KR950010335A - 저동작전압에서 작동이 가능하고, 고출력 임피던스를 갖는 케스코드 회로 - Google Patents

저동작전압에서 작동이 가능하고, 고출력 임피던스를 갖는 케스코드 회로 Download PDF

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Abstract

케스코드 회로는 입력단자(70)에 접속된 게이트와 출력 NMOS 트랜지스터 (2)를 통하여 출력단자(71)에 접속된 드레인을 갖는 소오스가 접지된 입력 NMOS 트랜지스터(1)를 포함한다.
증폭회로는 상기 입력 트랜지스터의 드레인에 접속된 소오스를 갖는 게이트가 접지된 제3NMOS 트랜지스터(3)와, 상기 제3트랜지스터외 드레인에 접속된 입력전류경로를 갖는 PMOS 트랜지스터(4)와 (5)로 구성된 전류 미러회로와, 부하로서 상기 전류미러회로의 출력전류경로에 접속된 전류원(40)으로 구성된다.
상기 증폭회로의 출력은 상기 제2트랜지스터(2)의 게이트에 귀환된다.
상기의 배열에 의해서, 상기 케스코드회로는 최저 출력신호전압이 약 0.5V에 도달할때까지 고출력 임피던스를 유지할 수 있고, 또한 약2V의 최저동작 전원전압 및 동시에, CMOS 공정에서 IC에 적합한 회로구성을 가질 수 있다.

Description

저동작전압에서 작동이 가능하고, 고출력 임피던스를 갖는 케스코드 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 2본 발명의 따른 케스코드회로의 제1실시예의 회로다이어그램,
제3도는 본 발명 및 종래의 캐스코드회로에 따른 케스코드 회로의 특성을 보여주는 그래프.

Claims (6)

