de projectiebeeldposities en de optische-as- doorsni jdingspunten op het oppervlak van de wafel 31. Bijgevolg kunnen de 1026665- 16 optische-as-doorsnijdingspimten van de wafel 31 worden afgeleid door het in de berekende benaderingsformule substitueren van de werkelijk gemeten waarden van de relatieve afstand van de projectiebeeldposities.

In het geval waarin de reticule 5, welke het in figuur 3 5 getoonde testpatroon 20a verschaft, opnieuw op de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting is geplaatst, representeren de verschillen in de brandpunten van de geprojecteerde beelden van het asymmetrische diffractierooster 22a en het loodrecht aangrenzende asymmetrische diffractierooster 22b het astigmatisme van het optische 10 stelsel van 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting. Bijgevolg, wanneer de benaderingsformules die de lineaire relatie tussen de projectiebeeldposities van elk van de asymmetrische diffractieroosters 22a en 22b en de optische-as-doorsni jdingspunten van de wafel uitdrukken worden berekend, kan de 15 astigmatische aberratie uit de verschillen in de intercepties van elke benaderingsformule worden afgeleid. Hetzelfde geldt voor de loodrecht aangrenzende asymmetrische diffractieroosters 22b en 22c, de asymmetrische diffractieroosters 22c en 22d en ook voor de asymmetrische diffractieroosters 22d en 22a.

20 Nadat de relatieve afstanden van de projectiebeeldposities van de asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d en de licht-afschermende patronen 61a, 61b, 61c, 61d van het in figuur 3 getoonde testpatroon zijn verkregen, zal vervolgens een inrichting voor het bewaken van het optische stelsel voor het afleiden van de aberratie en 25 defocussering van het optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting worden beschreven middels figuur 9. De inrichting voor het bewaken van het optische stelsel volgens de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvat in het bijzonder een centrale verwerkingseenheid ("central processing unit") (CPU) 300, een 30 optisch informatiegeheugen 335, een invoerinrichting 312, een uitvoerinrichting 313, een programmageheugen 330 en een tijdelijk 1 026665- 17 geheugen 331. De CPU 300 omvat verder een projectiebeeldinformatie-extractieorgaan 325 en een kalibratie-informatieverschaffingsorgaan 315.

Het projectiebeeldinformatie-extractieorgaan 325 omvat een benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 en verwerft de informatie van de 5 projectiebeelden van het asymmetrische diffractierooster 22a en het licht-afschermende patroon 61a op de wafel 31 samen met de informatie van de optische-as-doorsnijdingspunten van de in figuur 1 getoonde wafel 31. Het projectiebeeldinformatie-extractieorgaan 325 verwerft voorts een veelheid beeldinformatie op een aantal optische-as-doorsnijdingspunten. 10 Het in figuur 9 getoonde benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 onttrekt informatie welke de relatie tussen de relatieve afstand van de projectiebeeldposities van het asymmetrische diffractierooster 22a en het in figuur 8 getoonde licht-afschermende patroon 61a en de optische-as-doorsni jdingspunten op het oppervlak van de wafel 31 uitdrukken. Het 15 benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 berekent verder de benaderingsformule die wordt gebruikt voor het uitdrukken van de relatie tussen de relatieve afstanden van de projectiebeeldposities en de optische-as-doorsnijdingspunten. Berekening op dezelfde wijze onder toepassing van een benaderingsformule geldt ook voor de projectiebeelden 20 van de andere asymmetrische diffractieroosters 22b, 22c, 22d en ook de licht-afschermende patronen 61b, 61c, 61d.

Het in figuur 9 getoonde optische informatiegeheugen 335 omvat een benaderingsformule-opslagdeel 310 en een brandpuntopslagdeel 311. Het benaderingsformule-opslagdeel 310 slaat de door het 25 benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 berekende formule op. Het brandpuntopslagdeel 311 slaat het brandpunt en de brandpuntsdiepte op van het optische stelsel 140 in de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting. De uit het ontwerp van het optische stelsel 140 afgeleide theoretische waarden kunnen evenals het brandpunt en de 30 brandpuntsdiepte in het brandpuntopslagdeel 311 worden opgeslagen. Het bereik van optische-as-doorsnijdingspunten van de wafel 31, dat wordt 1026665- 18 geïntroduceerd door een toelaatbare fotogevoelige patroonvorm op de wafel 31, kan eveneens zoals het brandpunt en de brandpuntsdiepte worden opgeslagen. Een dergelijk bereik wordt bepaald door het eerder belichten van de wafel 31 met een veelheid van optische-as-doorsnijdingspunten op 5 het inrichtingspatroon 15 van de reticule 5.

Het in figuur 9 getoonde kalibratie-informatie- verschaffingsorgaan 315 omvat een aberratieberekeningsorgaan 323, een defocusseringsberekeningsorgaan 302 en een defocusseringsbeoordelings-module 303. Het aberratieberekeningsorgaan 323 vergelijkt de veelheid van 10 door het benaderingsformule-opslagdeel 310 opgeslagen benaderingsformules en berekent de aberratie van het optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde projectiebelichtingsinrichting. Het in figuur 9 getoonde defocusseringsberekeningsorgaan 302 substitueert de relatieve afstand van de werkelijk gemeten posities van de projectiebeelden van de 15 asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d en de licht- afschermende patronen 61a, 61b, 61c, 61d op de wafel 31, welke door de invoerinrichting 312 in de, in het benaderingsformule-opslagdeel 310 opgeslagen benaderingsformule worden ingevoerd. Het defocusserings-berekeningsorgaan 302 berekent dan de berekende positie van de wafel 31. 20 De in figuur 9 getoonde defocusseringsbeoordelingsmodule 303 vergelijkt de berekende positie van de wafel 31, afgeleid door het defocusserings-berekeningsorgaan 302, met het in het brandpuntopslagdeel 311 opgeslagen brandpunt, beoordeelt of de defocussering al dan niet binnen een toelaatbaar bereik is en geeft de resulterende beslissing af aan de 25 uitvoerinrichting 313.

Voorts kunnen toetsenborden, muisaanwijzers en dergelijke als invoerinrichting 312 worden gebruikt en kunnen vloeibaar-kristal weergeefinrichtingen ("liquid cristal display devices") (LCD) licht-emitterende dioden (LED) en dergelijke als uitvoerinrichting 313 worden 30 gebruikt. Het programmageheugen 330 slaat programma's op die de CPU 300 nodig heeft om de overdracht van data van de aangesloten inrichtingen te 1026665- 19 beheren en berekent de benaderingsformule en de defocussering. Het tijdelijke geheugen 331 slaat de data van de berekeningsprocessen van de CPU 300 tijdelijk op.

Vervolgens zal een werkwijze worden beschreven voor het 5 bewaken van het optische stelsel onder toepassing van de in figuur 2 getoonde reticule 5 en de in figuur 9 getoonde inrichting voor bewaking van het optische stelsel. De werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel test of er al dan niet aberratie is opgetreden in het optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectiebelichtings-10 inrichting, of de wafel 31 al dan niet geschikt gesitueerd is in het brandpunt. Als eerste wordt de werkwijze beschreven voor het bewaken van het optische stelsel die de aberratie van het optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting berekent, onder toepassing van de figuren 1, 3, 9 en 10.

15 (a) In een stap S101 van figuur 10 worden de testpatronen 20a, 20b, 20c van de reticule 5 door de in figuur 1 getoonde reductieprojectiebel ichtingsinrichting op de wafel 31 geprojecteerd. Een groot deel van de wafel 31 wordt geprepareerd en belicht onder een veelheid van optische-as-doorsnijdingspunten terwijl de wafeltrap 32 geleidelijk 20 beweegt. Na het ontwikkelen van de wafel 31 wordt de beeldinformatie van de beelden van de asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d en worden de op het oppervlak van de wafel 31 geprojecteerde licht-afschermende patronen 61a, 61b, 61c, 61d door de invoerinrichting 312 aan het projectiebeeldinformatie-extractieorgaan 325 toegevoerd.

25 (b) In een stap S151 onttrekt het benaderingsformule- berekeningsorgaan 301 van het projectiebeeldinformatie-extractieorgaan 325 de relatie tussen de optische-as-doorsnijdingspunten van de wafel 31 en de relatieve afstand van de beelden van het asymmetrische diffractierooster 22a en het op het oppervlak van de wafel 31 30 geprojecteerde licht-afschermende patroon 61a. In het bijzonder onttrekt het benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 het bovenstaande uit een 1026665- 20 veelheid van beeldinformatie en berekent achtereenvolgens een benaderingsformule. De andere benaderingsformules worden op dezelfde wijze voor de andere asymmetrische diffractieroosters 22b t/m 22d evenals de 1icht-afschermende patronen 61b t/m 61d berekend.

5 (c) In een stap 102 slaat het benaderingsformule-opslagdeel 310 de door het benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 berekende benaderingsformules op. In een stap S161 leest het aberratieberekenings-orgaan 323 van het kalibratie-informatieverschaffingsorgaan 315 de veelheid van in het benaderingsformule-opslagdeel 310 opgeslagen 10 benaderingsformules, vergelijkt deze en berekent dan de aberratie van het optische stelsel 140. In een stap $103 geeft het kalibratie-informatie-verschaffingsorgaan 315 de door het kalibratie-informatie- verschaffingsorgaan 315 afgeleide aberratie door aan de uitvoerinrichting 313, waarmee de inspectie eindigt.

15 In het navolgende zal de werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel die de defocussering van het optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting berekent worden beschreven onder toepassing van de figuren 1, 3, 9 en 11.

(a) In een stap S110 van figuur 11 beoordeelt het 20 benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 of er al dan niet benaderingsformules zijn afgeleid voor de objectieve reticule en of deze zijn opgeslagen in een, in figuur 9 getoond benaderingsformule-opslagdeel 310. Wanneer de benaderingsformules niet zijn opgeslagen, berekent het benaderingsformuleberekeningsorgaan 301 de benaderingsformules op 25 dezelfde wijze als in de stappen S101, S151, S102 zoals deze voorkomen in de beschrijving van figuur 10. De berekende benaderingsformules worden dan in het benaderingsformule-opslagdeel 310 opgeslagen en de test gaat voort naar stap S162. Anderzijds, in het geval waarin de benaderingsformules reeds in het benaderingsformule opslagdeel 310 zijn opgeslagen, 30 gaat de test direct voort naar de stap S162.

(b) In de stap S162 van figuur 11 worden de in het, in 1026665- 21 figuur 9 getoonde benaderingsformule-opslagdeel 310 opgeslagen benaderingsformule en de gemeten relatieve afstanden van de projectie-beelden op de wafel 31 ingevoerd via de invoerinrichting 312, weg opgeslagen door het in figuur 9 getoonde defocusseringsberekeningsorgaan 5 302. De projectiebeelden op de in figuur 1 getoonde wafel 31 worden geprojecteerd vanaf de asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d en de in figuur 3 getoonde 1icht-afschermende patronen 61a, 61b, 61c, 61d. Het defocusseringsberekeningsorgaan 302 substitueert de werkelijk gemeten waarden van de relatieve afstanden van de werkelijk gemeten 10 posities in de variabele van de relatieve afstand in de benaderingsformule en berekent dan de berekende positie van de wafel 31. De berekende positie wordt overgedragen aan de in figuur 9 getoonde defocusseringsbeoordelingsmodule 303.

(c) In een stap S163 van figuur 11 worden het brandpunt en 15 de brandpuntsdiepte van het optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting aan de in figuur 9 getoonde defocusseringsbeoordelingsmodule 303 toegevoerd. De defocusserings-beoordelingsmodule 303 berekent de defocusering uit het verschil van het brandpunt en de berekende positie van de wafel 31, zoals 20 afgeleid in de stap S162. De berekende defocussering wordt vergeleken met de brandpuntsdiepte en wanneer bijvoorbeeld wordt geoordeeld dat de defocussering zich binnen het brandpuntdieptebereik bevindt, wordt beslist dat er geen correctie van het optische stelsel 140 nodig is. Wanneer bijvoorbeeld wordt geoordeeld dat de defocussering zich buiten 25 het brandpuntsdieptebereik bevindt, wordt beslist dat het nodig is om de wafel trap 32 te verplaatsen in de richting welke de afgeleide defocussering zal opheffen.

(d) In een stap S103 van figuur 11 geeft het in figuur 9 getoonde kalibratie-informatieverschaffingsorgaan 315 de in stap S163 van 30 figuur 11 verkregen beoordelingsresultaten door aan de uitvoer-inrichting 313, waarmee de test eindigt.

1 02 6665- 22

Zoals boven getoond, door het toepassen van de in figuur 2 getoonde reticule 5, de inrichting voor het bewaken van het optische stelsel zoals getoond in figuur 9 en de in figuur 10 getoonde werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel, wordt het mogelijke om de 5 aberratie van het optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting te inspecteren. Door toepassing van de werkwijze voor het bewaken van het in figuur 11 getoonde optische stelsel wordt het ook mogelijk om te inspecteren of de wafel 31 al dan niet geschikt op het brandpunt op de, in figuur 1 getoonde 10 reductieprojectie-belichtingsinrichting is geplaatst. In die gevallen waarin defocussering optreedt, is het voorts mogelijk om de focussering in een korte tijdsperiode aan te passen door de wafel trap 32 te verplaatsen in de richting welke de berekende defocussering zal opheffen. Omdat de met een testpatroon uitgeruste testreticules en de met een 15 inrichtingspatroon uitgeruste product!ereticules ook gebruikelijk worden gescheiden, is het nodig om de testreticule uit te wisselen voor de productiereticule na het met een testreticule corrigeren van het optische stelsel. Omdat de reticule 5 echter de testpatronen 20a, 20b, 20c en de inrichtingspatronen 15a-15c bevat, is het mogelijk om de geïntegreerde 20 halfgeleiderschakeling direct na het corrigeren van het optische stelsel 140 te vervaardigen, zonder uitwisseling van de reticules. Voorts is het ook mogelijk om continu te inspecteren op het voorkomen van abnormaliteiten tijdens het vervaardig!ngsproces van de geïntegreerde halfgeleider. In het geval van de productie van verschillende partijen 25 van geïntegreerde halfgeleiderschakelingen, kan door het observeren en vergelijken van de relatieve afstand van de projectiebeelden van de asymmetrische diffractieroosters 22a, 22b, 22c, 22d en de licht-afschermende patronen 61a, 61b, 61c, 61d op de wafel 31 voor elke partij, continu worden geïnspecteerd of er al dan niet defocussering in de 30 reductieprojectie-belichtingsinrichting is opgetreden. In gevallen waarin de defocussering het toelaatbare bereik heeft overschreden, is het 1026665- 23 mogelijk om, door verplaatsing van de wafeltrap 32 in de richting die de defocussering opheft middels de in figuur 11 getoonde werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel, de vervaardiging van de geïntegreerde halfgeleiderschakelingen direct te hervatten. De tijd die wordt gebruikt 5 om het brandpunt van het optische stelsel van een belichtingsinrichting in te stellen is bijgevolg in het vervaardigingsproces voor de geïntegreerde halfgeleiderschakeling grotendeels gereduceerd, hetgeen leidt tot een reductie in de productiekosten.

De in figuur 2 getoonde testpatronen 20a, 20b, 20c van de 10 reticule 5 zijn voorts niet beperkt tot de in figuur 3 getoonde rangschikking. Het rangschikken van het asymmetrische diffractierooster 122a dat de asymmetrische diffractiedelen 113a, 113b, 113c,... bevat, de 1icht-afschermende banden 170a, 170b, 170c,... en het asymmetrische diffractierooster 122b dat de asymmetrische diffractiedelen 213a, 213b, 15 213c..., bevat, en de 1 icht-afschermende banden 270a, 270b, 270c,...

teneinde in de ingestelde richting te vloeien, zoals getoond in de figuren 12 en 13 is een alternatief. Wanneer een reticule 5 die de asymmetrische diffractieroosters 122a, 122b omvat wordt blootgesteld aan de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting, bewegen 20 de projectiebeeldposities van de asymmetrische diffractierooster 122a, 122b, onderling in tegengestelde richting op de wafel 31 wanneer de wafel 31 in de richting van de optische as wordt verplaatst. Bijgevolg is het mogelijk om de lineaire relatie van de projectiebeeldposities en de optische-as-doorsnijdingspunten van de wafel 31 te observeren met de 25 dubbele gevoeligheid van die van de in figuur 3 getoonde rangschikking. Ook is het, zoals getoond in figuur 14, mogelijk om de relatieve afstand van de projectiebeeldposities van zowel het asymmetrische diffractierooster 122a als het 1icht-afschermende patroon 62 te meten door de patronen van het asymmetrische diffractierooster 122a en het 30 1icht-afschermende patroon 62 zo op te stellen, dat de langsrichtingen hetzelfde zijn.

1026665- 24

Vervolgens zal een werkwijze worden beschreven voor het vervaardigen van reticule welke het in figuur 5 getoonde asymmetrische diffractierooster 122a omvat en het in figuur 6 getoonde inrichtingspatroon 15a samen op hetzelfde maskersubstraat, onder 5 toepassing van de figuren 15 t/m 22.

(a) Zoals getoond in figuur 15, wordt een maskersubstraat vervaardigt van een substantie zoals gesmolten siliciumdioxideglas vervaardigd. Vervolgens wordt een 1icht-afschermende film 27 gemaakt van een substantie zoals chroom op het oppervlak van het maskersubstraat 1 10 neergeslagen onder toepassing van een proces zoals vacuümdepositie. Voorts wordt een eerste fotogevoelige film 8 op de 1icht-afschermende film 27 bekleed middels "spincoating" en worden eerste openingen 35a, 35b, 35c, 35d, 35e en eerste openingen 45a, 45b, opgelijnd onder toepassing van het fotolithografieproces.

15 (b) De delen van de 1icht-afschermende film 27 die door de eerste openingen 35a, 35b, 35c, 35d, 35e en de eerste openingen 45a, 45b blootliggen worden selectief weggeëtst met een anisotrope etsing totdat het maskersubstraat wordt blootgelegd, waarbij de eerste fotogevoelige film 8 als een masker wordt gebruikt. Hierna wordt de eerste 20 fotogevoelige film 8 verwijderd onder toepassing van een verwijden'ngsmiddel en worden de licht-afschermende maskers 7a, 7b, 7c, 7d en de licht-afschermende banden 70a, 70b op het oppervlak van het maskersubstraat 1 gevormd, zoals getoond in figuur 16.

(c) Met een spincoater wordt een tweede fotogevoelige film 25 8 op het maskersubstraat 1 bekleed. Hierna, zoals getoond in figuur 17, worden tweede openingen 36a, 36b en tweede openingen 46a, 46b opgelijnd onder toepassing van het fotolithografieproces. De delen van het maskersubstraat 1 die door de tweede openingen 36a, 36b en de tweede openingen 46a, 46b blootliggen worden met de anisotrope etsing selectief 30 weggeëtst, onder toepassing van de tweede fotogevoelige film 8 als een masker, en worden asymmetrische diffractiedelen 131a, 131b, 13a, 13b 1026665- 25 opgelijnd zoals getoond in figuur 18. In dit proces worden de asymmetrische diffractiedelen 131a, 131b, 13a, 13b opgelijnd op een diepte waarin het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven faseverschil van het belichtingslaserlicht 90 graden bereikt.

5 (d) Zoals getoond in figuur 19, wordt de tweede fotogevoelige film 18 met een verwijdenngsmiddel verwijderd. Hierna wordt het maskersubstraat 1 door de spincoater bekleed met een derde fotogevoelige film 28 en worden derde openingen 37a, 37b opgelijnd onder toepassing van het fotolithografieproces zoals getoond in figuur 20.

10 (e) Het maskersubstraat 1 wordt voorts selectief geëtst vanaf de asymmetrische diffractiedelen 131a, 131b die blootliggen door de derde openingen 37a, 37b met een isotroop etsproces onder toepassing van de derde fotogevoelige film 28 als een masker en worden symmetrische diffractiedelen 23a, 23b opgelijnd. In dit proces worden de symmetrische 15 diffractiedelen 23a, 23b opgelijnd tot een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van de maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 180 graden bereikt. Hoewel het toelaatbaar is om verder te etsen onder toepassing van het anisotrope etsproces, wordt wanneer het isotrope etsproces voor het etsen in de zijwandrichting 20 gebruikt, zoals getoond in figuur 21, de afmetingsprecisie van het geprojecteerde beeld door de vervaardigde reticule verbeterd.

(f) Tenslotte wordt de derde fotogevoelige film 28 met een verwijderingsmiddel verwijderd. Zoals getoond in figuur 22, worden zowel het inrichtingspatroon 15a dat de licht-afschermende maskers 7a t/m 7d 25 omvat en de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b en het asymmetrische diffractierooster 22a dat de licht-afschermende banden 70a, 70b en de asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b bevat op het maskersubstraat 1 gevormd. Hiermee is de reticule volgens deze uitvoeringsvorm voltooid.

Het is moeilijk gebleken om zowel een asymmetrische 30 diffractiedeel als een diffractiedeel met verschillende fasen samen op het maskersubstraat tot stand te brengen. Bijgevolg is het noodzakelijk 1026665- 26 om twee maskers te vervaardigen, een voor de testreticule welke een asymmetrische diffractierooster omvat en een voor de productiereticule welke een inrichtingspatroon omvat. In de boven uiteengezette vervaardigingswerkwïjze, in het in de figuren 17 t/m 18 getoonde proces, 5 blijft echter nadat elk van de asymmetrische diffractiedelen 131a, 131b, 13a, 13b zijn opgelijnd door een anisotrope etsing tot een diepte waarop het faseverschil van het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 90 graden bereikt, de tweede fotogevoelige film 18 nog steeds achter nadat de anisotrope etsing door 10 een verwijderingsmiddel, in het in figuur 19 getoonde proces is verwijderd. Vervolgens, zoals getoond in figuur 20, wordt de derde fotogevoelige film 28 gevormd en worden de asymmetrische diffractiedelen 131a, 131b verder geëtst met isotrope etsing tot een diepte waarop het faseverschil van het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 15 doorgegeven belichtingslaserlicht 180 graden bereikt en worden de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b gevormd. Met een dergelijke vervaardigingswerkwijze is het mogelijk om beide diffractiepatronen te vormen met verschillende belichtingslaserlichtfaseverschillen, zoals het inrichtingspatroon en het asymmetrische diffractiepatroon, op het 20 maskersubstraat 1 met een hoog precisieniveau. Het contrast van het project!ebeeld wordt ook verbeterd wanneer de fotogevoelige film wordt belicht met een reticule welke symmetrische diffractiedelen bezit die gedeeltelijk naar de lagere gebieden van de licht-afschermende maskers zijn geëtst. Zoals in de voornoemde vervaardigingswerkwijze is het, 25 wanneer het maskersubstraat 1 verder wordt geëtst vanaf de asymmetrische diffractiedelen 131a, 131b zoals getoond in figuur 18 met isotrope etsing nadat de asymmetrische diffractiedelen 131a, 131b zijn opgelijnd met anisotrope etsing, mogelijk om de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b te vormen die gedeeltelijk naar de lagere gebieden van de afschermende 30 maskers 7b t/m 7e zijn geëtst, zoals getoond in figuur 22, met een hoog preci sieniveau.

1026665- 27 (EERSTE MODIFICATIE VAN DE UITVOERINGSVORM)

Figuur 23 is een doorsnedeaanzicht van het asymmetrische diffractierooster van de reticule volgens een eerste modificatie van de uitvoeringsvorm. Verschillend van de in figuur 5 getoonde asymmetrische 5 diffractiedelen 13a, 13b, 13c worden afwisselend asymmetrische diffractiedelen 93a, 93b, 93c, ... en U-type asymmetrische diffractiedelen 94a, 94b, 94c, ... tot stand gebracht. Andere aspecten zijn gelijk aan die van het in figuur 5 getoonde asymmetrische diffractierooster, zodat de beschrijving hiervan wordt weggelaten.

10 De asymmetrische diffractiedelen 93a, 93b, 93c, ... en de U-type asymmetrische diffractiedelen 94a, 94b, 94c, ... zijn hier alle in het inwendige van het maskersubstraat 1 nabij het oppervlak tot stand gebrachte groeven, en worden alle opgelijnd op een diepte waarop het faseverschil van het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 15 doorgegeven belichtingslaserlicht 105 graden bereikt. De U-type asymmetrische diffractiedelen 94a, 94b, 94c, ... worden alle opgelijnd op een diepte waarop het faseverschil van het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 75 graden bereikt. Het maskersubstraat 1 is van een substantie zoals bijvoorbeeld gesmolten 20 si 1iciumdioxideglas, dat een brekingsindex van 1,56 bezit en in een geval wordt belicht met een argonfluor-(ArF)-excimeerlaser met een golflengte van 193nm, waarbij de asymmetrische diffractiedelen 93a, 93b, 93c, ... alle diepten hebben van 100,5 nm, de U-type asymmetrische diffractiedelen 94a, 94b, 94c, ... alle diepten hebben van 71,8 nm. Het is mogelijk om 25 het in figuur 1 getoonde optische stelsel 140 te inspecteren onder toepassing van de in figuur 9 getoonde inrichting voor bewaking van het optische stelsel en de in de figuren 10 en 11 getoonde werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel, zelfs in gevallen waarin belichting onder toepassing van een in figuur 1 getoonde reductieprojectie-30 belichtingsinrichting een reticule 5 heeft die een in figuur 23 getoond asymmetrisch diffractierooster omvat, omdat de optische-as- 1026665- 28 doorsnijdingspunten van de wafel 31 en de projectiebeeldposities van het asymmetrische diffractierooster een lineaire relatie bezitten.

Vervolgens zal een werkwijze worden beschreven voor het vervaardigen van de reticule welke het in figuur 3 getoonde asymmetrische 5 diffractiepatroon bezit, onder toepassing van de figuren 24 t/m 28.

(a) De licht-afschermende maskers 7a t/m 7d en de licht-afschermende banden 70a, 70b op het oppervlak van het maskersubstraat 1 worden gevormd onder toepassing van de werkwijze zoals uiteengezet in de figuren 15 en 16. Verder wordt de tweede fotogevoelige film 18, die elk 10 van de tweede openingen 36a, 36b en een tweede opening 38 bezit, op het oppervlak van het maskersubstraat 1 gevormd, zoals getoond in figuur 24. Het maskersubstraat 1 is samengesteld uit een substantie zoals gesmolten si 1iciumdioxideglas en de licht-afschermende maskers en banden worden gevormd van een substantie zoals chroom.

15 (b) De secties van het maskersubstraat 1 die door de tweede openingen 36a, 36b, 38 blootliggen worden selectief geëtst met anisotrope etsing, vervolgens wordt elk van de asymmetrische diffractiedelen 231a, 231b, 93 opgelijnd zoals getoond in figuur 25. Elk van de asymmetrische diffractiedelen 231a, 231b, 93 worden opgelijnd tot een diepte waarop het 20 faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat doorgegeven belichtingslaserlicht 105 graden bereikt.

(c) Na verwijdering van de tweede fotogevoelige film 18 met een verwijdenngsmiddel zoals getoond in figuur 26, wordt de derde fotogevoel i ge film 28 op het oppervlak van het maskersubstraat 1 bekleed door 25 de spincoater, zoals getoond in figuur 27. Derde openingen 63a, 63b en een derde opening 64 worden opgelijnd onder toepassing van het foto-lithografieproces.

(d) De secties van het maskersubstraat 1 die door de derde openingen 63a, 63b, 64 worden blootgelegd, worden selectief met isotrope 30 etsing geëtst. Bijgevolg is elk van de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b en het asymmetrische diffractiedeel 94 opgelijnd zoals getoond in 1026665- 29 figuur 28. In dit proces wordt elk van de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b opgelijnd tot een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 180 graden bereikt en wordt het asymmetrische diffractiedeel 94 opgelijnd 5 tot een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 75 graden bereikt.

(e) Tenslotte wordt de derde fotogevoelige film 28 met een verwijderingsmiddel verwijderd, waarmee de reticule is voltooid die zowel 10 het inrichtingspatroon als het asymmetrische diffractiepatroon omvat op het oppervlak van het maskersubstraat 1, zoals getoond in figuur 29. De inrichtingspatronen omvatten licht-afschermende maskers 7a t/m 7d en symmetrische diffractiedelen 23a en 23b. Het asymmetrische diffractierooster omvat de asymmetrische diffractiedelen 93, 94 en de 15 1icht-afschermende band 70a, 70b.

(TWEEDE MODIFICATIE VAN DE UITVOERINGSVORM)

Figuur 30 is een doorsnedeaanzicht van het asymmetrische diffractierooster van de reticule overeenkomstig een tweede modificatie 20 van de onderhavige uitvinding. Anders dan de asymmetrische diffractiedelen 13a, 13b, 13c, ... zoals getoond in figuur 5, zijn getrapte diffractiedelen 86a, 86b, 86c, ..., tot stand gebracht. Elk van de getrapte diffractiedelen 86a, 86b, 86c, ... omvat een sectie die daalt op een trapachtige wijze. Andere structurele aspecten zijn gelijk aan het 25 in figuur 5 getoonde asymmetrische diffractierooster, zodat de beschrijving hiervan is weggelaten.

De stapvormige gebieden van het getrapte diffractiedeel 86a omvatten hier een faseverschil-transparant vlak 100a, een faseverschil -transparant vlak 101a en een equifase-transparant vlak 102a. Het 30 faseverschil-transparant vlak 100a is geplaatst op een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 1026665- 30 doorgegeven belichtingslaserlicht 60 graden bereikt, het faseverschil-transparant vlak 101a is geplaatst op een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 120 graden bereikt, en het equifase-transparante 5 vlak 102a is geplaatst op een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 180 graden bereikt. Bijgevolg is in het geval van belichting met een argonfluor-(ArF)-excimeerlaser met een golflengte van 193 nm het faseverschil-transparante vlak 100a geplaatst op een diepte van 57,4 nm, 10 is het faseverschil-transparante vlak 101a geplaatst op een diepte van 114,9 nm en het equifase-transparante vlak 102a geplaatst op een diepte van 172,3 nm ten opzichte van het oppervlak van het maskersubstraat 1, dat is samengesteld uit gesmolten siliciumdioxideglas en een brekingsindex van 1,56 heeft. De andere getrapte diffractiedelen 86b, 15 86c, ..., elk identiek qua rangschikking, bezit de faseverschil - transparante vlakken 100b, 100c, .... de faseverschil-transparante vlakken 101b, 101c, 101 ..., en de equifase-transparante vlakken 102b, 102c.....Het is mogelijk om het in figuur 1 getoonde optische stelsel te inspecteren onder toepassing van de inrichting voor bewaking van het 20 optische stelsel zoals getoond in figuur 9 of de werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel zoals getoond in de figuren 10 en 11, zelfs in die gevallen waarbij belichting plaatsvindt door de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting te voorzien van de reticule 5 welke het in figuur 30 getoonde asymmetrische 25 diffractierooster omvat, vanwege de lineaire relatie die de optische-as- doorsnijdingspunten van de wafel 31 en de projectiebeeldposities van het asymmetrische diffractierooster bezitten.

Vervolgens zal een werkwijze worden beschreven voor het vervaardigen van de reticule welke het in figuur 30 getoonde 30 asymmetrische diffractierooster omvat, onder toepassing van de figuren 31 t/m 35.

1 026665- 31 (a) Met de in de figuren 15 t/m 17 gegeven vervaardigings-werkwijze, worden de licht-afschermende maskers 7a t/m 7d, de licht-afschermende banden 70a, 70b en de tweede fotogevoelige film 18 met tweede openingen 36a, 36b en tweede openingen 58a, 58b gevormd zoals 5 getoond in figuur 31.

(b) De secties van het maskersubstraat 1 die door de tweede openingen 36a, 36b, 58a, 58b blootliggen worden selectief geëtst met anisotrope etsing, vervolgens worden de asymmetrische diffractiedelen 29a, 29b, 30a, 30b uitgelijnd zoals getoond in figuur 32. De 10 asymmetrische diffractiedelen 29a, 20b, 30a, 30b worden uitgelijnd op een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht 120 graden bereikt.

(c) Na gebruik van een verwijden'ngsmiddel voor het verwijderen van de tweede fotogevoelige film 18, wordt de derde foto- 15 gevoelige film 48 op het oppervlak van het maskersubstraat 1 bekleed door de spincoater en worden derde openingen 97a, 97b, 98a, 98b, 99a, 99b opgeiijnd.

(d) Tenslotte wordt, na het selectief etsen van de secties van het maskersubstraat 1 die door de derde openingen 97a, 97b, 98a, 98b, 20 99a, 99b blootliggen, middels isotrope etsing, de derde fotogevoelige film 48 verwijderd onder toepassing van het verwijden*ngsmiddel. Vervaardiging van de reticule welke een inrichtingspatroon en een asymmetrisch diffractierooster op het maskersubstraat 1 bevat is derhalve voltooid zoals getoond in figuur 35. Het inrichtingspatroon omvat de 25 1icht-afschermende maskers 7a t/m 7d en de symmetrische diffractiedelen 23a, 23b. Het asymmetrische diffractierooster omvat de licht-afschermende banden 70a, 70b en de getrapte diffractiedelen 86a, 86b.

(DERDE UITVOERINGSVORM VAN DE MODIFICATIE) 30 De reductieprojectie-belichtingsinrichting volgens een derde modificatie van de uitvoeringsvorm draagt bij aan de structurele 1026665- 32 aspecten van de in figuur 12 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting, middels een optisch inspectiestelsel met een inspect!elaserosci11ator 65a, een reflect!espi egel 68a, een bundelsplitsingsorgaan 67a en een TTL-sensor 66a. De reflectiespi egel 68a 5 geleidt het door de inspectiel aserosci11ator 65a afgegeven laserlicht naar het testpatroon 20a en de oplijnmarkering 26a van de reticule 5. Het bundelsplitsingsorgaan 67a is onder de reticule.5 geplaatst en splitst het afgegeven laserlicht. De TTL-sensor 66a ontvangt het door de bundelsplitser 67a gesplitste laserlicht.

