MD4882C1 - Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах - Google Patents
Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах Download PDFInfo
- Publication number
- MD4882C1 MD4882C1 MDA20200024A MD20200024A MD4882C1 MD 4882 C1 MD4882 C1 MD 4882C1 MD A20200024 A MDA20200024 A MD A20200024A MD 20200024 A MD20200024 A MD 20200024A MD 4882 C1 MD4882 C1 MD 4882C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- zno
- ga2o3
- temperature
- sintering
- ceramic targets
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии.Способ получения керамических мишеней ZnO:Ga:Cl при низких температурах состоит в спекании порошков ZnO и Ga2O3 в закрытом объеме при температуре 900…1150°С. Спекание осуществляется химическими транспортными реакциями, используя HCl в качестве транспортного агента, с начальным давлением 0,101…0,608 MPa, при этом дополнительно используют порошки Ga2O3 с концентрацией 1…5 моль%, с размером гранул не более 300 мкм для получения керамических мишеней ZnO:Ga:Cl, примеси Cl имея концентрацию 1·1018…5·1019 cm-3.Способ получения керамических тонких слоев ZnO:Ga:Cl при низких температурах состоит в вакуумировании камеры магнетрона до давления 133,32÷666,61·10-5 Па, нагнетании газа Ar с давлением 0,00013÷0,0013 МПа, магнетронном напылении при температуре осаждения 80…300°С керамических мишеней ZnO:Ga:Cl, полученных выше описанным способом.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20200024A MD4882C1 (ru) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20200024A MD4882C1 (ru) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD20200024A2 MD20200024A2 (ru) | 2021-09-30 |
| MD4882B1 MD4882B1 (ru) | 2024-01-31 |
| MD4882C1 true MD4882C1 (ru) | 2024-08-31 |
Family
ID=77999544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20200024A MD4882C1 (ru) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4882C1 (ru) |
-
2020
- 2020-03-27 MD MDA20200024A patent/MD4882C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD20200024A2 (ru) | 2021-09-30 |
| MD4882B1 (ru) | 2024-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Galazka | β-Ga2O3 for wide-bandgap electronics and optoelectronics | |
| US7323356B2 (en) | LnCuO(S,Se,Te)monocrystalline thin film, its manufacturing method, and optical device or electronic device using the monocrystalline thin film | |
| AU2008218524B2 (en) | Group-III metal nitride and preparation thereof | |
| JP2020189781A (ja) | 欠陥ドーピングによるｐ型酸化ガリウム薄膜の製造手順およびその利用 | |
| CN105734530B (zh) | 在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 | |
| JP2003002635A (ja) | 超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜、その製造方法および製造装置 | |
| CN113481602B (zh) | 一种具有超导特性的无限层型镍酸盐薄膜的制备方法 | |
| WO2007108338A1 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法および装置 | |
| Colibaba | Sintering highly conductive ZnO: HCl ceramics by means of chemical vapor transport reactions | |
| CN110172733B (zh) | 一种高质量锡酸锌单晶薄膜及其制备方法 | |
| CN104818452B (zh) | 一种制备氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜的方法 | |
| CN106816366A (zh) | 一种锡掺杂n型氧化镓制备方法 | |
| CN101210313A (zh) | 一种电子束蒸发生长MgxZn1－xO薄膜的方法 | |
| MD4882C1 (ru) | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах | |
| CN1314831C (zh) | 立方相、宽禁带MgZnO晶体薄膜的低温制备技术 | |
| US11982017B2 (en) | Transparent conductive oxide thin film and use thereof | |
| CN104480441A (zh) | 金属合金靶材制备含氢氧化锌铝透明导电薄膜的方法 | |
| CN100366789C (zh) | 纤锌矿结构Zn1－xMgxO半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法 | |
| CN104828791B (zh) | 稀土元素Ce掺杂GaN纳米线的制备方法 | |
| MD1678Z (ru) | Низкотемпературный способ получения керамики ZnO:Al | |
| JP7623675B2 (ja) | 窒化物の製造方法 | |
| CN103103478B (zh) | 一种Ag-S共掺p型ZnO薄膜及其制备方法 | |
| Shyju et al. | Review on indium zinc oxide films: material properties and preparation techniques | |
| Krasnosvobodtsev et al. | Superconducting films with T c= 39 K prepared from stoichiometric MgB2 targets | |
| Francis et al. | Silver doped sputtered ZnO thin films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |