JP2007164084A - フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体基板上に転写される実パターンの寸法均一性を向上させる。
【解決手段】ガラス基板ＧＳ上のクロム膜Ｍ１の加工に際し、実パターンとＳＲＡＦとをポジ／ネガが互いに逆の関係にあるレジストに個別に描画し、２つのリソグラフィ工程でクロム膜Ｍ１を順次に加工する。
【選択図】図１

Description

本発明は、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
フォトマスクに対して斜入射などの変形照明を行うことにより、垂直照明に比較して焦点深度が向上することが知られている。このため、フォトリソグラフィの分野では、ウェーハに転写すべき実パターンに隣接してウェーハ転写時の限界解像度を下回る幅の補助パターンであって半導体基板には転写されないパターンであるＳＲＡＦ（Sub-Resolution Assist Feature）を配置し、実パターンの周期性を整えることにより解像性能を向上させる技術が利用されている。
しかしながら、ＳＲＡＦを用いると実パターンのマスク上の寸法精度に加えてＳＲＡＦの寸法精度にも依存して半導体基板上に転写される実パターン寸法が変動してしまう。
現状では、フォトマスクにパターンを形成する際、ＳＲＡＦも実パターンも一度のリソグラフィ工程で同時に形成するため、マスク面内の寸法傾向が両者ともに似たようなものになってしまい、半導体基板上に転写した際のショット内寸法均一性に問題が生じていた。
特開２００４−３４８１１８号公報
本発明の目的は、半導体基板上に転写される実パターンのショット内における寸法均一性を向上させることができるフォトマスクの製造方法およびこの方法を備える半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明は、以下の手段により上記課題の解決を図る。
即ち、本発明によれば、
マスク基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上にポジ型レジスト膜とネガ型レジスト膜とを形成する工程と、
半導体装置が形成される基板上のレジスト膜に転写され解像されるべき第１のパターンで前記ポジ型レジスト膜をパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のパターンの解像性能の向上を目的とするパターンであって、前記半導体装置が形成される基板上で解像されない第２のパターンで前記ネガ型レジスト膜をパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンと前記第２のレジストパターンを用いて前記金属膜を加工する工程と、
を備えるフォトマスクの製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
マスク基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上にポジ型レジスト膜とネガ型レジスト膜とを形成する工程と、
半導体装置が形成される基板上のレジスト膜に転写され解像されるべき第１のパターンで前記ネガ型レジスト膜をパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のパターンの解像性能の向上を目的とするパターンであって、前記半導体装置が形成される基板上で解像されない第２のパターンで前記ポジ型レジスト膜をパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンと前記第２のレジストパターンを用いて前記金属膜を加工する工程と、
を備えるフォトマスクの製造方法が提供される。
本発明によれば、基板上に転写された第１のパターンのショット内寸法均一性を向上させることができる。
また、本発明によれば、高い歩留りで高精度の半導体装置を製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（Ａ）フォトマスクの製造方法
以下の実施形態に説明するフォトマスク製造方法は、実パターンとＳＲＡＦにつき、ポジ型／ネガ型が互いに異なるレジストを用いて個別に作成する点に特徴がある。このように互いに逆相関関係にあるプロセスにより実パターンとＳＲＡＦとが転写されて金属膜が加工されるので、これらのパターン間でマスク面内での寸法傾向を逆転させることができる。これにより、実パターンのショット内における寸法均一性を向上させることができるフォトマスクを製造することができる。
以下の実施形態において、実パターンは例えば第１のパターンに対応し、ＳＲＡＦは例えば第２のパターンに対応する。
以下では残しパターン（第１〜第４）と抜きパターン（第５〜第８）に分けて本発明にかかるフォトマスク製造方法の実施の形態をより具体的に説明する。
（１）第１の実施形態
本実施形態は、１）残しパターンで、ａ）ＳＲＡＦをネガ型レジスト、実パターンをポジ型レジストで形成する場合で、なおかつ、１）実パターンをＳＲＡＦに先立って作成する場合である。
図１に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上に形成したクロム膜Ｍ１の上に、ポジ型のレジスト膜ＲＰを塗布し、実パターンを描画してポジ型レジスト膜ＲＰを露光する。図１（ａ）において、レジスト膜中、白抜き部分は露光部分を示し、斜線部分は未露光部分を示す。この点は以下の図２（ｂ）乃至図８についても同様である。
次に、図１（ｂ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像して実パターンの形状に応じた部分ＲＰＭを有するポジ型レジストＲＰ２を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ２は、例えば第１のレジストパターンに対応する。
さらに、図１（ｃ）に示すように、ポジ型レジストＲＰ２を剥離することにより、実パターンの形状に応じた部分ＭＰ２を含むクロム膜Ｍ２へ加工する。
次に、図１（ｄ）に示すように、全面にネガ型レジスト膜ＲＮを塗布してＳＲＡＦを露光する。続いて、図１（ｅ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像してＳＲＡＦの形状に応じた部分が除去されたネガ型レジストＲＮ２へ加工する。このとき、既に作成されたクロム膜Ｍ２中の実パターンの形状に応じた部分ＭＰ２を次工程のエッチングから保護するエッチングストッパＥＳ２が同時に形成されるようにネガ型レジストＲＮ２が加工される。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ２は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
さらに、ネガ型レジストＲＮ２をマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ２を選択的に除去することにより、図１（ｆ）に示すように、実パターンに対応した形状部分ＭＰ２とＳＲＡＦに対応した形状部分ＭＡ２とを有するクロム膜Ｍ４を備えるフォトマスクＰＭ４が作成される。
（２）第２の実施の形態
本実施形態は、１）残しパターンで、ａ）ＳＲＡＦをネガ型レジスト、実パターンをポジ型レジストで形成する場合で、なおかつ、１）ＳＲＡＦを実パターンに先立って作成する場合である。
図２に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上に形成したクロム膜Ｍ１の上に、ネガ型のレジスト膜ＲＮを塗布し、ＳＲＡＦを描画してネガ型レジスト膜ＲＮを露光する。
次に、図２（ｂ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像してＳＲＡＦの形状に応じた部分ＲＮＡと実パターン作成時のアライメントマージンを見込んだ実パターン被加工部分ＲＮＤとを有するネガ型レジストＲＮ６を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ６は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
続いて、ネガ型レジストＲＮ６を剥離することにより、図２（ｃ）に示すように、ＳＲＡＦの形状に応じた部分ＭＡ６と実パターン被加工部分ＭＤ６を含むクロム膜Ｍ６へ加工する。
次に、図２（ｄ）に示すように、全面にポジ型レジスト膜ＲＰを塗布して実パターンを露光する。続いて、図２（ｅ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像して実パターンの形状に応じた部分ＲＮＭが残されたポジ型レジストＲＰ６へ加工する。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ６は、例えば第１のレジストパターンに対応する。
さらに、ポジ型レジストＲＰ６の実パターン対応部分ＲＮＭをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ６を選択的に除去することにより、図２（ｆ）に示すように、実パターンに対応した形状部分ＭＰ８とＳＲＡＦに対応した形状部分ＭＡ２とを有するクロム膜Ｍ８を備えるフォトマスクＰＭ８が作成される。
（３）第３の実施の形態
本実施形態は、１）残しパターンで、ａ）ＳＲＡＦをポジ型レジスト、実パターンをネガ型レジストで形成する場合で、なおかつ、１）実パターンをＳＲＡＦに先立って作成する場合である。
図３に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上のクロム膜Ｍ１の上に、ネガ型のレジスト膜ＲＮを塗布し、実パターンを露光する。
次に、図３（ｂ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像して実パターンの形状に応じた部分ＲＮＭを有するネガ型レジストＲＮ１０を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ１０は、例えば第１のレジストパターンに対応する。
さらに、図３（ｃ）に示すように、ネガ型レジストＲＮ１０を剥離することにより、実パターンの形状に応じた部分ＭＰ２を含むクロム膜Ｍ１０へ加工する。
次に、図３（ｄ）に示すように、全面にポジ型レジスト膜ＲＰを塗布してＳＲＡＦを露光する。続いて、図３（ｅ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像してＳＲＡＦの形状に応じた部分を有するポジ型レジストＲＰ１０へ加工する。このとき、既に作成されたクロム膜１０中の実パターンの形状に応じた部分ＭＰ２を次工程のエッチングから保護するエッチングストッパＥＳ２が同時に形成されるようにポジ型レジストＲＰ１０が加工される。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ１０は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
さらに、ポジ型レジストＲＰ１０をマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１０を選択的に除去することにより、図３（ｆ）に示すように、実パターンに対応した形状部分ＭＰ２とＳＲＡＦに対応した形状部分ＭＡ１０とを有するクロム膜Ｍ１２を備えるフォトマスクＰＭ１２が作成される。
（４）第４の実施の形態
本実施形態は、１）残しパターンで、ａ）ＳＲＡＦをポジ型レジスト、実パターンをネガ型レジストで形成する場合で、なおかつ、１）ＳＲＡＦを実パターンに先立って作成する場合である。
図４に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上に形成したクロム膜Ｍ１の上に、ポジ型のレジスト膜ＲＰを塗布して、ＳＲＡＦを露光する。
次に、図４（ｂ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像してＳＲＡＦの形状に応じた部分ＲＰＡと実パターン作成時のアライメントマージンを見込んだ実パターン被加工部分ＲＰＤとを有するポジ型レジストＲＰ１４を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ１４は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
続いて、ポジ型レジストＲＰ１４を剥離することにより、図４（ｃ）に示すように、ＳＲＡＦの形状に応じた部分ＭＡ１４と実パターン被加工部分ＭＤ１４を含むクロム膜Ｍ１４へ加工する。
次に、図４（ｄ）に示すように、全面にネガ型レジスト膜ＲＮを塗布して実パターンを露光する。続いて、図４（ｅ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像して実パターンの形状に応じた部分ＲＮＭが残されたネガ型レジストＲＮ１４へ加工する。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ１４は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
さらに、ネガ型レジストＲＮ１４をマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１４を選択的に除去することにより、図４（ｆ）に示すように、実パターンに対応した形状部分ＭＰ１６とＳＲＡＦに対応した形状部分ＭＡ１６とを有するクロム膜Ｍ１６を備えるフォトマスクＰＭ１６が作成される。
（５）第５の実施の形態
本実施形態は、２）抜きパターンで、ａ）ＳＲＡＦをポジ型レジスト、実パターンをネガ型レジストで形成する場合で、なおかつ、１）実パターンをＳＲＡＦに先立って作成する場合である。
図５に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上のクロム膜Ｍ１の上に、ネガ型のレジスト膜ＲＮを塗布し、実パターンを描画する。レジスト膜ＲＮ中、実パターンに対応する部分は露光されず、実パターン以外の部分が露光される。
次に、図５（ｂ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像して実パターンの形状に応じた部分が除去されたネガ型レジストＲＮ１８を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ１８は、例えば第１のレジストパターンに対応する。は、例えば第１のレジストパターンに対応する。
さらに、ネガ型レジストＲＮ１８を剥離することにより、図５（ｃ）に示すように、実パターンの形状に応じた部分が除去されたクロム膜Ｍ１８へ加工する。
次に、図５（ｄ）に示すように、全面にポジ型レジスト膜ＲＰを塗布してＳＲＡＦを描画する。ポジ型レジスト膜ＲＰ中、ＳＲＡＦに対応する部分が露光される。続いて、図５（ｅ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像してＳＲＡＦの形状に応じた露光部分が除去されたポジ型レジストＲＰ１８へ加工する。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ１８は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
さらに、ポジ型レジストＲＰ１８をマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１８をさらに選択的に除去することにより、図５（ｆ）に示すように、実パターンの形状に対応した部分とＳＲＡＦの形状に対応した部分とが除去されたクロム膜Ｍ２０を備えるフォトマスクＰＭ２０が作成される。
（６）第６の実施の形態
本実施形態は、２）抜きパターンで、ａ）ＳＲＡＦをポジ型レジスト、実パターンをネガ型レジストで形成する場合で、なおかつ、２）ＳＲＡＦを実パターンに先立って作成する場合である。
図６に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上のクロム膜Ｍ１の上に、ポジ型のレジスト膜ＲＰを塗布し、ＳＲＡＦを描画する。レジスト膜ＲＰ中、ＳＲＡＦに対応する部分は露光される。
次に、図６（ｂ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像してＳＲＡＦの形状に応じた部分が除去されたポジ型レジストＲＰ２２を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ２２は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
さらに、ポジ型レジストＲＰ２２を剥離することにより、図６（ｃ）に示すように、実パターンの形状に応じた部分が除去されたクロム膜Ｍ２２へ加工する。
次に、図６（ｄ）に示すように、全面にネガ型レジスト膜ＲＮを塗布して実パターンを描画する。ネガ型レジスト膜ＲＮ中、実パターンに対応する部分は露光されず、実パターン以外の部分が露光される。続いて、図６（ｅ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像して実パターンの形状に応じた露光部分が除去されたネガ型レジストＲＮ２２へ加工する。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ２２は、例えば第１のレジストパターンに対応する。
さらに、ネガ型レジストＲＮ２２をマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ２２をさらに選択的に除去することにより、図６（ｆ）に示すように、実パターンの形状に対応した部分とＳＲＡＦの形状に対応した部分とが除去されたクロム膜Ｍ２４を備えるフォトマスクＰＭ２４が作成される。
（７）第７の実施の形態
本実施形態は、２）抜きパターンで、ｂ）ＳＲＡＦをネガ型レジスト、実パターンをポジ型レジストで形成する場合で、なおかつ、１）実パターンをＳＲＡＦに先立って作成する場合である。
図７に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上のクロム膜Ｍ１の上に、ポジ型のレジスト膜ＲＰを塗布し、実パターンを描画する。レジスト膜ＲＰ中、実パターンに対応する部分が露光される。
次に、図７（ｂ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像して実パターンの形状に応じた部分が除去されたポジ型レジストＲＰ２６を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ２６は、例えば第１のレジストパターンに対応する。
さらに、ポジ型レジストＲＰ２６を剥離することにより、図７（ｃ）に示すように、実パターンの形状に応じた部分が除去されたクロム膜Ｍ２６へ加工する。
次に、図７（ｄ）に示すように、全面にネガ型レジスト膜ＲＮを塗布してＳＲＡＦを描画する。ネガ型レジスト膜ＲＮ中、ＳＲＡＦに対応する部分は露光されず、ＳＲＡＦ以外の部分が露光される。続いて、図７（ｅ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像してＳＲＡＦの形状に応じた未露光部分が除去されたネガ型レジストＲＮ２６へ加工する。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ２６は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
さらに、ネガ型レジストＲＮ２６をマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ２６をさらに選択的に除去することにより、図７（ｆ）に示すように、実パターンの形状に対応した部分とＳＲＡＦの形状に対応した部分とが除去されたクロム膜Ｍ２８を備えるフォトマスクＰＭ２８が作成される。
（８）第８の実施の形態
本実施形態は、２）抜きパターンで、ｂ）ＳＲＡＦをネガ型レジスト、実パターンをポジ型レジストで形成する場合で、なおかつ、２）ＳＲＡＦを実パターンに先立って作成する場合である。
図８に本実施形態のマスク製造方法を説明する略示断面図を示す。まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板ＧＳ上のクロム膜Ｍ１の上に、ネガ型のレジスト膜ＲＮを塗布し、ＳＲＡＦを描画する。レジスト膜ＲＮ中、ＳＲＡＦに対応する部分は露光されず、ＳＲＡＦ以外の部分が露光される。
次に、図８（ｂ）に示すように、ネガ型レジスト膜ＲＮを現像してＳＲＡＦの形状に応じた部分が除去されたネガ型レジストＲＮ３２を取得し、これをマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ１を選択的に除去する。本実施形態において、ネガ型レジストＲＮ３２は、例えば第２のレジストパターンに対応する。
さらに、ネガ型レジストＲＮ３２を剥離することにより、図８（ｃ）に示すように、ＳＲＡＦの形状に応じた部分が除去されたクロム膜Ｍ３２へ加工する。
次に、図８（ｄ）に示すように、全面にポジ型レジスト膜ＲＰを塗布して実パターンを描画する。ポジ型レジスト膜ＲＰ中、実パターンに対応する部分は露光される。続いて、図８（ｅ）に示すように、ポジ型レジスト膜ＲＰを現像して実パターンの形状に応じた露光部分が除去されたポジ型レジストＲＰ３４へ加工する。本実施形態において、ポジ型レジストＲＰ３４は、例えば第１のレジストパターンに対応する。
さらに、ポジ型レジストＲＰ３４をマスクとしたエッチングによりクロム膜Ｍ３２をさらに選択的に除去することにより、図８（ｆ）に示すように、実パターンの形状に対応した部分とＳＲＡＦの形状に対応した部分とが除去されたクロム膜Ｍ３４を備えるフォトマスクＰＭ３４が作成される。
（Ｂ）半導体装置の製造方法
上述した実施形態により製造されたフォトマスクを用いて半導体装置を製造することにより、各ショットにおける実パターンの寸法均一性が向上するので、高精度の半導体装置を高い歩留りで製造することが可能になる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記形態に限られることなくその技術的範囲内において種々変形して実施できることは勿論である。
本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第１の実施の形態を説明する略示断面図である。 本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第２の実施の形態を説明する略示断面図である。 本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第３の実施の形態を説明する略示断面図である。 本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第４の実施の形態を説明する略示断面図である。 本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第５の実施の形態を説明する略示断面図である。 本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第６の実施の形態を説明する略示断面図である。 本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第７の実施の形態を説明する略示断面図である。 本発明にかかるフォトマスクの製造方法の第８の実施の形態を説明する略示断面図である。
符号の説明
ＧＳ：ガラス基板
Ｍ４，Ｍ８，Ｍ１２，Ｍ１６，Ｍ２０，Ｍ２４，Ｍ２８，Ｍ３４：クロム膜
ＲＰ：ポジ型レジスト膜
ＲＰ２，ＲＰ６，ＲＰ１０，ＲＰ１４，ＲＰ１８，ＲＰ２２，ＲＰ２６，ＲＰ３４：ポジ型レジストパターン
ＲＮ：ネガ型レジスト膜
ＲＮ２，ＲＮ６，ＲＮ１０，ＲＮ１４，ＲＮ１８，ＲＮ２２，ＲＮ２６，ＲＮ３２：ネガ型レジストパターン
ＰＭ４，ＰＭ８，ＰＭ１２，ＰＭ１６，ＰＭ２０，ＰＭ２４，ＰＭ２８，ＰＭ３４：ポジ型レジストパターン

Claims (5)

  1. マスク基板上に金属膜を形成する工程と、
    前記金属膜上にポジ型レジスト膜とネガ型レジスト膜とを形成する工程と、
    半導体装置が形成される基板上のレジスト膜に転写され解像されるべき第１のパターンで前記ポジ型レジスト膜をパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のパターンの解像性能の向上を目的とするパターンであって、前記半導体装置が形成される基板上で解像されない第２のパターンで前記ネガ型レジスト膜をパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンと前記第２のレジストパターンを用いて前記金属膜を加工する工程と、
    を備えるフォトマスクの製造方法。
  2. マスク基板上に金属膜を形成する工程と、
    前記金属膜上にポジ型レジスト膜とネガ型レジスト膜とを形成する工程と、
    半導体装置が形成される基板上のレジスト膜に転写され解像されるべき第１のパターンで前記ネガ型レジスト膜をパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のパターンの解像性能の向上を目的とするパターンであって、前記半導体装置が形成される基板上で解像されない第２のパターンで前記ポジ型レジスト膜をパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンと前記第２のレジストパターンを用いて前記金属膜を加工する工程と、
    を備えるフォトマスクの製造方法。
  3. 前記ネガ型レジスト膜は、前記ポジ型レジスト膜の上に形成される、請求項１または２に記載のフォトマスクの製造方法。
  4. 前記ポジ型レジスト膜は、前記ネガ型レジスト膜の上に形成される、請求項１または２に記載のフォトマスクの製造方法。
  5. 請求項１乃至５のいずれかに記載の方法により製造されたフォトマスクを用いて前記第１のパターンを前記基板上に形成する工程を備える、半導体装置の製造方法。
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