KR20110038697A - 부동태화된 금속 코어 기재 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기재는 철-니켈 합금 코어 또는 코발트-니켈 제1철 합금 코어, 코어(10)의 적어도 일부 상의 크롬 전환 코팅(16), 및 크롬 전환 코팅(16) 상의 절연 코팅(18,20)을 포함한다. 기재의 제조 방법은 철-니켈 합금 코어 또는 코발트-니켈 제1철 합금 코어를 제공하는 단계, 코어(10)의 적어도 일부 상에 크롬 전환 코팅(16)을 적용하는 단계, 및 크롬 전환 코팅(16) 상에 절연 코팅(18,20)을 적용하는 단계를 포함한다.

Description

부동태화된 금속 코어 기재 및 이의 제조 방법{PASSIVATED METAL CORE SUBSTRATE AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME}
본 발명은 전자 회로 조립체, 보다 구체적으로, 금속 코어 기재를 포함하는 회로 조립체 및 이의 가공에 관한 것이다.
마이크로전자공학 회로 패키지는 다양한 크기로 제조된다. 한 패키지 수준은 여러개의 미세회로 및/또는 다른 구성요소를 함유하는 반도체 칩을 포함한다. 이런 칩은 일반적으로 실리콘 등과 같은 반도체로부터 제조된다. 다층 기재를 포함하는 중간 패키지 수준(즉, "칩 캐리어")은 여러개의 칩을 포함할 수 있다. 유사하게, 이들 중간 패키지 수준은 더 큰 규모의 회로 카드, 마더보드 등에 부착될 수 있다. 중간 패키지 수준은 구조적 지지, 더 작은 규모의 회로의 더 큰 규모의 보드로의 일시적 통합, 및 회로 구성요소로부터의 열의 소산을 비롯하여 전반적인 회로 조립체에서의 여러 목적에 이바지한다. 종래의 중간 패키지 수준에 이용된 기재는 다양한 물질, 예를 들면 세라믹, 섬유유리 강화된 폴리에폭사이드 및 폴리아미드를 포함하여왔다.
전술된 기재가 충분한 강직성을 갖기 위해서, 이들은 일반적으로 구조적 지지를 회로 조립체에 제공하기 위해 100 ㎛ 초과의 두께로 사용되어야만 한다. 또한, 전술된 기재는 전형적으로 이들에 부착된 마이크로전자공학 칩과는 매우 상이한 열 팽창 지수를 갖는다. 그 결과, 반복 사용 후의 회로 조립체의 파단은 조립체 층 사이의 접합부의 파단으로 인한 위험이다.
종래 기술의 단점을 극복한 개선된 열 및 구조적 성질을 갖는 얇은 회로 조립체를 제공하는 것이 바람직하다.
제 1 양태에서, 본 발명은 철-니켈 합금 코어, 코어의 적어도 일부 상의 크롬 전환 코팅, 및 크롬 전환 코팅 상의 절연 코팅을 포함하는 기재를 제공한다.
다른 양태에서, 본 발명은 철-니켈 합금 코어를 제공하는 단계, 코어의 적어도 일부 상에 6가 또는 3가 크롬 전환 코팅을 제공하는 단계, 및 크롬 전환 코팅 상에 절연 코팅을 제공하는 단계를 포함하는, 기재의 제조 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 한 양태에 사용될 수 있는 기재 코어의 평면도이다.
도 2는 선 2-2에 따른 도 1의 기재 코어의 횡단면도이다.
도 3은 부동태화 코팅을 갖는 도 1의 기재 코어의 평면도이다.
도 4는 선 4-4에 따른 도 3의 기재 코어의 횡단면도이다.
도 5는 절연 코팅을 갖는 도 3의 기재의 평면도이다.
도 6은 선 6-6에 따른 도 5의 기재의 횡단면도이다.
도 7은 절연 코팅 상에 전도 트랙을 갖는 도 5의 기재의 평면도이다.
도 8은 선 8-8에 따른 도 7의 기재의 횡단면도이다.
제 1 양태에서, 본 발명은 유기 절연 물질로 코팅될 수 있는 금속 코어를 갖는 기재에 관한 것이다. 이런 기재는 전자공학 회로 패키지에 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 양태에서 사용될 수 있는 기재 코어(10)의 평면도이다. 도 2는 선 2-2에 따른 도 1의 기재 코어의 횡단면도이다. 이 예에서, 코어는 일반적으로 구멍 또는 비아(via), 예를 들면 (12) 및 (14)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있는 금속 합금의 평면 시트를 포함한다.
일부 실시양태에서, 기재 코어는 약 10 내지 400 ㎛, 보다 구체적으로 약 20 내지 200 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 특정한 실시예에서, 코어는 약 10 ㎛, 약 20 ㎛ 또는 약 30 ㎛의 최소 두께를 가질 수 있다. 구멍은 균일한 크기 및 형태를 가질 수 있다. 구멍이 원형인 경우, 구멍의 직경은 약 4밀(101.6 ㎛) 정도로 작을 수 있다. 구멍이 막히지 않고 후속적인 가공에서 적용되는 모든 층을 수용하기에 충분히 크기만 하면, 구멍은 필요에 따라 더 크거나 더 작을 수 있다.
한 실시예에서, 금속 코어는 철-니켈 합금, 예를 들면 약 64중량%의 철 및 36중량%의 니켈을 포함하는 INVAR (프랑스 파리 뤼 드 리볼리 168 소재의 임피 에스.에이.(Imphy S.A.)의 상표명)일 수 있다. 이 합금은 전자공학 소자(예를 들면 칩)를 가공하는데 이용되는 실리콘 물질에 비해 낮은 열 팽창 지수를 갖는다. 저장하거나 일상적으로 사용하는 동안의 온도 사이클링으로 인해 칩 규모 패키지의 계속적으로 더 크거나 더 작은 크기의 층 사이의 접착 연결부가 파단되는 것을 방지하기 위해서 이 성질이 바람직하다.
INVAR 코어를 포함하는 이전에 공지된 기재에서는, 구리 금속 층이 INVAR 코어의 모든 표면에 적용되어 증가된 전도성을 제공한다. 구리 층은 전형적으로 1 내지 20 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 그러나, 기재가 구리 코팅을 포함하지 않는 INVAR 코어를 갖는 것이 바람직할 것이다.
코팅되지 않은 INVAR 코어를 이용하면, 철-니켈 코어의 표면에서의 바람직하지 않은 화학적 변화로 인해 부식 생성물이 형성될 수 있다. 이들 화학적 변화는 승온에서 촉진될 수 있다. 예를 들면, 표준 주위 압력 부식 시험 하에서는 2주 후에도 부식 생성물이 형성되지 않는 경우에조차, IPC-TM-650 프로토콜에 개시된 오토클레이브 시험 조건 하에서는 24시간 이내에 철-니켈 합금 코어 상에 부식 생성물이 형성될 수 있다. 철-니켈 코어 상의 부식 생성물 형성을 최소화하는 것이 바람직하다.
다른 실시예에서, 코어 물질은 약 54%의 철, 29%의 니켈 및 17%의 코발트의 합금인 KOVAR(카펜터 테크놀로지 코포레이션(Carpenter Technology Corporation)의 상표명)이다. KOVAR는 회로 조립체에 이용되는 다른 물질과 상용성인 열 팽창 계수를 갖도록 고안된 니켈-코발트 제1철 합금이다.
한 양태에서, 본 발명은 철-니켈 합금 기재를 부동태화하기 위해 크롬 전환 처리를 이용하고, 이 기재는 이후에 유전 물질 코팅으로 코팅된다. 크롬 전환 처리는 오토클레이브 시험에서 일반적으로 보이는 고압/고온 다습 환경 하에서 발생할 수 있는 부식을 방지하기 위한 부동태화제로서 이용된다.
도 3은 부동태화 코팅(16)이 코어의 표면에 적용된 도 1의 기재 코어의 평면도이다. 도 4는 선 4-4에 따른 도 3의 기재 코어의 횡단면도이다.
한 양태에서, 본 발명은 IPC-TM-650 프로토콜에 의해 요구되는 점착 박리 시험을 통과할 수 있는, INVAR 또는 KOVAR 코어 구조를 위한 부동태화제로서 3가 또는 6가 크롬을 이용하는 방법 및 장치를 제공한다. IPC-TM-650 프로토콜은 96시간 오토클레이브 시험을 규정한다.
하기의 실시예에서 크롬 전환 부동태화 처리는 INVAR 및 KOVAR 금속 코어에 적용되어왔다.
실시예 1
하기 단계를 이용한 알로딘(Alodine) 공정에서 INVAR 및 KOVAR 기재 코어의 전처리.
1) 리돌렌(Ridolene) 298 클리너: 130℉; 120초; 진탕하면서 함침
2) 함침 수돗물 세정: 주위 온도; 60초; 진탕
3) 분무 수돗물 세정 (물병)
4) DeOx 6/16 혼합물: 주위 온도; 150초; 진탕없음
5) 함침 수돗물 세정: 주위 온도; 60초; 진탕
6) 분무 수돗물 세정 (물병)
7a) 알로딘 1000: 주위 온도; 300초; 진탕없음
7b) 알로딘 1200S: 주위 온도; 150초; 진탕없음
7c) 알로딘 1600: 주위 온도; 300초; 진탕없음
8) 함침 탈이온수(DIW) 세정: 주위 온도; 60초; 진탕
9) 최종 분무 세정 DIW (물병)
단계 7a), 7b) 및 7c)는 선택적인 대안 단계이다. 사용되는 경우, 이들 단계들중 단지 하나만이 특정 실시예에서 이용된다.
실시예 2
하기 단계를 이용한 메탈라스트(Metalast) 공정에서 INVAR 및 KOVAR 기재 코어의 전처리.
1) 메탈라스트 1000 클리너: 120℉; 120초; 진탕하면서 함침
2) 함침 DIW 세정: 주위 온도; 60초; 진탕
3) 분무 DIW 세정 (물병)
4) DeOx LNC: 주위 온도; 180초; 진탕없음
5) 함침 DIW 세정: 주위 온도; 60초; 진탕
6) 분무 DIW 세정 (물병)
7) 메탈라스트 TCP: 주위 온도; 300초; 진탕없음
8) 함침 DIW 세정: 주위 온도; 60초; 진탕
9) 최종 분무 세정 DIW (물병)
실시예 1 및 2에서, 모든 탈산소제-전처리를 실온에서 적용하였다. 130 ℉에서 2분동안의 함침을 통해 클리너 리돌렌 298을 적용하였다. 리돌렌 298은 헨켈 코포레이션(Henkel Corporation)에서 이용가능하다. 120 ℉에서 2분동안의 함침을 통해 메탈라스트 1000 클리너를 적용하였다. 메탈라스트 1000은 메탈라스트 인터내셔날 인코포레이티드(Metalast International, Inc.)에서 이용가능하다.
DeOX 6/16은 헨켈 코포레이션에서 이용가능한 탈산소 처리이다. DeOX 6/16은 산 에칭 용액으로 작용한다. 에칭 속도는 산 불화물 농도 및/또는 산 에칭이 코어에 적용되는 시간을 조절함으로써 조절될 수 있다. 표 1은 산 에칭 용액에 노출되는 시간을 조절함으로써 Invar 코어 두께가 어떻게 조절될 수 있는지를 보여주는 예이다.
[표 1]
Figure pct00001
DeOX LNC는 오아카이트(Oakite)의 수성 탈산소제이다.
6가 크롬 처리 및 3가 크롬 처리는 둘 모두 금속 표면을 부동태화시키는데 이용될 수 있다. 반응 기작은 상이하며, 기재와의 전기분해 반응에서 6가 크롬이 3가 크롬으로 환원된다(기재가 산화된다). 3가 크롬 처리는 복분해(음이온의 금속 표면과의 교환)를 통해 Cr을 표면에 침착시킨다. 두가지 경우 모두, 최종 생성물이 부동태화 층으로 작용하는 불용성 Cr(III) 산화물을 함유할 수 있다. 두가지 경우 모두에서, 처리는 전형적으로 크롬 전환 코팅으로 언급된다.
알로딘 1000, 1200S 및 1600은 헨켈 코포레이션에서 이용가능한 크롬 전환 처리이다. 알로딘 1000, 1200S 및 1600은 부동태화 용액으로 작용한다. 메탈라스트 TCP-HF는 메탈라스트 인터내셔날 인코포레이티드에서 이용가능한 수성 3가 크롬 전처리이다.
도 5은 절연 코팅이 부동태화 코팅에 적용되어 있는, 도 3의 기재의 평면도이다. 도 6은 선 6-6에 따른 도 5의 기재의 횡단면도이다. 절연 물질의 제 1 및 제 2 층(18 및 20)은 코어의 반대 면(또는 표면)(22, 24)에 위치한다. 추가의 절연(16 및 28)이 개구(14 및 16)의 벽 상에 침착될 수 있다.
하기의 실시예는 전착 코팅의 제조 방법 및 기재 코어의 코팅 부동태화된 부분에서의 이의 용도를 예시한다.
실시예 I
하기 실시예는 하기에 개시된 전착성 코팅 욕에서 이용되는 양이온성 결합제의 합성을 개시한다. 결합제는 하기 성분으로부터 제조되었다.
Figure pct00002
마존 1651, 에폰 880, 테트라브로모 비스페놀 A 및 테트로닉 150R1을 교반기, 온도 프로브, 및 딘-스타크 트랩이 구비된 4목 환저 플라스크에 질소 담요 하에서 넣었다. 혼합물을 70℃의 온도로 가열하고 15분동안 교반하였다. 그런 다음, 열원을 제거하고, 아미노프로필다이에탄올아민 및 다이에탄올아민을 첨가하였다. 반응 혼합물은 약 10분 후에 176℃의 최고 온도로 발열하였다. 한시간동안 135℃의 온도까지 반응물을 냉각시키고, 2-부톡시에탄올을 첨가하고, 혼합물을 125℃까지 추가로 냉각시켰다. 그런 다음, 혼합물을 피크 발열로부터 총 2시간동안 125℃에서 유지시켰다. 제 2 부하량의 에폰 880 및 가교결합제를 첨가하고, 용액을 125℃에서 2.5시간동안 교반하였다. 반응 혼합물(3428부)을 강한 진탕 하에서 탈이온수(1287부)에 용해된 설팜산(49.5부)의 용액에 부었다. 1시간의 진탕 후, 추가양의 탈이온수(3970부)를 서서히 첨가하고, 30.2%의 비-휘발성 함량을 갖는 분산액을 생성하였다.
실시예 II
본 실시예는 하기 도시된 마이크로겔 실시예의 합성에서 이용된 겔화되지 않은 양이온 비누의 제조를 보여준다. 양이온 비누를 하기 성분으로부터 제조하였다.
Figure pct00003
에폰 828, 비스페놀 A-에틸렌 옥사이드 부가물, 비스페놀 A 및 2-부톡시에탄올을 반응 용기에 넣고, 질소 대기 하에서 125℃의 온도까지 가열하였다. 벤질다이메틸아민의 제 1 부분을 첨가하고, 반응을 180℃까지 발열되도록 하였다. 발열동안 반응이 160℃에 이르면 1시간의 유지가 시작되었다. 발열 피크 후에, 수지를 다시 160℃로 냉각시키고, 계속 유지하였다. 유지 후, 반응을 130℃로 냉각시키고, 제 2 부분의 벤질다이메틸아민을 첨가하였다. 반응을 1070의 외삽된 에폭시 당량 중량까지 130℃에서 유지시켰다. 예상된 에폭시 당량 중량에서, 다이케티민 및 N-메틸에탄올아민을 연속으로 첨가하고, 혼합물을 약 150℃까지 발열되도록 허용하였다. 피크 발열에서, 한시간의 유지를 시작하였고, 이동안 반응을 125℃까지 냉각되게 하였다. 1시간의 유지 후, 수지를 제 1 부분의 탈이온수에 용해된 아세트산 용액으로 분산시켰다. 분산액을 나중에 제 2, 제 3 및 제 4 부분의 탈이온수로 희석시켰다. 생성된 양이온성 비누를 메틸아이소부틸 케톤 수준이 0.05% 미만이 될 때까지 진공 스트리핑하였다.
실시예 III
본 실시예는 실시예 II에서 상기 개시된 양이온 에폭시 비누로부터 양이온성 마이크로겔의 합성을 보여준다. 마이크로겔을 하기 성분으로부터 제조하였다.
Figure pct00004
탈이온수를 실시예 2의 양이온 비누에 첨가하고, 혼합물을 질소 담요 하에서 70℃로 가열하였다. 에폰 828 용액을 잘 진탕하면서 15분에 걸쳐 첨가하였다. 메틸아이소부틸 케톤을 세정액으로서 첨가하고, 혼합물을 45분동안 70℃에서 유지시켰다. 그런 다음, 혼합물을 90℃에서 70분동안 가열하고, 이 온도에서 잘 혼합하면서 3시간동안 유지시켰다. 그럼 다음, 탈이온수를 첨가하고, 혼합물을 냉각시켜 18.9%의 비-휘발물 함량의 마이크로겔 분산액을 생성하였다.
전착 코팅 욕 및 코팅
실시예 A
본 실시예는 실시예 C에서 하기 개시된 코팅 욕을 제조하는데 이용되는 블렌드의 제조를 보여준다. 블렌드는 하기 성분으로부터 제조되었다.
Figure pct00005
실시예 1의 전착 수지를 느리게 진탕하면서 용기에 넣었다. 에틸렌 글리콜 모노헥실 에터를 30분동안 느리게 진탕하고 교반하면서 이 수지에 첨가하였다. 그런 다음, 탈이온수를 이 혼합물에 첨가하였다.
실시예 B
이 실시예는 실시예 C에서 하기 개시된 코팅 욕을 제조하는데 이용되는 제 2 블렌드의 제조를 나타낸다. 블렌드는 하기 촉매를 실시예 A의 블렌드에 첨가함으로써 제조되었다:
Figure pct00006
상기 성분을 30분동안 낮은 진탕 하에서 혼합하였다.
실시예 C
실시예 B의 제 2 블렌드를 진탕 하에서 실시예 A의 블렌드에 첨가하였다. 약 1720g의 투과물을 한외여과를 통해 코팅 욕으로부터 제조하였고, 투과액을 탈이온수로 대체하였다. 한외여과된 페인트의 최종 pH 및 전도성은 각각 5.08 및 566 마이크로지멘스이었다. 탱크(110℃에서 1시간)의 측정된 고형물은 9.43%였다.
실시예 D
실시예 C의 전착가능한 코팅 조성물을 전기영동적으로 적용하여 바람직한 코팅 두께에 따라 1.0 amps/4"x6" □ 기재에서 45 내지 240초동안 85 ℉의 온도에서 전착 욕으로부터 기재 코어를 부동태화할 수 있다. 코팅 전압은 예를 들면 150, 200 또는 250 볼트일 수 있다. 그런 다음, 코팅을 경화시킬 수 있다(예를 들면 240℃에서 30분).
기재를 회로화하여 절연 물질 상의 전도체를 제공할 수 있다. 도 7은 절연 코팅 상의 절연 트랙(30, 32)을 갖는 도 5의 기재의 평면도이다. 도 8은 선 8-8에 따른 도 7의 기재의 횡단면도이다. 조립체는 기계적으로 강건하고, 기재 상에 탑재될 수 있는 전자 소자로부터 열이 효과적으로 제거되도록 제공된다.
다른 양태에서, 본 발명은 전기 회로 조립체의 제조 방법을 포함한다. 상기 방법은 (a) 철-니켈 합금 코어를 제공하는 단계, (b) 철-니켈 합금 코어의 적어도 일부 상에 크롬 전환 층을 적용하는 단계, 및 (c) 크롬 전환 층의 제 1 표면에 유전체 코팅을 적용하는 단계를 포함한다. 이 실시예에서, 금속 코어가 먼저 형성된 후, 임의의 필요한 전처리, 유전체 코팅 도포, 스퍼터링, 플레이팅, 패턴화 등이 후속적으로 가해질 수 있다.
유전체 코팅을 코어의 노출된 표면에 적용하여 그 위에 정합 코팅을 형성할 수 있다. 본원에서 이용되는 "정합(conformal)" 필름 또는 코팅은 코어의 구멍 내부 표면(하지만, 바람직하게는 이를 막지는 않는다)을 비롯한, 코어 지형에 일치하는 실질적으로 균일한 두께를 갖는 필름 또는 코팅을 의미한다. 유전체 코팅 필름의 두께는 예를 들면 5 내지 50 ㎛일 수 있다. 더 얇은 필름 두께가 여러 이유로 바람직하다. 예를 들면 더 작은 크기의 회로 소자에 대해서는 더 얇은 필름 두께를 갖는 유전체 코팅이 허용된다.
다른 양태에서, 본 발명은 다수의 구멍 또는 비아를 갖는 철-니켈 합금 코어, 철-니켈 합금 코어의 적어도 일부, 구멍 및 비아에 대한 크롬 전환 층, 및 크롬 전환 층의 적어도 일부 및 구멍 또는 비아의 측벽 상의 유전체 코팅을 포함하는 기재를 제공한다. 일부 실시양태에서, 코어는 약 10 내지 400 ㎛, 보다 특이적으로 약 20 내지 200 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 구체적인 예에서, 코어는 약 10 ㎛, 약 20 ㎛ 또는 약 30 ㎛의 최소 두께를 가질 수 있다. 코어 두께는 상기 개시된 바와 같이 산 불화물 농도 및/또는 산 에칭이 코어에 적용되는 시간을 조절함으로써 조절될 수 있다. 일부 실시예에서, 구멍의 직경 대 코어의 두께의 비가 약 2.5:1 내지 약 3:1일 수 있다. 얇은 코어를 이용하면 막히지 않고 개시된 절연 코팅으로 정합 코팅될 수 있는 측벽을 갖는 작은 구멍의 이용을 가능하게 한다. 예를 들면, 20 ㎛ 코어는 약 50 ㎛ 또는 약 70 ㎛ 정도로 작은 구멍을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 30 ㎛ 코어는 약 90 ㎛ 또는 약 100 ㎛ 정도로 작은 구멍을 포함할 수 있다.
화학적, 기계적 또는 레이저 절제에 의해 또는 선택된 영역에서의 코팅 도포를 방지하거나 다르게는 유전체 코팅의 일부를 예정된 패턴으로 제거하여 전기전도성 코어의 구획을 노출시키고, 금속 층을 유전체 코팅의 일부에 적용하여 전도체 및 접점을 형성함으로써 전도체 또는 접점을 형성할 수 있다. 유전체 코팅 층의 금속화를 또한 이용하여 유전체 코팅 층의 표면에 인접한 접점 및 전도체를 형성할 수 있다.
본 발명의 임의의 방법은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 하나 이상의 추가의 단계를 포함할 수 있는 것으로 이해되어야만 한다. 유사하게, 단계가 수행되는 순서는 필요에 따라 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 변화될 수 있다.
상기 실시예에 따라 가공된 구조체는 IPC-TM-650 프로토콜에 의해 요구되는 시험을 통과하였다. 시험 시료는 코어, 부동태화 코팅 및 유전체 코팅을 포함한다.
조작 실시예 또는 달리 개시되지 않은 곳이 아닌 경우, 상세한 설명 및 특허청구범위에서 이용되는 성분의 양, 반응 조건 등을 표현하는 모든 수치는 용어 "약"에 의해 모든 경우에 변화되는 것으로 이해된다. 따라서, 달리 지시되지 않은 한, 하기 상세한 설명 및 첨부된 특허청구범위에 개시된 수치 변수는 본 발명에서 수득하고자하는 바람직한 성질에 따라 변화될 수 있는 근사값이다. 청구범위에 대한 등가 원칙의 적용을 제한하고자 하는 것은 아니지만, 최소한, 각각의 수치 변수는 보고된 유의 자릿수의 측면에서 고려되어야만 하고, 일반적인 반올림 기법이 적용된다.
본 발명의 넓은 범위에 설정된 수치 범위 및 변수가 근사값임에도 불구하고, 특정한 실시예에 개시된 수치 값은 가능한 한 정확하게 보고되어 있다. 그러나, 임의의 수치 값은 각각의 시험 측정에서 발견되는 표준 편차에서 불가피하게 기인하는 일부 오차를 본질적으로 함유한다.
또한, 본원에서 언급된 임의의 수치 범위는 내부에 포함되는 모든 하부 범위를 포함하고자 한다. 예를 들면 "1 내지 10"의 범위는 이 사이의 모든 하부 범위를 포함하고자 하고, 언급된 최소값인 1 및 언급된 최대값인 10을 포함하며, 즉, 1 이상의 최소값 및 10 이하의 최대값을 갖는다.
본 발명의 특정한 실시양태가 예시 목적으로 상기 개시되어 있지만, 첨부된 특허청구범위에 정의된 본 발명을 벗어나지 않고 본 발명의 세부 사항을 다양하게 변형할 수 있음이 당 분야의 숙련자들에게 명확하다.
달리 지시되지 않은 한, 본원에서 사용되는 수치 변수는 본 발명에서 수득하고자하는 바람직한 성질에 따라 변화될 수 있는 근사값이다. 각각의 수치 변수는 최소한 보고된 유의 자릿수의 측면에서 고려되어야만 하고, 일반적인 반올림 기법이 적용되거나, 전형적인 제조 허용 오차를 고려한다.
본 발명이 여러 실시예의 측면에서 개시되어 있지만, 첨부된 특허청구범위에 정의된 본 발명을 벗어나지 않고 본 발명의 상세한 설명을 다양하게 변형할 수 있음이 당 분야의 숙련자들에게 명확하다.

Claims (20)

  1. 철-니켈 합금 코어 또는 코발트-니켈 제1철 합금 코어;
    코어의 적어도 일부 상의 크롬 전환 코팅; 및
    크롬 전환 코팅 상의 절연 코팅
    을 포함하는, 전자 소자 패키지용 기재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    코어가 약 30 ㎛ 이상의 두께를 갖는 기재.
  3. 제 1 항에 있어서,
    코어가 약 20 ㎛ 이하의 두께를 갖는 기재.
  4. 제 1 항에 있어서,
    코어가 약 10 ㎛ 이하의 두께를 갖는 기재.
  5. 제 1 항에 있어서,
    절연 코팅이 전착된 코팅을 포함하는 기재.
  6. 제 5 항에 있어서,
    코어가 약 50 ㎛ 정도의 작은 직경을 갖는 다수의 구멍, 및 구멍의 측벽을 정합 코팅하는 전착된 코팅을 포함하는 기재.
  7. 제 5 항에 있어서,
    코어가 약 70 ㎛ 정도의 작은 직경을 갖는 다수의 구멍, 및 구멍의 측벽을 정합 코팅하는 전착된 코팅을 포함하는 기재.
  8. 제 5 항에 있어서,
    코어가 약 90 ㎛ 정도의 작은 직경을 갖는 다수의 구멍, 및 구멍의 측벽을 정합 코팅하는 전착된 코팅을 포함하는 기재.
  9. 제 5 항에 있어서,
    코어가 약 100 ㎛ 정도의 작은 직경을 갖는 다수의 구멍, 및 구멍의 측벽을 정합 코팅하는 전착된 코팅을 포함하는 기재.
  10. 제 1 항에 있어서,
    절연 코팅 상에 위치한 회로 층을 추가로 포함하는 기재.
  11. 제 1 항에 있어서,
    약 80 ㎛ 이하의 두께를 갖는 기재.
  12. 철-니켈 합금 코어 또는 코발트-니켈 제1철 합금 코어를 제공하는 단계;
    코어의 적어도 일부 상에 크롬 전환 코팅을 적용하는 단계; 및
    크롬 전환 코팅 상에 절연 코팅을 적용하는 단계
    를 포함하는 전자 소자 패키지용 기재의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    전착을 이용하여 절연 코팅을 크롬 전환 코팅에 적용하는 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    코어의 적어도 일부 상에 크롬 전환 코팅을 적용하는 단계가
    산 에칭 용액을 코어에 적용하는 단계; 및
    부동태화 용액을 코어에 적용하는 단계를 포함하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    산 에칭 용액이 산 불화물 수용액을 포함하고, 부동태화 용액이 수성 Cr6 + 및/또는 Cr3 + 용액을 포함하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    산 불화물 농도 및/또는 시간을 조절함으로써 에칭 속도를 조절하는 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    약 30 ㎛ 이상의 두께로 코어를 에칭하는 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    약 20 ㎛ 이하의 두께로 코어를 에칭하는 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    약 10 ㎛ 이하의 두께로 코어를 에칭하는 방법.
  20. 제 12 항에 있어서,
    코어가 약 50 ㎛ 정도의 작은 직경을 갖는 다수의 구멍을 포함하고, 절연 코팅이 구멍의 측벽을 정합 코팅하는 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2937336B1 (fr) * 2008-10-22 2011-06-10 Rhodia Operations Composition pour les soins menagers comprenant un nanogel cationique

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3535213A (en) * 1967-12-20 1970-10-20 Yawata Seitetsu Kk Method of surface-treating metals
US3717509A (en) * 1970-11-06 1973-02-20 Diamond Shamrock Corp Coated metal and method
NL7317143A (nl) * 1973-12-14 1975-06-17 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een magneet- kop en magneetkop vervaardigd met behulp van de werkwijze.
US4082620A (en) * 1977-04-29 1978-04-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Process for chromating metallic surfaces
US4180442A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Mcdonnell Douglas Corporation Electrodeposition of coatings on metals to enhance adhesive bonding
US4601916A (en) * 1984-07-18 1986-07-22 Kollmorgen Technologies Corporation Process for bonding metals to electrophoretically deposited resin coatings
US4780153A (en) * 1987-02-06 1988-10-25 Guhde Donald J Chromium-containing low-cure coating composition
US5906688A (en) 1989-01-11 1999-05-25 Ohmi; Tadahiro Method of forming a passivation film
US4915797A (en) * 1989-05-24 1990-04-10 Yates Industries, Inc. Continuous process for coating printed circuit grade copper foil with a protective resin
JP2815462B2 (ja) * 1990-06-01 1998-10-27 三菱樹脂株式会社 金属積層基板
US5153986A (en) 1991-07-17 1992-10-13 International Business Machines Method for fabricating metal core layers for a multi-layer circuit board
JP2585936B2 (ja) * 1991-11-15 1997-02-26 住友電気工業株式会社 弗素樹脂被覆物の製造方法
US6004448A (en) 1995-06-06 1999-12-21 Atotech Usa, Inc. Deposition of chromium oxides from a trivalent chromium solution containing a complexing agent for a buffer
KR100214269B1 (ko) 1996-06-27 1999-08-02 김영환 반도체 소자의 보호막 제조방법
JP2000200857A (ja) * 1999-01-07 2000-07-18 Fuji Denka:Kk 気密封着用端子およびその製造方法
US6407341B1 (en) 2000-04-25 2002-06-18 International Business Machines Corporation Conductive substructures of a multilayered laminate
JP2002009203A (ja) * 2000-06-23 2002-01-11 Dainippon Printing Co Ltd 配線形成方法と配線基板
US6951707B2 (en) * 2001-03-08 2005-10-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Process for creating vias for circuit assemblies
US6671950B2 (en) * 2001-03-08 2004-01-06 Ppg Industries Ohio, Inc. Multi-layer circuit assembly and process for preparing the same
US6713587B2 (en) 2001-03-08 2004-03-30 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrodepositable dielectric coating compositions and methods related thereto
US6459047B1 (en) 2001-09-05 2002-10-01 International Business Machines Corporation Laminate circuit structure and method of fabricating

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