  1. 출력단자와 저전원전위 또는 고전원전위 사이에 접속된 제1 및 제2트랜지스터(1,2:24,23:28,29)의 직렬회로와, 상기 제1트랜지스터 (1,24,28)의 게이트 전극에 접속된 입력단자를 구비하고, 상기 직렬접속 회로내의 직렬 접속노오드(A,A,X)에서의 전위를 소정의 전위와 비교하고, 상기 제2트랜지스터(2,23,29)의 도통은 상기 비교의 결과에 기초하여 제어하는 케스코드회로에 있어서, 상기 입력단자로부터 공급된 입력신호에 응답하는 상기 직렬 접속노오드에서의 전위변화가 전류미러회로(4,5:20,17;32,35)를 포함하는 부피드백 수단에 의하여 상기 제1트랜지스터의 게이트전극에 귀환되어, 상기 출력단자로부터 획득된 출력신호외 진폭마아진 증가됨을 특징으로 하는 케스로드회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부피드백 수단은 일정전압으로 바이어스된 게이트와 상기 직렬접속노오드에 접속된 소오스전극을 갖는 제3트랜지스터(3,19,33)와, 상기 전류미러회로의 입력단자로서 작동하는 한쌍의 트랜지스터중의 하나의 드레인 전극뿐만 아니라 상호간에도 접속된 게이트 전극과 출력단자를 구성하는 상기 한쌍의 트랜지스터의 또 다른 드레인을 가지는 상기 제1, 제2 및 제3트랜지스터의 채널과 반대형의 채널로 이루어진 상기 한쌍의 트랜지스터(4,5:27,17:32,25)로 구성된 전류미러회로와, 상기 전류미러회로의 부하로서 상기 전류미러회로의 출력단자에 접속된 정전류원(40,l8,34)을 포함하며, 상기 전류미러회로의 상기 입력단자는 상기 제3트랜지스터의 드레인 전극에 접속되고, 상기 전류미러회로의 출력단자는 상기 제2트랜지스터의 게이트 전극에 접속됨을 특징으로 하는 케스코드회로.
  3. 입력단자(70)에 접속된 게이트와 접지에 접속된 소오스를 갖는 N채널형의 제1MOS 트랜지스터(1)와, 출력단자(71)에 접속된 드레인과 상기 제1MOS 트랜지스터의 드레인에 접속된 소오스를 갖는 제2MOS 트랜지스터(2)와, 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 직렬회로는 상기 접지 및 상기 출력단자사이에 구성되며, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터 사이의 직렬접속노오드(A)에 접속된 소오스와 바이어스 전압발생회로(6,41)에 의해 생성된 일정한 전압에 접속된 게이트를 갖는 N채널형의 제3MOS 트랜지스터와, 고전원전위(VOD)에 공통으로 접속된 소오스와, 제5 MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 4MOS 트랜지스터의 게이트와, 상기 제4MOS 트랜지스터의 드레인 및 상기 제3MOS 트랜지스터의 드레인과, 제1정전류훤(40)을 통하여 접지 및 상기 제2MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 상기 제2MOS 트랜지스터의 드레인을 구비하는 P 채널형 상기 제4 및 5MOS 트랜지스터(4,5)로 구성된 전류미러회로를 포함하며, 부피드백 루프가 상기 제1 및 제2 MSO 트랜지스터 사이의 상기 직렬접속노오드로부터 시작하여 상기 제3MOS 트랜지스터, 상기 제4 MOS 트랜지스터, 상기 제5MOS 트랜지스터 및 상기 제2MOS 트랜지스터의 순서로 통과하여, 상기 제 1 및 제2 MOS 트랜지스터의 직렬접속노오드에 귀환되어 형성됨을 특징으로 하는 케스코드회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전압발생회로가 상기 고전원전위에 접속된 일단을 갖는 제2정전류원(41)와, 상기 제2정전류원의 타단에 공통으로 접속된 게이트 및 드레인과 상기 접지에 접속된 소오스를 갖는 N채널형의 제6MOS 트랜지스터(6)와, 상기 제2정전류원과 상기 제3MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 상기 제6 MSO 트랜지스터 사이의 접속노오드를 포함함을 특징으로 하는 케스코드회로.
  5. 입력전위를 받도록 접속된 게이트와 전원전위(VDD)에 접속된 소오스를 갖는 P채널형의 제1MOS 트랜지스터(24,28)와, 출력단자에 접속된 드레인과 상기 제1MOS 트랜지스터의 드레인에 접속된 소오스를 갖는 P채널형의 제2MOS 트랜지스터(23,29)와, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터의 직렬회로는 상기 고전원전위 및 상기 출력 단자 사이에 구성되며, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터 사이의 직렬접속노오드(A,X)에 접속된 소오스와 바이어스 전압발생회로(13,16,15)에 의해 생성된 일정 전압에 접속된 게이트를 갖는 P채널형의 제3 MOS 트랜지스터(19,33)와, 접지에 공통으로 접속된 소오스와, 제5MOS 트랜지스터(17,35)의 게이트에 접속된 제4 MOS 트랜지스터(20,32)의 게이트와, 상기 제4MOS트랜지스터의 드레인과 상기 제3MOS 트랜지스터의 드레인과, 제1정전류원(18,34)를 통하여 상기 고전원전위 및 상기 제2MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 상기 제5 MOS 트랜지스터의 드레인을 구비하는 N채널형의 상기 제4 및 제5MOS 트랜지스터(17,20;32,35)로 구성된 전류미러회로를 포함하며, 부피드백 루프가 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터 사이의 직렬 접속 노오드로부터 시작하여 상기 제3MOS 트랜지스터, 상기 제4MOS 트랜지스터, 상기 제5MOS 트랜지스터 및 상기 제2MOS 트랜지스의 순서로 통과하여 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터 사이의 상기 직렬접속 노오드로 귀환되어 형성됨을 특징으로 하는 케스코드회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전압발생회로가 상기 고전원전위에 접속된 소오스와, 상기 제3MOS 트랜지스터의 게이트에 공통으로 접속된 게이트 및 드레인을 갖는 P채널형의 제6MOS 트랜지스터와, 상기 접지에 공통으로 접지된 소오스와, 전류입력으로서 작동하는 제8MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인에 접속된 게이트를 가지며, 제7MOS 트랜지스터의 드레인은 상기 제6MOS 트랜지스터의 드레인에 접속되는 N 채널형의 상기 제7 및 제8MOS 트랜지스터로 구성된 제2전류 미러회로를 포함함을 특징으로 하는 케스코드회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5754066A (en) * 1996-06-19 1998-05-19 Maxim Integrated Products Output stage for buffering an electrical signal and method for performing the same
US5949274A (en) * 1997-09-22 1999-09-07 Atmel Corporation High impedance bias circuit for AC signal amplifiers
GB2333197B (en) * 1998-01-07 2002-09-25 Motorola Inc Operational transconductance amplifier
US5892356A (en) * 1998-05-01 1999-04-06 Burr-Brown Corporation High impedance large output voltage regulated cascode current mirror structure and method
US6133764A (en) * 1999-01-27 2000-10-17 Motorola, Inc. Comparator circuit and method
US6414552B1 (en) * 2001-11-16 2002-07-02 Dialog Semiconductor Gmbh Operational transconductance amplifier with a non-linear current mirror for improved slew rate
US6707286B1 (en) 2003-02-24 2004-03-16 Ami Semiconductor, Inc. Low voltage enhanced output impedance current mirror
US6946912B2 (en) * 2003-10-21 2005-09-20 Northrop Grumman Corporation MMIC distributed amplifier gate control using active bias
JP4537840B2 (ja) * 2004-12-13 2010-09-08 株式会社東芝 電流源セルおよびそれを用いたｄ／ａコンバータ
JP4545064B2 (ja) * 2005-08-10 2010-09-15 太陽誘電株式会社 光信号受信回路
KR101159045B1 (ko) * 2006-05-04 2012-06-25 삼성전자주식회사 레귤레이티드 캐스코드 회로 및 이를 구비하는 증폭기
JP2009290520A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Hitachi Ltd トランスインピーダンスアンプ、レギュレイテッド型トランスインピーダンスアンプ及び光受信器
JP2010021435A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Panasonic Corp Ｍｏｓトランジスタ抵抗器、フィルタおよび集積回路
US9746869B2 (en) 2013-12-05 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. System and method for generating cascode current source bias voltage
CN106301379B (zh) * 2016-08-17 2023-05-05 宁波大学 一种输出光滑的dac单元电路
JP7344506B2 (ja) * 2019-09-02 2023-09-14 日本電信電話株式会社 トランスインピーダンスアンプ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3986041A (en) * 1974-12-20 1976-10-12 International Business Machines Corporation CMOS digital circuits with resistive shunt feedback amplifier
JPS5912603A (ja) * 1982-07-13 1984-01-23 Toshiba Corp カスコ−ド回路
US4518869A (en) * 1982-12-21 1985-05-21 Motorola, Inc. Resistance comparator for switch detection
US4636990A (en) * 1985-05-31 1987-01-13 International Business Machines Corporation Three state select circuit for use in a data processing system or the like
US4728815A (en) * 1986-10-16 1988-03-01 Motorola, Inc. Data shaping circuit
US4777472A (en) * 1987-12-23 1988-10-11 Rca Licensing Corporation Modified cascode amplifier
JPH06103839B2 (ja) * 1988-12-28 1994-12-14 株式会社東芝 半導体論理回路
US5039886A (en) * 1989-05-26 1991-08-13 Nec Corporation Current mirror type level converters
US5039888A (en) * 1989-11-14 1991-08-13 Harris Corporation Method and circuit arrangement for providing programmable hysteresis to a differential comparator
JPH04277920A (ja) * 1991-03-06 1992-10-02 Nec Corp レベルシフト回路
EP0525873B1 (en) * 1991-07-30 1996-12-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Amplifier arrangement
EP0561469A3 (en) * 1992-03-18 1993-10-06 National Semiconductor Corporation Enhancement-depletion mode cascode current mirror
JPH0677804A (ja) * 1992-04-27 1994-03-18 Nec Corp 出力回路
US5451909A (en) * 1993-02-22 1995-09-19 Texas Instruments Incorporated Feedback amplifier for regulated cascode gain enhancement

Also Published As

Publication number Publication date
KR0140160B1 (ko) 1998-07-15
EP0643478A1 (en) 1995-03-15
JPH0786842A (ja) 1995-03-31
DE69421775T2 (de) 2000-07-13
JP2611725B2 (ja) 1997-05-21
DE69421775D1 (de) 1999-12-30
US5625313A (en) 1997-04-29
EP0643478B1 (en) 1999-11-24

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