KR980004997A - 반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 센싱 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로가 개시된다. 개시된 본 발명은 메모리 셀이 연결된 비트 라인, 비트 라인의 신호를 비교하기 위한 더미셀이 연결된 더미 라인, 더미 라인의 신호를 프리차아지 시키는 제1 차아지 회로부, 비트라인의 신호를 프리 차아지 시키는 제2 차아지 회로부, 한쌍의 인버터로 이루어진 래치부를 구비하며, 제1 차이지 회로부 및 제2 차이지 회로부를 통하여 프리 차아지된 신호를 입력되고, 입력된 신호를 센싱 및 증폭하는 감지 증폭기를 포함하며, 제1 차아지 회로부와 제2 차아지 회로는 감지 증폭기의 출력에 의하여 제어되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로를 개략적으로 나타낸 도면.

Claims (4)

  1. 메모리 셀이 연결된 비트 라인, 비트 라인의 신호를 비교하기 위한 더미셀이 연결된 더미 라인, 더미 라인의 신호를 프리차아지 시키는 제1 차아지 회로부, 비트라인의 신호를 프리 차아지 시키는 제2 차아지 회로부, 한쌍의 인버터로 이루어진 채리부를 구비하며, 제1 차아지 회로부 및 제2 차아지 회로부를 통하여 프리 차아지된 신호가 입력되고, 입력된 신호를 센싱 및 증폭하는 감지 증폭기를 포함하며, 상기 제1 차아지 회로부와 제2 차아지 회로는 감지 증폭기의 출력에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감지 증폭기는 대응하는 한쌍의 C모스 인버터와, 대응하는 한 쌍의 인버터 각각에 직렬로 연결된 제1 N모스와 제 2N모스를 포함하며, 대응하는 C모스 중 더미 라인측의 인버터 출력은 비트 라인측 C모스의 입력이 되고, 비트 라인측의 C모스의 출력은 더미 라인측의 C모스의 입력이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로.
  3. 제1항에 도는 제2항에 있어서, 상기 제1 차아지 회로부는 Vcc전압이 드레인이 인가되고, 게이트에는 반전된 이퀄라이즈 신호가 인가되는 제1 P모스 , 제1 P모스와 직렬로 연결되고, 더미 라인의 신호가 게이트에 인가되는 제2 P모스, 제2 P모스와 소오스가 공통 연결되고, 드레인에는 Vcc 전압이 인가되며, 게이트는 더미 라인 신호가 인가되는 제3 P모스, 제3 P모스와 소오스가 공통 연결되고, 드레인에는 Vcc전압이 인가되며, 게이트에는 감지 증폭기의 더미 라인측 C모스 출력 신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 차아지 회로부는 Vcc전압이 드레인에 인가되고, 게이트에는 반전된 이퀄라이즈 신호가 인가되는 제1 P모스, 제1 P모스와 직렬로 연결되고, 비트 라인의 신호가 게이트에 인가되는 제2 P모스, 제2 P모스와 소오스 전극이 공통 접속되고, 드레인에는 Vcc전압이 인가되고, 게이트는 비트 라인이 인가되는 제3 P모스, 제3 P모스와 소오스가 공통 접속되고, 드레인에는 Vcc전압이 인가되며, 게이트에는 감지 증폭기의 비트 라인측 인버터의 출력 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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