MD1409Z - Process for recrystallization of bismuth microwire in glass insulation - Google Patents
Process for recrystallization of bismuth microwire in glass insulation Download PDFInfo
- Publication number
- MD1409Z MD1409Z MDS20190002A MDS20190002A MD1409Z MD 1409 Z MD1409 Z MD 1409Z MD S20190002 A MDS20190002 A MD S20190002A MD S20190002 A MDS20190002 A MD S20190002A MD 1409 Z MD1409 Z MD 1409Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- microwire
- bismuth
- axis
- recrystallization
- electric field
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000012297 crystallization seed Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- PNYYBUOBTVHFDN-UHFFFAOYSA-N sodium bismuthate Chemical compound [Na+].[O-][Bi](=O)=O PNYYBUOBTVHFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Description
Invenţia se referă la domeniul de producere a materialelor termoelectrice cu anizotropie direcţionată, şi anume la un procedeu de recristalizare a microfirului de bismut în izolaţie de sticlă. The invention relates to the field of production of thermoelectric materials with directed anisotropy, namely to a process for recrystallization of bismuth microwire in glass insulation.
Este cunoscut un procedeu de creştere a monocristalelor din masa topită prin tragerea monocristalului cu ajutorul unui germene de cristalizare, care efectuează o mişcare pe direcţie orizontală. Procesul de creştere a monocristalului are loc într-o luntre de cuarţ, care se află într-o fiolă, din care este evacuat aerul, situată pe suport orizontal. Zona topită în luntrea de cuarţ, care asigură iniţial omogenizarea materialului, este deplasată cu o viteză mică constantă cu un număr par de deplasări complete de la un capăt la alt capăt al fiolei. Ultima deplasare a zonei topite are loc după contactul cu germenele de cristalizare, care este începutul creşterii monocristalului de orientare cristalografică corespunzătoare [1]. A process for growing single crystals from a molten mass by pulling the single crystal with the help of a crystallization seed, which performs a movement in a horizontal direction, is known. The process of growing a single crystal takes place in a quartz boat, which is located in a vial, from which air is evacuated, located on a horizontal support. The molten zone in the quartz boat, which initially ensures the homogenization of the material, is moved at a constant low speed with an even number of complete displacements from one end to the other end of the vial. The last displacement of the molten zone takes place after contact with the crystallization seeds, which is the beginning of the growth of a single crystal of the corresponding crystallographic orientation [1].
Dezavantajul acestui procedeu constă în necesitatea de a asigura contactul iniţial al agentului de cristalizare, adică un cristal special orientat, cu topitura (sau zona de topire) cristalului recristalizat. The disadvantage of this process lies in the need to ensure initial contact of the crystallization agent, i.e. a specially oriented crystal, with the melt (or melting zone) of the recrystallized crystal.
Cea mai apropiată soluţie este un procedeu de recristalizare a firului de bismut în izolaţie de sticlă, care constă în aceea că un capăt al firului de bismut se încălzeşte până la temperatura de topire, cu formarea unei zone topite foarte înguste, care se aduce în contact cu un germen monocristalin rece sub formă de fir de diametru mai mare, cu axa cristalografică C3 direcţionată de-a lungul axei firului, de la care zona topită se recristalizează, preluând direcţia axelor cristalografice ale germenelui monocristalin, totodată topirea şi recristalizarea firului de bismut se efectuează treptat, de la capătul de contact cu suprafaţa germenelui până la celălalt capăt al lui [2]. The closest solution is a process for recrystallization of bismuth wire in glass insulation, which consists in heating one end of the bismuth wire to the melting temperature, with the formation of a very narrow molten zone, which is brought into contact with a cold single-crystal seed in the form of a larger diameter wire, with the crystallographic axis C3 directed along the wire axis, from which the molten zone recrystallizes, taking over the direction of the crystallographic axes of the single-crystal seed, at the same time the melting and recrystallization of the bismuth wire is carried out gradually, from the end in contact with the seed surface to its other end [2].
Dezavantajele acestui procedeu constau în necesitatea pregătirii cristalului, agentului de cristalizare, cu amplasarea necesară a axelor cristalografice, contact greu de controlat al părţii topite a agentului de cristalizare cu partea topită a miezului microfirului (în special în cazul recristalizării microfirului cu diametrul intern d<1 µm), lungimea microfirului recristalizat este limitată de dimensiunile instalaţiei, practic este imposibil de a recristaliza microfire cu miezul discontinuu. The disadvantages of this process are the need to prepare the crystal, the crystallization agent, with the necessary placement of the crystallographic axes, difficult-to-control contact of the molten part of the crystallization agent with the molten part of the microwire core (especially in the case of recrystallization of microwire with internal diameter d<1 µm), the length of the recrystallized microwire is limited by the dimensions of the installation, it is practically impossible to recrystallize microwires with a discontinuous core.
Problema tehnică pe care o rezolvă invenţia constă în elaborarea unui procedeu de recristalizare a microfirului din material anizotrop în înveliş de sticlă de o lungime nedeterminată. The technical problem solved by the invention consists in developing a process for recrystallization of the microwire made of anisotropic material in a glass coating of an indefinite length.
Procedeul, conform invenţiei, înlătură dezavantajele menţionate mai sus prin aceea că microfirul de bismut în mişcare se încălzeşte până la temperatura de topire, cu formarea unei zone topite, care se deplasează de-a lungul mişcării microfirului printr-un condensator care generează un câmp electric puternic, unde se recristalizează într-un cristalizator de apă cu direcţia axei cristalografice C3 a microfirului în direcţia câmpului electric, totodată condensatorul este executat din două plăci de cupru amplasate la o distanţă de 1 cm una faţă de alta. The process, according to the invention, eliminates the above-mentioned disadvantages in that the moving bismuth microwire is heated to the melting temperature, with the formation of a molten zone, which moves along the movement of the microwire through a capacitor that generates a strong electric field, where it is recrystallized in a water crystallizer with the direction of the crystallographic axis C3 of the microwire in the direction of the electric field, at the same time the capacitor is made of two copper plates placed at a distance of 1 cm from each other.
În materialul anizotrop (de exemplu Bi şi aliajele Bi-Sb) impactul extern poate contribui la creşterea cristalului cu orientarea cristalografică necesară. Exemplu de astfel de impact asupra procesului de creştere a cristalelor monocristaline filiforme de Bi (d=40…200 nm) din soluţia de bismutat de sodiu (NaBiO3·2H2O) în etilenglicol la temperatura de 210°C în prezenţa câmpului magnetic puternic Bmax=8 T este prezentat în lucrarea - Y. Xu, Z. Ren,W Ren, G. Cao, K. Deng, and Y. Zhong. Magnetic-field-assisted solvothermal growth of single-crystalline bismuth nanowires. Nanotechnology, v. 19, 2008, p. 115602. În câmp magnetic de 8 T, 90% la ieşire constituiau nanofire cu diametru de d=40…200 nm şi lungimi de zeci de µm. Conform XRD axa C3 a fost orientată de-a lungul axei microfirelor. In anisotropic material (e.g. Bi and Bi-Sb alloys) external impact can contribute to the growth of the crystal with the required crystallographic orientation. An example of such impact on the growth process of single-crystalline Bi filiform crystals (d=40…200 nm) from the solution of sodium bismuthate (NaBiO3·2H2O) in ethylene glycol at a temperature of 210°C in the presence of a strong magnetic field Bmax=8 T is presented in the paper - Y. Xu, Z. Ren,W Ren, G. Cao, K. Deng, and Y. Zhong. Magnetic-field-assisted solvothermal growth of single-crystalline bismuth nanowires. Nanotechnology, v. 19, 2008, p. 115602. In a magnetic field of 8 T, 90% of the output were nanowires with a diameter of d=40…200 nm and lengths of tens of µm. According to XRD the C3 axis was oriented along the microwire axis.