10 Het door de inspectiel aserosci11ator 65a afgegeven laserlicht heeft een golflengte welke buiten het gevoeligheidsbereik ligt van de fotogevoelige bekleding op de wafel 31 en wordt door de reflectiespi egel 68a naar het testpatroon 20a en de oplijnmarkering 26a van de reticule geleid. Het door het testpatroon 20a en de 15 oplijnmarkering 26a doorgelaten laserlicht gaat door het bundelsplitsingsorgaan 67a en het optische projectiestelsel 42 en belicht het oppervlak van de wafel 31. De geprojecteerde beelden van het testpatroon 20a en de oplijnmarkering 26a op het oppervlak van de wafel 31 gaan door het optisch projectiestelsel 42 en het 20 bundelsplitsingsorgaan 67a en worden door de TTL-sensor 66a waargenomen.

Op dezelfde wijze omvat een optisch inspectiestelsel een inspectielaseroscillator 65b, een reflectiespiegel 68b, een bundelsplitsingsorgaan 67b en is een TTL-sensor 66b voor het testpatroon 20b evenals de oplijnmarkering 26b geplaatst. Op dezelfde wijze is een 25 optisch inspectiestelsel omvattende een inspectielaseroscillator 65c, een reflectiespiegel 68c, een bundelsplitser 67c en een TTL-sensor 66c voor het testpatroon 20c alsmede de oplijnmarkering 26c geplaatst. Andere structurele aspecten zijn gelijk aan die van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting, zodat de beschrijving daarvan is 30 weggelaten. Wanneer de reticule 5 en het optische inspectiestelsel op deze wijze worden gebruikt, wordt het mogelijk om elk van de 1 026665- 33 projectiebeelden van de testpatronen 20a, 20b, 20c te observeren terwijl de wafel 31 op de reductieprojectie-belichtingsinrichting is geplaatst. Dit, omdat het onnodig is om de wafel 31 na belichting te ontwikkelen teneinde observatie van de testpatronen 20a, 20b, 20c uit te voeren.

5 Bijgevolg wordt het mogelijk om het optische stelsel 140 van de in figuur 36 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting te inspecteren en te corrigeren onder toepassing van het in figuur 9 getoonde optische bewakingsstelsel en de in de figuren 10 en 11 getoonde werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel, zonder de wafel 31 te hoeven 10 verwisselen. Omdat de oplijnmarkeringen 26a, 26b en 26c ook elk aangrenzend aan een van de testpatronen 20a, 20b, 20c tot stand zijn gebracht, is het mogelijk om gelijktijdig de positionering van het horizontale vlak van de wafel 31 op te lijnen.

15 (VIERDE MODIFICATIE VAN DE UITVOERINGSVORM )

Figuur 37 is een bovenaanzicht van het asymmetrische diffractierooster van de reticule overeenkomstig een vierde modificatie van de uitvoeringsvorm, figuur 38 is een doorsnedeaanzicht langs de lijn I-I in figuur 37. Het asymmetrische diffractierooster volgens de vierde 20 modificatie van de uitvoeringsvorm omvat licht-afschermende banden 71a, 71b, 71c, 71d, 71e, 71f..... welke alle in elk van asymmetrische diffracti edel en 83a, 83b, 83c.....zijn verdeeld, zoals getoond in de figuren 37 en 38.

De asymmetrische diffractiedel en 83a, 83b, 83c.....zijn 25 hier alle binnen het maskersubstraat 1 nabij het bovenoppervlak tot stand gebrachte groeven, op een diepte waarop het faseverschil van het naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven belichtingslaserlicht een veelheid is van een waarde welke groter is dan 0 graden en kleiner dan 180 graden. De asymmetrische diffractiedel en 83a, 83b, 83c, ..., worden 30 bijvoorbeeld tot stand gebracht op een diepte waarop het faseverschil van het, naar het oppervlak van het maskersubstraat 1 doorgegeven 1026665- 34 belichtingslaserlicht 90 graden bereikt. De opbouw van de reticule overeenkomstig de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm, welk op deze wijze een asymmetrisch diffractierooster omvat, is identiek aan de in figuur 2 getoonde reticule 5 zodat de beschrijving hiervan is weggelaten.

5 Het volgende geval wordt omwille van de beschrijving geïntroduceerd: de reticule 5, welke het in de figuren 37 en 38 getoonde asymmetrische diffractierooster bevat is op de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting geplaatst. Een wafel 31, samengesteld uit een siüciumsubstraat en bekleed met een fotogevoelige 10 film, wordt met een argon-fluor-(ArF)-excimeerlaser met een golflengte van 193 nm belicht en wordt vervolgens ontwikkeld. Het project!ebeeld van het bovengenoemde asymmetrische diffractierooster omvat licht-afschermende bandprojectiebeelden 104a, 104b, 104c, 104d, 104e, 104f, substraatoppervlakprojectiedelen 95a, 95b, 95c.....en asymmetrische 15 diffractiedeelproject!ebeelden 96a, 96b, 96c.....De 1icht-afschermende bandprojectiebeelden 104a, 104b, 104c, 104d, 104e, 104f behoren tot de licht-afschermende banden 71a, 71b, 71c, 71d, 71e, 71f, ..., en zijn op een zodanige wijze geplaatst teneinde opgenomen te zijn tussen de substraatoppervlakprojectiebeelden 95a, 95b, 95c, ..., welke behoren tot 20 het oppervlak van het maskersubstraat 1. De asymmetrische diffractiedeelprojectiebeelden 96a, 96b, 96c, ..., behoren tot de asymmetrische diffractiedelen 33a, 33b, 33c.....

Bij het onder de SEM, de AFM of dergelijke observeren van de in figuur 39 getoonde projectiebeelden, hebben de verkregen licht-25 afschermende bandprojectiebeelden 104a, 104b, 104c, 104d, 104e, 104f een door L gerepresenteerde breedte, hebben de substraatoppervlakprojecti ebeel den 95a, 95b, 95c.....een door SI gerepresenteerde breedte en hebben de asymmetrische diffractiedeel projectiebeel den 96a, 96b, 96c, ..., een door S2 gerepresenteerde breedte. Op deze wijze zijn er twee 30 voorwaarden welke de mate van belichting uitdrukken: belichting A en belichting B welke 1,5 maal de intensiteit van de belichting A heeft.

1026665- 35

Figuur 40 is een grafiek welke de meting van L + S2 weergeeft wanneer de wafel trap 32 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting wordt verplaatst in de richting van de optische as onder de twee mates van belichtingsvoorwaarden A en B.

5 Er is een in hoofdzaak lineaire relatie tussen de mate van verandering in de lengte van L + S2 en de mate van de verplaatsing van de wafel 31 in de richting van de optische as, zoals getoond in figuur 40. De waarde van de lengte van L + S2 ondergaat ook geen reële verandering voor het grootste deel bij schakeling van de belichting van A naar B.

10 Anderzijds, zoals getoond in figuur 41, verandert de lengte van L alleen niet zo zeer in de vaste-belichtingsvoorwaarden ten opzichte van verplaatsing van wafel 31 vanuit het brandpunt van -200 nm naar +200 nm. De lengte van L vertoont echter wel enige verandering wanneer de wafel 31 zich in een vaste positie bevindt en de belichting wordt 15 verandert van A naar B.

Zoals boven getoond, wanneer de wafel 31 wordt belicht met de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting met de reticule 5 die het in de figuren 37 t/m 38 getoonde asymmetrische diffractierooster heeft, wordt het mogelijk om te berekenen hoeveel de 20 wafel 31 afwijkt ten opzichte van het brandpunt in de richting van de optische as, onafhankelijk van de mate van belichting. Dit wordt mogelijk door observatie van het projectiebeeld van de wafel 31. Verder is ook detectie mogelijk in gevallen waarin er een verandering in de mate van belichting in een reductieprojectie-belichtingsinrichting zoals getoond 25 in figuur 41 optreedt.

Vervolgens is in figuur 42 een inrichting getoond voor het bewaken van èen optisch stelsel overeenkomstig de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm. Het deel van een CPU 400 dat verschilt van de CPU 300 van de inrichting voor bewaking van het optische stelsel zoals getoond in 30 figuur 9 is dat de CPU 400 verder een belichtingsinformatie-extractieorgaan 324 omvat. Verschillend van het optische- 1026665- 36 stelselcorrectieorgaan 315, omvat een optisch-stelselcorrect!eorgaan 415 verder een lijnbreedte-beoordelingsmodule 305. Een optisch informatiegeheugen 435 verschilt van het optische informatiegeheugen 335 door het verder omvatten van een lijnbreedte-opslagdeel 321. Andere 5 structurele aspecten zijn identiek aan die van de in figuur 9 getoonde inrichting voor bewaking van een optisch stelsel, zodat de beschrijving hiervan is weggelaten.

Het belichtingsinformatie-extractieorgaan 314 onttrekt hier uit de beeldinformatie van een in figuur 39 getoond projectiebeeld een 10 lijnbreedte L van de 1icht-afschermende bandprojectiebeelden 104a, 104b, 104c, 104d, 104e, 104f bij de optimale mate van belichting als de optimale 1ijnbreedtewaarde van L. Het lijnbreedte-opslagdeel 321 slaat de optimale lijn met de door het belichtingsinformatie-extractieorgaan 314 onttrokken waarde L op. De lijnbreedte-beoordelingsmodule 305 vergelijkt 15 de optimale 1ijnbreedtewaarde met de werkelijk gemeten waarden van de lijnbreedte L die op de te inspecteren wafel zijn gemeten en door de invoer-inrichting 312 zijn ingevoerd. De lijnbreedtebeoordelingsmodule 305 beoordeelt dan of er geen verandering van de belichting in de, in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting is opgetreden. 20 Door plaatsing van de reticule 5, welke een in de figuren 37 en 38 getoond asymmetrische diffractierooster omvat, op de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting en door gebruik van de in figuur 42 getoonde inrichting voor het bewaken van het optische stelsel, wordt het mogelijk om te inspecteren op aberratie en 25 brandpuntsafwijking in het optische stelsel 140 en wordt het ook mogelijk om te inspecteren op veranderingen in de belichting.

Vervolgens wordt een werkwijze beschreven voor het bewaken van het optische stelsel voor het inspecteren van de veranderingen in de belichting van de in figuur 1 getoonde belichtingsinrichting, onder 30 toepassing van de figuren 1, 39, 42, 43.

(a) In een stap S101 in figuur 43, wordt de wafel 31 1026665- 37 belicht met de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting en heeft de reticule 5 de testpatronen 20a t/m 20c bij de optimale belichting. Na belichting en ontwikkeling van de wafel 31, wordt beeldinformatie van het op de wafel 31 geprojecteerde beeld, 5 zoals getoond in figuur 39 geobserveerd onder de SEM of de AFM vanaf de, in figuur 42 getoonde invoerinrichting 312 aan het projectiebeeld-informatie-extractieorgaan 425 toegevoerd.

(b) In een stap S152 van figuur 43 onttrekt het belichtingsinformatie-extractieorgaan 314 van het in figuur 42 getoonde 10 projectiebeeld-informatie-extractieorgaan 425 de lijnbreedten van de licht-afschermende bandprojectiebeelden 104a, 104b, 104c, 104d, 104e, 104f zoals getoond in figuur 39 als de optimale 1ijnbreedtewaarde uit de beeldinformatie.

(c) In een stap S102 van figuur 43 wordt de in de stap S152 15 onttrokken optimale 1 ijnbreedtewaarde in het, in figuur 42 getoonde lijnbreedte-opslagdeel 321 opgeslagen samen met de informatie van de opti sche-as-doorsnijdingspunten van de wafel 31. In een stap S170 start de productie van de geïntegreerde halfgeleiderschakelingen bij de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting.

20 (d) In de stap S170, nadat geïntegreerde halfgeleider schakelingen in verschillende partijen zijn geproduceerd, worden de optimale 1ijnbreedtewaarden door het lijnbreedte-opslagdeel 321 en de werkelijk gemeten waarden van de, door de invoerinrichting 312 ingevoerde lijnbreedte weg opgeslagen in de 1ijnbreedtebeoordelingsmodule 305, in 25 een in figuur 43 getoonde stap S164. De 1ijnbreedtebeoordelingsmodule 305 vergelijkt de optimale lijnbreedtewaarde en de werkelijk gemeten waarden van de lijnbreedte en berekent de verandering in de lijnbreedte. In een stap S103 geeft het kalibratie-informatieverschaffingsorgaan 315 de berekende verandering in de lijnbreedte door aan de uitvoerinrichting 30 313, waarmee de test eindigt.

Zoals boven getoond, omvat de reticule 5 in figuur 37 en 38 1026665- 38 getoonde asymmetrische diffractieroosters en is geplaatst op de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting. Wanneer de werkwijze voor het bewaken van het optische stelsel zoals getoond in figuur 43 en de inrichting voor bewaking van het optische stelsel zoals getoond in 5 figuur 42 worden gebruikt, wordt het mogelijk om te inspecteren of er al dan niet een verandering in de belichting van de, in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting in een geïntegreerd halfgeleiderschakelingsvervaardigingsproces is opgetreden. Door het observeren van de projectiebeelden van een asymmetrische 10 diffractierooster zoals getoond in figuur 39 aan het begin en bijvoorbeeld het einde van het geïntegreerde halfgeleiderschakelings-vervaardigingsproces, wordt het mogelijk om een afname in de belichting van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie-belichtingsinrichting te herkennen, wanneer de lijnbreedte L van de licht-afschermende 15 bandprojectiebeelden 104a, 104b, 104c, 104d, 104e, 104f wordt waargenomen als zijnde toegenomen.

Bijgevolg wordt het mogelijk om als tegenmaatregel te focusseren op problemen die optreden bij de belichting met de reductieprojectie-belichtingsinrichting. Het wordt mogelijk om het 20 asymmetrische diffractierooster volgens de vierde modificatie van de uitvoeringsvorm, zoals getoond in de figuren 37 en 38, op hetzelfde maskersubstraat als zowel het inrichtingspatroon als het testpatroon vast te stellen, zoals getoond in figuur 2. Dit maakt het onnodig om te wisselen tussen de productiereticule en de testreticule welke 25 gebruikelijk voor onderhoud wordt toegepast.

Wanneer de product!eopbrengst bijgevolg verslechtert, kan de wafel 31 direct waar deze zich bevindt worden getest overeenkomstig de in de figuren 10, 11 en 43 getoonde werkwijzen. Het wordt mogelijk om duidelijk te verifiëren of er al dan niet aberratie is opgetreden in het 30 optische stelsel 140 van de in figuur 1 getoonde reductieprojectie- bel i chtingsinri chting, of de wafel 31 al dan niet is geplaatst in een 1026665- 39 punt afwijkend van het brandpunt, en of al dan niet de belichting van het optische stelsel 140 afneemt. Verder, naast de optisch gebaseerde observatiewerkwijzen welke kunnen worden gebruikt voor het observeren van het project!ebeeld van het in figuur 39 getoonde testpatroon, wanneer de 5 observatie wordt beperkt tot toepassing van de SEM of de AFM, wordt het mogelijk om de afmetingen van het testpatroongebied op de reticule zoals getoond in de figuren 37 en 38 te reduceren.

(ANDERE UITVOERINGSVORMEN) 10 Hoewel de uitvinding boven is beschreven onder verwijzing naar de uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding, is de onderhavige uitvinding niet tot de bovenbeschreven uitvoeringsvorm beperkt. Wijzigingen en variaties van de bovenbeschreven uitvoeringsvorm zullen voor deskundigen in het licht van de bovenstaande beschrijving mogelijk 15 zijn.

Het is bijvoorbeeld mogelijk om te inspecteren of de wafel in het brandpunt is geplaatst door het verschil te meten tussen de lijnbreedten SI van de substraatoppervlakprojectiebeelden 95a, 95b, 95c, ... en de lijnbreedten S2 van de asymmetrische-diffractiedeel-20 projectiebeelden 96a, 96b, 96c, ... zoals getoond in figuur 39.

Zoals bovenbeschreven, omvat de onderhavige uitvinding vele variaties aan uitvoeringsvormen. Bijgevolg is de omvang van de uitvinding gedefinieerd onder verwijzing naar de navolgende conclusies.

1026665- _ 40

Li.ist met verwi.izinqsci.ifers

300 CPU

301 benaderingsformiileberekeningsorgaan 5 302 defocusseringsberekeningsorgaan 303 defocusseri ngsbeoordeli ngsmodule 305 1i jnbreedtebeoordeli ngsmodul e 310 benaderi ngsformule-opslagdeel 311 brandpuntopslagdeel 10 312 invoerinrichting 313 uitvoerinrichtlng 314 beli chti ngsi nformati e-extracti eorgaan 315 kali brati e-i nformatieverschaffi ngsorgaan 321 lijnbreedte-opslagdeel 15 325 projectiebeeld-informatie-extractieorgaan 330 programmageheugen 331 tijdelijk geheugen

400 CPU

415 kali brati e-i nformati everschaffi ngsorgaan 20 425 projectiebeeld-informatie-extractieorgaan 435 optisch informatiegeheugen 500 Ode-orde diffractiel icht 501 +le-orde diffractielicht 502 positie van uitgangspupil (N.A.) 25 503 optische intensiteit (N.A.) 504 positie van wafeloppervlak in optische as (nm) 505 relatieve afstand van project!ebeeld (nm) 510 positie van wafeloppervlak in optische as (μιη) 511 L+S2(nm)

30 512 belichting A

513 belichting B

1026665- 41 514 brandpuntpositie 515 L(nm) 5100 start 5101 verwerven projectiebeeldinformatie 5 S102 bewaren beeldinformatie 5103 verschaffen kalibratie-informatie 5104 einde SI10 bepalen of benaderingsfunctie al dan niet is berekend ? S151 berekenen benaderingsformule 10 S152 onttrekken optimale lijnbreedte 5161 berekenen aberratie 5162 verwerven berekende wafel positie 5163 beoordelen defocussering 5164 beoordelen 1ijnbreedtevariatie 15 S170 vervaardigingsproces 1026665-

Claims

1. Reticule omvattende: een maskersubstraat; 5 een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtings-10 patroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende banden; en een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte 15 asymmetrische diffractiedel en, welke asymmetrische diffractiedel en respectievelijk aangrenzend aan één zijde van de 1 icht-afschermende banden zijn gelegen, en waarin het inrichtingspatroon omvat: een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte 20 symmetrische diffractiedel en voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden in het maskersubstraat bereikt; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende maskers waartussen de symmetrische diffractiedel en zijn opgenomen, en 25 waarin elk van de asymmetrische diffractiedel en en de symmetrisch diffractiedel en een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedel en dieper is dan elke diepte van de asymmetrische diffractiedelen, en het maskersubstraat gedeeltelijk is geëtst aan de lagere gebieden van de 1icht-afschermende maskers in de 30 symmetrische diffractiedelen.

2. Reticule omvattende: 1026665 een maskersubstraat; een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met 5 verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtings-patroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-10 afschermende banden; en een veelheid van getrapte diffractiedel en aangrenzend aan de op het maskersubstraat tot stand gebrachte licht-afschermende banden, en waarin het inrichtingspatroon omvat: 15 een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte symmetrische diffractiedel en voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden in het maskersubstraat bereikt; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende maskers waartussen de symmetrische diffractiedel en zijn 20 opgenomen, en waarin elk van de getrapte diffractiedel en en de symmetrische diffractiedel en een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedel en dieper is dan de diepte van ten minste één basis van de getrapte diffractiedelen, en het maskersubstraat 25 gedeeltelijk is geëtst aan de lagere gebieden van de licht-afschermende maskers in de synmetrische diffractiedel en.

3. Reticule volgens conclusie 2, waarin elk van de getrapte diffractiedel en omvat: een veelheid van equifase-transparante vlakken aangebracht 30 op een diepte waarop het faseverschil van licht een veelvoud van 180 graden in het maskersubstraat bereikt; en een veelheid van faseverschil-transparante vlakken aangebracht op een diepte waarop het faseverschil van het licht in het maskersubstraat een veelvoud van waarden groter dan 0 graden en kleiner dan 180 graden bereikt.

4. Reticule omvattende: een maskersubstraat; een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met 10 verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtings-patroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte 15 asymmetrische diffractiedelen; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende banden waartussen de asymmetrische diffractiedelen zijn opgenomen, en waarin het inrichtingspatroon omvat: 20 een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte symmetrische diffractiedelen voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden bereikt; en een veelheid van aan beide zijden van de symmetrische diffractiedelen aangebrachte licht-afschermende maskers, en 25 waarin elk van de asymmetrische diffractiedelen en de symmetrische diffractiedelen een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedelen dieper is dan elke diepte van de asymmetrische diffractiedelen, en het maskersubstraat gedeeltelijk is geëtst aan de lagere gebieden van de licht-afschermende maskers in de 30 symmetrische diffractiedelen.

5. Inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, omvattende: een projectiebeeld-informatie-extractieorgaan ingericht voor het verwerven van beeldinformatie van een projectiebeeld door positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractie-5 licht met verschillende diffractierendementen; door toepassing van een reticule omvattende: een maskersusbstraat; een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief 10 eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtingspatroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: 15 een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht- afschermende banden; en een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte asymmetrische diffractiedel en respectievelijk aangrenzend gelegen aan één zijde van de 1icht-afschermende banden, en 20 waarin het inrichtingspatroon omvat: een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte symmetrische diffractiedel en voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden in het maskersubstraat bereikt; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-25 afschermende maskers waartussen de symmetrische diffractiedelen zijn opgenomen, en waarin elk van de asymmetrische diffractiedel en en de symmetrische diffractiedel en een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedel en dieper is dan elke diepte van de 30 asymmetrische diffractiedel en, en het maskersubstraat gedeeltelijk is geëtst aan de lagere gebieden van de 1 icht-afschermende maskers in de symmetrische diffractiedelen; een optisch informatiegeheugen ingericht voor opslag van de beeldinformatie; en 5 een kalibratie-informatieverschaffingsorgaan ingericht voor het verschaffen van kalibratie-informatie door toepassing van de beeldinformatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

6. Inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel, omvattende: 10 een projectiebeeld-informatie-extractieorgaan ingericht voor het verwerven van beeldinformatie van een projectiebeeld door positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen door toepassing van een reticule omvattende: 15 een maskersubstraat; een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen; en 20 een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtingspatroon aangrenzend aan het testpatroon; waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende banden; en 25 een veelheid van getrapte diffractiedelen aangrenzend aan de op het maskersubstraat tot stand gebrachte licht-afschermende banden, en waarin het inrichtingspatroon omvat: een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte 30 symmetrische diffractiedelen voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden in het maskersubstraat bereikt; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende maskers waartussen de symmetrische diffractiedelen zijn opgenomen, en waarin elk van de getrapte diffractiedelen en de 5 symmetrische diffractiedelen een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedelen dieper is dan de diepte van ten minste één basis van de getrapte diffractiedelen, en het maskersubstraat gedeeltelijk is geëtst aan de lagere gebieden van de 1icht-afschermende maskers in de symmetrische diffractiedelen; 10 een optisch informatiegeheugen ingericht voor opslag van de beeldinformatie; en een kalibratie-informatieverschaffingsorgaan ingericht voor het verschaffen van kalibratie-informatie door toepassing van de beeldinformatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

7. Inrichting voor het bewaken van een optisch stelsel omvattende: een projectiebeeld-informatie-extractieorgaan ingericht voor het verwerven van beeldinformatie van een projectiebeeld door positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde 20 diffractielicht met verschillende diffractierendementen door toepassing van een reticule omvattende: een maskersubstraat; een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief 25 eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtingspatroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: 30 een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte asymmetrische diffractiedelen; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende banden waartussen de asymmetrische diffractiedelen zijn opgenomen, en waarin het inrichtingspatroon omvat: 5 een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte symmetrische diffractiedelen voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden bereikt; en een veelheid van aan beide zijden van de symmetrische diffractiedelen aangebrachte licht-afschermende maskers, en 10 waarin elk van de asymmetrische diffractiedelen en de symmetrische diffractiedelen een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedelen dieper is dan elke diepte van de asymmetrische diffractiedelen, en het maskersubstraat gedeeltelijk is geëtst aan de lagere gebieden van de licht-afschermende maskers in de 15 symmetrische diffractiedelen; een optisch informatiegeheugen ingericht voor opslag van de beeldinformatie; en een kalibratie-informatieverschaffingsorgaan ingericht voor het verschaffen van kalibratie-informatie door toepassing van de 20 beeldinformatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

8. Inrichting volgens elk van de conclusies 5-7, waarin het projecti ebeeld-i nformati e-extracti eorgaan een benaderi ngsformule-berekeningsorgaan omvat ingericht voor het berekenen van een benaderingsformule welke een lineaire relatie uitdrukt tussen een positie 25 van het projectiebeeld op een wafel en een optische-as-doorsnijdingspunt van de wafel in het optische stelsel door toepassing van de beeldinformatie.

9. Inrichting volgens conclusie 8, waarin het optische informatiegeheugen een benaderingsformule-opslagdeel omvat ingericht voor 30 opslag van de benaderingsformule.

10. Inrichting volgens conclusie 8 of 9, waarin het kalibratie- informatieverschaffingsorgaan een aberratieberekeningsorgaan omvat ingericht voor het berekenen van aberratie van het optische stelsel onder toepassing van de benaderingsformule.

11. Inrichting volgens elk van de conclusies 8-10, waarin het 5 kalibratie-informatieverschaffingsorgaan een defocusseringsberekenings- orgaan omvat ingericht voor het berekenen van een berekende positie van de wafel onder toepassing van de benaderingsformule en een gemeten positie van het projectiebeeld.

12. Inrichting volgens conclusie 11, waarin het optische 10 informatiegeheugen een brandpuntopslagdeel omvat ingericht voor opslag van een brandpunt van het optische stelsel.

13. Inrichting volgens conclusie 12, waarin het kalibratie- informatieverschaffingsorgaan een defocusseringsbeoordelingsmodule omvat ingericht om de berekende positie en het brandpunt te vergelijken.

14. Inrichting volgens elk van de conclusies 5-7, 10, 11 en 13, waarin het project!ebeeld-informatie-extractieorgaan een belichtings-informatie-extractieorgaan omvat ingericht voor het onttrekken van een optimale lijnbreedte van het projectiebeeld bij een optimale belichting.

15. Inrichting volgens conclusie 14, waarin het optische 20 informatiegeheugen een 1ijnbreedte-opslagdeel omvat ingericht voor opslag van de optimale lijnbreedte.

16. Inrichting volgens conclusie 15, waarin het kalibratie- informatieverschaffingsorgaan een lijnbreedtebeoordelingsmodule omvat ingericht om de optimale lijnbreedte en een gemeten lijnbreedte van het 25 projectiebeeld te vergelijken.

17. Werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel omvattende het: verwerven van beeldinformatie van een projectiebeeld door positief eerste-orde diffract!elicht en negatief eerste-orde diffractie-30 licht met verschillende diffractierendementen door toepassing van een reticule omvattende: een maskersubstraat; een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met 5 verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtings-patroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-10 afschermende banden; en een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte asymmetrische diffractiedelen respectievelijk aangrenzend gelegen aan één zijde van de 1icht-afschermende banden, en waarin het inrichtingspatroon omvat: 15 een veelheid op het maskersubstraat tot stand gebrachte symmetrische diffractiedelen voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden in het maskersubstraat bereikt; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte 1icht-af schermende maskers waartussen de symmetrische diffractiedelen zijn 20 opgenomen, en waarin elk van de asymmetrische diffractiedelen en de symmetrische diffractiedelen een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedelen dieper is dan elke diepte van de asymmetrische diffractiedelen, en het maskersubstraat gedeeltelijk is 25 geëtst aan de lagere gebieden van de 1 icht-afschermende maskers in de symmetrische diffractiedelen; en verschaffen van kalibratie-informatie door toepassing van de beeldinformatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

18. Werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel 30 omvattende het: verwerven van beeldinformatie van een projectiebeeld door positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen door toepassing van een reticule omvattende: een maskersubstraat; 5 een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtings-10 patroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende banden; en een veelheid van getrapte diffractiedel en aangrenzend aan 15 de op het maskersubstraat tot stand gebrachte licht-afschermende banden, en waarin het diffractiepatroon omvat: een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte symmetrische diffractiedel en voor het opwekken van een faseverschil van 20 licht dat een veelvoud van 180° in het maskersubstraat bereikt; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-af schermende maskers waartussen de symmetrische diffractiedel en zijn opgenomen, en waarin elk van de getrapte diffractiedel en en de 25 symmetrische diffractiedel en een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedelen dieper is dan de diepte van ten minste één basis van de getrapte diffractiedelen, en het maskersubstraat gedeeltelijk is geëtst aan de lagere gebieden van de licht-afschermende maskers in de symmetrische diffractiedelen; 30 verschaffen van kalibratie-informatie door toepassing van de beeldinformatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

19. Werkwijze voor het bewaken van een optisch stelsel omvattende het: verwerven van beeldinformatie van een project!ebeeld door positief eerste-orde diffract!elicht en negatief eerste-orde 5 diffractielicht met verschillende diffractierendementen door toepassing van een reticule omvattende: een maskersubstraat; een op het maskersubstraat tot stand gebracht testpatroon met een asymmetrisch diffractierooster voor het opwekken van positief 10 eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht met verschillende diffractierendementen; en een op het maskersubstraat tot stand gebracht inrichtings-patroon aangrenzend aan het testpatroon, waarin het asymmetrische diffractierooster omvat: 15 een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte asymmetrische diffractiedel en; en een veelheid van op het maskersubstraat aangebrachte licht-afschermende banden waartussen de asymmetrische diffractiedel en zijn opgenomen, en 20 waarin het inrichtingspatroon omvat: een veelheid van op het maskersubstraat tot stand gebrachte symmetrische diffractiedel en voor het opwekken van een faseverschil van licht dat een veelvoud van 180 graden bereikt; en een veelheid van aan beide zijden van de symmetrische 25 diffractiedel en aangebrachte 1icht-afschermende maskers, en waarin elk van de asymmetrische diffractiedel en en de symmetrische diffractiedel en een groef is, waarbij elke diepte van de symmetrische diffractiedelen dieper is dan elke diepte van de asymmetrische diffractiedel en, en het maskersubstraat gedeeltelijk is 30 geëtst aan de lagere gebieden van de 1icht-afschermende maskers in de symmetrische diffractiedel en; verschaffen van kalibratie-informatie door toepassing van de beeldinformatie voor het kalibreren van het optische stelsel.

20. Werkwijze volgens elk van de conclusies 17-19, verder omvattende het berekenen van een benaderingsformule welke een lineaire 5 relatie uitdrukt tussen een positie van het projectiebeeld op een wafel en een optische-as-doorsnijdingspunt op de wafel in het optische stelsel door toepassing van de beeldinformatie.

21. Werkwijze volgens conclusie 20, waarin het verschaffen van de kal ibratie-informatie verder het berekenen van aberratie van het 10 optische stelsel omvat door toepassing van de benaderingsformule.

22. Werkwijze volgens conclusie 20 of 21, waarin het verschaffen van de kal ibratie-informatie verder het berekenen van een berekende positie van de wafel omvat door toepassing van de benaderingsformule en een gemeten positie van het projectiebeeld.

23. Werkwijze volgens conclusie 22, waarin het verschaffen van de kalibratie-informatie verder het vergelijken van de berekende positie en een brandpunt van het optische stelsel omvat.

24. Werkwijze volgens elk van de conclusies 17-19, 21, 22 en 23. verder omvattende het onttrekken van een optimale lijnbreedte van het 20 projectiebeeld bij een optimale belichting.

25. Werkwijze volgens conclusie 24, waarin het verschaffen van de kalibratie-informatie verder het vergelijken van de optimale lijnbreedte en een gemeten lijnbreedte van het projectiebeeld omvat voor het beoordelen van een verandering in de lijnbreedte.

26. Werkwijze voor het vervaardigen van een reticule omvattende het: neerslaan van een 1 icht-afschermende film op een maskersubstraat; bekleden van de 1 icht-afschermende film met licht-30 afschermende maskers en oplijnen van eerste openingen in de eerste fotogevoelige film; selectief anisotropisch etsen van de door de eerste openingen bloot-liggende licht-afschermende film; verwijderen van de eerste fotogevoelige film en bekleden van het maskersubstraat met een tweede fotogevoel ige film op en oplijnen 5 van tweede openingen in de tweede fotogevoelige film; selectief etsen van het door de tweede openingen blootliggende maskersubstraat en vervaardigen van een veelheid van asymmetrische diffractiedelen welke positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht in verschillende diffractie-10 rendementen opwekken; verwijderen van de tweede fotogevoelige film en bekleden van het maskersubstraat met een derde fotogevoelige film en uitlijnen van de derde openingen in de derde fotogevoelige film; en selectief isotropisch etsen van het door de derde openingen 15 blootliggende maskersubstraat en het vervaardigen van een veelheid van symmetrische diffractiedelen die positief eerste-orde diffractielicht en negatief eerste-orde diffractielicht in gelijke diffractierendementen opwekken, waarin vervaardiging van de symmetrische diffractiedelen 20 isotropisch etsen van het maskersubstraat vanaf de zijwanden van de asymmetrische diffractiedelen omvat voor het vormen van de symmetrische diffractiedelen. 25 1026665