MD3662C2 - Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты) - Google Patents

Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты) Download PDF

Info

Publication number
MD3662C2
MD3662C2 MDA20050253A MD20050253A MD3662C2 MD 3662 C2 MD3662 C2 MD 3662C2 MD A20050253 A MDA20050253 A MD A20050253A MD 20050253 A MD20050253 A MD 20050253A MD 3662 C2 MD3662 C2 MD 3662C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
alloy
variants
semiconductor thermoelectric
thermoelectric alloy
variant
Prior art date
Application number
MDA20050253A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD20050253A (en
MD3662B2 (en
Inventor
Павел БОДЮЛ
Думитру ГИЦУ
Альбина НИКОЛАЕВА
Валериу ЧОРБЭ
Георге ПАРА
Анна ЦУРКАН
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20050253A priority Critical patent/MD3662C2/ru
Publication of MD20050253A publication Critical patent/MD20050253A/xx
Publication of MD3662B2 publication Critical patent/MD3662B2/xx
Publication of MD3662C2 publication Critical patent/MD3662C2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковым материалам и может быть использовано для получения полупроводниковых сплавов.Сущность изобретения, согласно первому варианту, состоит в том, что сплав выполнен на основе Bi, допированого Te и обожженного до рекристаллизации, градиент температуры которого направлен вдоль тригональной оси кристаллической решётки сплава, где Те содержится в пропорции 1,35…1,45% ат. А, согласно второму варианту, градиент температуры сплава направлен вдоль биссектрисы его кристаллической решётки, где Те содержится в пропорции 1,05…1,15% ат.   
MDA20050253A 2005-09-02 2005-09-02 Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты) MD3662C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20050253A MD3662C2 (ru) 2005-09-02 2005-09-02 Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20050253A MD3662C2 (ru) 2005-09-02 2005-09-02 Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
MD20050253A MD20050253A (en) 2007-09-30
MD3662B2 MD3662B2 (en) 2008-07-31
MD3662C2 true MD3662C2 (ru) 2009-02-28

Family

ID=38567117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20050253A MD3662C2 (ru) 2005-09-02 2005-09-02 Полупроводниковый термоэлектрический сплав (варианты)

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3662C2 (ru)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4013G2 (ru) * 2007-10-31 2010-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ получения сплава с повышенным магнетосопротивлением для изготовления микропровода
MD174Z (ru) * 2009-05-19 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый материал
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции
MD402Z (ru) * 2010-09-17 2012-02-29 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Способ быстрого выращивания монокристалла висмута
MD542Z (ru) * 2012-01-13 2013-03-31 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Термоэлектрический анизотропный материал на основе висмута
MD575Z (ru) * 2012-01-31 2013-07-31 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Блатт Ф. Дж., Шредер П. А., Фойлз К. Л., Грейг Д. Термоэлектродвижущая сила металлов. Москва, 1980 *
В. Г., Трефилов А. В., Фомичев С. В. Об особенностях электросопротивления и термоэдс металлов при фазовых *
Вакс В. Г., Трефилов А. В., Фомичев С. В. Об особенностях электросопротивления и термоэдс металлов при фазовых переходах 21/2 рода. ЖЭТФ, т.80, в.4, стр.1613-1621, 1981 *
переходах 21/2 рода. ЖЭТФ, т.80, в.4, стр.1613-1621, 1981 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4013G2 (ru) * 2007-10-31 2010-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ получения сплава с повышенным магнетосопротивлением для изготовления микропровода
MD174Z (ru) * 2009-05-19 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый материал
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции
MD402Z (ru) * 2010-09-17 2012-02-29 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Способ быстрого выращивания монокристалла висмута
MD542Z (ru) * 2012-01-13 2013-03-31 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Термоэлектрический анизотропный материал на основе висмута
MD575Z (ru) * 2012-01-31 2013-07-31 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции

Also Published As

Publication number Publication date
MD20050253A (en) 2007-09-30
MD3662B2 (en) 2008-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004029371D1 (de) Übergangsmetallegierungen zur verwendung als gateelektrode und diese legierungen enthaltende bauelemente
Schroers et al. Precious bulk metallic glasses for jewelry applications
Hsu et al. Phase equilibria of the Sn–Ag–Ni ternary system and interfacial reactions at the Sn–Ag/Ni joints
ATE306354T1 (de) Lotmittel zur verwendung bei diffusionslotprozessen
TW200513541A (en) Methods of processing nickel-titanium alloys
JP2012149276A (ja) ダイカスト鋳造用高熱伝導性マグネシウム合金
ES2175956T3 (es) Procedimiento para la fabricacion de una capa de fanglomerado resistente a la corrosion y a la oxidacion.
MD3662B2 (en) Semiconductor thermoelectric alloy (variants)
FR3048768B1 (fr) Barriere thermique en particulier pour une batterie ainsi pourvue
Gornostyrev et al. The role of thermal expansion and composition changes in the temperature dependence of the lattice misfit in two-phase γ/γ′ superalloys
Liang et al. Phase transition strain and large magnetic field induced strain in Ni50. 5Mn24Ga25. 5 unidirectionally solidified alloy
SE0302611D0 (sv) Alloy for high temperature use
BRPI0601917A (pt) pó de superliga e utilização do mesmo
Malavazi et al. Microstructure and mechanical behaviour of Al9Si alloy with different Fe contents
Chen et al. Liquidus projection and phase equilibria isothermal section of Se–Sn–Te system
WO2020036634A3 (en) Aluminum alloys for additive manufacturing
JP2014189425A5 (ru)
Grushko et al. A study of the Al-Ni-Pt alloy system. Phase equilibria at 1100 and 1300 C
Nestorović et al. Influence of thermal cycling treatment on the anneal hardening effect of Cu–10Zn Alloy
ATE408718T1 (de) Wasserstoffspeicherzusammensetzung
DK1442150T3 (da) Aluminium-silicium-legeringer med forbedrede mekaniske egenskaber
US6936117B1 (en) Silver alloy with color fastness
SU607685A1 (ru) Припой дл бесфлюсовой пайки
Kim et al. High temperature long-term stability of an (Al–Ag–Cu) three-in-one multicell
Tkalcec et al. Mechanical spectroscopy of 18-carat AuCuPd white gold alloys

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees