JP7344506B2 - トランスインピーダンスアンプ - Google Patents

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本発明は、光通信システムの受信機に使用する光-電気変換アンプのひとつであるトランスインピーダンスアンプの広帯域化に関するものである。
トランスインピーダンスアンプ(TransImpedance Amplifier、以下、TIAと称する)は、光通信システムの受信装置に広く用いられている。TIAは、光ファイバなどの伝送路から送られた光信号をフォトダイオード(以下、PDと称する)によって光-電流変換し、変換された信号を電圧へと変換する回路である。その回路構成として、例えば、非特許文献1、非特許文献2、特許文献1、特許文献2、特許文献3に開示された構成がある。
図5は、光受信機に搭載される従来のTIAの回路図である。TIA101は、レギュレーテッドカスコード(Regulated Cascode、以下、RGCと称する)型増幅器2aと、利得Aの反転増幅器21と、帰還抵抗RfとからなるRGC-TIAの1例である。図5において、Pinは入力端子、Poutは出力端子、Voutは出力電圧、CpdはPDの寄生容量などによる入力容量、IpdはPDから出力される電流である。RGC型増幅器2aは、トランジスタQ3,Q4と、電流源Ic1と、抵抗Rc3,Rc4とから構成される。
TIA101の利得(以下、トランスインピーダンス利得と称する)Zt(0)、カットオフ周波数(以下、-3dB周波数と称する)fc、および入力インピーダンスZinは、それぞれ式(1)、式(2)、式(3)で表すことができる。
Figure 0007344506000001
Figure 0007344506000002
Figure 0007344506000003
式(2)、式(3)のgm3はトランジスタQ3のトランスコンダクタンス、gm4はトランジスタQ4のトランスコンダクタンスである。
TIA101を光受信機の受信増幅器として用いる場合、トランスインピーダンス利得Zt(0)は、反転増幅器21の利得A(トランジスタQ3のコレクタ抵抗Rc3)および帰還抵抗Rfにより制限を受けることが式(1)から分かる。また、-3dB周波数fcは、TIA101の入力インピーダンスZinと入力容量Cpdとの積である時定数により制限を受けることが式(2)から分かる。
このように、TIA101の帯域は、TIAの時定数、すなわち入力インピーダンスZinと入力容量Cpdとの積から決定され、入力インピーダンスZinまたは入力容量Cpdの値を小さくすることで広帯域化が可能である。
しかし、TIA101の入力容量Cpdは、TIA101の入力端子Pinに接続されるPDや、PDとTIAとの接続状況により決定されるため、容量値そのものを制約することは困難である。
一方、入力インピーダンスZinを小さくしてTIA101の広帯域化を実現することは、式(3)においてトランジスタQ3,Q4のトランスコンダクタンスgm3,gm4またはコレクタ抵抗Rc4を小さくすることで可能となる。ただし、トランスコンダクタンスgm3,gm4およびコレクタ抵抗Rc4はTIA101の利得に寄与するため、トランスコンダクタンスgm3,gm4またはコレクタ抵抗Rc4を小さくすると、TIA101の利得が低下することになる。
TIA101は、RGC-TIAであり、他のTIAよりも入力インピーダンスZinが小さいことが知られているため、広帯域化の実現が容易ではある。しかしながら、入力インピーダンスZinまたは入力容量Cpdの値を小さくすることによる広帯域化には、上記のように限界があった。
特開2018-32926号公報 特許第6397374号公報 特開2009-152992号公報
T.S.C.Kao,et al.,"A 5-Gbit/s CMOS optical receiver with integrated spatially modulated light detector and equalization",IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS-I:REGULAR PAPERS,vol.57,no.11,pp.2844-2857,Nov.2010 C.Li,and S.Palermo,"A Low-power 26-GHz transformer-based regulated cascode SiGe BiCMOS transimpedance amplifier",IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,vol.48,no.5,pp.1264-1275,May 2013
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、利得を低下させることなく広帯域化が実現可能なTIAを提供することを目的とする。
本発明のトランスインピーダンスアンプは、入力端子に入力された信号を増幅するベース接地増幅回路またはゲート接地増幅回路と、前記入力端子に入力された信号を反転増幅した信号を前記ベース接地増幅回路またはゲート接地増幅回路を構成する第1のトランジスタのベースまたはゲートに加える第2のトランジスタとを含むレギュレーテッドカスコード型増幅器と、前記第2のトランジスタによって反転増幅された信号を前記入力端子に帰還する帰還回路とを備え、前記帰還回路は、前記第2のトランジスタによって反転増幅された信号の前記入力端子への帰還を複数のループを介して行う多重帰還型の帰還回路であることを特徴とするものである。
本発明によれば、帰還回路を設けることにより、広帯域かつ高利得のトランスインピーダンスアンプを実現することができる。
図1は、本発明の第1の実施例に係るTIAの回路図である。 図2は、カレントミラー回路の1例を示す回路図である。 図3は、従来および本発明の第1の実施例に係るTIAの周波数特性の1例を示す図である。 図4は、本発明の第2の実施例に係るTIAの回路図である。 図5は、従来のTIAの回路図である。
[第1の実施例]
図1は、本発明の第1の実施例に係るTIAの回路図である。TIA100は、RGC型増幅器1aと、反転増幅器11と、帰還回路1bとから構成される。
RGC型増幅器1aは、コレクタがRGC型増幅器1aの出力端子(ノードN3)に接続され、エミッタがTIA100の入力端子Pinに接続されたトランジスタQ1と、ベースがTIA100の入力端子Pinに接続され、コレクタがトランジスタQ1のベースに接続され、エミッタが負の電源電圧Vee(第1の電源電圧)に接続されたトランジスタQ2と、一端がトランジスタQ1のエミッタまたはソースに接続され、他端が負の電源電圧Veeに接続され、トランジスタQ1に定電流を供給する電流源Ic1と、一端が正の電源電圧Vcc(第2の電源電圧)に接続され、他端がトランジスタQ1のコレクタに接続されたコレクタ抵抗Rc1と、一端が正の電源電圧Vccに接続され、他端がトランジスタQ2のコレクタに接続されたコレクタ抵抗Rc2とから構成される。
RGC型増幅器1aは、トランジスタQ1とコレクタ抵抗Rc1と電流源Ic1とからなるベース接地増幅回路10に対し、入力端子Pinに入力された信号(入力電流Iin)をトランジスタQ2とコレクタ抵抗Rc2とからなる帰還回路により反転増幅してトランジスタQ1のベースに帰還するようにしたものである。これにより、トランジスタQ1の動作電位を適切な値に設定する。
電流源Ic1として、図2に示すようなカレントミラー回路を用いてもよい。図2のカレントミラー回路は、トランジスタQ10から供給される電流Iを複数個のトランジスタQ11によって整数倍(図2の例では3倍)した電流Ioutを出力するものである。
帰還回路1bは、トランジスタQ2によって反転増幅された信号を、さらに増幅してTIA100の入力端子Pin(ノードN1)に帰還する。帰還回路1bは、帰還回路1b-1と、帰還回路1b-2とから構成される。帰還回路1b-1は、ノードN2の信号を増幅する増幅器12と、増幅器12の出力端子とTIA100の入力端子Pinとの間に設けられた帰還抵抗Rf1とから構成される。帰還回路1b-2は、増幅器12の出力信号を増幅する増幅器13と、増幅器13の出力端子とTIA100の入力端子Pinとの間に設けられた帰還抵抗Rf2とから構成される。
このように、帰還回路1bは、、トランジスタQ2によって反転増幅された信号の入力端子Pinへの帰還を複数のループを介して行う多重帰還型の帰還回路となっている。
増幅器A1,A2は、増幅率が1のバッファであってもよい。MOSトランジスタによってTIA100を実現する場合、帰還抵抗Rf1,Rf2はMOS抵抗であってもよい。
また、帰還回路1bは、2段の増幅器A1,A2を縦続接続して、各増幅器A1,A2の出力信号をそれぞれ帰還抵抗Rf1,Rf2を介して入力端子Pinに個別に帰還するようにしているが、3段以上の増幅器または3段以上のバッファを縦続接続して、各増幅器または各バッファの出力信号をそれぞれ帰還抵抗を介して入力端子Pinに個別に帰還するようにしてもよい。
反転増幅器11は、RGC型増幅器1aの出力信号を反転増幅して出力端子Poutに出力する。ただし、反転増幅器11の代わりに、正相増幅器を用いてもよいし、増幅率が1のバッファを用いてもよい。
本実施例によると、TIA100のトランスインピーダンス利得Zt(0)、-3dB周波数fcは、式(4)、式(5)のようになる。また、TIA100の入力インピーダンスZinは、式(6)のようになる。
Figure 0007344506000004
Figure 0007344506000005
Figure 0007344506000006
式(4)、式(5)において、gm1はトランジスタQ1のトランスコンダクタンス、gm2はトランジスタQ2のトランスコンダクタンス、Aは反転増幅器11の利得、A1は増幅器12の利得、A2は増幅器13の利得である(A,A1,A2は正の値)。また、Rf1||Rf2は、帰還抵抗Rf1とRf2を並列に接続した値を意味している。
式(4)、式(5)によると、本実施例では、図5に示した従来のTIA101と比較して、トランスインピーダンス利得Zt(0)をA×A1×A2倍に増大させることができ、-3dB周波数fcをA1×A2倍に拡張できることが分かる。また、本実施例では、従来のTIA101と比較して、インピーダンスZinを、増幅器12,13の利得A1,A2と帰還抵抗Rf1,Rf2の値によって小さく設定できることが分かる。
図3は従来および本実施例の周波数特性の1例を示す図である。図3の横軸は周波数、縦軸は利得である。図3の301は本実施例のTIA100の周波数特性を示し、302は従来のTIA101の周波数特性を示している。
[第2の実施例]
次に、本発明の第2の実施例について説明する。本実施例は、第1の実施例の具体例を説明するものである。図4は、本実施例に係るTIAの回路図であり、図1と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施例のTIA200は、RGC型増幅器2aと、反転増幅器21と、帰還回路2bとから構成される。
RGC型増幅器2aは、コレクタがRGC型増幅器2aの出力端子に接続され、エミッタがTIA200の入力端子Pinに接続されたトランジスタQ1と、ベースがTIA200の入力端子Pinに接続され、コレクタがトランジスタQ1のベースに接続され、エミッタが負の電源電圧Veeに接続されたトランジスタQ2と、ベースにバイアス電圧Vb1が供給され、コレクタがTIA200の入力端子Pinに接続され、エミッタが負の電源電圧Veeに接続されたトランジスタQ3と、一端が接地電圧に接続され、他端がトランジスタQ1のコレクタに接続されたコレクタ抵抗Rc1と、一端が接地電圧に接続され、他端がトランジスタQ2のコレクタに接続されたコレクタ抵抗Rc2とから構成される。トランジスタQ3は、第1の実施例の電流源Ic1を構成している。
帰還回路2bは、帰還回路2b-1と、帰還回路2b-2とから構成される。帰還回路2b-1は、ベースとコレクタとが接地電圧に接続されたトランジスタQd1と、ベースがトランジスタQ2のコレクタに接続され、コレクタがトランジスタQd1のエミッタに接続されたトランジスタQ4と、一端がトランジスタQ4のエミッタに接続され、他端が負の電源電圧Veeに接続されたエミッタ抵抗Re4と、一端がトランジスタQ4のエミッタに接続され、他端がTIA200の入力端子Pinに接続された帰還抵抗Rf1とから構成される。トランジスタQd1,Q4とエミッタ抵抗Re4とは、第1の実施例の増幅器12を構成している。トランジスタQ4のベースが増幅器12の入力端子、トランジスタQ4のエミッタが増幅器12の出力端子である。
帰還回路2b-2は、ベースとコレクタとが接地電圧に接続されたトランジスタQd2と、ベースとコレクタとがトランジスタQd2のエミッタに接続されたトランジスタQd3と、ベースがトランジスタQ4のエミッタに接続され、コレクタがトランジスタQd3のエミッタに接続されたトランジスタQ5と、一端がトランジスタQ5のエミッタに接続され、他端が負の電源電圧Veeに接続されたエミッタ抵抗Re5と、一端がトランジスタQ5のエミッタに接続され、他端がTIA200の入力端子Pinに接続された帰還抵抗Rf2とから構成される。トランジスタQd2,Qd3,Q5とエミッタ抵抗Re5とは、第1の実施例の増幅器13を構成している。トランジスタQ5のベースが増幅器13の入力端子、トランジスタQ5のエミッタが増幅器13の出力端子である。
反転増幅器21は、ベース(反転増幅器21の入力端子)がトランジスタQ1のコレクタに接続され、コレクタが接地電圧に接続され、エミッタがTIA200の出力端子Poutに接続されたトランジスタQ6と、ベースにバイアス電圧Vb1が供給され、コレクタがトランジスタQ6のエミッタに接続されたトランジスタQ7と、一端がトランジスタQ7のエミッタに接続され、他端が負の電源電圧Veeに接続されたエミッタ抵抗Re7とから構成される。本実施例では、反転増幅器21として、トランジスタQ6からなるコレクタ接地増幅回路を用いている。トランジスタQ7とエミッタ抵抗Re7とは、コレクタ接地増幅回路の電流源を構成している。
なお、本実施例では、第2の電源電圧を接地電圧としているが、第1の実施例のように正の電源電圧Vccとしてもよい。
また、第1、第2の実施例では、トランジスタQ1~Q7,Qd1~Qd3としてバイポーラトランジスタを使用した例を示しているが、MOSトランジスタを使用してもよい。MOSトランジスタを使用する場合には、上記の説明において、ベースをゲートに置き換え、コレクタをドレインに置き換え、エミッタをソースに置き換え、コレクタ抵抗をドレイン抵抗に置き換え、エミッタ抵抗をソース抵抗に置き換えるようにすればよい。MOSトランジスタを使用する場合、ベース接地増幅回路10の代わりにゲート接地増幅回路を用いることになる。
本発明は、トランスインピーダンスアンプに適用することができる。
1a,2a…レギュレーテッドカスコード型増幅器、1b,2b…帰還回路、10…ベース接地増幅回路、11,21…反転増幅器、12,13…増幅器、100,200…トランスインピーダンスアンプ、Q1~Q7,Qd1~Qd3…トランジスタ、Rc1,Rc2…コレクタ抵抗、Re4,Re5,Re7…エミッタ抵抗、Rf1,Rf2…帰還抵抗。

Claims (4)

  1. 入力端子に入力された信号を増幅するベース接地増幅回路またはゲート接地増幅回路と、前記入力端子に入力された信号を反転増幅した信号を前記ベース接地増幅回路またはゲート接地増幅回路を構成する第1のトランジスタのベースまたはゲートに加える第2のトランジスタとを含むレギュレーテッドカスコード型増幅器と、
    前記第2のトランジスタによって反転増幅された信号を前記入力端子に帰還する帰還回路とを備え
    前記帰還回路は、前記第2のトランジスタによって反転増幅された信号の前記入力端子への帰還を複数のループを介して行う多重帰還型の帰還回路であることを特徴とするトランスインピーダンスアンプ。
  2. 請求項記載のトランスインピーダンスアンプにおいて、
    前記帰還回路は、複数の増幅器または複数のバッファを縦続接続して、各増幅器または各バッファの出力信号をそれぞれ帰還抵抗を介して前記入力端子に個別に帰還することを特徴とするトランスインピーダンスアンプ。
  3. 請求項1または2記載のトランスインピーダンスアンプにおいて、
    前記レギュレーテッドカスコード型増幅器の出力信号を増幅する増幅器をさらに備えることを特徴とするトランスインピーダンスアンプ。
  4. 請求項1乃至のいずれか1項に記載のトランスインピーダンスアンプにおいて、
    前記レギュレーテッドカスコード型増幅器は、
    コレクタまたはドレインがレギュレーテッドカスコード型増幅器の出力端子に接続され、エミッタまたはソースが前記入力端子に接続された前記第1のトランジスタと、
    ベースまたはゲートが前記入力端子に接続され、コレクタまたはドレインが前記第1のトランジスタのベースまたはゲートに接続され、エミッタまたはソースが第1の電源電圧に接続された前記第2のトランジスタと、
    一端が前記第1のトランジスタのエミッタまたはソースに接続され、他端が前記第1の電源電圧に接続され、前記第1のトランジスタに定電流を供給する電流源と、
    一端が第2の電源電圧に接続され、他端が前記第1のトランジスタのコレクタまたはドレインに接続された第1の抵抗と、
    一端が前記第2の電源電圧に接続され、他端が前記第2のトランジスタのコレクタまたはドレインに接続された第2の抵抗とから構成されることを特徴とするトランスインピーダンスアンプ。
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