KR980003838A - 포지티브형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브형 포토레지스트 조성물 Download PDF

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KR980003838A
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신지 사카구찌
토오루 후지모리
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무네유키 마사유키
후지샤신휘루무 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 특정한 반복구조단위를 포함하는 수지, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물, 및 특정한 폴리히드록시화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 우수한 감도, 해상력을 보유하고, 또 노광-PEB의 시간경과에 따라, T-top형성, DOF저하, 해상력 열화 및 감도저하 등의 레지스트성능의 변화가 적은 등의 효과를 나타내는 포토레지스트 조성물이다.

Description

포지티브형 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. 하기의 일반식(Ⅰ)으로 표시되는 수지 및/또는 하기의 일반식(A), (B) 및 (C)로 표시되는 반복구조단위를 포함하고, 그 일반식(C)으로 표시되는 반복구조단위에 있어서 일반식(D)으로 표시되는 연결기에 의한 가교구조를 보유하는 수지(이하, 수지(X)라 함), 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물(이하 광산발생제라 함), 및 하기의 일반식(Ⅱ) 또는 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물(이하, 화합물(Y)라 함)을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    식(A), (B), (C), (D)중, Rx : 수소원자, 메틸기, Ra, Rb, Rd, Re, Rg, Rh : 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~8개의 직쇄알킬기, 탄소수 3~8개의 분기알킬기, 탄소수 3~6개의 환상(環狀)알킬기(단, Ra, Rb, Rd, Re, Rg, Rh는 동시에 수소원자를 나타내지 않는다. 또, Ra와 Rb, Ra와 Rc, Rd와 Re 또는 Rg와 Rh는, 각각 결합하여 환(環)을 형성해도 좋다.), Rc : 탄소수 1~8개의 직쇄알킬기, 탄소수 3~8개의 분기알킬기, 탄소수 3~6개의 환상알킬기, 하기의 식으로 표시되는 기,
    Rf : 탄소수 1~6개의 직쇄알킬기, 탄소수 3~8개의 분기알킬기, 탄소수 3~6개의 환상알킬기, 하기의 식으로 표시되는 기,
    Ri, Rj :각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~6개의 직쇄알킬기, 탄소수 3~8개의 분기알킬기, 탄소수 3~6개의 환상알킬기를 나타내며, 여기서, 식((A), (B), (C)로 표시되는 반복구조단위의 함유몰비는, 0.05식(B)/(식(A)+식(B)+식(C))0.90, 0.001식(C)/(식(A)+식(B)+식(C))0.20이다.
    식(Ⅰ)중, Rx, Ra, Rb, Rc는, 전기한 바와 동일하다. l, m : l+m=100
    0.05m/(l+ +m)0.90
    을 나타낸다.
    식(Ⅱ), (Ⅲ)중, A : 수소원자 혹은 수산기, E, G : 각각 하기로 표시되는 기,
    ~: 각각 수소원자, -X-혹은 할로겐원자,~: 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, 탄소수 1~2개의 할로알킬기,: 수소원자, 메틸기, 에틸기, 탄소수 1~2개의 할로알킬기, a~f 및 k~n : 각각 0 혹은 1~3의 정수, g~h : 각각 0, 1 혹은 2, p: 1~3의 정수, D는 단결합, 카르보닐기, 술퍼드기, 술포닐기, -C()()- 혹은 하기로 표시되는 기,
    ~: 각각 수소원자, -OH, -CN, -COOH, -X-혹은 할로겐원자,: 탄소수 1~8개의 알킬기, X : 단결합, -O, -S-, -CO-, -OCO-를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 수지(X)가 전체 수지량에 대해 20~100중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 수지(X)가 전체 수지량에 대해 40~100중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 수지(X)가 전체 고형물에 대해 20~99중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 수지(X)가 전체 고형물에 대해 40~97중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 화합물(Y)이 탄소수가 27~60이고 2~10개의 방향족 수산기를 보유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 화합물(Y)이 수지에 대해 3~30중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 화합물(Y)이 수지에 대해 3~15중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 광산발생제의 첨가량이 조성물의 중량에 대해 0.01~20중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 광산발생제의 첨가량이 조성물의 중량에 대해 0.01~10중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 수지(X)가 조성물의 전체 고형물에 대해 20~99중량%이고, 화합물(Y)이 수지에 대해 2~50중량%이며, 광산발생제가 조성물의 전체 중량에 대해 0.001~40중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 수지(X)가 조성물의 전체 고형물에 대해 40~97중량%이고, 화합물(Y)이 수지에 대해 3~30중량%이며, 광산발생제가 조성물의 전체 중량에 대해 0.01~20중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 화합물(Y)이 수지에 대해 3~15중량%이고, 광산발생제가 조성물의 전체 중량에 대해 0.1~10중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 산의 작용에 의해 분해할 수 있는 기를 보유하며, 알칼리현상액 중에서의 용해도가 산의 작용에 의해 증대하는, 분자량 3000 이하의 저분자 산분해성 용해저지화합물(이하 용해저지화합물(Z)이라 함)이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 용해저지화합물(Z)이 조성물의 전체 중량에 대해 3~50중량 %인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 용해저지화합물(Z)이 조성물의 전체 중량에 대해 5~40중량 %인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  17. 제14항에 있어서, 용해저지화합물(Z)이 조성물의 전체 중량에 대해 10~35중량%인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  18. 제1항 내지 제17항에 있어서, 수지(X)에, 산의 작용에 의해 분해해서, 알칼리현상액 중에서의 용해성을 증대시키는 기를 보유하는 수지(이하, 수지(R)이라 함)가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  19. 제18항에 있어서, 수지(R)가 수지의 적어도 측쇄에 산으로 분해할 수 있는 기를 보유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  20. 제19항에 있어서, 수지(R)가 알칼리 가용성수지에 산으로 분해할 수 있는 기가 결합하고 있는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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