MD1409Z - Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции - Google Patents
Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции Download PDFInfo
- Publication number
- MD1409Z MD1409Z MDS20190002A MDS20190002A MD1409Z MD 1409 Z MD1409 Z MD 1409Z MD S20190002 A MDS20190002 A MD S20190002A MD S20190002 A MDS20190002 A MD S20190002A MD 1409 Z MD1409 Z MD 1409Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- microwire
- bismuth
- axis
- recrystallization
- electric field
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000012297 crystallization seed Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- PNYYBUOBTVHFDN-UHFFFAOYSA-N sodium bismuthate Chemical compound [Na+].[O-][Bi](=O)=O PNYYBUOBTVHFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области производства термоэлектрических материалов с направленной анизотропией, а именно к способу рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции.Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции состоит в том, что движущийся микропровод висмута нагревается до температуры плавления, образуя расплавленную зону, которая движется вдоль движения микропровода через конденсатор, который генерирует сильное электрическое поле, где рекристаллизуется в водяном кристаллизаторе, с направлением кристаллографической оси С3 микропровода по направлению электрического поля. Конденсатор выполнен из двух медных пластин, расположенных на расстоянии 1 см одна относительно другой.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20190002A MD1409Z (ru) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20190002A MD1409Z (ru) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1409Y MD1409Y (ru) | 2019-12-31 |
| MD1409Z true MD1409Z (ru) | 2020-09-30 |
Family
ID=69057879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20190002A MD1409Z (ru) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1409Z (ru) |
-
2019
- 2019-01-15 MD MDS20190002A patent/MD1409Z/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1409Y (ru) | 2019-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7922812B2 (en) | Method for growing single crystals of metals | |
| RU2010130676A (ru) | Способ и устройство для получения монокристалла сапфира | |
| JP5434801B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| CN103608497A (zh) | SiC单晶及其制造方法 | |
| MD1409Z (ru) | Способ рекристаллизации микропровода висмута в стеклянной изоляции | |
| CN105112990B (zh) | 一种微下拉定向生长异型近器件倍频晶体的方法 | |
| JPH0337182A (ja) | 巨大磁歪合金ロツドの製造方法 | |
| US9822468B2 (en) | Method for producing SiC single crystal | |
| MD575Z (ru) | Способ рекристаллизации нити висмута в стеклянной изоляции | |
| US4046617A (en) | Method of crystallization | |
| Bennett | Seeded growth of garnet from molten salts | |
| CN105369361B (zh) | 一种温场移动制备蓝宝石单晶体的方法及装置 | |
| CN1306073C (zh) | 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法 | |
| Leporda et al. | Long glass-coated semimetallic and semiconducting wires prepared by two different liquid phase methods | |
| CN208545514U (zh) | 一种卤化亚汞单晶体的生长装置 | |
| JPS59203798A (ja) | 帯状シリコン結晶製造装置 | |
| CZ308846B6 (cs) | Způsob pěstování homogenního monokrystalu s magnetickou tvarovou pamětí za stacionárního stavu a zařízení k provádění tohoto způsobu | |
| RU2791643C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия или кремния и устройство для его реализации | |
| CN101275194A (zh) | 一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法 | |
| 薛丽平 et al. | Structure and Crystal Growth of Li_2Zn_2 (MoO_4) _3 | |
| UA151667U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag<sub>7</sub>PS<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| CN106801254A (zh) | 一种CsSrI3闪烁晶体的制备方法 | |
| CN1472370A (zh) | 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 | |
| Hayakawa et al. | Microravity experiments on melting and crystallization of InGaSb | |
| Chuanzheng et al. | Crystal Growth |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |