KR980010532A - 누설 전류를 줄이기 위한 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 누설 전류를 줄이기 위한 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 게이트 전극 위에 반도체층인 비정질 실리콘층이 형성되어 있고 비정질 실리콘층의 폭보다 넓은 폭을 가진 소스 전극 및 드레인 전극이 비정질 실리콘층과 좌·우변에서 각각 중첩되도록 형성되어 있다.
본 발명에 따른 이러한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 장치에서는 비정질 실리콘층의 폭이 소스-드레인 전극의 폭보다 좁기 때문에 광 유도에 의한 누설 전류의 양이 줄어드는 효과가 있다.

Description

누설 전류를 줄이기 위한 액정 표시 장치
제1도는 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터이다.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터이다.
＊ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 게이트선 2 : 데이터선
3 : 게이트 전극 4 : 비정질 실리콘
5 : 소스 전극 6 : 드레인 전극
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 누설 전류를 줄이기 위한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 구조에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 액정 표시 장치 내로 빛을 조사하는 백라이트, 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 컬러 필터 및 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 컬러 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판 사이에 주입되어 있는 액정 물질을 포함한다. 백라이트로부터 조사된 빛은 박막 트랜지스터 기판 내의 화소 전극을 투과해 컬러 필터 기판에 전달된다. 이 과정에서 박막 트랜지스터는 그 기판 측면에 부착되어 있는 구동용 회로에 의해 각 화소별로 구동되어 박막 트랜지스터 기판 사이에 주입되어 있는 액정 분자들을 변화시킴으로써 백라이트로부터의 빛이 각 화소마다 형성되어 있는 컬러 필터로 전달되는 양을 조절한다. 이러한 빛 투과량의 조절에 의해 액정 표시 장치의 색조 표시, 이미지 및 화상 표시 등이 이루어진다. 박막 트랜지스터에는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 다결정 실리콘 박막 트랜지스터가 있는데 아직까지는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터가 주로 사용되고 있다. 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에서는 비정질 실리콘층에 빛이 조사되면 광전기 전환에 의해 오프 전류가 수십배로 증가되는 특성을 보인다. 오프 전류의 증가는 액정 표시 장치의 화질을 떨어뜨리므로 이를 최소화하기 위해 비정질 실리콘의 두께를 50㎚이하로 감소시키거나 컬러 필터 기판의 블랙 매트릭스를 박막 트랜지스터가 충분히 덮히도록 형성시키는 방안들이 제시되고 있다. 비정질 실리콘의 두께를 감소시키는 수월한 방법으로는 박막 트랜지스터를 에치 스토퍼(etch stopper)방식으로 형성하는 방법이 있다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
제1도는 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터의 배치도이다.
제1도에 도시한 바와 같이, 가로로 형성되어 있는 게이트선(1)에서 그 분지가 뻗어 나와 게이트 전극(3)을 이루며, 게이트 전극(3) 위에 반도체층이 비정질 실리콘(3)이 절연막(도시하지 않음)을 사이에 두고 형성되어 있다. 세로로 데이터선(2)이 형성되어 있으며 데이터선(2)으로부터 뻗어 나온 분지는 비정질 실리콘(3)의 한편과 일정부분 겹치도록 형성되어 있다. 비정질 실리콘(3)의 다른 한편에는 비정질 실리콘(3)과 일정 길이 겹치도록 드레인 전극(6)이 형성되어 있고 드레인 전극(6)은 화소 전극(도시하지 않음)과 연결된다. 소스 전극(5)과 드레인 전극(6)사이의 비정질 실리콘이 채널부가 된다.
소스 전극(5) 또는 드레인 전극(6)의 폭이 비정질 실리콘(4)의 폭보다 좁게 형성되어 있는 종래의 비정질 박막 트랜지스터는 채널부의 가장자리가 소스-드레인 전극(5, 6)의 바깥으로 드러나 있다.
이러한 구조를 갖는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-si TFT)의 채널부에 빛이 조사되면 광 유도에 의한 누설 전류가 발생하게 된다. 누설 전류는 소스-드레인 전극(5, 6)의 바깥쪽으로 드러나 있는 비정질 실리콘(4)에 주로 발생한다.
유지 축전기로부터 전하가 누설되면 다음 신호가 인가될 때까지 축전기가 일정 전위를 유지하지 못하기 때문에 깜박거림이나 잔상 등이 발생하여 화질이 떨어지게 된다.
본 발명의 목적은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 누설 전류를 줄이는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 구조를 구현하는 데에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터는, 게이트 전극 위에 반도체층인 비정질 실리콘층이 형성되어 있고 비정질 실리콘층의 폭보다 넓은 폭을 가진 소스 전극 및 드레인 전극이 비정질 실리콘층과 좌·우변에서 각각 중첩되도록 형성되어 있다.
본 발명에 따른 이러한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 장치에서는 비정질 실리콘층의 폭이 소스-드레인 전극의 폭보다 좁기 때문에 광 유도에 의한 누설 전류의 양이 줄어드는 효과가 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 한 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터의 배치도이다.
제2도에 도시한 바와 같이, 가로로 게이트선(1)이 형성되어 있고 그 분지가 뻗어 나와 게이트 전극(3)을 이루며, 게이트 전극(3) 위에 반도체층인 비정질 실리콘(3)이 절연막(도시하지 않음)을 사이에 두고 형성되어 있다. 세로로 데이터선(2)이 형성되어 있으며 데이터선(2)의 일부는 비정질 실리콘(3)의 한 쪽과 일정 길이 겹쳐서 소스 전극(5)을 이루고 다른 한편에는 비정질 실리콘(3)과 일정 길이 겹치도록 드레인 전극(6)이 형성되어 있다. 소스 전극(5)과 드레인 전극(6) 사이의 비정질 실리콘이 박막 트랜지스터의 채널이 된다. 드레인 전극(6)은 화소전극(도시하지 않음)과 연결되어 있다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 소스 전극(5) 및 드레인 전극(6)의 폭이 비정질 실리콘(4)의 폭보다 크게 형성되어 있기 때문에 종래의 것에 비해 소스-드레인 전극(5, 6)의 바깥으로 드러나는 채널부의 면적이 좁고, 드러난 가장자리의 길이 역시 짧다. 광누설 전류의 발생량은 외부로 드러난 채널의 가장자리의 길이와 관련이 깊다. 또한, 상판블랙 매트릭스에 의해 반사된 빛이 채널부에 조사되는 경우에도 광 누설 전류가 발생한다. 드러나는 채널의 가장자리의 길이와 면적은 광 누설 전류의 양과 비례하므로 이러한 박막 트랜지스터는 광 누설 전류를 억제하는 구조를 갖는다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터는 채널 가장자리 부분의 비정질 실리콘을 제거하여 소스-드레인 전극보다 박막 트랜지스터의 폭을 좁게 형성함으로써 광 누설 전류의 발생을 줄이는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 비정질 실리콘층, 상기 비정질 실리콘층보다 넓은 폭으로 형성되어 있으며 상기 비정질 실리콘층의 한 변과 일정 길이 중첩되도록 형성되어 있는 소스 전극, 상기 소스 전극과 같은 폭으로 형성되어 있으며 상기 비정질 실리콘층의 다른 한 변과 일정 길이 중첩되도록 형성되어 있는 드레인 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100484571B1 (ko) * 2000-11-30 2005-04-20 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 이 장치에 사용하는스위칭 소자

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61295664A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体薄膜トランジスタ
JPH06177387A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ
JPH07147411A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Sony Corp 表示素子基板用半導体装置
JPH0851210A (ja) * 1994-08-08 1996-02-20 Toshiba Corp 半導体装置
JP3302187B2 (ja) * 1994-08-18 2002-07-15 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、これを用いた半導体装置、液晶表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100484571B1 (ko) * 2000-11-30 2005-04-20 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 이 장치에 사용하는스위칭 소자

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