Microfirul de Bi şi Bi-Sb, obţinut prin metoda Ulitovschi, turnat la frecvenţă înaltă din faza lichidă într-un capilar de sticlă, prezintă un monocristal cilindric cu orientarea cristalografică de-a lungul axei firului; la această orientare cristalografică axa bisectoare C1 este înclinată faţă de axa firului în planul bisectoarei-trigonalei la un unghi de 19,5°, axa trigonală C3 este înclinată faţă de axa firului la un unghi de ~70°, iar una din axele binare C2 este perpendiculară axei firului (Y. Lin, X. Sun, and M. Dresselhaus. Theoretical investigation of thermoelectric transport properties of cylindrical Bi nanowires. Physical Review B, v. 62, 2000, p. 4610; D. Gitsu, L. Konopko, A. Nikolaeva, and T. Huber. Pressure-dependent thermopower of individual Bi nanowires. Applied Physics Letters, v. 86, 2005, p. 102105). The Bi and Bi-Sb microwire, obtained by the Ulitovschi method, cast at high frequency from the liquid phase into a glass capillary, presents a cylindrical single crystal with crystallographic orientation along the wire axis; in this crystallographic orientation the bisector axis C1 is inclined to the wire axis in the bisector-trigonal plane at an angle of 19.5°, the trigonal axis C3 is inclined to the wire axis at an angle of ~70°, and one of the binary axes C2 is perpendicular to the wire axis (Y. Lin, X. Sun, and M. Dresselhaus. Theoretical investigation of thermoelectric transport properties of cylindrical Bi nanowires. Physical Review B, v. 62, 2000, p. 4610; D. Gitsu, L. Konopko, A. Nikolaeva, and T. Huber. Pressure-dependent thermopower of individual Bi nanowires. Applied Physics Letters, v. 86, 2005, p. 102105).
Datorită anizotropiei puternice a constantei dielectrice în Bi şi Bi-Sb, la creşterea monocristalelor din topitură în locul agentului de cristalizare poate fi aplicat câmpul electric puternic. Acţiunea unui astfel de câmp la frontul de cristalizare din topitură (în zona gradientului de temperatură) contribuie la creşterea monocristalului cu axa cristalografică principală C3 orientată de-a lungul câmpului electric. Due to the strong anisotropy of the dielectric constant in Bi and Bi-Sb, a strong electric field can be applied to the growth of single crystals from the melt instead of the crystallization agent. The action of such a field at the crystallization front from the melt (in the temperature gradient zone) contributes to the growth of the single crystal with the main crystallographic axis C3 oriented along the electric field.
Avantajele procedeului propus sunt: The advantages of the proposed process are:
- pre-instalare uşoară pentru a începe procesul de recristalizare: nu este necesar de a asigura la începutul procesului un contact dificil de controlat a părţii topite a agentului de cristalizare cu partea topită a miezului microfirului; - easy pre-installation to start the recrystallization process: it is not necessary to ensure at the beginning of the process a difficult to control contact of the molten part of the crystallizing agent with the molten part of the microwire core;
- simplitatea asigurării orientării necesare a axei cristalografice principale C3 în microfirul recristalizat: este suficient de a roti normala la plăcile condensatorului, prin care trece microfirul, sub un anumit unghi faţă de axa microfirului; - the simplicity of ensuring the necessary orientation of the main crystallographic axis C3 in the recrystallized microwire: it is sufficient to rotate the normal to the capacitor plates, through which the microwire passes, at a certain angle to the microwire axis;
- posibilitatea de a recristaliza microfire lungi de Bi şi Bi-Sb cu o lungime arbitrară în înveliş de sticlă cu un număr nelimitat de întreruperi a miezului microfirului; - the possibility of recrystallizing long Bi and Bi-Sb microwires of arbitrary length in glass cladding with an unlimited number of interruptions in the microwire core;
- posibilitatea de a recristaliza microfire lungi de Bi şi Bi-Sb cu o lungime arbitrară în înveliş de sticlă. Deoarece materialul sursă prezintă un microfir lung în izolaţie de sticlă obţinut prin metoda Ulitovschi, înfăşurat pe o bobină de alimentare, atunci monocristalul recristalizat cu orientarea necesară a axei C3 poate avea o lungime arbitrară, practic, poate fi recristalizat tot microfirul de pe bobină. - the possibility of recrystallizing long Bi and Bi-Sb microwires of arbitrary length in glass sheath. Since the source material is a long microwire in glass insulation obtained by the Ulitovschi method, wound on a supply coil, then the recrystallized single crystal with the required orientation of the C3 axis can have an arbitrary length, practically, the entire microwire on the coil can be recrystallized.
Invenţia se explică prin desenele din fig. 1-5, care reprezintă: The invention is explained by the drawings in Fig. 1-5, which represent:
- fig. 1, schema instalaţiei pentru realizarea procedeului revendicat, cu amplasarea axei cristalografice principale C3 perpendicular axei microfirului; - Fig. 1, diagram of the installation for carrying out the claimed process, with the location of the main crystallographic axis C3 perpendicular to the microwire axis;
- fig. 2, mostra XRD; - Fig. 2, XRD sample;
- fig. 3, schema instalaţiei pentru realizarea procedeului revendicat, cu amplasarea axei cristalografice C3 paralel axei microfirului: - Fig. 3, diagram of the installation for carrying out the claimed process, with the crystallographic axis C3 placed parallel to the microwire axis:
- fig. 4, suprafaţa Fermi a bismutului; - Fig. 4, the Fermi surface of bismuth;
- fig. 5, diagrama de rotaţie a rezistenţei magnetice transversale a microfirului de bismut recristalizat. - Fig. 5, rotation diagram of the transverse magnetic resistance of the recrystallized bismuth microwire.
Exemple de realizare a invenţiei Examples of embodiments of the invention
Exemplul 1. În fig. 1 este ilustrată schema instalaţiei pentru demonstrarea procedeului cu amplasarea axei cristalografice principale C3 7 perpendicular axei microfirului 1. Condensatorul 8 este executat din două plăci de cupru ce se află la o distanţă de 1 cm una faţă de cealaltă şi este amplasat paralel microfirului. La condensator se aplică o tensiune de 8 kV, şi se generează un câmp electric de 8 kV/cm. Microfirul de Bi în înveliş de sticlă 3 întinzându-se prin condensator cu o viteză de 0,4 m/min, iniţial trece zona de încălzire 4 în care se topeşte (5 - zona de topire) miezul interior al microfirului 3, după care intrând în zona de acţiune a câmpului electric puternic, topitura din capilarul de sticlă se cristalizează în interiorul unui cristalizor de apă 9 (flux de apă), în acelaşi timp, axa cristalografică principală C3 7 în monocristalul recristalizat 6 este orientată în direcţia câmpului electric, adică perpendicular axei microfirului 1. Studiul XRD arată că în microfirul de Bi recristalizat axa C3 7 este orientată perpendicular axei microfirului. În fig. 2 este prezentată mostra XRD obţinută la instalaţia Single crystal diffractometer Oxford Diffraction "Supernova" la Institutul de Fizică Aplicată, un segment al microfirului de Bi (D=20 µm, d=7 µm) după recristalizare în câmp electric puternic. Se observă că axa C3 (001) este amplasată perpendicular axei microfirului. Example 1. Fig. 1 shows the scheme of the installation for demonstrating the process with the location of the main crystallographic axis C3 7 perpendicular to the axis of the microwire 1. The capacitor 8 is made of two copper plates located at a distance of 1 cm from each other and is located parallel to the microwire. A voltage of 8 kV is applied to the capacitor, and an electric field of 8 kV/cm is generated. The Bi microwire in the glass shell 3, stretching through the condenser at a speed of 0.4 m/min, initially passes the heating zone 4 in which the inner core of the microwire 3 melts (5 - melting zone), after which, entering the zone of action of the strong electric field, the melt in the glass capillary crystallizes inside a water crystallizer 9 (water flow), at the same time, the main crystallographic axis C3 7 in the recrystallized single crystal 6 is oriented in the direction of the electric field, i.e. perpendicular to the axis of the microwire 1. The XRD study shows that in the recrystallized Bi microwire the C3 7 axis is oriented perpendicular to the axis of the microwire. In fig. Figure 2 shows the XRD pattern obtained at the Single crystal diffractometer Oxford Diffraction "Supernova" at the Institute of Applied Physics, a segment of the Bi microwire (D=20 µm, d=7 µm) after recrystallization in a strong electric field. It is observed that the C3 (001) axis is located perpendicular to the microwire axis.
Exemplul 2. În fig. 3 este ilustrată schema instalaţiei pentru demonstrarea procedeului cu amplasarea axei cristalografice C3 7 paralel axei microfirului 1. Condensatorul 8 este realizat din două plăci de cupru ce se află la o distanţă de 1 cm una faţă de cealaltă şi este amplasat perpendicular microfirului. La condensator se aplică o tensiune de 8 kV, şi se generează un câmp electric de 8 kV/cm. Microfirul de Bi în înveliş de sticlă 3 întinzându-se prin condensator cu o viteză de 0,4 m/min, iniţial trece zona de încălzire 4 în care se topeşte (5 - zona de topire) miezul interior al microfirului 3, după care intrând în zona de acţiune a câmpului electric puternic, topitura din capilarul de sticlă se cristalizează în interiorul unui cristalizor de apă 9 (flux de apă), în acelaşi timp, axa cristalografică principală C3 7 în monocristalul recristalizat este orientată în direcţia câmpului electric, adică paralel axei microfirului 1. Example 2. Fig. 3 shows the schematic diagram of the installation for demonstrating the process with the crystallographic axis C3 7 placed parallel to the axis of the microwire 1. The capacitor 8 is made of two copper plates that are 1 cm apart and are placed perpendicular to the microwire. A voltage of 8 kV is applied to the capacitor, and an electric field of 8 kV/cm is generated. The Bi microwire in glass coating 3, stretching through the condenser at a speed of 0.4 m/min, initially passes the heating zone 4 in which the inner core of the microwire 3 melts (5 - melting zone), after which, entering the zone of action of the strong electric field, the melt in the glass capillary crystallizes inside a water crystallizer 9 (water flow), at the same time, the main crystallographic axis C3 7 in the recrystallized single crystal is oriented in the direction of the electric field, i.e. parallel to the axis of the microwire 1.
Orientarea cristalografică a probelor obţinute a fost determinată cu ajutorul diagramelor de rotaţie a rezistenţei magnetice transversale. În Fig. 4 este prezentată suprafaţa fermi a bismutului, constând dintr-un elipsoid cu o gaură în punctul T al zonei Brillouin 10 şi trei elipsoide electronice în punctele L 11, de asemenea, este prezentă o secţiune de microfir de bismut în izolaţie de sticlă 3, în care axa C3 este direcţionată de-a lungul axei microfirului. Elipsoizii electronilor sunt neparabolici şi manifestă un nivel înalt de anizotropie. De exemplu, componentele tensorului masei efective a electronilor lângă marginea benzii de conducţie ating valorile m1=0,00139m0, m2=0,291m0 şi m3=0,0071m0. Pentru goluri ele sunt egale cu mh1=mh2=0,059m0 şi mh3=0,634m0. Prin urmare, atunci când axa de rotaţie este axa C3, ar trebui să vedem trei elipsoizi electronici, iar perioada ar trebui să fie 60°. Diagrama de rotaţie a rezistenţei magnetice transversale, înregistrată la temperatura camerei în câmp magnetic transversal pentru mostra microfirului recristalizat de Bi-0,05 at. % Sn (D=28 µm, d=14 µm) este prezentată în fig. 5. După cum se vede, perioada de schimbare a rezistenţei magnetice constituie 60°, aceasta înseamnă că în această probă axa cristalografică principală C3 este orientată de-a lungul axei microfirului. The crystallographic orientation of the obtained samples was determined using transverse magnetoresistance rotation diagrams. Fig. 4 shows the fermi surface of bismuth, consisting of an ellipsoid with a hole at the T point of the Brillouin zone 10 and three electron ellipsoids at the L points 11, also a section of a bismuth microwire in glass insulation 3 is presented, in which the C3 axis is directed along the microwire axis. The electron ellipsoids are non-parabolic and exhibit a high level of anisotropy. For example, the components of the effective electron mass tensor near the conduction band edge reach the values m1=0.00139m0, m2=0.291m0 and m3=0.0071m0. For holes they are equal to mh1=mh2=0.059m0 and mh3=0.634m0. Therefore, when the rotation axis is the C3 axis, we should see three electron ellipsoids, and the period should be 60°. The rotation diagram of the transverse magnetic resistance, recorded at room temperature in a transverse magnetic field for the recrystallized Bi-0.05 at. % Sn microwire sample (D=28 µm, d=14 µm) is shown in Fig. 5. As can be seen, the period of change of the magnetic resistance is 60°, this means that in this sample the main crystallographic axis C3 is oriented along the microwire axis.
1. Пфанн . Зîнная плаâка. Мир, Мîскâа, 1970, с. 246-251 1. Пфанн . Zinnaya plaâka. Mir, Moscow, 1970, p. 246-251
2. MD 575 Y 2012.12.31 2. MD 575 Y 2012.12.31
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20190002A MD1409Z (en) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | Process for recrystallization of bismuth microwire in glass insulation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20190002A MD1409Z (en) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | Process for recrystallization of bismuth microwire in glass insulation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1409Y MD1409Y (en) | 2019-12-31 |
| MD1409Z true MD1409Z (en) | 2020-09-30 |
Family
ID=69057879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20190002A MD1409Z (en) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | Process for recrystallization of bismuth microwire in glass insulation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1409Z (en) |
-
2019
- 2019-01-15 MD MDS20190002A patent/MD1409Z/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1409Y (en) | 2019-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7922812B2 (en) | Method for growing single crystals of metals | |
| RU2010130676A (en) | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL | |
| JP5434801B2 (en) | Method for producing SiC single crystal | |
| CN103608497A (en) | SiC single crystal and manufacturing process therefor | |
| MD1409Z (en) | Process for recrystallization of bismuth microwire in glass insulation | |
| CN105112990B (en) | A kind of method of the special-shaped nearly device frequency-doubling crystal of micro- drop-down oriented growth | |
| JPH0337182A (en) | Manufacturing method of giant magnetostrictive alloy rod | |
| US9822468B2 (en) | Method for producing SiC single crystal | |
| MD575Z (en) | Method for recrystallization of bismuth filament in glass insulation | |
| US4046617A (en) | Method of crystallization | |
| Bennett | Seeded growth of garnet from molten salts | |
| CN105369361B (en) | A kind of thermal field movement prepares the method and device of sapphire monocrystal | |
| CN1306073C (en) | Visual low oblique zone melting growth device of crystals and growth method therefor | |
| Leporda et al. | Long glass-coated semimetallic and semiconducting wires prepared by two different liquid phase methods | |
| CN208545514U (en) | A kind of growth device of mercurous halide single crystal | |
| JPS59203798A (en) | Apparatus for preparing belt-shaped silicon crystal | |
| CZ308846B6 (en) | A method of growing a homogeneous single crystal with a magnetic shape memory in a stationary state and the apparatus for doing this | |
| RU2791643C1 (en) | Method for growing germanium or silicon single crystals and a device for its implementation | |
| CN101275194A (en) | A magnetic shape memory alloy single crystal and its preparation method | |
| 薛丽平 et al. | Structure and Crystal Growth of Li_2Zn_2 (MoO_4) _3 | |
| UA151667U (en) | Method of growing ag7ps6 by directed melt crystalization | |
| CN106801254A (en) | A kind of CsSrI3The preparation method of scintillation crystal | |
| CN1472370A (en) | Magnetic single crystal with magnetically induced high strain and shape memory effect and its preparation method | |
| Hayakawa et al. | Microravity experiments on melting and crystallization of InGaSb | |
| Chuanzheng et al. | Crystal Growth |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |