KR980003862A - 미세 감광막 패턴 형성방법 - Google Patents

미세 감광막 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조시 웨이퍼 기판상에 리소그라피(Lithography) 공정으로 감광막 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, KrF(248nm), ArF(193nm)등 광원의 종류에 관계없이 감광막을 사용하고, 노광부의 감광막이 제거되어 포지티브 감광막과 동일한 감광막 패턴을 얻으며, 0.18㎛ 이하의 미세패턴을 형성할 수 있는 감광막 패턴을 얻을 수 있도록 하는 싸일레이션 공정을 이용한 감광막 패턴 형성 방법이다.

Description

미세 감광막 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 종래의 방법으로 싸일레이션 공정을 이용하여 감광막 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
제6도 내지 제9도는 본 발명의 실시예에 의해 싸일레이션 감광막 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
제10도는 본 발명에 사용되는 싸일레이션용 감광막을 제조하는 단계를 도시한 도면.

Claims (8)

  1. 피식각층 상부에 수지, 광산 발광체 및 염기가 포함된 감광막을 도포하고, 마스크를 이용하여 노광하되 상기 감광막의 일정두께를 노광하는 단계와, 상기 노광후 포스트 노광 베이크 공정으로 노광부의 염기는 상과 반응하여 염기가 없어지게 하는 단계와, H-Si 결합 (bond)을 갖고 있는 싸일레이션 물질을 사용하여 싸일레이션 공정을 실시하여 노광부에서는 Si-O-수지의 결합이 형성되지 않고, 비노광부에 있는 염기가 촉매역할을 하여 Si-O-수지의 결합이 형성되도록 하는 단계와,플라즈마 식각 공정으로 비노광부의 감광막에 포함된 Si-O-수지와 산소가 결합하여 실리콘 산화막을 형성하고, 이 실리콘 산화막이 식각 장벽층으로 작용하고, 상기 노광부의 감광막을 식각하여 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노광 공정시 사용되는 광은 KrF(248nm), ArF(193nm)의 광원을 사용하는 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수지는 노볼락 계열인 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광산 발광체는 염기의 구성비율은 당량비로 90 : 10-51 : 49인 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 염기는 지방족(Aliphatic) 계열의 아민류, 하이드록 사이드() 또는 알코사이드(Alkoxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 포스트 노광 베이크 공정은 60-200℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 싸일레이션 물질은 디메칠페닐실레인, 디페닐메칠실레인, 트리에칠실레인, 1,1,3,3-테트라메칠디실록세인, 트리에톡시실레인, 트리메톡시실레인, 트리메칠실레인 중의 하나 또는 그이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 비노광부는 염기를 갖고 있기 때문에 이 염기가 촉매역할을 하여 Si-O-수지의 결합이 형성되도록 한다음, 50-200℃의 베이크 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 미세 감광막 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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