KR970702576A - 화학적 기판 처리 방법 및 그 장치(process and device for chemically treating substrates) - Google Patents

화학적 기판 처리 방법 및 그 장치(process and device for chemically treating substrates)

Info

Publication number
KR970702576A
KR970702576A KR1019960705774A KR19960705774A KR970702576A KR 970702576 A KR970702576 A KR 970702576A KR 1019960705774 A KR1019960705774 A KR 1019960705774A KR 19960705774 A KR19960705774 A KR 19960705774A KR 970702576 A KR970702576 A KR 970702576A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
storage container
chemical treatment
cleaning liquid
Prior art date
Application number
KR1019960705774A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100364161B1 (ko
Inventor
쉬일트 로빈
코작 밀란
두르스트 요한
Original Assignee
옐리히; 비블
스티그 마이크로테크 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 옐리히; 비블, 스티그 마이크로테크 게엠베하 filed Critical 옐리히; 비블
Publication of KR970702576A publication Critical patent/KR970702576A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100364161B1 publication Critical patent/KR100364161B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/10—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing sonic or ultrasonic vibrations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G3/00—Apparatus for cleaning or pickling metallic material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/14—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects using gases or vapours other than air or steam, e.g. inert gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

실질적으로 화학 처리, 세척 공정 및 건조 공정을 받는 적어도 하나의 기판(2)을 화학적으로 처리하기 위한 방법 및 전술한 화학 처리를 위한 장치에서, 각각 화학 처리와 세척 공정이 동일한 챔버에서 발생하기 때문에 공정 순서의 합리화, 특히 감소된 공간 요구가 달성되며, 최종적으로 상기 기판을 홀딩하기 위한 카세트 또는 유사한 장치의 사용이 제거된다.

Description

화학적 기판 처리 방법 및 그 장치(PROCESS AND DEVICE FOR CHEMICALLY TREATING SUBSTRATES)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치의 단면도.

Claims (31)

  1. 적어도 하나의 기판(2)이 순차적으로 화학 처리되고, 세척 처리되면 건조 처리되는 화학 처리 방법에 있어서, 상기 화학 처리와 상기 세척 처리는 동일 저장 용기(10)에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저장 용기(10)내의 화학 처리를 위한 액체는 추가 액체 및/또는 세척용 액체에 의해 대체되며, 또한 상기 추가 유체 및/또는 세척용 유체에 의해 부분적으로 대체되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 및/또는 제2항에 있어서, 상기 건조 처리는 상기 기판(2)이 상기 세척용 액체로부터 제거되는 동안에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 건조 처리는 상기 저장 용기(10)로부터 상기 기판을 느린 속도로 제어하고, 상기 기판(2) 상에 응축되지 않고 상기 세척용 액체로 확산되는 증기를 제공함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 증기와 상기 세척용 액체의 혼합물은 상기 세척용 액체이 표면 장력보다 더 낮은 표면 장력을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학 처리용 상기 액체를 다른 추가 액체 및/또는 상기 세척용 액체로 대체하는 것은 치환에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세척용 액체는 상기 저장 용기(10)내에 유입되며, 화학 처리용 액체와 세척용 액체의 혼합물은 동시에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 추가 액체와 상기 세척용 액체의 유입 및 화학 처리용 액체의 배출은 각각 상기 저장 용기(10)의 서로 다른 위치에서 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 세척용 액체 및 상기 추가 액체의 유입은 상기 저장 용기(10)의 하부에서 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제7항 내지 제9항에 있어서, 상기 혼합물의 배출은 오버플로우에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화학 처리용 액체는 묽은 플루오르화 수소산인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화학 처리용 액체는 오존인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 적어도 하나의 기판(2)을 저장 용기(10)로 삽입하고, 및/또는 상기 저장 용기(10)로부터 제거하기 위한 방법에 있어서, 상기 기판(2)은 삽입 및/또는 제거 동안에 수용 장치(42,43,44)에 의해 상기 저장 용기(10)내에 고정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용 장치는 블레이드(42) 및 지지 수단(42, 43)을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 블레이드(42)와 상기 지지 수단(42, 43)은 가이드 수단(51)에 의해 상기 후드(12)에 고정되는 정도까지 기판을 들어올리는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(2)의 제어 후 상기 이동 가능한 홀더(70, 71)는 상기 기판 아래로 이동될 수 있으며, 이런 위치에 기판을 고정하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세척 공정은 메가 음파 처리에 의해 증대되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 전술한 항 중 어느 한 항에 따른 상기 방법을 수행하기 위한 장치(1)에 있어서, 상기 저장 용기(l0)내에 액체를 유입하기 위한 장치(25,30,31,35,36,37,38,49,40)와, 상기 저장 용기(10)로부터 상기 액체를 배출하기 위한 장치(7,23)와, 상기 기판(2)을 수용하기 의한 수용 장치(42,43,44)를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 배출 장치(7, 23)는 오버플로우 장치(23)인 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 외부 저장 용기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 상기 저장 용기를 레벨링하기 위해 레벨링 나사를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유입 장치(25, 30, 31, 35, 36, 37, 38, 49, 40)는 확산기(25)를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유입 장치(25, 30, 31, 35, 36, 37, 38, 49, 40)는 삽입 메커니즘(26)을 가지는 펌프인 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 증기와 장치는 상기 저장 용기(10) 위에 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 후드(12)는 상기 저장 용기(l0) 및 상기 증기화 장치 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(2)을 수용하기 위한 수용 장치(42, 43, 44)는 블레이드(42) 및 지지수단(43,44)을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후드(12)는 상기 기판(2)을 위한 가이드 수단(51)을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가이드 수단(51)은 2개 부분으로 구성되고, 그것의 위치에서 측면적으로 상기 기판(2)을 고정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가이드 수단(51)의 적어도 한 부분은 경사진 가장자리(52)를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(2)의 제거 후 상기 기판 아래로 인도될 수 있는 상기 기판(2)을 위한 이동 가능한 홀더(70, 71)는 상기 저장 용기(10) 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  31. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 메가 음파 처리를 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960705774A 1994-04-15 1994-05-17 화학적기판처리방법및그장치 KR100364161B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4413077A DE4413077C2 (de) 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
DEP4413077.5 1994-04-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970702576A true KR970702576A (ko) 1997-05-13
KR100364161B1 KR100364161B1 (ko) 2003-04-16

Family

ID=6515519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960705774A KR100364161B1 (ko) 1994-04-15 1994-05-17 화학적기판처리방법및그장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5569330A (ko)
EP (1) EP0755571B1 (ko)
KR (1) KR100364161B1 (ko)
CN (1) CN1047870C (ko)
AT (1) ATE208086T1 (ko)
DE (2) DE4413077C2 (ko)
TW (1) TW279997B (ko)
WO (1) WO1995028736A1 (ko)

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5849104A (en) * 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
DE19549487C2 (de) * 1995-01-05 2000-11-16 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
DE19541436C2 (de) * 1995-11-07 1998-10-08 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank
KR0179784B1 (ko) * 1995-12-19 1999-04-15 문정환 반도체 웨이퍼 세정장치
DE19637875C2 (de) 1996-04-17 1999-07-22 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Naßbehandlung von Substraten
DE19703646C2 (de) * 1996-04-22 1998-04-09 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19652526C2 (de) * 1996-04-22 2000-12-07 Steag Micro Tech Gmbh Transporteinrichtung für Substrate und Verfahren zum Beladen der Transporteinrichtung mit Substraten
EP0897593B1 (de) * 1996-04-22 2001-09-26 STEAG MicroTech GmbH Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter
US6270585B1 (en) 1996-04-22 2001-08-07 Steag Microtech Gmbh Device and process for treating substrates in a fluid container
DE19616400C2 (de) * 1996-04-24 2001-08-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19655219C2 (de) * 1996-04-24 2003-11-06 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19616402C2 (de) * 1996-04-24 2001-11-29 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
US6240938B1 (en) 1996-05-29 2001-06-05 Steag Microtech Gmbh Device for treating substrates in a fluid container
DE19644779C2 (de) * 1996-10-28 2001-06-28 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere auch von Halbleiterwafern
DE19640848C2 (de) * 1996-10-03 1998-07-16 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19644255C1 (de) 1996-10-24 1998-04-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Verwendung der Vorrichtung
DE19644254A1 (de) * 1996-10-24 1998-05-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19644253A1 (de) 1996-10-24 1998-05-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19645425C2 (de) 1996-11-04 2001-02-08 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19648498C1 (de) 1996-11-22 1998-06-10 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleiter-Wafern
US5954068A (en) * 1996-12-06 1999-09-21 Steag Microtech Gmbh Device and method for treating substrates in a fluid container
KR100226489B1 (ko) * 1996-12-28 1999-10-15 김영환 웨이퍼 지지 및 이송 기구
DE19706072C1 (de) 1997-02-17 1998-06-04 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
US6350322B1 (en) 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6068002A (en) * 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
US7416611B2 (en) * 1997-05-09 2008-08-26 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece with gases
US6164297A (en) * 1997-06-13 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus for objects to be processed
JP3151613B2 (ja) * 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
US6695926B1 (en) * 1997-07-09 2004-02-24 Ses Co., Ltd. Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
KR100707107B1 (ko) * 1997-07-17 2007-12-27 동경 엘렉트론 주식회사 세정.건조처리방법및장치
US5884640A (en) * 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
DE19738147C2 (de) * 1997-09-01 2002-04-18 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren zum Behandeln von Substraten
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
JP3043709B2 (ja) 1997-11-19 2000-05-22 株式会社カイジョー 基板の乾燥装置
TW444291B (en) * 1997-12-10 2001-07-01 Cfmt Inc Wet processing methods for the manufacture of electronic components
US6047717A (en) * 1998-04-29 2000-04-11 Scd Mountain View, Inc. Mandrel device and method for hard disks
DE19830162A1 (de) * 1998-07-06 2000-01-20 Steag Electronic Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten
US6273100B1 (en) 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
US6216709B1 (en) 1998-09-04 2001-04-17 Komag, Inc. Method for drying a substrate
US6571806B2 (en) * 1998-09-04 2003-06-03 Komag, Inc. Method for drying a substrate
US6165912A (en) * 1998-09-17 2000-12-26 Cfmt, Inc. Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel
US6328809B1 (en) * 1998-10-09 2001-12-11 Scp Global Technologies, Inc. Vapor drying system and method
US6517636B1 (en) 1999-01-05 2003-02-11 Cfmt, Inc. Method for reducing particle contamination during the wet processing of semiconductor substrates
US6261845B1 (en) 1999-02-25 2001-07-17 Cfmt, Inc. Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6378544B1 (en) 1999-04-22 2002-04-30 Cfmt, Inc. Pressure relief device and method of using the same
TW499696B (en) * 1999-04-27 2002-08-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
US6625901B1 (en) 1999-05-27 2003-09-30 Oliver Design, Inc. Apparatus and method for drying a thin substrate
DE19924302A1 (de) * 1999-05-27 2000-12-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten
US6532975B1 (en) * 1999-08-13 2003-03-18 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6554911B1 (en) 1999-10-15 2003-04-29 Corning Incorporated En masse process for cleaning thin polarizing glass devices
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US6352623B1 (en) * 1999-12-17 2002-03-05 Nutool, Inc. Vertically configured chamber used for multiple processes
KR100639840B1 (ko) * 2000-02-16 2006-10-27 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치
JP2003526936A (ja) 2000-03-13 2003-09-09 シーエフエムテイ・インコーポレーテツド 電子部品処理用の方法及び装置
DE10118167B4 (de) * 2000-04-11 2007-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von Halbleiterwafern
SE0001369L (sv) * 2000-04-13 2001-10-14 Obducat Ab Förfarande vid samt apparat för bearbetning av substrat
DE10020185C2 (de) 2000-04-25 2002-08-08 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Halbleiterwafern
EP1168422B1 (en) * 2000-06-27 2009-12-16 Imec Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate
JP4602540B2 (ja) * 2000-12-12 2010-12-22 オメガセミコン電子株式会社 基板処理装置
US6564469B2 (en) 2001-07-09 2003-05-20 Motorola, Inc. Device for performing surface treatment on semiconductor wafers
US20030234029A1 (en) * 2001-07-16 2003-12-25 Semitool, Inc. Cleaning and drying a substrate
CN101499413B (zh) * 2001-11-02 2011-05-04 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
JP2003164816A (ja) * 2001-11-29 2003-06-10 Fine Machine Kataoka Kk 洗浄装置と、そのワーク搬送方法
US20030130636A1 (en) † 2001-12-22 2003-07-10 Brock Earl David System for improving skin health of absorbent article wearers
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
US20040154641A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-12 P.C.T. Systems, Inc. Substrate processing apparatus and method
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
KR100481309B1 (ko) * 2002-06-27 2005-04-07 삼성전자주식회사 반도체 기판의 건조장비
US7614411B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
WO2006010109A2 (en) * 2004-07-08 2006-01-26 Akrion Technologies, Inc. Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration
WO2006017108A2 (en) * 2004-07-09 2006-02-16 Akrion, Llc System and method for pre-gate cleaning of substrates
JP4429106B2 (ja) * 2004-07-28 2010-03-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板エッチング装置
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
US9172572B2 (en) 2009-01-30 2015-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Digital video broadcasting-cable system and method for processing reserved tone
US20110186088A1 (en) * 2010-01-31 2011-08-04 Miller Kenneth C Substrate nest with drip remover
DE102014207266A1 (de) 2014-04-15 2015-10-15 Siltronic Ag Verfahren zum Trocknen von scheibenförmigen Substraten undScheibenhalter zur Durchführung des Verfahrens
DE102023100730B4 (de) 2023-01-13 2024-09-19 Gsec German Semiconductor Equipment Company Gmbh Verfahren zum Reinigen von topfförmigen Hohlkörpern, insbesondere von Transportbehältern für Halbleiterwafer oder für Lithografie-Masken mit einer entsprechenden Vorrichtung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60163435A (ja) * 1984-02-03 1985-08-26 Toshiba Corp 半導体ウエハ洗浄装置
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4611966A (en) * 1984-05-30 1986-09-16 Johnson Lester R Apparatus for transferring semiconductor wafers
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
JPH01210092A (ja) * 1988-02-18 1989-08-23 Sonitsuku Fueroo Kk 精密洗浄の乾燥方法
JPH0247046U (ko) * 1988-09-28 1990-03-30
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US5275184A (en) * 1990-10-19 1994-01-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system
DE4100126C2 (de) * 1991-01-04 1995-06-08 Metakon Metallverarbeitung Gmb Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von verschmutzten, insbesondere metallischen Gegenständen mittels einer Reinigungsflüssigkeit
US5143103A (en) * 1991-01-04 1992-09-01 International Business Machines Corporation Apparatus for cleaning and drying workpieces
US5226242A (en) * 1992-02-18 1993-07-13 Santa Clara Plastics, Division Of Preco, Inc. Vapor jet dryer apparatus and method
US5301701A (en) * 1992-07-30 1994-04-12 Nafziger Charles P Single-chamber cleaning, rinsing and drying apparatus and method therefor
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100364161B1 (ko) 2003-04-16
EP0755571B1 (de) 2001-10-31
DE59409931D1 (de) 2001-12-06
DE4413077A1 (de) 1995-10-19
TW279997B (ko) 1996-07-01
EP0755571A1 (de) 1997-01-29
ATE208086T1 (de) 2001-11-15
WO1995028736A1 (de) 1995-10-26
CN1145691A (zh) 1997-03-19
CN1047870C (zh) 1999-12-29
DE4413077C2 (de) 1997-02-06
US5569330A (en) 1996-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970702576A (ko) 화학적 기판 처리 방법 및 그 장치(process and device for chemically treating substrates)
EP1168422A3 (en) Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate
JP3448613B2 (ja) 乾燥装置
JP4874394B2 (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
KR970052714A (ko) 기판 세척 방법, 기판 세척/건조 방법, 기판 세척 장치 및 기판 세척/건조 장치
TW200707570A (en) Washing device and washing method
KR20060106689A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102420293B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독가능 기억 매체
KR100481309B1 (ko) 반도체 기판의 건조장비
US2366369A (en) Method and apparatus for treating pipettes and the like
TWI227508B (en) Surface tension effect dryer with porous vessel walls
KR20190061484A (ko) 기판 세정 장치
JP2908277B2 (ja) 基板の化学処理のための方法及び装置
JP2006212563A (ja) 被洗浄物の洗浄方法、洗浄システム、及び乾燥装置
JPS6481230A (en) Treatment device
BG102551A (en) Method for liquid treatment of microscope observation specimens
JP2000124187A (ja) 基板乾燥方法および基板乾燥装置
KR100486258B1 (ko) 증기 건조 방식의 반도체 웨이퍼 건조 장치
JP6099996B2 (ja) オゾン水を用いた洗浄方法及び洗浄装置
JPH10289895A (ja) 基板処理方法及び同装置
KR20080071676A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP3615120B2 (ja) 基板乾燥装置
US6270585B1 (en) Device and process for treating substrates in a fluid container
JP3869613B2 (ja) 基板処理装置
JP2003017462A (ja) ガラス基板またはウエハー処理用噴射装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20010417

Effective date: 20020830

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee