MX2011001081A - Sustrato nucleo de metal pasivado y proceso para preparar el mismo. - Google Patents

Abstract

Un sustrato incluye un núcleo de aleación hierro-níquel o un núcleo de aleación cobalto-níquel ferroso, un revestimiento de conversión de cromo en al menos una porción del núcleo y un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo. Un método para producir un sustrato incluye: proporcionar un núcleo de aleación hierro-níquel o un núcleo de aleación cobalto-níquel ferroso, aplicar un revestimiento de conversión de cromo en al menos una porción del núcleo y aplicar un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo.

Description

SUSTRATO NÚCLEO DE METAL PASIVADO Y PROCESO PARA PREPARAR EL MISMO CAMPO DE LA INVENCIÓN La presente invención se refiere a montajes de circuito electrónicos, y más particularmente a montajes de circuitos que incluyen substratos de núcleo de metal y a su fabricación .

ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓ Los paquetes de circuitos microelectrónicos se preparan de diversos tamaños. Un nivel de empaque incluye chips semiconductores que contienen múltiples microcircuitos y/u otros componentes. Estos chips usualmente se elaboran de semiconductores tales como silicio y semejantes. Niveles de empaque intermedio (es decir "portadores de chip") que comprenden substratos de múltiples capas, pueden incluir una pluralidad de chips. Igualmente, estos niveles de empaque intermedios pueden conectarse a tarjetas de circuitos de mayor; escala, placas principales, y semejantes. Los niveles de empaque intermedios sirven a diversos propósitos en el montaje de circuito total, incluyendo soporte estructural, integración de transición de los circuitos de menor escala a tarjetas de mayor escala, y la disipación de calor de los componentes de circuito. Substratos empleados en los niveles de empaque intermedios convencionales, han incluido una variedad de materiales, por ejemplo cerámicas, poliepóxidos reforzados con fibras de vidrio, y poliimidas.

A fin de que los substratos anteriormente mencionados tengan suficiente rigidez, usualmente deben emplearse a espesores que exceden 100 mieras, para proporcionar soporte estructural al montaje de circuito. También, los substratos anteriormente mencionados típicamente tienen coeficientes térmicos de expansión muy diferentes de los chips microelectrónicos conectados a ellos. Como resultado, la falla del montaje de circuito después de uso repetido es un riesgo debido a la falla de las juntas entre las capas del montaje.

Sería conveniente el proporcionar un montaje de circuito delgado, con mejoradas propiedades térmicas y estructurales que superen las desventajas de la técnica previa .

COMPENDIO DE LA INVENCIÓN En un primer aspecto, la invención proporciona un substrato que comprende un núcleo de aleación hierro-níquel, un revestimiento de conversión de cromo en al menos una porción del núcleo, y un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo.

En otro aspecto, la invención proporciona un método para producir un substrato que comprende: proporcionar un núcleo de aleación de hierro-níquel, ' aplicar un revestimiento de conversión de cromo hexavalente o trivalente, en al menos una porción del núcleo, y aplicar un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS La Figura 1 es una vista en planta de un núcleo de substrato que puede emplearse en un aspecto de la invención.

La Figura 2 es una vista en sección transversal del núcleo de substrato de la Figura 1, tomado sobre la línea 2-2.

La Figura 3 es una vista en planta del núcleo de substrato de la Figura 1, con un revestimiento de pasivación.

La Figuras 4 es una vista en sección transversal del núcleo de substrato de la Figura 3, que se toma sobre la línea 4-4.

La Figura 5 es una vista en planta del substrato de la Figura 3, con un revestimiento aislante.

La Figura 6 es una vista en sección transversal del substrato de la Figura 5, que se toma sobre la línea 6-6.

La Figura 7 es una vista en planta del substrato de la Figura 5, con pistas conductoras en el revestimiento aislante.

La Figura 8 es una vista en sección transversal del substrato de la Figura 7, que se toma sobre la linea 8-8.

DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN En un primer aspecto, esta invención se refiere a substratos que tienen un núcleo de metal que puede revestirse con un material aislante orgánico. Estos substratos pueden emplearse en paquetes de circuitos electrónicos.

La Figura 1 es una vista en planta de un núcleo de substrato 10 que puede emplearse en un aspecto de la invención. La Figura 2 es una vista en sección transversal del núcleo del substrato de la Figura 1, que se toma sobre la linea 2-2. En este ejemplo, el núcleo incluye una hoja generalmente planar de aleación de metal, que puede o no incluir orificios o vías, tales como 12 y 14.

En algunas modalidades, el núcleo de substrato puede tener un espesor de aproximadamente 10 a 400 mieras, o más especifico de aproximadamente 20 a 200 mieras. En ejemplos específicos, el núcleo puede tener un espesor mínimo de aproximadamente 10 mieras, aproximadamente 20 mieras, o aproximadamente 30 mieras. Los orificios pueden tener un tamaño y forma uniformes. Cuando los orificios son circulares, el diámetro de los orificios puede ser tan pequeño como aproximadamente 101.6 : mieras (4 mils) . Los orificios pueden ser más grandes o. más pequeños según sea necesario, con la condición de que los orificios sean suficientemente grandes para acomodar a todas las capas aplicadas en subsecuente procesamiento, sin quedar obstruidas .

En un ejemplo, el núcleo de metal puede ser una aleación de hierro-níquel, tal como INVAR, (marca propiedad de Imphy S. A., 168 Rué de Rivoli, París, Francia) que comprende aproximadamente 64 por ciento en peso de hierro y 36 por ciento en peso de níquel. Esta aleación tiene un bajo coeficiente de expansión térmica, comparable con el de los materiales de silicio empleados para fabricar dispositivos electrónicos (e.g., chips) . Esta propiedad es conveniente a fin de evitar falla de juntas adhesivas entre capas a escalas sucesivamente más grandes o menores de un paquete de escala de chip, debido a ciclado térmico en almacenamiento o uso normal.

En substratos previamente conocidos que incluyen un núcleo INVAR, una capa de metal de cobre se ha aplicado a todas las superficies del núcleo INVAR, para proporcionar conductividad incrementada. La capa de cobre típicamente puede tener un espesor desde 1 a 20 mieras. Sin embargo, sería : conveniente el tener substratos que tienen un núcleo INVAR que no incluye un revestimiento de cobre.

Con un núcleo INVAR sin revestir, cambios químicos indeseables en la superficie del núcleo de hierro-níquel pueden resultar en la formación de productos de corrosión. Estos ' cambios químicos pueden ser acelerados a temperaturas elevadas. Por ejemplo, productos de corrosión pueden formarse en un núcleo de aleación de hierro-níquel dentro de 24 horas bajo las condiciones de prueba de Autoclave que se establecen en el protocolo IPC-TM-650, aún cuando los productos de corrosión no se forman bajo prueba de corrosión a presión ambiente estándar después de 2 semanas. Seria conveniente el reducir al mínimo la formación de productos de corrosión en el núcleo de hierro-níquel.

En otro ejemplo, el material núcleo es KOVAR (marca de Carpenter Technology Corporation) ; una aleación de aproximadamente 54% de hierro, 29% de níquel y 17% de cobalto. KOVAR es una aleación ferrosa de níquel-cobalto, diseñada para tener un coeficiente de expansión térmica que es compatible con otros materiales empleados en montajes de circuitos.

En un aspecto, esta invención utiliza un tratamiento de conversión de cromo para pasivar un substrato de aleación de hierro-níquel, que después se cubre con un revestimiento de material dieléctrico. El tratamiento de conversión de cromo se utiliza como un agente de pasivación para evitar corrosión que puede ocurrir bajo los ambientes húmedos de alta presión/alta temperatura que se ven normalmente en pruebas de autoclave.

La Figura 3 es una vista en planta del núcleo substrato de la Figura 1, con un revestimiento de pasivación 16 aplicado a la superficie del núcleo. La Figura 4 es una vista en sección transversal del núcleo substrato de la Figura 3, que se toma sobre la línea 4-4.

En un aspecto, esta invención proporciona un método y aparato que utilizan cromo trivalente o hexavalente como agentes de pasivacion para un substrato núcleo INVAR o KOVAR, que puede pasar una prueba de desprendimiento de adhesión por el protocolo IPC-T -650. El protocolo IPC-TM-650 especifica una prueba de autoclave de 96 horas.

Tratamientos de pasivacion ' con conversión de cromo se han aplicado a núcleos de metal INVAR y KOVAR en los siguientes ejemplos.

Ejemplo 1 Tratamiento previo de núcleos de substrato INVAR y KOVAR en un proceso Alodine utilizando las siguientes etapas. 1) Limpiador Ridolene 298: 54.4 grados C (130 grados F) ; 120 seg; inmersión con agitación 2) Enjuague de Inmersión en Agua Corriente: ambiente; 60 seg; con agitación 3) Enjuague - roció con agua corriente (botella de agua) ¦ 4) Mezcla DeOx 6/16: ambiente; 150 seg; sin agitación 5) Enjuague de Inmersión con Agua Corriente: ambiente; 60 seg; con agitación 6) Enjuague - Roció de Agua Corriente (botella de agua) 7a) Alodine 1000: ambiente; 300 seg; sin agitación 7b) Alodine 1200S: ambiente; 150 seg; sin agitación 7c) Alodine 1600: ambiente; 300 seg; sin agitación 8) Enjuague de Inmersión DIW: ambiente; 60 seg; con agitación 9) Enjuague - roció final DIW (botella de agua) Las Etapas 7a) , 7b) y 7c) son etapas alternas opcionales. Si se emplean, solo üna de estas etapas se utiliza en un ejemplo particular.

Ejemplo 2 Tratamiento previo de núcleo substrato INVAR y KOVAR en un Metalast utilizando las siguientes etapas. 1) Limpiador Metalast 1000: 48.9 grados C (120 grados F) ; 120 seg; inmersión con agitación 2) Enjuague de Inmersión DIW: ambiente; 60 seg; con agitación 3) Enjuague - rocío DIW (botella de agua) 4) DeOx LNC: ambiente; 180 seg; sin agitación 5) Enjuague de Inmersión DIW: ambiente; 60 seg; con agitación 6) Enjuague -rocío DIW (botella de agua) 7) Metalast TCP: ambiente; 300 seg; sin agitación 8) Enjuague de Inmersión DIW: ambiente; 60 seg; con agitación Enjuague - rocío final DIW (botella de agua) En los Ejemplos 1 y 2, se aplicaron todos los tratamientos previos-desoxidantes a temperatura ambiente. El limpiador Ridolene 298 se aplicó mediante inmersión a 54.4 grados C (130 grados F) por 2 min. Ridolene 298 está disponible de Henkel Corporation. El limpiador 1000 se aplicó mediante inmersión a 48.9 grados C (120 grados F) por 2 minutos. Metalast 1000 está disponible de Metalast International, Inc.

DeOx 6/16 es un tratamiento desoxidante disponible de Henkel Corporation. DeOx 6/16 sirve como una solución de mordentado ácido. La proporción de mordentado puede controlarse al regular la concentración de fluoruro ácido y/o el tiempo para el cual se aplica -el mordentado ácido al núcleo. La Tabla 1 muestra ejemplos de como un espesor de núcleo Invar puede ser controlado al regular el tiempo para el cual se expone a una solución de mordentado ácido.

Tabla 1. Efecto Desoxidante en Invar contra Tiempo Tiempo Espesor Deox Invar (pm) (min) 0 60 2 53 3 51 4 44 5 41 7 30 - - 10 18 DeOx LNC es un desoxidante acuoso disponible de Oakite .

