CN105734530B - 在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 - Google Patents

在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105734530B
CN105734530B CN201610130981.0A CN201610130981A CN105734530B CN 105734530 B CN105734530 B CN 105734530B CN 201610130981 A CN201610130981 A CN 201610130981A CN 105734530 B CN105734530 B CN 105734530B
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
nitride
gallium nitride
gallium
magnetron sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610130981.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105734530A (zh
Inventor
张进成
陈智斌
吕佳骐
郝跃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xidian University
Original Assignee
Xidian University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xidian University filed Critical Xidian University
Priority to CN201610130981.0A priority Critical patent/CN105734530B/zh
Publication of CN105734530A publication Critical patent/CN105734530A/zh
Priority to US16/083,255 priority patent/US11031240B2/en
Priority to JP2018566624A priority patent/JP2019514228A/ja
Priority to PCT/CN2016/100539 priority patent/WO2017152620A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105734530B publication Critical patent/CN105734530B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在铜衬底上通过金属有机物化学气相淀积MOCVD生长石墨烯；(2)在覆盖石墨烯层的铜衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)将得到的氮化铝基板进行一定时间的热处理；(4)将进行热处理之后的样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延低V/III比氮化镓外延层和高V/III比氮化镓外延层。该方法易在覆盖石墨烯层的铜衬底上得到质量较好的氮化镓外延层。

