MD4882B1 - Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах - Google Patents
Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах Download PDFInfo
- Publication number
- MD4882B1 MD4882B1 MDA20200024A MD20200024A MD4882B1 MD 4882 B1 MD4882 B1 MD 4882B1 MD A20200024 A MDA20200024 A MD A20200024A MD 20200024 A MD20200024 A MD 20200024A MD 4882 B1 MD4882 B1 MD 4882B1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- zno
- low temperatures
- obtaining
- ceramic targets
- methods
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии.Способ получения керамических мишеней ZnO:Ga:Cl при низких температурах состоит в спекании порошков ZnO и Ga2O3 в закрытом объеме при температуре 900…1150°С. Спекание осуществляется химическими транспортными реакциями, используя HCl в качестве транспортного агента, с начальным давлением 0,101…0,608 MPa, при этом дополнительно используют порошки Ga2O3 с концентрацией 1…5 моль%, с размером гранул не более 300 мкм для получения керамических мишеней ZnO:Ga:Cl, примеси Cl имея концентрацию 1·1018…5·1019 cm-3.Способ получения керамических тонких слоев ZnO:Ga:Cl при низких температурах состоит в вакуумировании камеры магнетрона до давления 133,32÷666,61·10-5 Па, нагнетании газа Ar с давлением 0,00013÷0,0013 МПа, магнетронном напылении при температуре осаждения 80…300°С керамических мишеней ZnO:Ga:Cl, полученных выше описанным способом.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20200024A MD4882C1 (ru) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20200024A MD4882C1 (ru) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD20200024A2 MD20200024A2 (ru) | 2021-09-30 |
| MD4882B1 true MD4882B1 (ru) | 2024-01-31 |
| MD4882C1 MD4882C1 (ru) | 2024-08-31 |
Family
ID=77999544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20200024A MD4882C1 (ru) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4882C1 (ru) |
-
2020
- 2020-03-27 MD MDA20200024A patent/MD4882C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD20200024A2 (ru) | 2021-09-30 |
| MD4882C1 (ru) | 2024-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sberveglieri et al. | A novel method for the preparation of NH3 sensors based on ZnO-In thin films | |
| Lim et al. | ZnO thin films prepared by atomic layer deposition and rf sputtering as an active layer for thin film transistor | |
| Ponmudi et al. | Facile fabrication of spinel structured n-type CuAl2O4 thin film with nano-grass like morphology by sputtering technique | |
| CN110277468A (zh) | 一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法 | |
| Teimoori et al. | On the dependence of H2 gas sensitivity of ZnO thin films on film thickness | |
| KR20190013872A (ko) | 금속 산질화물 반도체막의 제조 방법 및 금속 산질화물 반도체막 | |
| MD4882B1 (ru) | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах | |
| TAKI et al. | Electrical and thermal properties of nitrogen-doped SiC sintered body | |
| Khumtong et al. | Empirical modelling and optimization of pre-heat temperature and Ar flow rate using response surface methodology for stoichiometric Sb2Te3 thin films prepared by RF magnetron sputtering | |
| JP5546143B2 (ja) | 透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び透明薄膜形成用材料 | |
| Kawasaki et al. | Preparation of a titanium thin film using a sputtering deposition process with a powder material target | |
| Ozgit-Akgun et al. | Plasma-enhanced atomic layer deposition of III-nitride thin films | |
| Hung et al. | High sensitivity carbon monoxide sensors made by zinc oxide modified gated GaN/AlGaN high electron mobility transistors under room temperature | |
| Abdullah et al. | One-dimensional GaN nanostructures prepared via chemical vapor deposition: Substrate induced size and dimensionality | |
| Huber et al. | New CVD-based method for the growth of high-quality crystalline zinc oxide layers | |
| MD1829Y (ru) | Способы получения керамических мишеней и тонких проводящих пленок сплавов Fe2O3:(ZnO)k при низких температурах | |
| KR102530323B1 (ko) | 암모니아 제조 방법 및 암모니아 제조용 장치 | |
| US9299555B1 (en) | Ultrapure mineralizers and methods for nitride crystal growth | |
| CN114672767A (zh) | 一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法 | |
| RU2347298C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Cu(In, Ga)(S, Se)2 ТОНКИХ ПЛЕНОК | |
| Sun et al. | Gas sensing properties of formaldehyde sensor based on Zn-, Cu-Doped NiO thin film | |
| Choi et al. | Effect of process pressure and substrate temperature on CdS buffer layers deposited by using RF sputtering for Cu (In, Ga) Se2 solar cells | |
| Srinivasarao et al. | Preparation and characterization of rf magnetron sputtered porous ZnO thin films | |
| JP6756495B2 (ja) | 超高純度鉱化剤および窒化結晶成長の方法 | |
| Morari et al. | Study of Ga2O3 thin films obtained by aerosol spray pirolysis |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |