KR980006148A - 반도체 장치의 다층 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 접촉창 식각후 제2 금속배선과 동일계의 원소를 미리 이온주입한 후에 제2 금속배선 재료를 증착함으로서 접촉창의 저항이 감소되고 단차 피복성을 향상시켜 금속배선 간의 접촉이 원활해지며, 접촉창의 기능이 극대화 됨으로서 공정상의 수율을 증대시키고 반도체 소자의 동작 특성을 개선하는 효과가 있으며, 반도체 장치의 다층금속배선 형성방법에 있어서, 기판상에 제1 금속배선을 형성한후 전체구조 상부에 소정의 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 금속배선을 선택 식각하여 접촉창을 형성한후 제2 금속배선과 동일한 금속 원소를 이온주입하는 단계, 전체구조 상부에 제2 금속배선을 형성하는 단계를 포함해서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 일실시예에 따른 다층금속배선 형성공정도.
Claims (2)
- 반도체 장치의 다층금속배선 형성방법에 있어서, 기판상에 제1 금속배선을 형성한후 전체구조 상부에 소정의 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 금속배선을 선택 식각하여 접촉창을 형성한 후 제2 금속배선과 동일한 금속 원소를 이온주입하는 단계, 전제구조 상부에 제2 금속배선을 형성하는 단계를 포함해서 이루어지는 반도체 장치의 다층금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 금속배선은 알루미늄막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층금속배선 형성방법.
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| KR100214067B1 KR100214067B1 (ko) | 1999-08-02 |
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1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023631A patent/KR100214067B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100214067B1 (ko) | 1999-08-02 |
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