MD575Z - Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции - Google Patents

Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции Download PDF

Info

Publication number
MD575Z
MD575Z MDS20120020A MDS20120020A MD575Z MD 575 Z MD575 Z MD 575Z MD S20120020 A MDS20120020 A MD S20120020A MD S20120020 A MDS20120020 A MD S20120020A MD 575 Z MD575 Z MD 575Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
bismuth
wire
recrystallization
filament
axis
Prior art date
Application number
MDS20120020A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Альбина НИКОЛАЕВА
Павел БОДЮЛ
Леонид КОНОПКО
Анна ЦУРКАН
Иван СТИЧ
Original Assignee
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ filed Critical ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ
Priority to MDS20120020A priority Critical patent/MD575Z/ru
Publication of MD575Y publication Critical patent/MD575Y/mo
Publication of MD575Z publication Critical patent/MD575Z/ru

Links

Landscapes

  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области производства термоэлектрических материалов с направленной анизотропией, а именно к способу рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции.Способ, согласно изобретению, состоит в том, что один конец нити висмута нагревают до температуры плавления с образованием очень узкой расплавленной зоны. Упомянутую зону приводят в контакт с холодным монокристаллическим зародышем в виде нити большего диаметра, с кристаллографической осью С3,направленной вдоль оси нити, от которого расплавленная зона рекристаллизуется, заимствуя направление кристаллографических осей монокристаллического зародыша. Плавление и рекристаллизация нити висмута осуществляются постепенно, от конца контактирующего с поверхностью зародыша до ее другого конца.
MDS20120020A 2012-01-31 2012-01-31 Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции MD575Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20120020A MD575Z (ru) 2012-01-31 2012-01-31 Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20120020A MD575Z (ru) 2012-01-31 2012-01-31 Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD575Y MD575Y (en) 2012-12-31
MD575Z true MD575Z (ru) 2013-07-31

Family

ID=47469610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20120020A MD575Z (ru) 2012-01-31 2012-01-31 Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD575Z (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1102Z (ru) * 2015-12-07 2018-01-31 Технический университет Молдовы Установка и способ растягивания провода в изоляции

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3662C2 (ru) * 2005-09-02 2009-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты)
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции
  • 2012

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3662C2 (ru) * 2005-09-02 2009-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты)
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Nikolaeva A., Moloşnic E., Para G., Vieru S., Botnari O. Proprietăţile firelor monocristaline de Bi-Sn cu axa C3 orientată în lungul fibrei. Conferinţa fizicienilor din Moldova, Chişinău, 2007, p. 32 (regăsit în Internet la 2012.05.17) <URL: sfm.asm.md/cfm2007/abstracts%20CFM2007.pdf> *
Пфанн В. Зонная плавка. Мир, Москва, 1970, с. 246-251 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD575Y (en) 2012-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010130676A (ru) Способ и устройство для получения монокристалла сапфира
KR102049710B1 (ko) SiC 단결정의 제조 방법 및 제조 장치
JP5434801B2 (ja) SiC単結晶の製造方法
CN102851545A (zh) 一种Ni-Mn-Ge系磁性形状记忆合金及其制备方法
CN103608497A (zh) SiC单晶及其制造方法
US9982365B2 (en) Method for producing SiC single crystal
CN102691098B (zh) 泡生法制备蓝宝石晶体的生长方法
CN101213318B (zh) 用于生长单晶金属的方法和装置
MD575Z (ru) Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции
JP6869077B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
Kozuki et al. Metastable crystal growth of the low temperature phase of barium metaborate from the melt
Prabhakaran et al. Studies on bulk growth, structural and microstructural characterization of 4-aminobenzophenone single crystal grown from vertical Bridgman technique
CN105369345A (zh) 一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法
JP4894848B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
US9822468B2 (en) Method for producing SiC single crystal
JP6231375B2 (ja) 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法
JP6172013B2 (ja) Gsgg単結晶の製造方法と酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法
JP5951132B2 (ja) 溶融領域における単結晶の結晶化により単結晶を製造するための装置
JP2002104896A (ja) 単結晶の成長方法および成長装置
MD1409Z (ru) Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции
JP6279930B2 (ja) 結晶製造装置および結晶の製造方法
JP2020125242A (ja) 多結晶シリコン塊、多結晶シリコン棒、および単結晶シリコンの製造方法
CN112210819A (zh) 一种晶棒的制备方法和设备
RU56404U1 (ru) Кристаллизационная установка для выращивания тугоплавких эвтектических псевдомонокристаллов
JP4599564B2 (ja) 複相シリサイドの作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
FG9Y Short term patent issued
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)