Tanto los tratamientos con Cr hexayalente como Cr trivalente pueden emplearse para pasivar superficies de metal. El mecanismo de reacción es diferente, Cr hexavalente se reduce a Cr trivalente en una reacción electrolítica con el substrato (el substrato se oxida) . Tratamientos con Cr trivalente pueden depositar su Cr sobre la superficie por metátesis (intercambio de aniones con la superficie de metal) . En ambos casos, el producto final puede contener un óxido de Cr (III) insoluble, que actúa como la capa de pasivación. En ambos casos, los tratamientos típicamente se refieren como revestimientos de conversión de cromo.

Alodine 1000, 1200S y 1600, son tratamientos de conversión de cromo disponibles de Henkel Corporation. Alodine 1000, 1200S y 1600 sirven como soluciones de pasivación. Metalast TCP-HF es un tratamiento previo de cromo trivalente acuoso disponible de: Metalast International, Inc.

La Figura 5 es una vista en planta del substrato de la Figura 3, con un revestimiento aislante aplicado al revestimiento de pasivación. La Figura 6 es una vista en sección transversal del substrato de la Figura 5, tomada sobre la linea 6-6. La primera y segunda capas 18 y 20 de un material aislante se ubican en lados opuestos (o superficies) 22, 24 del núcleo. Aislamiento adicional 26 y 28 puede depositarse en las paredes de las aberturas 14 y 16.

Los siguientes ejemplos ilustran la preparación de un revestimiento de electrodeposición y su uso para revestir porciones pasivadas del núcleo substrato.

Ejemplo I El siguiente ejemplo describe la síntesis del aglutinante catiónico en el baño de revestimiento electrodepositable descrito a continuación. El aglutinante se prepara a partir de los siguientes' ingredientes: Partes en Peso Ingredientes (en gramos) MAZON . RT . 16511 150.0 EPON .RTM. 8802 755.3 Tetrabromo bisfenol A 694.9 TETRONIC .RTM. 150R13 0.2857 Aminopropildietanolamina 114.7 Dietanolamina 49.57 2-Butoxietanol 382 EPON 880 48.3 Entrelazador4 1195 1Un plastificante, comercialmente disponible de BASF Corporation. 2Una resina epoxi disponible de Hexion Specialty Chemicals. 3Un surfactante comercialmente disponible de BASF Corporation. 4Un poliéster preparado de acuerdo con el Ejemplo V de EP 0 012 463, y diluido a 90% de sólidos en 2-butoxietanol .

El MAZON 1651, EPON 880, :tetrabromo bisfenol A y TETRONIC 150R1 se cargaron a un matraz de fondo redondo de 4 cuellos, adaptado con un agitador, sonda de temperatura y trampa Dean-Stark bajo una capa de nitrógeno. La mezcla se calentó a una temperatura de 70 grados C y agitó por 15 minutos. La fuente de calor después se retiró, y se agregaron aminopropildietanolamina y dietanolamina . La mezcla de reacción formó exoterma a una temperatura máxima de 176 grados C después de aproximadamente 10 minutos. La reacción se dejó que enfriara a una temperatura de 135 grados C durante una hora, se agregó el 2-butoxietanol y la mezcla se enfrió más a 125 grados C. La mezcla después se mantuvo a 125 grados C por un total de dos horas desde la exoterma pico. La segunda carga de EPON 880 y el entrelazador se agregaron y la solución se agitó por 2.5 horas a 125 grados C. La mezcla de reacción (3428 partes) se vació en una solución de ácido sulfámico (49.5 partes) disuelta en agua desionizada (1287 partes) bajo fuerte agitación. Después de - - una hora de agitación, una cantidad adicional de agua desionizada (3970 partes) se agregó lentamente, dando por resultado una dispersión que tiene un contenido de 30.2% de no-volátiles .

Ejemplo II Este ejemplo muestra la preparación de un jabón catiónico no gelificado utilizado en la sintesis del ejemplo de microgel mostrado a continuación. El jabón catiónico se preparó a partir de los siguientes ingredientes: Partes en Peso Ingredientes (en gramos) EPON 828 1023 Aducto bisfenol A-etilen 365 óxido1 Bisfenol A 297 2-Butoxietanol 187.2 Benzildimetilamina 1.4 Benzildimetilamina 3.0 Dicetimina2 182.3 N-metiletanolamina 85.2 Ácido Acético 105.9 Agua desionizada 1065.9 Agua desionizada 735.9 Agua desionizada 1156. - - xUn aducto 1/6 molar de bisfenol A/etilen óxido disponible de BASF Surfactants. 2Una solución de 71 por ciento del producto de reacción de dietilen triamina y metilisobutil cetona en metilisobutil cetona.

El EPON 828, aducto de bisfenol A-óxido de etileno, bisfenol A y 2-butoxietanol se cargaron en un recipiente de reacción y calentaron bajo una atmósfera de nitrógeno a una temperatura de 125°C. La primera porción de la benzildimetilamina se agregó y la reacción se dejó que llegara a exoterma a 180° C. Durante la exoterma, cuando la reacción alcanzó 160° C, se inició una retención de una hora. Después de que la exoterma alcanzó pico, la resina se dejó que enfriara de nuevo a 160°C, continuando con la retención o espera. Después de la retención, la reacción se enfrió a 130° C, y la segunda porción de benzildimetilamina se agregó. La reacción se mantuvo a 130°C a un : peso equivalente epoxi extrapolado de 1070. Al peso equivalente epoxi esperado, se agregaron la dicetimina y N-metiletanolamina en sucesión y la mezcla' se dejó que llegara a exoterma a aproximadamente 150° C. A la exoterma pico, una retención de una hora se empezó mientras que se deja que enfrie la reacción a 125°C. Después de la retención de una hora, la resina se dispersó en una solución del ácido acético disuelto en la primer porción de - - agua desionizada. La dispersión posteriormente se redujo con la segunda, tercera y cuarta porciones de agua desionizada. El jabón catiónico resultante se extrajo con vacio hasta que el nivel de metilisobutil cetona fue menor a 0.05%.

Ejemplo III Este ejemplo muestra la síntesis de un microgel catiónico del jabón epoxi catiónico descrito anteriormente en el Ejemplo II. El microgel se preparó a partir de los siguientes ingredientes: El agua desionizada se agregó al jabón catiónico del Ejemplo 2, y la mezcla se calentó a 70° C bajo una capa de nitrógeno. La solución de EPON 828 se agregó durante 15 minutos con buena agitación. La metilisobutil cetona se - - agregó como un enjuague, y la mezcla se mantuvo a 70°C por 45 minutos. La mezcla después se calentó a 90°C durante 70 minutos y mantuvo a esta temperatura por 3 horas con buen mezclado. El agua desionizada después se agregó y la mezcla se enfrió, dando por resultado una dispersión de microgel a 18.9% de contenido no volátil.

Baño :de Revestimiento de Electrodeposición y Revestimientos Ejemplo A Este ejemplo muestra la preparación de una mezcla empleada para preparar el baño de revestimiento descrita a continuación en el Ejemplo C. La mezcla se preparó a partir de los siguientes ingredientes: Partes en Peso Materia Prima (en gramos) Epoxi catiónico de alto 1023.7 peso molecular con poliéster x-linker (Ejemplo 1) Etilen glicol Monohexil 34.4 Éter Microgel 344.3 (Ejemplo 3) Agua DI 2037.6 La resina de electrodeposición del Ejemplo 1, se coloca en un recipiente con lenta agitación. El etilen glicol monohexil éter se agregó a esta resina lentamente bajo agitación y agitó por 30 minutos. El agua desionizada después se agregó a esta mezcla.

Ejemplo B Este ejemplo muestra la preparación de una segunda mezcla empleada para preparar el baño de revestimiento descrito a continuación en el Ejemplo C. La mezcla se preparó al agregar el siguiente catalizador a la mezcla del Ejemplo A: xPasta de catalizador disponible de PPG Industries, Inc.

Los ingredientes anteriores se mezclaron con baja agitación por 30 minutos.

Ejemplo C La segunda' mezcla del Ejemplo B se agrega a la mezcla del Ejemplo A con agitación. Aproximadamente 1720 gramos de permeado se retiraron del baño de revestimiento por ultrafiltración, el permeado se reemplaza con agua desionizada. El pH y conductividad finales de la pintura ultra filtrada fueron 5.08 y 566 microsiemens, respectivamente. Los sólidos medidos del tanque (una hora a 110 °C) fueron 9.43%.

Ejemplo D La composición de revestimiento electrodepositable del Ejemplo C puede ser aplicada en forma electroforética a núcleo de sustrato pasivado del baño de electrodeposición a una temperatura de 29.4°C (85°F) por 45 a 240 segundos a 1.0 amps / 10.16 x 15.24 cm (4 x 6") de sustrato cuadrado dependiendo del espesor de revestimiento deseado. Los voltajes de revestimiento pueden ser por ejemplo 150, 200, o 250 volts. El revestimiento puede' entonces curarse (por ejemplo por 30 minutos a 240°C) .

Pueden formarse circuitos en el sustrato para proporcionar conductores en el material aislante. La Figura 7 es una vista en planta del sustrato de la Figura 5 con pistas conductoras 30, 32 en el revestimiento aislante. La Figura 8 es una' vista en sección transversal del sustrato de la Figura 7, tomada sobre la linea 8-8. El montaje es mecánicamente robusto y proporciona eliminación eficiente de calor de los dispositivos electrónicos que pueden montarse en el sustrato.

En otro aspecto, la invención abarca un método para producir un montaje de circuito electrónico. El método comprende: (a) proporcionar un núcleo de aleación de hierro- níquel; (b) aplicar una capa de conversión de cromo a cuando menos una porción del núcleo de aleación de hierro-níquel; y (c) aplicar un revestimiento dieléctrico a una primer superficie de la capa de conversión de cromo. En este ejemplo, se forma un núcleo de metal primero y después subsecuentemente se aplican cualesquiera tratamientos previos necesarios, aplicación de revestimiento dieléctrico, electrodeposición, formación de patrón con revestimiento, etc.

El revestimiento dieléctrico puede aplicarse a las superficies expuestas del núcleo, para formar encima un revestimiento conformado. Como se emplea aquí, una película o revestimiento "conformado" se refiere a una película o revestimiento que tiene un espesor sustancialmente uniforme, que se adapta a la topografía del núcleo, incluyendo las superficies dentro (pero de preferencia sin ocluir) de los orificios en el núcleo. El espesor de la película de revestimiento dieléctrico puede por ejemplo estar entre 5 y 50 mieras. Un espesor de película menor es conveniente por una variedad de razones. Por ejemplo, un revestimiento dieléctrico que tiene un bajo espesor de película permite circuitos de escala menor.

En otro aspecto, la invención proporciona un sustrato que incluye un núcleo de aleación de hierro-níquel que tiene una pluralidad de orificios o vías, una capa de conversión de cromo a cuando menos una porción del núcleo de - - aleación de hierro-níquel, y los orificios o vías, y un revestimiento dieléctrico en al menos una porción de la capa de conversión de cromo y paredes laterales de los orificios o vías. En algunas modalidades, el núcleo puede tener un espesor de aproximadamente 10 a 400 mieras, o más específico de aproximadamente 20 a 200 mieras. En ejemplos específicos, el núcleo puede tener un espesor mínimo de aproximadamente 10 mieras, aproximadamente 20 mieras,: o aproximadamente 30 mieras. El espesor de núcleo puede controlarse al controlar la concentración de fluoruro de ácido y/o el tiempo para el cual el mordentado ácido se aplica al núcleo, como se describe anteriormente. En algunos ejemplos,' la proporción del diámetro de los orificios al espesor del núcleo puede ser aproximadamente 2.5:1 o aproximadamente 3:1. El uso de núcleos delgados permite el uso de pequeños orificios que tienen paredes laterales que pueden revestirse a manera de conformado, con los revestimientos de aislamiento descritos sin taponar. Por ejemplo, un núcleo de 20 mieras puede incluir orificios tan pequeños cómo aproximadamente 50 mieras^ o aproximadamente 70 mieras. En otro ejemplo, un núcleo' de 30 mieras puede incluir orificios tan pequeños como aproximadamente 90 mieras o aproximadamente 100 mieras.

Los conductores o contactos pueden formarse por ablación química, mecánica o láser o utilizando tecnologías de enmascarado para evitar aplicación de revestimiento en - - áreas selectas o de otra forma retirar porciones del revestimiento dieléctrico en un patrón predeterminado para exponer secciones del núcleo eléctricamente conductor y aplicar una capa de metal a porciones del revestimiento dieléctrico para formar conductores y contactos. La metalización de las capas de revestimiento dieléctrico también puede emplearse para formar contactos y conductores adyacentes a la superficie de las capas de revestimiento dieléctrico.

Habrá de entenderse que cualquiera de los procesos de la presente invención puede incluir una o más etapas adicionales sin apartarse del alcance de la invención. Igualmente, el orden en el que las etapas se realizan puede cambiarse según sea necesario, sin apartarse del alcance de la invención.

Estructuras fabricadas de acuerdo con los ejemplos anteriores pasan pruebas requeridas por el protocolo IPC-TM- 650. Las muestras de prueba incluyen .el núcleo, revestimiento de pasivación y revestimiento dieléctrico.

Aparte de en los ejemplos de operación, o cuando se indica de otra forma, todos los: números que expresan cantidades de ingredientes, condiciones de reacción y así en adelante, empleados en la especificación y reivindicaciones, habrá de entenderse como modificados · en todas las instancias por el término "aproximadamente". De acuerdo con esto, a - - menos que se indique por el contrario, los parámetros numéricos establecidos en la siguiente especificación y reivindicaciones anexas son aproximaciones que pueden variar dependiendo de las propiedades deseadas que se busca obtener por la presente invención. Como mínimo, y no como un intento por limitar la aplicación de la doctrina de equivalentes al alcance de las reivindicaciones, cada parámetro numérico deberá ser al menos construido a la luz del número de dígitos significantes reportados y al aplicar técnicas de redondeo ordinarias.

No obstante que son aproximaciones los intervalos numéricos y parámetros que establecen el amplio alcance de la invención, los valores numéricos establecidos en los ejemplos específicos se reportan lo más precisamente posible. Cualesquiera valores numéricos sin embargo contienen inherentemente ciertos errores que resultan necesariamente de la desviación estándar que se encuentra en sus medidas de prueba respectivas.

También, habrá de entenderse que cualquier intervalo numérico aquí descrito se pretende que incluya todos los sub-intervalos ahí englobados. Por ejemplo, un intervalo de "1 a 10" se pretende que incluya todos los sub- intervalos entre e incluyendo el valor mínimo escrito de 1 y el valor máximo escrito de 10, esto es, que tiene un valor mínimo igual a o mayor que 1 y un valor máximo igual a o - - menor que 10.

Considerando que modalidades particulares de esta invención se han descrito anteriormente para propósitos de ilustración, será evidente para aquellos con destreza en la técnica que numerosas variaciones de los detalles de la presente invención puedan realizarse sin apartarse de la invención como se define en las reivindicaciones anexas.

Como se emplea en esta descripción, a menos que se indique por el contrario, los parámetros numéricos son aproximaciones que pueden variar dependiendo de las propiedades deseadas que se busca obtener por la presente invención. De esta manera, cada parámetro numérico deberá ser al menos construido a la luz del número de dígitos significantes reportados y al aplicar técnicas de redondeo ordinarias o al tomar en cuenta tolerancias de fabricación típicas.

Mientras que la invención se ha descrito en términos de varios ejemplos, será aparente para aquellos con destreza en la técnica que pueden realizarse diversos cambios a los ejemplos descritos sin apartarse del alcance de la invención como se establece : en las siguientes reivindicaciones.

Claims (20)

REIVI DICACIONES

1. Un sustrato para un paquete de dispositivo electrónico, caracterizado porque comprende: un núcleo de aleación de hierro-níquel o un núcleo de aleación de cobalto-níquel ferroso; un revestimiento de conversión de cromo en al menos una porción del núcleo; y un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo.

2. El sustrato de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el núcleo tiene un espesor de al menos aproximadamente 30 mieras.

3. El sustrato de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el núcleo tiene un espesor de aproximadamente 20 mieras o menos.

. El sustrato de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el núcleo tiene un espesor de aproximadamente 10 mieras o menos.

5. El sustrato de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el revestimiento aislante comprende: un revestimiento de eleetrodeposieion.

6. El sustrato de conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque el núcleo incluye una pluralidad de orificios que tienen diámetros tan pequeños como ; aproximadamente 50 mieras y el revestimiento electrodepositado reviste a manera de conformado las paredes laterales de los orificios.

7. El sustrato de conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque el núcleo incluye una pluralidad de orificios que tienen diámetros tan pequeños como aproximadamente 70 mieras y el revestimiento electrodepositado cubre a manera de conformado las paredes laterales de los orificios.

8. El sustrato de conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque el núcleo incluye una pluralidad de orificios que tienen diámetros tan pequeños como aproximadamente 90 mieras y el revestimiento electrodepositado reviste a manera de conformado las paredes laterales de los orificios.

9. El sustrato de . conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque el núcleo incluye una pluralidad de orificios que tienen diámetros tan pequeños como aproximadamente 100 mieras : y el revestimiento electrodepositado reviste a manera de conformado las paredes laterales de los orificios.

10. El sustrato de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque además comprende: una capa de circuitos colocada en el revestimiento aislante.

11. El sustrato de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque tiene un espesor de aproximadamente 80 mieras o menos.

12. Un método para producir un sustrato para un paquete de dispositivo electrónico, caracterizado porque comprende: proporcionar un núcleo de aleación de hierro-níquel o un núcleo de aleación de cobalto-níquel ferroso; aplicar un revestimiento de conversión de cromo en al menos una porción del núcleo; y aplicar un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo.

13. El método de conformidad con la reivindicación 12, caracterizado porque el revestimiento aislante se aplica al revestimiento de conversión : de cromo utilizando electrodeposición .

14. El método de conformidad con la reivindicación 12, caracterizado porque la etapa de aplicar un revestimiento de conversión de cromo en al menos: una porción del núcleo comprénde : aplicar una solución de mordentado ácido al núcleo; y aplicar una solución de pasivación al núcleo.

15. El método de conformidad con la reivindicación 14, caracterizado porque la solución de mordentado ácido comprende una solución acuosa de fluoruro ácido y la solución de pasivación comprende una solución acuosa de Cr6+ y/o Cr3+.

16. El método de conformidad con la reivindicación 15, caracterizado porque la velocidad de mordentado se controla al regular la concentración de fluoruro ácido y/o el tiempo.

17. El método de conformidad con la reivindicación 14, caracterizado porque el núcleo se mordenta a un espesor de ai menos aproximadamente 30 mieras.

18. El método de conformidad con la reivindicación 14, caracterizado porque el núcleo es mordentado a un espesor de aproximadamente 20 mieras o menos.

19. El método de conformidad con la reivindicación 14, caracterizado porque el núcleo es mordentado a un espesor de aproximadamente 10 mieras o menos.'

20. El método de conformidad con la reivindicación 12, caracterizado porque el núcleo incluye una pluralidad de orificios que tienen diámetros tan bajos como aproximadamente 50 mieras y el revestimiento aislante reviste a manera de conformado las paredes laterales de los orificios. KESUMEN DE LA INVENCIÓN Un sustrato incluye un núcleo de aleación hierro-níquel o un núcleo de aleación cobalto-níquel ferroso, un revestimiento de conversión de cromo en al menos una porción del núcleo y un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo. Un método para producir un sustrato incluye: proporcionar un núcleo de aleación hierro-níquel o un núcleo de aleación cobalto-níquel ferroso, aplicar un revestimiento de conversión de cromo, en al menos una porción del núcleo y aplicar un revestimiento aislante en el revestimiento de conversión de cromo.