Description

在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
技术领域
本发明属于电子技术领域，更进一步涉及微电子技术领域中的一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法。本发明可用于在石墨烯上生长氮化镓薄膜，获得的氮化镓薄膜可进一步制作成半导体器件。
背景技术
氮化镓由于禁带宽度大、电子迁移率高、击穿电场大等优势在光电器件和电子器件等领域有广泛的应用。所以，生长高质量氮化镓薄膜是制作微波功率器件的关键。
石墨烯是一种新颖的二维材料。其迁移率非常高。石墨烯和氮化镓的晶格失配不超过3％。因此，非常适合在其上面生长III族氮化物。
苏州纳维科技有限公司和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所共同申请的专利“一种III族氮化物衬底的生长方法、衬底以及LED”(申请号：201110078131.8，公布号：CN 102201503 A)中公开了一种III族氮化物衬底的生长方法。该方法的具体步骤如下：(1)在支撑衬底(铜)表面生长石墨烯层；(2)在石墨烯层通过MOCVD外延III族氮化物半导体层，此步骤中III族氮化物半导体层的最高生长温度低于铜的熔点。该专利具有生长工艺简单，不会在生长中引入杂质的优点。但是，该方法仍然存在的不足之处是：由于该方法是在铜衬底上进行外延，使得后续生长的氮化物材料温度不能高于铜的熔点。而氮化铝作为常用的成核层，其适宜生长温度高于该熔点，因此该方法无法生长较好的AlN层从而使得获得的氮化物材料质量较差。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的存在不足，提供一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，以提高氮化镓薄膜质量。
为实现上述目的，本发明的具体思路是：首先，在铜衬底上生长一层石墨烯；然后，磁控溅射一层氮化铝薄膜，以缓解衬底与氮化镓之间由于晶格失配产生的应力；最后，再将样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延氮化铝过渡层、低V/III比GaN外延层和高V/III比GaN外延层。
实现本发明目的技术关键是：采用石墨烯、磁控溅射氮化铝成核层和金属有机物化学气相淀积MOCVD脉冲法外延氮化铝的方式，首先在铜衬底上生长石墨烯，然后磁控溅射氮化铝成核层、最后在通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延氮化镓外延层；通过调节各层生长的压力、流量、温度以及厚度生长条件，提高氮化镓薄膜的质量。
本发明的具体步骤包括如下：
(1)生长石墨烯：
(1a)将清洗后的铜箔放管式炉石英管中，抽真空10min；
(1b)通入氢气，将管式炉加热至1000℃后退火2小时；
(1c)通入碳源气体生长2小时，关闭碳源，将管式炉石英管快速降至室温，得到覆盖石墨烯的铜箔；
(2)磁控溅射氮化铝：
(2a)将覆盖石墨烯的铜衬底置于磁控溅射系统中，反应室压力为1Pa，通入氮气和氩气5min；
(2b)以5N纯度的铝为靶材，采用射频磁控溅射，在覆盖石墨烯的铜衬底上溅射氮化铝薄膜，得到溅射氮化铝的基板；
(3)热处理：
(3a)将溅射氮化铝的基板置于金属有机物化学气相淀积金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD反应室中，向反应室通入氢气与氨气的混合气体5min；
(3b)通入氢气与氨气的混合气体5min后，将反应室加热到600℃，对溅射氮化铝的基板进行20min热处理，得到热处理后的基板；
(4)生长低V-Ш比氮化镓层：
(4a)将反应室压力降为20Torr，温度降到1000℃，依次通入氢气、氨气和镓源；
(4b)在氢气、氨气和镓源的气氛下，采用化学气相淀积法在氮化铝外延层上生长氮化镓外延层，得到低V-Ш比氮化镓外延层；
(5)生长高V-Ш比氮化镓层：
(5a)保持反应室温度为1000℃，将压力升高到为40Torr，依次通入氢气、氨气和镓源；
(5b)在氢气、氨气和镓源的气氛下，采用化学气相淀积法在低V-Ш比氮化镓外延层上生长氮化镓外延层；
(5c)将反应室温度降至室温后取出样品，得到氮化镓薄膜。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
第一，由于本发明采用磁控溅射生长氮化铝，克服了现有技术后续生长的氮化物材料温度不能高于铜的熔点影响氮化物材料质量的不足，使得本发明具有氮化物材料的生长温度上限低的优点。
第二，由于本发明采用磁控溅射生长氮化铝，克服了其氮化物材料只能在晶格失配较小的衬底上生长的不足，使得本发明具有氮化镓可以在晶格失配较大的衬底上进行生长的优点。
附图说明
图1是本发明的流程图；
图2是本发明的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案和效果做进一步的说明。
参照附图1，本发明的具体步骤如下：
步骤1：生长石墨烯。
首先，将清洗后的铜箔放管式炉石英管中，抽真空10min；然后，通入氢气将管式炉加热至1000℃后退火2小时；最后，通入碳源气体生长2小时，关闭碳源，将管式炉石英管快速降至室温，得到覆盖石墨烯的铜箔。
步骤2：磁控溅射氮化铝。
将覆盖石墨烯的铜衬底置于磁控溅射系统中，反应室压力为1Pa，通入氮气和氩气5min。以5N纯度的铝为靶材，采用射频磁控溅射，在覆盖石墨烯的硅衬底上溅射30-100nm的氮化铝薄膜，得到溅射氮化铝的基板，其中氨气流量为1000sccm；铝源流量为5-100μmol/min。
步骤3：热处理。
将溅射氮化铝的基板置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，向反应室通入氢气与氨气的混合气体5min，通入氢气与氨气的混合气体5min后，将反应室加热到600℃，对溅射氮化铝的基板进行20min热处理，得到热处理后的基板。
步骤4：低V-Ш比氮化镓层。
将反应室压力降为20Torr，温度降到1000℃，依次通入氢气、氨气和镓源，在氢气、氨气和镓源的气氛下，采用化学气相淀积法在氮化铝基板上生长50-200nm的氮化镓外延层，得到低V-Ш比氮化镓外延层,其中镓源流量为10-200μmol/min；氨气流量为1000-3500sccm。
步骤5：生长高V-Ш比氮化镓层。
保持反应室温度为1000℃，将压力升高到为40Torr，依次通入氢气、氨气和镓源，在氢气、氨气和镓源的气氛下，采用化学气相淀积法在低V-Ш比氮化镓外延层上生长500-3000nm的氮化镓外延层，其中镓源流量为10-200μmol/min；氨气流量为4000-10000sccm。然后将反应室温度降至室温后取出样品，得到c面氮化镓薄膜。
参照附图2，本发明上述方法制作的基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的氮化镓，它自下而上依次是铜衬底层1、石墨烯层2、磁控溅射氮化铝成核层3、低V-Ш比氮化镓层4和高V-Ш比氮化镓层5。
为了说明本发明易在石墨烯上制备出质量较好的氮化镓薄膜，本发明基于在石墨烯上通过磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，给出如下实施例，对本发明在石墨烯上通过磁控溅射氮化铝的氮化镓生长进行说明。参照附图2，磁控溅射氮化铝成核层的厚度为30-80nm，低V-Ш比氮化镓层的厚度为50-200nm，高V-Ш比氮化镓层的厚度为500-3000nm。
实施例1：在石墨烯上通过磁控溅射氮化铝生长氮化镓薄膜。
步骤一：生长石墨烯。
首先，将清洗后的铜箔放管式炉石英管中，抽真空10min；然后，通入氢气将管式炉加热至1000℃后退火2小时；最后，通入碳源气体生长2小时，关闭碳源，将管式炉石英管快速降至室温，得到石墨烯。
步骤二：磁控溅射氮化铝。
将覆盖石墨烯的铜衬底置于磁控溅射系统中，反应室压力为1Pa，通入氮气和氩气5min，以5N纯度的铝为靶材，采用射频磁控溅射，在覆盖石墨烯的铜衬底上溅射30nm的氮化铝薄膜，得到溅射氮化铝的基板，如图2中3所示。
步骤三：热处理。
将溅射氮化铝的基板置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，向反应室通入氢气与氨气的混合气体5min,通入氢气与氨气的混合气体5min后，将反应室加热到600℃，对溅射氮化铝的基板进行20min热处理，得到热处理后的基板。
步骤四：生长低V-Ш比氮化镓层。
将反应室压力降为20Torr，温度降到1000℃，依次通入氢气、氨气和镓源,在氢气、氨气和镓源的气氛下，采用化学气相淀积法在氮化铝基板上生长100nm的氮化镓外延层，得到低V-Ш比氮化镓外延层,其中镓源流量为120μmol/min；氨气流量为3000sccm.如图2中4所示。
步骤五：生长高V-Ш比氮化镓层。
保持反应室温度为1000℃，将压力升高到为40Torr，依次通入氢气、氨气和镓源,在氢气、氨气和镓源的气氛下，采用化学气相淀积法在低V-Ш比氮化镓外延层上生长1500nm的氮化镓外延层，其中镓源流量为120μmol/min；氨气流量为5000sccm.如图2中5所示。最后将反应室温度降至室温后取出样品，得到c面氮化镓薄膜。

Claims (6)

1.一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，包括步骤如下：
(1)生长石墨烯：
(1a)将清洗后的铜箔放管式炉石英管中，抽真空10min；
(1b)通入氢气，将管式炉加热至1000℃后退火2小时；
(1c)通入碳源气体生长2小时，关闭碳源，将管式炉石英管快速降至室温，得到覆盖石墨烯的铜箔；
(2)磁控溅射氮化铝：
(2a)将覆盖石墨烯的铜衬底置于磁控溅射系统中，反应室压力为1Pa，通入氮气和氩气5min；
(2b)以5N纯度的铝为靶材，采用射频磁控溅射，在覆盖石墨烯的铜衬底上溅射氮化铝薄膜，得到溅射氮化铝的基板；
(3)热处理：
(3a)将溅射氮化铝的基板置于金属有机物化学气相淀积反应室中，向反应室通入氢气与氨气的混合气体5min；
(3b)通入氢气与氨气的混合气体5min后，将反应室加热到600℃，对溅射氮化铝的基板进行20min热处理，得到热处理后的基板；
(4)生长低V-Ш比氮化镓层：
(4a)将反应室压力降为20Torr，依次通入氢气、氨气和镓源；
(4b)在氢气、氨气和镓源的气氛下，保持反应室温度为1000℃，采用化学气相淀积法在氮化铝基板上生长氮化镓外延层，得到低V-Ш比氮化镓外延层；
(5)生长高V-Ш比氮化镓层：
(5a)保持反应室温度为1000℃，将压力升高到为40Torr，依次通入氢气、氨气和镓源；
(5b)在氢气、氨气和镓源的气氛下，采用化学气相淀积法在低V-Ш比氮化镓外延层上生长氮化镓外延层；
(5c)将反应室温度降至室温后取出样品，得到在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓。
2.根据权利要求1所述的在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤(1c)中所述的石墨烯的厚度为0.34nm。
3.根据权利要求1所述的在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤(2b)中所述的磁控溅射氮化铝的厚度为30-100nm。
4.根据权利要求1所述的在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤(4b)中所述的低V-Ш比氮化镓外延层的厚度50-200nm。
5.根据权利要求1所述的在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤(5b)中所述的氨气流量为4000-10000sccm；镓源流量为10-200μmol/min。
6.根据权利要求1所述的在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤(5b)中所述的高V-Ш比氮化镓外延层的厚度为500-3000nm。
CN201610130981.0A 2016-03-08 2016-03-08 在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 Active CN105734530B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610130981.0A CN105734530B (zh) 2016-03-08 2016-03-08 在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
US16/083,255 US11031240B2 (en) 2016-03-08 2016-09-28 Method for growing gallium nitride based on graphene and magnetron sputtered aluminum nitride
JP2018566624A JP2019514228A (ja) 2016-03-08 2016-09-28 グラフェンおよびマグネトロンスパッタリングされた窒化アルミニウム上での窒化ガリウム成長方法
PCT/CN2016/100539 WO2017152620A1 (zh) 2016-03-08 2016-09-28 基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610130981.0A CN105734530B (zh) 2016-03-08 2016-03-08 在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105734530A CN105734530A (zh) 2016-07-06
CN105734530B true CN105734530B (zh) 2018-05-25

Family

ID=56249239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610130981.0A Active CN105734530B (zh) 2016-03-08 2016-03-08 在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105734530B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106868596A (zh) * 2017-01-19 2017-06-20 中国工程物理研究院电子工程研究所 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器
CN107083540B (zh) * 2017-04-18 2019-04-16 大连理工大学 一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
CN108321076A (zh) * 2018-03-21 2018-07-24 华南理工大学 一种二维AlN材料及其制备方法与应用
CN108878588A (zh) * 2018-06-28 2018-11-23 西安电子科技大学 基于石墨烯插入层结构的氮化镓基光电探测器的制备方法
CN110670135B (zh) * 2018-07-03 2021-03-05 中国科学院福建物质结构研究所 一种氮化镓单晶材料及其制备方法
CN110828291A (zh) * 2018-08-13 2020-02-21 西安电子科技大学 基于单晶金刚石衬底的GaN/AlGaN异质结材料及其制备方法
CN110828292A (zh) * 2018-08-13 2020-02-21 西安电子科技大学 基于复合衬底的半导体器件及其制备方法
CN110993752A (zh) * 2019-12-31 2020-04-10 湘能华磊光电股份有限公司 一种以石墨烯为缓冲层的led外延生长方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103633199A (zh) * 2013-12-05 2014-03-12 中国科学院半导体研究所 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
CN103915537A (zh) * 2013-01-09 2014-07-09 理想能源设备(上海)有限公司 硅衬底上化合物半导体外延层生长方法及其器件结构
CN104037287A (zh) * 2014-06-10 2014-09-10 广州市众拓光电科技有限公司 生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法
CN104538526A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 北京中科天顺信息技术有限公司 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010114956A1 (en) * 2009-04-02 2010-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103915537A (zh) * 2013-01-09 2014-07-09 理想能源设备(上海)有限公司 硅衬底上化合物半导体外延层生长方法及其器件结构
CN103633199A (zh) * 2013-12-05 2014-03-12 中国科学院半导体研究所 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
CN104037287A (zh) * 2014-06-10 2014-09-10 广州市众拓光电科技有限公司 生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法
CN104538526A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 北京中科天顺信息技术有限公司 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105734530A (zh) 2016-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105734530B (zh) 在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
CN105633225B (zh) 基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
CN105655238B (zh) 基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法
CN105861987B (zh) 基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
US11955373B2 (en) Gallium oxide semiconductor structure and preparation method therefor
EP3547349B1 (en) Method for reducing silicon carbide epitaxial basal plane dislocation density
US11031240B2 (en) Method for growing gallium nitride based on graphene and magnetron sputtered aluminum nitride
CN105810562B (zh) 基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
JP6063035B2 (ja) 成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置
WO2005093840A1 (ja) ショットキー接合型半導体装置の製造方法
CN112309832B (zh) 可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法
CN106868472B (zh) 一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器
CN105931946B (zh) 基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
CN104867818B (zh) 一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法
EP2781631A1 (en) Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method
CN108899401B (zh) 基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法
CN108428618A (zh) 基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法
CN114899099A (zh) 一种金刚石衬底上生长氮化镓高电子迁移率晶体管的外延方法
CN105977135B (zh) 基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
Tomida et al. Growth of GaN on ZrB2 substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
CN105869998B (zh) 基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
Tengdelius et al. ZrB2 thin films deposited on GaN (0001) by magnetron sputtering from a ZrB2 target
CN116288722A (zh) 一种金刚石衬底GaN外延方法
CN111676450B (zh) 基于离子束溅射沉积的六方氮化硼厚膜及制备方法和应用
CN112687527A (zh) 一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant