KR970706650A - 전 차동 출력 cmos 전력 증폭기 (fully differential output cmos power amplifier) - Google Patents

전 차동 출력 cmos 전력 증폭기 (fully differential output cmos power amplifier)

Info

Publication number
KR970706650A
KR970706650A KR1019970702136A KR19970702136A KR970706650A KR 970706650 A KR970706650 A KR 970706650A KR 1019970702136 A KR1019970702136 A KR 1019970702136A KR 19970702136 A KR19970702136 A KR 19970702136A KR 970706650 A KR970706650 A KR 970706650A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
voltage
power
differential
power amplifier
Prior art date
Application number
KR1019970702136A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100299626B1 (ko
Inventor
후 반 트란
Original Assignee
펠릭스 제이. 로젠가르텐
인퍼메이션 스토리지 디바이스 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 펠릭스 제이. 로젠가르텐, 인퍼메이션 스토리지 디바이스 인코퍼레이티드 filed Critical 펠릭스 제이. 로젠가르텐
Publication of KR970706650A publication Critical patent/KR970706650A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100299626B1 publication Critical patent/KR100299626B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H03F3/3033NMOS SEPP output stages
    • H03F3/3037NMOS SEPP output stages with asymmetric control, i.e. one control branch containing a supplementary phase inverting stage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • H03F3/45192Folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45636Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H03F3/45641Measuring at the loading circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45654Controlling the active amplifying circuit of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45418Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a resistor addition circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45424Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a comparator circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

전차동 출력 CMOS 전력 증폭기는 저전압 공급으로부터 8오옴 스피커와 같은 매우 낮은 임피던스 부하를 구동시키기 위해 음성 녹음 및 재상을 위해 비휘발성 메모리 혼합 모드 칩에서 사용되는 것이 적합하다. 이 전차동 CMOS 전력 증폭기는입력 스테이지(MN2,MN3,MP6,MP7), 레벨 편이/이득 스테이지(MN/P12, MN/P13) 및 공통노드 피드백 네트워크(MN1,MN10,MP10)을 위한 전압 증대기술을 이용한다. 또한 폴드된 종속 차동 입력과 소스 플로우어 출력 스테이지(MN7)를 위한 문턱값 전압(VT=0v)을 갖는 n-MOS 공통 소스 출력을 위한 개량 n-MOS(VT=0.7V) 및, 전압 증대기 출력을 조절하기 위해 레즈스터 분할기를 시뮬레이팅하는 p-MOS가 연결된 디바이스(M1-M5)를 이용하는 전압 레귤레이터(22)를 이용한다. 이 증폭기는 또는 출력 구동기는 스테이지에서 교차왜곡 감소를 위한 메커니즘과, 출력 구동기 n-MOS 트랜지스터(MN7,MN9)의 유휴 전류를 셋팅시키기 위한 체계를 포함한다.

Description

전 차동 출력 CMOS 전력 증폭기(FULLY DIFFERENTIAL OUTPUT CMOS POWER AMPLIFIER)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1a도 내지 제1c도로 이루어지고, 본 발명의 전차동 CMOS 전력 증폭기의 바람직한 실시예에 대한 회로도로써, 제1a도와 제1c는 각각 차동 출력 스테이지의 일답을 도시하고, 제1b도는 폴드된 종속 차동 입력 스테이지와 바이어스 제너레이터를 도시한다.

Claims (16)

  1. 차동 입력을 형성하는 순 n-MOS 디바이스를 갖는 폴드 된 종속 차동 입력 스테이지와, 상기 차동 입력 스테이지에 접속된 레벨 편이 및 이득 스테이지와, 각각이 CMOS 전력 중폭기의 차동 출력중의 하나를 형성하는 출력 단자를 가지며, 상기 레벨 편이 및 이득 스테이지에 접속된 전력 출력 스테이지 쌍과, 상기 폴드 된 종속 차동 입력 스테이지, 상기 레벨 편이 및 이득 스테이지와 상기 전력 출력 스테이지 쌍에 바이어스 전류를 공급하는 바이어스 제너레이터와, 저전압 전원에 접속하기 위해 입력 전력 단자를 갖는 전력 출력 스테이지 쌍으로 이루어지며, 상기 바이어스 제너레이터, 상기 폴드 된 종속 차동 입력 스테이지와 상기 레벨 편이 및 이득 스테이지는 저전압 전원 보다 실질적으로 높은 전압에 접속시키기 위한 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전력 출력 스테이지 쌍은 각각 소스폴로우어로서 연결된 n-MOS 디바이스를 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전력 출력 스테이지 쌍은 각각 교차왜곡을 감소시키는 국부 피드백을 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전력 출력 스테이지 쌍은 각각 고 출력 전압 스윙 효율을 제공하기 위해 소스 플로우어로서 연결된 순 n-MOS 디바이스를 출력 구동기로 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 차력 CMOS 전력 증폭기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전력 출력 스테이지 쌍은 각각 상기 출력 구동기의 드레인 전압을 기준 소스 플로우어 순 n-MOS 디바이스의 드레인 전압과 거의 도일하도록 강제함으로써 상기 전력 출력 스테이지에 대해 유휴 전류를 셋팅시키도록 접속된 상기 기준 소스 플로우어 순 n-MOS 디바이스를 갖는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 차력 CMOS 전력 증폭기.
  6. 제1항에 있어서, 공통 모드 출력전압을 차동 입력 스테이지에 공급하기 위해 출력 단자에 접속된 공통 모드 전압 피드백 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 공통 모드 전압 피드백회로는 상기 저전압 전력 공급보다 실질적으로 높은 전압에 접속하기 위한 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  8. 제1항, 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 저 전압 출력 공급에 접속하고 상기 저 전압 출력공급보다 실질적으로 높은 전압을 공급하는 전압 증배기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전압 증배기의 출력 전압의 변동과 무관하게 저전압 출력 공급보다 실질적으로 높은 전압을 조정하기 위해 상기 전압 증배기에 접속된 전압 레귤레이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력증폭기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전압 레귤레이터는 직렬 접속된 p-MOS 디바이스에 연결된 다수의 다이오드와, 직렬 접속된 상기 p-MOS 디바이스의 일단에 연결된 제1전력 공급 연결부와, 직렬 접속된 상기 p-MOS 디바이스의 타단에 연결된 레귤레이터 출력 연결부와, 제2전력 공급 연결부와, 상기 제2전력 공급 연결부와 상기 출력 연결부사이에 연결된 트랜지스터와 상기 직렬접속된 p-MOS 디바이스중의 하나와 기준 전압간의 차이에 응답하여 상기 제2전력 공급 연결부으로부터 상기 트래지스터를 통하여 흐르는 전류를 제어하기 위해 상기 트랜지스터에 연결된 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 동작용 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  11. 차동 입력을 형성하눈 순 n-MOS 디바이스를 갖는 폴드 된 종속 차동 입력 스테이지와, CMOS 전력증폭기의 차동 출력중의 일 차동 출력을 형성하는 출력 단자를 각각 가지고 있고, 고전압 출력 스윙 효율을 제공하기 위해 소스 플로우어로서 연결된 순 n-MOS 디바이스를 각각 갖고 있는, 폴드된 종속 차동 입력 스테이지에 접속된 전력 출력 스테이지 쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전력 스테이지 쌍은 저전압 전력 공급에 접속하기 위한 것이고, 상기 차동 입력 스테이지는 상기 저전압 전력 공급보다 실질적으로 높은 전압에 접속하기 위한 것을 특징으로 하는 차동 출력 COMS 전력 증폭기.
  13. 근사 레일-레일 공통 모드 입력 범위에 대해 입력 디바이스로서 순 n-MOS 디바이스를 갖는 폴드된 종속 차동 입력 스테이지와, 상기 차동 입력 스테이지에 연결된 레벨 편이 및 이득 스테이지와, CMOS 전력 증폭기의 일 차동 출력을 형성하는 출력 단자를 각각 가지고 있고, 상기 차동 입력 스테이지에 접속된 한 쌍의 전력 출력 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 차동 출력 COMS 전력 증폭기.
  14. 제13항에 있어서, 상기 차동 입력 스테이지는 상기 차동 입력을 형성하는 순 n-MOS 디바이스를 갖는 폴드된 종속 차동 입력 스테이지인 것을 특징으로 하는 차동 출력 COMS 전력 증폭기.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 전력 출력 스테이지 쌍은 저전압 출력 공급에 접속하기 위한 것이고, 상기 차동 입력 스테이지는 상기 저전압 전력 공급보다 실질적으로 높은 전압에 접속하기 위한 것을 특징으로 하는 차동 출력 CMOS 전력 증폭기.
  16. 직렬 접속된 p-MOS 디바이스에 연결된 다수의 다이오드와, 직렬 접속된 상기 p-MOS 디바이스의 일단에 연결된 제1전력 공급 연결부와, 직렬 접속된 상기 p-MOS 디바이스의 타단에 연결된 레귤레이터 출력 연결부와, 제2전력 공급 연결부와, 상기 제2전력 공급 연결부와 상기 출력 연결부사이에 연결된 트랜지스터와, 상기 직렬접속된 p-MOS 디바이스중의 하나와 기준 전압간의 차이에 응답하여 상기 제2전력 공급 연결부으로부터 상기 트래지스터를 통하여 흐르는 전류를 제어하기 위해 상기 트랜지스터에 연결된 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 레귤레이터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970702136A 1995-08-01 1996-07-24 전차동출력cmos전력증폭기 KR100299626B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/509,982 1995-08-01
US08/509,982 US5631606A (en) 1995-08-01 1995-08-01 Fully differential output CMOS power amplifier
PCT/US1996/012238 WO1997005696A1 (en) 1995-08-01 1996-07-24 Fully differential output cmos power amplifier

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007009073A Division KR100315729B1 (ko) 1995-08-01 1996-07-24 전 차동 출력 cmos 전력증폭기용 전압 레귤레이터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970706650A true KR970706650A (ko) 1997-11-03
KR100299626B1 KR100299626B1 (ko) 2001-09-03

Family

ID=24028877

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970702136A KR100299626B1 (ko) 1995-08-01 1996-07-24 전차동출력cmos전력증폭기
KR1020007009073A KR100315729B1 (ko) 1995-08-01 1996-07-24 전 차동 출력 cmos 전력증폭기용 전압 레귤레이터

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007009073A KR100315729B1 (ko) 1995-08-01 1996-07-24 전 차동 출력 cmos 전력증폭기용 전압 레귤레이터

Country Status (7)

Country Link
US (2) US5631606A (ko)
EP (1) EP0783796A1 (ko)
JP (1) JPH10507334A (ko)
KR (2) KR100299626B1 (ko)
AU (1) AU6598596A (ko)
CA (1) CA2201367A1 (ko)
WO (1) WO1997005696A1 (ko)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5828592A (en) * 1997-03-12 1998-10-27 Information Storage Devices, Inc. Analog signal recording and playback integrated circuit and message management system
US6011440A (en) * 1997-03-18 2000-01-04 Linear Technology Corporation Amplifier having output range that exceeds supply voltage
US5880638A (en) * 1997-03-20 1999-03-09 Maxim Integrated Products Rail-to-rail operational amplifier and method for making same
DE69732699D1 (de) * 1997-08-29 2005-04-14 St Microelectronics Srl Linearer Spannungsregler mit geringem Verbrauch und hoher Versorgungsspannungsunterdrückung
US6018265A (en) * 1997-12-10 2000-01-25 Lexar Media, Inc. Internal CMOS reference generator and voltage regulator
US6018267A (en) * 1998-03-10 2000-01-25 Information Storage Devices, Inc. High output swing operational amplifier using low voltage devices
US7010131B1 (en) * 1998-05-15 2006-03-07 Cirrus Logic, Inc. Quasi-differential power amplifier and method
US6023156A (en) * 1998-12-16 2000-02-08 Storage Technology Corporation Switched load voltage regulation circuit
GB2344902B (en) 1998-12-18 2003-04-23 Ericsson Telefon Ab L M Level shift circuit
US7082293B1 (en) 1999-10-21 2006-07-25 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with CMOS offset PLL
US7558556B1 (en) 1999-10-21 2009-07-07 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with subsampling mixers
US8014724B2 (en) 1999-10-21 2011-09-06 Broadcom Corporation System and method for signal limiting
US6917789B1 (en) * 1999-10-21 2005-07-12 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with an antenna matching circuit
US7113744B1 (en) 1999-10-21 2006-09-26 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with a power amplifier
US7555263B1 (en) 1999-10-21 2009-06-30 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver
US6961546B1 (en) * 1999-10-21 2005-11-01 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with offset PLL with subsampling mixers
US7299006B1 (en) * 1999-10-21 2007-11-20 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver
US7467379B2 (en) * 2001-01-16 2008-12-16 International Business Machines Corporation System and method for incrementally executing a client/server application
US6424218B1 (en) 2001-02-28 2002-07-23 International Business Machines Corporation Programmable differential active voltage divider circuit
US6583652B1 (en) 2001-06-01 2003-06-24 Lattice Semiconductor Corporation Highly linear programmable transconductor with large input-signal range
US6806771B1 (en) 2001-06-01 2004-10-19 Lattice Semiconductor Corp. Multimode output stage converting differential to single-ended signals using current-mode input signals
US6590441B2 (en) * 2001-06-01 2003-07-08 Qualcomm Incorporated System and method for tuning a VLSI circuit
US6717451B1 (en) 2001-06-01 2004-04-06 Lattice Semiconductor Corporation Precision analog level shifter with programmable options
WO2002101917A2 (en) * 2001-06-11 2002-12-19 Johns Hopkins University Low-power, differential optical receiver in silicon on insulator
US6590453B2 (en) 2001-09-21 2003-07-08 Silicon Storage Technology, Inc. Folded cascode high voltage operational amplifier with class AB source follower output stage
US6498737B1 (en) * 2002-01-16 2002-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Voltage regulator with low sensitivity to body effect
JP3947044B2 (ja) * 2002-05-31 2007-07-18 富士通株式会社 入出力バッファ
SG130934A1 (en) * 2002-06-20 2007-04-26 Bluechips Technology Pte Ltd A voltage regulator
US6724257B2 (en) * 2002-07-31 2004-04-20 Micrel, Inc. Error amplifier circuit
US6737841B2 (en) 2002-07-31 2004-05-18 Micrel, Inc. Amplifier circuit for adding a laplace transform zero in a linear integrated circuit
US7136304B2 (en) 2002-10-29 2006-11-14 Saifun Semiconductor Ltd Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array
US7088015B2 (en) * 2003-01-17 2006-08-08 Intersil Americas Inc. Smooth voltage regulation transition circuit having fast recovery
US7178004B2 (en) 2003-01-31 2007-02-13 Yan Polansky Memory array programming circuit and a method for using the circuit
US7030695B2 (en) * 2003-07-02 2006-04-18 Sigmatel, Inc. Low threshold voltage circuit employing a high threshold voltage output stage
US7236054B2 (en) * 2004-01-28 2007-06-26 Silicon Storage Technology, Inc. Multi-operational amplifier system
KR20070034468A (ko) * 2004-05-14 2007-03-28 제트모스 테크놀로지 인코포레이티드 내부 전압 발생기 구조 및 전력 운영 방법
US7119604B2 (en) * 2004-06-17 2006-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Back-bias voltage regulator having temperature and process variation compensation and related method of regulating a back-bias voltage
ATE410821T1 (de) * 2004-08-13 2008-10-15 Dialog Semiconductor Gmbh Differenzverstärkerstufe mit niedriger versorgungsspannung
US7012841B1 (en) * 2004-08-24 2006-03-14 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit and method for current pulse compensation
US7638850B2 (en) 2004-10-14 2009-12-29 Saifun Semiconductors Ltd. Non-volatile memory structure and method of fabrication
JP4579656B2 (ja) * 2004-11-16 2010-11-10 富士通セミコンダクター株式会社 バッファ回路
US20060119382A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Shumarayev Sergey Y Apparatus and methods for adjusting performance characteristics of programmable logic devices
US20060186870A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-24 California Micro Devices Regulating switching regulators by load monitoring
EP1746645A3 (en) 2005-07-18 2009-01-21 Saifun Semiconductors Ltd. Memory array with sub-minimum feature size word line spacing and method of fabrication
WO2007035883A2 (en) * 2005-09-20 2007-03-29 California Micro Devices Corporation Driving parallel strings of series connected leds
US7202654B1 (en) * 2005-09-27 2007-04-10 Saifun Semiconductors Ltd Diode stack high voltage regulator
US7692442B2 (en) * 2005-11-17 2010-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for detecting a current and temperature for an integrated circuit
US7279961B2 (en) * 2005-11-21 2007-10-09 Atmel Corporation Charge pump for intermediate voltage
US20070170979A1 (en) 2005-11-25 2007-07-26 Giovanni Campardo Charge pump systems and methods
EP1892600B1 (en) * 2006-08-24 2016-07-27 Micron Technology, Inc. Voltage regulator for non-volatile memories implemented with low-voltage transistors
US7808818B2 (en) 2006-01-12 2010-10-05 Saifun Semiconductors Ltd. Secondary injection for NROM
US7760554B2 (en) 2006-02-21 2010-07-20 Saifun Semiconductors Ltd. NROM non-volatile memory and mode of operation
US8253452B2 (en) 2006-02-21 2012-08-28 Spansion Israel Ltd Circuit and method for powering up an integrated circuit and an integrated circuit utilizing same
US7692961B2 (en) 2006-02-21 2010-04-06 Saifun Semiconductors Ltd. Method, circuit and device for disturb-control of programming nonvolatile memory cells by hot-hole injection (HHI) and by channel hot-electron (CHE) injection
US7330049B2 (en) * 2006-03-06 2008-02-12 Altera Corporation Adjustable transistor body bias generation circuitry with latch-up prevention
DE602006016230D1 (de) 2006-03-17 2010-09-30 St Microelectronics Srl Mit Niederspannungstransistoren implementierter Pegelschieber für eine Halbleiterspeichervorrichtung
US20070229147A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Intel Corporation Circuit supply voltage control using an error sensor
US7701779B2 (en) 2006-04-27 2010-04-20 Sajfun Semiconductors Ltd. Method for programming a reference cell
US7570115B2 (en) * 2007-09-28 2009-08-04 Integrated Device Technology, Inc Common mode voltage extraction circuit
US20090213643A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Michael Angerbauer Integrated Circuit and Method of Improved Determining a Memory State of a Memory Cell
EP2239842B1 (fr) * 2009-04-07 2011-10-26 The Swatch Group Research and Development Ltd. Circuit amplificateur à faible bruit de phase
US8148962B2 (en) * 2009-05-12 2012-04-03 Sandisk Il Ltd. Transient load voltage regulator
US8022766B2 (en) * 2010-02-01 2011-09-20 Javelin Semiconductor, Inc. CMOS power amplifiers having integrated one-time programmable (OTP) memories
FR2965130B1 (fr) * 2010-09-17 2013-05-24 Thales Sa Generateur de courant, notamment de l'ordre des nano-amperes et regulateur de tension utilisant un tel generateur
US9092044B2 (en) * 2011-11-01 2015-07-28 Silicon Storage Technology, Inc. Low voltage, low power bandgap circuit
KR102031199B1 (ko) * 2012-12-03 2019-10-11 한국전자통신연구원 레일-투-레일 방식의 오차 증폭기를 갖는 전압 레귤레이터
US9659602B2 (en) * 2013-04-18 2017-05-23 Micron Technology, Inc. Voltage control integrated circuit devices
CN104426490A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 核芯科技股份有限公司 放大器电路及放大信号的方法
US9496835B2 (en) * 2014-12-15 2016-11-15 Semiconductor Components Industries, Llc Current sense amplifer with extended common mode input voltage range
US9401707B1 (en) 2015-04-01 2016-07-26 Qualcomm Incorporated Push-pull voltage driver with low static current variation
JP6818710B2 (ja) * 2018-03-19 2021-01-20 株式会社東芝 定電圧回路
US10439572B1 (en) 2018-07-30 2019-10-08 Analog Devices Global Unlimited Company Analog-to-digital converter using discrete time comparator and switched capacitor charge pump
CN109818257B (zh) * 2018-12-24 2020-09-11 北京时代民芯科技有限公司 一种cmos工艺激光驱动电路
US11424716B2 (en) 2020-12-21 2022-08-23 Western Digital Technologies, Inc. Dual voltage high speed receiver with toggle mode

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4223238A (en) * 1978-08-17 1980-09-16 Motorola, Inc. Integrated circuit substrate charge pump
US4739191A (en) * 1981-04-27 1988-04-19 Signetics Corporation Depletion-mode FET for the regulation of the on-chip generated substrate bias voltage
US4439692A (en) * 1981-12-07 1984-03-27 Signetics Corporation Feedback-controlled substrate bias generator
US4425550A (en) * 1981-12-24 1984-01-10 Motorola, Inc. Charge pump amplifier
JPS5934706A (ja) * 1982-08-20 1984-02-25 Toshiba Corp 電力増幅回路
US4581546A (en) * 1983-11-02 1986-04-08 Inmos Corporation CMOS substrate bias generator having only P channel transistors in the charge pump
US4571505A (en) * 1983-11-16 1986-02-18 Inmos Corporation Method and apparatus of reducing latch-up susceptibility in CMOS integrated circuits
US4631421A (en) * 1984-08-14 1986-12-23 Texas Instruments CMOS substrate bias generator
US4628214A (en) * 1985-05-22 1986-12-09 Sgs Semiconductor Corporation Back bias generator
US4736121A (en) * 1985-09-10 1988-04-05 Sos Microelettronica S.p.A. Charge pump circuit for driving N-channel MOS transistors
US4710647A (en) * 1986-02-18 1987-12-01 Intel Corporation Substrate bias generator including multivibrator having frequency independent of supply voltage
US4739281A (en) * 1986-08-28 1988-04-19 Solid State Micro Technology For Music, Inc Analog buffer amplifier
US4797631A (en) * 1987-11-24 1989-01-10 Texas Instruments Incorporated Folded cascode amplifier with rail-to-rail common-mode range
US4989179A (en) * 1988-07-13 1991-01-29 Information Storage Devices, Inc. High density integrated circuit analog signal recording and playback system
US4890259A (en) * 1988-07-13 1989-12-26 Information Storage Devices High density integrated circuit analog signal recording and playback system
US5241494A (en) * 1990-09-26 1993-08-31 Information Storage Devices Integrated circuit system for analog signal recording and playback
US5126967A (en) * 1990-09-26 1992-06-30 Information Storage Devices, Inc. Writable distributed non-volatile analog reference system and method for analog signal recording and playback
US5164915A (en) * 1990-09-26 1992-11-17 Information Storage Devices, Inc. Cascading analog record/playback devices
US5140279A (en) * 1990-12-03 1992-08-18 Crystal Semiconductor Corporation Slew rate enhanced linear amplifier
IT1247657B (it) * 1990-12-21 1994-12-28 Sgs Thomson Microelectronics Amplificatore operazionale cmos di potenza con uscita differenziale.
US5220531A (en) * 1991-01-02 1993-06-15 Information Storage Devices, Inc. Source follower storage cell and improved method and apparatus for iterative write for integrated circuit analog signal recording and playback
US5243239A (en) * 1991-01-22 1993-09-07 Information Storage Devices, Inc. Integrated MOSFET resistance and oscillator frequency control and trim methods and apparatus
US5233289A (en) * 1991-04-23 1993-08-03 Harris Corporation Voltage divider and use as bias network for stacked transistors
US5388064A (en) * 1991-11-26 1995-02-07 Information Storage Devices, Inc. Programmable non-volatile analog voltage source devices and methods
US5336986A (en) * 1992-02-07 1994-08-09 Crosspoint Solutions, Inc. Voltage regulator for field programmable gate arrays
KR940007298B1 (ko) * 1992-05-30 1994-08-12 삼성전자 주식회사 Cmos트랜지스터를 사용한 기준전압 발생회로
US5434498A (en) * 1992-12-14 1995-07-18 United Memories, Inc. Fuse programmable voltage converter with a secondary tuning path
US5294819A (en) * 1992-11-25 1994-03-15 Information Storage Devices Single-transistor cell EEPROM array for analog or digital storage
EP0665485B1 (en) * 1994-01-21 1998-10-07 STMicroelectronics S.r.l. Current source
US5506496A (en) * 1994-10-20 1996-04-09 Siliconix Incorporated Output control circuit for a voltage regulator
US5497122A (en) * 1995-01-20 1996-03-05 Crystal Semiconductor Low power class-AB integrated circuit amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
CA2201367A1 (en) 1997-02-13
US5631606A (en) 1997-05-20
US5783934A (en) 1998-07-21
JPH10507334A (ja) 1998-07-14
KR100299626B1 (ko) 2001-09-03
KR100315729B1 (ko) 2001-12-12
EP0783796A1 (en) 1997-07-16
WO1997005696A1 (en) 1997-02-13
AU6598596A (en) 1997-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970706650A (ko) 전 차동 출력 cmos 전력 증폭기 (fully differential output cmos power amplifier)
KR100292901B1 (ko) 기준전압발생회로
KR920007339A (ko) 전원전압 조정회로
KR960039601A (ko) 완전 차동 폴디드 캐스코드 씨모오스(comos) 오피 앰프(op amp) 회로에 결합되는 적응 바이러스 회로, 완전 차동 씨모오스 오피 앰프 회로에 결합되는 공통모드 궤환회로 및 이들을 결합한 고속 저전압 저전력 완전 차동 폴디드 캐스코드 씨모오스 오피 앰프 회로
US5475343A (en) Class AB complementary output stage
US4524328A (en) MOS Power amplifier circuit
KR960039566A (ko) 차동증폭 및 출력오프셋회로와 이를 구비한 반도체집적회로 및 노이즈 제거방법
KR960039603A (ko) 전위-전류 변환기
JPH11353045A (ja) バンドギャップ型基準電圧発生回路
KR970003191A (ko) 반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로
US6285256B1 (en) Low-power CMOS voltage follower using dual differential amplifiers driving high-current constant-voltage push-pull output buffer
KR920013704A (ko) 차동출력 파우워 cmos 연산증폭기
KR950010335A (ko) 저동작전압에서 작동이 가능하고, 고출력 임피던스를 갖는 케스코드 회로
KR970063903A (ko) 연산증폭기
KR920010237B1 (ko) 증폭회로
KR970012752A (ko) 반도체 집적회로
US7250793B2 (en) Low voltage differential signaling driving apparatus
KR970078002A (ko) 전류 스파이크 억제 회로를 갖는 차분 신호 발생 회로
US5798672A (en) Single-output dual-supply class D amplifier
US20070024367A1 (en) Operational amplifier and constant-current generation circuit using the same
JP4064799B2 (ja) 定電圧発生回路
KR920013891A (ko) 모노리틱 집적 파워 증폭기의 단일 이득 최종 스테이지
KR950702354A (ko) 논리회로의 매개변수 제어를 위한 제어회로 시스템(a control circuit system for control of parameters in logic circuits or similar)
US5164614A (en) Low power bias voltage generating circuit comprising a current mirror
KR0141591B1 (ko) 증폭장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080402

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee