KR980006021A - 정전척용 실드 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서의 정전 척(electrostatic chuck)(4)용 실드(5)는 척을 둘러싸는 제 1의 요소(60)와 제 1 실드 요소 위에서 지지되는 제2의 실드 요소(62)를 포함한다. 제2의 실드 요소는 웨이퍼를 둘러싸는 상면을 가지고 있고 공정실(processing chamber) 내에서 가스 디포지션에 노출된다. 실드를 두 개의 요소로 분리시킴으로써 제 2 요소의 열량에 대한 노출된 표면의 비율을 증가시키며 거기에서의 디포지션을 감소시킨다. 또한, 실드의 청정율 및 디포지션 제거 율은 전형적으로 그 온도에 관한 함수이다(즉, 공정 중에 실드가 뜨거울수록, 더 빨리 청정된다). 그러므로, 제 2 실드 요소의 청정율은 증가될 것이며, 공정의 처리 율이 증가될 것이다.

Description

정전척용 실드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명의 원리에 따른 정전 척 및 절연 고리를 포함하는 고밀도 플라즈마 반응실에 대한 개략도.

Claims (25)

  1. 웨이퍼 처리 장치에 있어서, 웨이퍼를 받기 위한 실질상 평면을 갖는 전기 절연 요소; 상기 실질상 평면에 대향하는 상기 절연 요소의 표면에 인접한 전기 전도성 요소; 상기 전기절연 요소를 적어도 부분 적을 둘러싸는 제 1 실드 요소; 그리고 상기 제 1 실드 요소 위에서 지지되는 별도의 제 2 실드 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 실드 요소들은 실질적으로 서로 열적으로 격리되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 실드 요소들은 서로 고체 대 고체 (solid-to-solid) 접촉을 형성하며, 상기 실드 요소들은 그들 사이의 내부 틈새 공간을 정의하며, 상기 틈새 공간은 저압 환경에서 상기 실드 요소들 사이의 실질적 열 장벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 실드 요소가 상기 제 1 실드 요소보다 상당히 작은 열량을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 제 2 실드 요소가 표면적을 가지는 노출된 상면을 가지고, 상기 제 2 실드 요소의 열량에 대한 상기 노출 상면의 비율이 약 1 내지 1.6㎠K/Joule인 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 실드 요소들이 전기 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 실드 요소들이 상기 절연 밀 전도성 요소들을 충분히 둘러싸는 환형 고리들인 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 실드 요소가 노출된 상면 및 다수의 프로젝션들을 정의하고, 상기 프로젝션들은 프로젝션들 사이에서 반도체 웨이퍼를 잡기 위하여 상기 노출된 상면으로부터 뻗어 나온 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 프로젝션들이 상기 제 2 실드 요소의 상기 노출된 상면에 관하여 원주방향으로 배치된 확장된 탭(tab)들인 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 실드 요소의 상기 상면이 상기 웨이퍼의 두께보다 작은 거리로 상기 절연 요소의 상기 평면위로 확장하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 실드 요소가 상기 절연 요소의 상기 평면 위로 약0내지 0.5㎜확장하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 1항에 있어서, 웨이퍼를 상기 절연 요소에 부착시키기 위하여 상기웨이퍼와 상기 전도성 요소 사이에 정전력을 발생시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 플라즈마 반응실에서 공정 중에 웨이퍼를 부착시키기 위한 정전 척에 있어서, 금속성 상면을 갖는 받침; 상기 받침의 상면에 형성되었으며 웨이퍼를 받기 위한 상면을 가진 유전 물질 층; 그리고 상기 받침을 둘러싸며 서로 충분히 열적으로 격리된 제 1 및 제 2 부분을 포함하는 실드 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 척.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 실드 요소들의 상기 제 1 및 제 2 부분들이 서로 고체 대 고체 접촉을 형성하고, 상기 부분들이 그들 사이의 틈새 공간을 정의하며, 상기 틈새 공간이 저압 환경에서 상기 부분들 사이의 실질적 열 장벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 척.
  15. 제13항에 있어서, 상기 부분들 중의 하나가 상기 부분들 중의 다른 것보다 충분히 작은 열량을 갖는 것을 특징으로 하는 척.
  16. 집적회로 디바이스를 제조하는 장치에 있어서, 공정실을 수용하는 봉합체; 상기 공정실 내에 놓여진 정전 척으로서, 상기 정전 척이 웨이퍼를 받기 위한 실질적 평면을 가지는 전기 절연 층; 그리고 상기 평면에 대향하는 상기 전기 절연층의 벽면에 대향하는 전극을 포함하는 상기 정전척; 상기 정전 척을 충분히 둘러싸는 제 1 전기 절연 실드; 상기 제 1 실드 요소위에서 지지되며 상기 전기 절연층을 둘러싸도록 배치된 제 2 전기 절연 실드 요소로서, 상기 제 1 및 제 2 실드 요소들이 서로 충분히 열적으로 격리되도록 된 제 2 전기 절연 실드 요소; 그리고 상기 웨이퍼를 상기 절연층 위에 부착시키기 위한 쿨로의 힘을 발생시키기 위하여 상기 웨이퍼와 상기 전극 사이에 전압을 인가하기 위한 상기 전극에 결합된 전압원을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 집적회로 디바이스를 제조하기 위한 방법에 있어서, 공정실 내의 전극 위에 놓인 전기 절연 요소의 실질적 평면에 인접하게 반도체 웨이퍼를 위치시키는 단게; 그리고 상기 전극을 추운히 둘러싸며, 제 1 및 제 2의 분리된 부분들을 포함하는 실드 요소로 전극을 실드하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 실드 요소의 상기 제 2 부분의 노출된 면으로의 가스 디포지션을 억제시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 억제 단게가 상기 실드 요소의 상기 제 1의 부분이 상기 실드 요소의 상기 제 2의 부분으로부터 충분히 열적으로 격리되는 것 및 상기 제 2 부분의 노출면에 대한 가스 디포지션을 감소시키기 위하여 공정 중에 상기 제 2 부분을 가열하는 것에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 열적 격리 단계가 상기 제 1 부분을 상기 제 2 부분에 서로간에 고체 대 고체 접촉을 이루게 위치시키는 것 및 상기 제 1 및 제 2 부분들 사이의 틈새 간격이 열적 장벽을 형성하도록 상기 공정실 내에서 저압을 유지하는 것에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 19항에 있어서, 상기 제 2 절연 요소에 대한 열량에 대한 노출 면적의 비율이 약 1 내지 1.6㎠K/J가 되도록 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 18 항에 있어서, 상기 억제 단계가 상기 노출 부분을 상기 웨이퍼의 상면 밑에 위치시키는 것에 의하여 이루어지는 것을 특지으로 하는 방법.
  23. 제 17 항에 있어서, 상기 실드 요소의 상기 제 1 부분으로부터 뻗어 나온 다수의 프로젝션들을 가지고 상기 전기적 절연 요소의 평면 위에 상기 웨이퍼를 부착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 17 항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 절연 요소에 부착시키기 위하여 상기 웨이퍼와 상기 절연 요소 사이에 정전력을 발생시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 정전력을 발생시키는 단계가 상기 전지 전도성 요소와 상기 웨이퍼 사이에 전압을 인가하는 단계; 그리고 상기 웨이퍼와 상기 절연 요소 사이에 쿨롱의 인력을 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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