KR980006160A - 열 방출수단을 구비한 반도체 패캐이지 및 그 제조방법 - Google Patents

열 방출수단을 구비한 반도체 패캐이지 및 그 제조방법 Download PDF

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KR980006160A
KR980006160A KR1019960024390A KR19960024390A KR980006160A KR 980006160 A KR980006160 A KR 980006160A KR 1019960024390 A KR1019960024390 A KR 1019960024390A KR 19960024390 A KR19960024390 A KR 19960024390A KR 980006160 A KR980006160 A KR 980006160A
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KR
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heat releasing
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박용준
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김주용
현대전자산업주식회사
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Abstract

본 발명은 소자의 동작시 발생되는 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있는 열 방출수단을 구비한 반도체 패키이지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 패캐이지는 칩 상부의 몰딩부 및 패드 하부의 몰딩부에 내장되어 칩에서 발생된 열을 외부로 방출시키는 제1 및 제2 방출 수단을 더 포함한 것을 그 요지로 하며, 리드 프레임 패드 표면에 칩을 부착하는 단계와, 칩 표면에 접착수단을 통하여 제1 열 방출수단을 부착하는 단계와, 칩과 각 리드를 와이어로 연결하는 와이어 본딩 단계와, 하부 몰딩다이의 각 캐비티 저면에 제2 열 방출수단을 위치시키고 그 위에 리드 프레임을 로딩하여 상부 몰딩다이로 리드 프레임을 가압하는 단계와, 몰딩 컴파운드를 캐비티에 주입하는 단계를 통하여 제조된다.

Description

열 방출수단을 구비한 반도체 패캐이지 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 패캐이지의 구성을 도시한 단면도.

Claims (10)

  1. 반도체 패캐이지에 있어서, 칩 상부의 몰딩부 및 패드 하부의 몰딩부에 내장되어 칩에서 발생된 열을 외부로 방출시키는 제1 및 제2 방출 수단을 더 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 열 방출수단과 제2 열 방출수단은 접착수단에 의하여 칩 상부면 및 리드 프레임의 패드 저면에 각각 부착되며, 그 일면은 몰딩부 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 방출수단 각각은 일정한 폭을 갖는 폐고리 형태를 가지며, 대응하는 몰딩부의 외부로 노출되는 부분과 칩 또는 리드 프레임의 패드 저면에 부착되는 부분은 평면으로 이루어지고 중간 부분을 절곡시켜 상하 방향으로의 탄성변형이 가능하게 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 방출수단은 알루미늄 또는 동과 같은 열전단율이 우수한 얇은 금속 판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지.
  5. 반도체 패캐이지 제조방법에 있어서, 리드 프레임 패드 표면에 칩을 부착하는 단계와, 상기 칩 표면에 접착수단을 통하여 제1 열 방출수단을 부착하는 단계와, 상기 칩과 각 리드를 와이어로 연결하는 와이어 본딩 단계와, 하부 몰딩다이의 각 캐비티 저면에 제2 열 방출수단을 위치시키고 그 위에 리드 프레임을 로딩하여 상부 몰딩다이로 리드 프레임을 가압하는 단계와, 몰딩 컴파운드를 캐비티에 주입하는 단계로 이루어져 몰딩공정후 상하 몰딩부내에 상기 제1 및 제2 열 방출수단이 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 방출수단 각각은 일정한 폭을 갖는 폐고리 형태를 가지며, 대응하는 몰딩부의 외부로 노출되는 부분과 칩 또는 리드 프레임의 패드 저면에 부착되는 부분은 평면으로 이루어지고 중간 부분을 절곡시켜 상하 방향으로의 탄성변형이 가능하게 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지 제조방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 방출수단은 알루미늄 또는 동과 같은 열 전달율이 우수한 얇은 금속 판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지 제조방법.
  8. 반도체 패캐이지 제조방법에 있어서, 리드 프레임 패드 표면에 칩을 부착하는 단계와, 상기 칩 표면 및 리드 프레임 패드 저면에 접착수단을 통하여 제1 열 방출수단 및 제2 열 방출수단을 각각 부착하는 단계와, 상기 칩과 각 리드를 와이어로 연결하는 와이어 본딩 단계와, 하부 몰딩다이의 각 캐비티 상에 리드 프레임을 로딩한 상태에서 상부 몰딩다이로 리드 프레임을 가압하여 몰딩 컴파운드를 캐비티에 주입하는 단계로 이루어져 몰딩공정후 상하 몰딩부내에 상기 제1 및 제2 열 방출수단이 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 방출수단 각각은 일정한 폭을 갖는 폐고리 형태를 가지며, 대응하는 몰딩부의 외부로 노출되는 부분과 칩 또는 리드 프레임의 패드 저면에 부착되는 부분은 평면으로 이루어지고 중간 부분을 절곡시켜 상하 방향으로의 탄성변형이 가능하게 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지 제조방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 방출수단은 알루미늄 또는 동과 같은 열 전달율이 우수한 얇은 금속 판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패캐이지 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101049508B1 (ko) * 2004-12-30 2011-07-15 엘지전자 주식회사 비지에이 패키지의 열발산 방법 및 열 발산 막대를포함하는 비지에이 패키지

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