KR100364161B1 - 화학적기판처리방법및그장치 - Google Patents
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Abstract
실질적으로 화학 처리, 세척 공정 및 건조 공정을 받는 적어도 하나의 기판(2)을 화학적으로 처리하기 위한 방법 및 전술한 화학 처리를 위한 장치에서, 각각 화학 처리와 세척 공정이 동일한 챔버에서 발생하기 때문에 공정 순서의 합리화, 특히 감소된 공간 요구가 달성되며, 최종적으로 상기 기판을 홀딩 하기 위한 카세트 또는 유사한 장치의 사용이 제거된다.
Description
지금까지 자동 습식 처리 장치는 일련의 화학적 습식 처리를 위한 일련의 용기(tub) 또는 저장 용기를 가진다. 임의의 일련의 화학적 처리의 완료 후, 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 기판은 각각 별개의 세척액에 담겨지고, 용기에서 린스된 다음 건조된다.
예를 들면, 기판의 건조는 원심분리기로 수행될 수 있지만, 또한 기판을 세척용 용기로부터 천천히 제거하는 동안에도 수행될 수 있다.
유럽 특허 제 0 385 536호에는 소위 마랑고니(Marangoni) 건조기가 개시되어 있다. 상기 특허에 개시된 방법에 있어서, 증기는 배드(bath)로부터 기판의 느린 제거에 부가하여 기판에 공급되어, 기판 상에 응축되는 것이 아니라 액체 상태로 확산된다. 기판 표면에서 액체 메니스커스(meniscus)의 농도 기울기가 발생하여 표면 장력 기울기를 초래할 것이다. 이런 기울기는 액체가 기판으로부터 이동되게 하여 (마랑고니 효과) 잔류물 없이 기판을 건조시킬 수 있다.
미합중국 특허 제 4,722,752호에는 카세트에 담겨진 웨이퍼를 린스하고 건조하기 위한 장치와 방법이 개시되어 있다. 웨이퍼는 카세트로부터 분리된 린스용 배드로부터 제거된 다음, 천천히 제거되고 또한 건조된 카세트에 삽입된다.
전술된 장치와 방법은 각각 다음과 같은 단점을 가진다. 각각의 경우에서 린스용 저장 용기는 다른 처리용 저장 용기로부터 분리된 배드이며, 단지 기판을 린스 하는 역할을 한다. 그러나, 개별적이고 분리된 린스용 저장 용기는 증가된 공간을 요구한다. 더욱이, 기판은 화학적 처리를 위해 사용된 액체의 표면을 통해 공기중으로 이동된다음, 린스용 액체에 삽입되어야 한다. 이것은 종래의 기술에 이미 공지된 바와 같은 기판의 미립자 오염에 관련하여 불리한 효과를 가질 수 있다. 이것은 특히 소수성 표면, 예를 들면 HF 처리 후에 잘 나타난다. 더욱이, 화학 처리, 특히 린스 단계를 위한 다양한 배드에 대한 기판의 삽입 및 제거는 증가된 시간 비용을 초래한다. 또한, 공지된 장치 및 방법은 기판을 홀딩 하기 위해 항상 카세트(캐리어)를 필요로 한다.
미합중국 특허 제 A-5 275 184호에는 액체 처리 단계 및 건조 단계 동안 웨이퍼 리트팅 장치로 웨이퍼가 저압의 처리 공간에 놓이도록 웨이퍼를 처리하기 위한 장치가 개시되어 있다. 그러므로, 미합중국 특허 제 A-4 742 752호와 연관하여 언급되는 단점은 건조 단계 동안 웨이퍼가 웨이퍼 리프팅 장치에 놓여 있어 이상적인 건조 단계가 불가능하다는 것이다. 또한 건조 단계는 웨이퍼에 부가적으로 리프팅 장치가 건조되어야 하기 때문에 매우 느리다. 따라서, 건조 단계 동안 캐리어 없이 기판을 처리하는 것은 불가능하다.
본 발명은 적어도 하나의 기판이 화학적 처리 단계, 세척 단계, 및 건조 단계에 의해 순차적으로 처리되는 화학적 기판 처리 방법 및 전술한 화학적 처리를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 공정 순서의 제1 단계를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명에 따른 공정 순서의 제2단계를 도시하는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 공정 순서의 제3단계를 도시하는 도면,
도 5는 본 발명에 따른 공정 순서의 제4단계를 도시하는 도면.
도 6은 본 발명에 따른 공정 순서의 제5단계를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명에 따른 공정 순서의 제6단계를 도시하는 도면.
도 8은 본 발명에 따른 공정 순서의 제7단계를 도시하는 도면.
도 9는 본 발명에 따른 공정 순서의 제8단계를 도시하는 도면,
본 발명의 목적은 화학적 습식 처리를 위한 방법 및 자동 습식 처리 장치의 처리 순서를 경제적으로 사용하여 시간과 공간을 줄이는 이런 방법을 위한 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 일련의 화학 습식 처리 동안에 기판의 오염을 최소화하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 저장 용기에 대한 기판의 삽입 및 제거와 관련하여 카세트 또는 유사한 홀딩 장치가 사용되지 않도록 하는 것이다. 이런 목적은 동일한 저장 용기에서 화학 처리와 세척 공정을 수행함으로써 독창적으로 해결될 수 있다.
이런 목적은 상기 화학 처리와 상기 세척 처리가 동일 저장 용기(10)에서 수행되고, 상기 건조 처리가 상기 기판을 상기 저장 용기(10)로부터 천천히 제거함으로써 수행되며, 상기 기판(2)이 상기 저장 용기(10)로부터의 제거 동안 상기 후드(12)의 가이드 수단(51)에 의해 고정됨으로써 해결된다. 그러므로 캐리어 등은 불필요하다.
유리하게, 화학 처리와 세척 공정은 부가적으로 화학 처리를 위한 액체를 각각 추가적 액체로 대체(부분적으로) 및/또는 세척용 액체로 대체함으로써 동일한 콘테이너에서 수행된다. 바람직하게, 순차적 화학 처리에서 화학 처리를 위한 액체를 추가 액체로 대체하기 전에 먼저 린스용 액체가 유입되며, 각각의 기판은 콘테이너로부터 제거되고 동시에 건조된다. 다음에, 린스용 액체는 화학 처리를 위한 추가 액체로 대체되며, 기판은 다시 콘테이너에 삽입된다.
본 발명에서, 건조 공정은 린스용 또는 세척용 액체로부터 기판을 제거하는동안에 수행된다. 이것은 통상적으로 린스용 또는 세척용 액체로부터의 매우 느린 기판의 제거를 포함한다.
이런 공정을 더욱 효과적으로 수행하기 위해, 기판 상에 응축되는 것이 아니라, 세척용 액체와 혼합되는 증기를 기판에 사용하는 것이 유리하다. 바람직하게, 상기 혼합물은 린스용 또는 세척용 액체 보다 더 작은 표면 장력을 가지며, 상기 표면 장력은 세척용 액체가 콘테이너에서 다시 기판에 달라붙도록 제공된 힘을 의미한다.
바람직한 실시예에서 화학 처리를 위한 액체를 세척용 액체로 대체하는 것은 치환에 의해 수행된다. 예를 들면, 화학 처리를 위한 액체의 배출다음, 린드용 또는 세척용 액체의 유입은 기판이 공기 중에서 증가된 미립자 오염을 받게 되는 결과를 가져올 수 있다. 한 액체의 다른 액체, 예를 들어 세척용 액체로의 치환은 기판이 위상 경계(phase border)를 통과하지 않아도 되며 공기에 노출되지 않다는 장점을 가진다. 물론, 화학 처리를 위한 다수의 액체가 세척 단계 전에 치환에 의해 대체될 수 있다. 특히, 화학 처리를 위한 액체를 추가 처리 액체로의 대체와 관련하여 상기 대체물은 부분적 대체물, 즉 혼합물이 될 수 있다.
바람직하게, 세척용 액체는 콘테이너에 유입되며, 동시에 화학 처리를 위한 액체와 상기 세척용 액체의 혼합물이 배출된다.
린스용 또는 세척용 액체의 유입과 화학 처리를 위한 액체의 배출은 바람직하게 콘테이너의 서로 다른 위치에서 발생한다. 예를 들면, 이것은 한가지 액체를 적절한 형태의 다른 액체로 대체할 때 최적의 대체를 초래한다.
세척용 액체의 유입은 바람직하게 콘테이너의 하부에서 발생하는 반면, 혼합물의 배출은 오버플로우에 의해 수행된다. 그러므로 배출은 부가적 펌핑 장치를 필요로 하지 않는다. 배출의 위치로부터 멀리 떨어진 콘테이너 하부에서의 유입은 유입된 세척액의 최소량이 배출되게 한다. 또한, 기울기와 관련하여, 이런 구조는 부가적 온도 기울기를 가진다는 부가적인 장점을 가질 수 있다. 이것은 경제적인 측면 및 시간 절약에 관련하여 장점이 된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서 화학 처리를 위한 액체는 묽은 플루오르화 수소산이다. 묽은 플루오르화 수소산(HF)의 처리는 기판 표면의 산화물 층을 제거하며, 임의의 다음 공정을 위해 필요한 소수성의 수소 보호막 표면을 제공하는 역할을 한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에서 화학 처리를 위한 액체는 오존이다. 오존을 사용한 처리는 세척 목적용 HF를 사용한 처리후 기판 표면에 화학적 산화물의 성장이 다시 요구될 때 수행되어 소수성 표면을 제공한다.
바람직하게, 적어도 하나의 기판을 콘테이너에 삽입 및/또는 콘테이너로부터 제거하기 위한 방법은 상기 기판이 수용 장치에 의해 콘테이너에 고정되고 상기 수용 장치에 삽입되며 제거되도록하여 독창적으로 해결된다.
본 발명의 장점은 기판의 삽입과 제거를 위한 기판용 홀더로서 카세트가 더이상 필요하지 않다는 것이다. 그러므로 본 발명의 방법은 캐리어가 필요하지 않다. 따라서, 건조 단계와 관련한 캐리어의 공지된 단점(건조는 기판 상의 캐리어 위치에서 발생하지 않음)은 방지된다. 본 발명의 수용 장치는 캐리어가 아니라, 단순히 하나 이상의 기판을 위한 전후 이동 가능한 지지 수단이다. 캐리어가 없는 건조는 캐리어를 건조하는 단계의 제거 및 린스 또는 세척 공정에 관련한 요구 시간과 린스용 또는 세척용 액체의 소비를 감소시킨다. 또한 건조기에서 화학 물질의 동반은 캐리어가 없는 공정으로 감소된다.
유리하게, 수용 장치는 2개 부분의 지지 장치와 분리되고, 수직적으로 이동가능한 블레이드로 구성된다.
바람직하게, 수용 장치는 콘테이너로부터 후드의 반대 내부 측면에 배열되는 가이드에 의해 각각 안내되고 고정될 수 있는 위치까지 기판을 이동시킨다.
바람직한 실시예에서 이동 가능한 홀더는 콘테이너로부터의 이동 후 건조 상태의 콘테이너 상의 기판 위치에 기판을 고정하도록 제공된다. 후드 내부 및 아래에 있는 각각의 이동 가능한 홀더는 기판이 이동 가능한 홀더에 의해 고정될 때, 후드가 기판의 위치를 변화시키지 않고 문제없이 각각 개방되고 밀폐될 수 있도록 디자인된다. 상기 이동 가능한 홀더는 항상 건조되어 있으며, 단지 이미 건조된 기판과 접촉한다.
유리하게, 본 발명의 방법은 초음파 및 메가-음파(megasound)에 의해 세척 및 세정 단계의 개선을 위해 제공된다. 유리하게, 이런 목적을 위해 콘테이너에는 기판을 세정하기 위한 음파를 발생하기 위해 피에조-엘리먼트(piezo-element)가 제공된다. 이런 "메가-음파" 시스템은 기판의 미립자 오염이 본 발명의 방법에 의해 최소로 감소되기 때문에 유리하다. 그러므로, 기판의 매우 철저한 세정이 달성된다. 본 발명의 목적은 또한 화학적인 처리를 위한 장치에 의해 독창적으로 해결되는데, 상기 장치는, 상기 저장 용기(10)내에 액체를 유입하기 위한 유입 장치(25, 30, 31, 35, 36, 37, 38, 49, 40), 상기 저장 용기(10)로부터 상기 액체를 배출하기 위한 배출장치(7, 23), 상기 기판(2)을 수용하기 위한 수용 장치(42, 43, 44), 상기 저장 용기상의 기상화 장치, 상기 저장 용기 및 상기 기상화 장치 상의 후드(12), 및 상기 기판(2)을 홀딩하기 위한 상기 후드(12)의 가이드 수단(42, 43, 44)을 포함한다.
바람직하게, (내부)콘테이너에 부가적으로 그것의 외부의 외부 콘테이너는 예를 들어 안전 저장 용기의 역할을 하도록 제공된다.
대체될 액체의 균일한 오버플로우에 관련하여 콘테이너를 레벨링하기 위해, 레벨링 나사가 유리하게 제공된다.
유리하게, 유입 장치는 바람직하게 콘테이너의 하부에 있는 확산기이다. 이것은 예를 들어 전술한 오존(O3)을 위한 수단이다.
액체, 예를 들어 묽은 플루오르화 수소산의 경우에, 인입 장치와 협력하는 펌프도 바람직하게 콘테이너의 하부에 있어 유리하다.
본 발명의 장치에서, 후드는 콘테이너, 또한 건조된 기판을 미립자 오염으로 부터 보호하고, 콘테이너 위의 영역에 빈틈이 없는 증기압을 제공하기 위해 콘테이너 위에 제공된다. 증기를 유입하기 위해, 후드는 집적된 확산기, 예를 들어 IPA(이소프로필 알콜 : Isopropyl alcohol)/N2혼합물의 유입과 확산을 위해 각각 후드에 집적되는 관통된 확산기 플레이트를 가진다. 이런 방식으로, 각각의 웨이퍼를위한 공정 조건이 동일하도록, 모든 기판을 위한 균일하고 동일한 증기압이 공정 챔버에 생성된다. 상기 질소와 IPA의 혼합물은 버블러(bubbler)에서 발생한다.
바람직하게, 기판은 블레이드 형태의 부분, 즉 블레이드, 예를 들어 2개의 지지 수단을 포함하는 수용 장치를 사용하여 콘테이너에 고정된다. 상기 블레이드와 지지 수단은 서로에 관련하여 이동 가능하며, 블레이드는 유리하게 2개의 지지 수단사이에 위치된다. 상기 지지 수단은 콘테이너에 배치되는 반면, 또한 상기 블레이드는 액체로부터 제거될 수 있다.
본 발명에서 후드는 콘테이너 위에 가이드 수단을 가진다. 상기 가이드 수단은 유리하게 2개의 서로 마주보게 배열된 측면에서 후드의 내부 측면에 접속된다. 기판, 예를 들어 실리콘 웨이퍼는 이런 가이드 수단으로 각각 안내되고, 고정될 수 있다.
상기 가이드 수단은 후드의 반대 측면에 접속된다. 그것은 다수의 기판을 수용하기 위한 그루우브(groove) 형태이다. 그러므로, 기판을 고정하기 위한 카세트의 사용은 불필요하다.
바람직하게, 후드의 가이드부가 3개 부분으로 되어있어, 수용 장치의 적어도 하나의 가장 자리는 기판의 수용을 용이하게 하기 위해 경사져 있다.
유리하게, 가이드의 적어도 한 부분은 기판을 용이하게 수용하기 위해 경사진 가장자리를 가진다. 또한, 이것은 후드의 개방과 밀폐를 단순화 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 이동 가능한 홀더는 후드 아래 및 콘테이너 위의 외부로부터 콘테이너 위의 위치까지 인도될 수 있다. 상기 홀더는 아크 형태의 함몰부를 가진다. 상기 이동 가능한 홀더, 후드의 수용 장치, 블레이드 어셈블리, 및 2개의 지지 수단은 그들 자체에 의해 콘테이너내에 기판을 고정할 수 있다. 기판이 이동 가능한 홀더의 아크 형태의 함몰부에 위치될 경우와 가이드 수단에 의해 후드에 고정될 경우, 상기 후드는 기판을 동반하지 않고 개방될 수 있다. 다음에, 기판은 작동자가 추가 처리를 위해 이동 가능한 홀더를 제거할 때까지 이동 가능한 홀더에 의해서만 고정된다.
도 1은 기판, 특히 웨이퍼(2)의 화학적 습식 처리를 위한 장치(1)를 도시한다. 상기 장치(1)는 외부 콘테이너(5)와 내부 콘테이너(10)로 구성된다. 상기 외부 콘테이너(10)는 외부 환형 챔버(6)와 내부 환형 챔버(7)를 가진다. 상기 내부 콘테이너(10) 위에 개방 장치(13)를 가지는 후드(12)가 상기 내부 콘테이너(10)를 커버하기 위해 제공된다. 상기 후드(12)는 예를 들어 IPA/N2혼합물이 유입될 수 있는 확산기 플레이트(14)에 의해 한정된 챔버를 가진다. 상기 내부 콘테이너(10)는 상기 내부 콘테이너(10)의 하단부에 배치된 좁은 실린더(18)를 포함한다. 프러스토-코니컬 중간부(20)는 상기 내부 콘테이너(10)의 직경을 넓은 실린더(19)로 넓힌다. 상기 내부 콘테이너(10)의 상단부의 가장자리에는 경사진 외부 가장자리(23)가 형성된다. 이것은 액체의 오버플로우와 관련하여 상기 내부 콘테이너(10)의 상부 가장자리의 특성을 개선시킨다. 상기 내부 콘테이너(10)를 상기 외부 콘테이너(5)에 연결하고, 상기 외부 콘테이너의 챔버(6)에 배열되는 레벨링 나사(4)를 가지고, 상기 내부 콘테이너(10)는 콘테이너의 전장에 걸친 액체의 균일한 오버플로우를 위해 레벨링 될 수 있다. 상기 내부 콘테이너(10)의 하부(11)는 서로 꼭대기에 배열된 2개의 인입 장치, 즉 확산기(25)와 인입 장치(26)를 가진다. 상기 확산기(25)는 상기 인입 장치(26) 위에 배열된다. 상기 확산기(25)는 라인(30)으로 바람직하게 오존(O3)을 수용하는 액체 콘테이너(35)에 연결된다. 도면에서 오존의 흐름 방향은 화살표에 의해 표시된다. 상기 인입 장치(26)는 라인(31)으로 펌프(36)에 연결된다. 상기 펌프(36)는 상기 액체 저장 용기(37, 38)로부터 라인(39, 40)을 통해 기판(2)을 위한 화학 처리용 액체, 묽은 플루오르화 수소산을 임의로 펌핑한다. 도 1에서, 화살표는 라인(31)의 펌핑된 액체의 액체 방향을 나타낸다. 블레이드(42)가 내부 콘테이너(10)로부터 웨이퍼(2)를 들어올리고, 상기 웨이퍼(2)는 내부 콘테이너(10)위의 홀더(51)에 의해 후드(12)내에 고정된다. 상기 가이드 수단 또는 수용 장치(51)는 지지 수단(43, 44)과 유사하게 카세트 없이 동시에 다수의 웨이퍼를 수용하기 위한 그루우브 형태를 가진다. 상기 가이드 수단(51)에 웨이퍼(2)의 삽입을 용이하게 하기 위해, 상기 가이드 수단(51)의 한 가장자리(52)는 경사져 있다. 상기 웨이퍼(2)는 가이드 수단(51)에 의해 고정되거나 안내된다. 상기 외부 콘테이너(5)는 개방부(9)를 가지는 커버(8)에 의해 위쪽에서 고립된다. 안전 저장 용기로서 제공된 외부 콘테이너(5)는 중앙 원형 개구를 가진 디스크 형태의 중간부(50)를 가지고, 넓은 실린더(49)에 연결되는 좁은 실린더(48)를 포함한다. 상기 내부 실린더(49)는 오버플로우 액체가 각각 배출될 수 있고 개구(9)를 통해 펌핑될 수 있는 각각의 내부 환형 챔버(7)의 외부 쉘과 외부 환형 챔버(6)의 내부를 형성한다.
도 2는 도 2내지 도 9에 나타낸 공정 순서의 제1 단계를 도시한다. 도 2에서는 하나의 웨이퍼(2)에 의해 표시되고, 그립핑 장치(90)를 가지고 장치에 제공되는 웨이퍼 패킷(packet)이 도시된다. 상기 가이드 수단(51)에 연결된 후드(12)는 자동 실린더(15)에 의해 개방된다. 상기 블레이드(42)와 좌우 지지 장치(43, 44)가 상기 웨이퍼(2)를 수용하기 위해 준비된다. 이런 목적을 위해, 나중에 웨이퍼(2)가 위치하는 아아크-형태의 절단부(60, 61)에 의해 한정된 환형선에 상기 블레이드(42)의 끝이 위치되도록 상기 블레이드(42)는 상기 지지 수단(43, 44)에 대하여 가볍게 하강된다.
도 3은 예를 들어 HF로 채워진 내부 콘테이너(10)에 웨이퍼(2)를 하강시키는것을 도시한다.
도 4는 콘테이너(10) 위의 후드(12)가 밀폐되고, 웨이퍼(2)가 대략 중간부(20)의 레벨 정도의 낮은 위치에 있는 내부 콘테이너(10)로 하강되고 있는 것을 도시하는데, 블레이드(42)와 좌우 지지 수단(43, 44)이 동일한 속도로 아래쪽으로 이동된다.
도 5에서 내부 콘테이너(10)로부터 웨이퍼(2)의 제거와 같은 웨이퍼(2)의 건조 단계가 도시된다. 독창적으로, 도 4와 도 5에 도시된 단계 사이에 화학적 처리 액체(HF)가 다른 액체에 의해 대체되는데, 최종 단계와 같이 바람직하게 세척용 액체가 유입된다. 바람직하게, 상기 내부 콘테이너(10) 위에서 웨이퍼는 기판(2)에 응축되지 않는 증기에 노출되는데, 세척용 액체와 증기의 혼합물은 단일의 세척용 액체에 비교하여 감소된 표면 장력을 가진다. 이런 단계를 위해, 상기 후드(12)는 여전히 밀폐된 위치에 있다. 유리하게, 상기 블레이드(42)가 일정한 속도로 위쪽으로 이동되며, 2개의 지지 수단(43,44)이 상기 블레이드 뒤에 머무르도록 절반 속도로 이동된다.
도 6에서 지지 수단(43, 44)이 정지되고, 추가 웨이퍼(2)의 들어 올림이 단지 상기 블레이드(42)에 의해 발생한다. 상기 블레이드(42)에 의해서만 제거되기 전에 웨이퍼(2)는 여전히 콘테이너(10)에서 세척용 액체와 접촉하고 있다.
도 7에서 건조 단계의 종결, 예를 들면 웨이퍼가 완전히 내부 콘테이너(10)로부터 제거되고, 블레이드(42)와 가이드 수단(51)에 의해 고정되는 것을 나타낸다.
도 8은 후드가 개방된 후, 예를 들어 가이드 수단(51)의 제거 동안에 홀더 위치의 아래로부터 웨이퍼(2)를 고정시키도록 후드(12)가 개방되기 전에 이동 가능한 홀더(70, 71)가 내부 콘테이너(10) 상의 공간에 인도되는 것을 도시한다. 상기 웨이퍼(2)는 단지 이동 가능한 홀더(70, 71)에 의해 고정될 수 있고, 예를 들어 블레이드(42), 지지 수단(42, 43) 및 웨이퍼 가이드 수단(51)은 상기 웨이퍼(2)를 추가로 고정시키기 위해 더 이상 필요하지 않다. 상기 이동 가능한 홀더(70, 71)는 홀더 위치에 웨이퍼(2)를 고정시키기 위해 아크-형태의 절단부를 가진다. 도 8은 또한 상기 블레이드(42)가 다시 내부 콘테이너(10)에서 좌우 지지 수단(43과 44) 아래의 블레이드 초기 위치(도 2에 비교하여)로 하강되는 것을 도시한다.
도 9에서 후드(12)는 개방되고, 그립핑 장치(90)는 추가 공정을 위해 장치(1)로부터 기판을 제거한다. 그러므로 도 2내지 도 9는 공정을 도시한다.
이상에서는 본 발명의 양호한 일 실시예에 따라 본 발명이 설명되었지만, 첨부된 청구 범위에 의해 한정되는 바와 같은 본 발명의 사상을 일탈하지 않는 범위내에서 다양한 변형이 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에게는 명백하다.
본 발명은 적어도 하나의 기판이 실질적으로 화학적 처리, 세척 단계, 및 건조 단계를 받는 화학적 기판 처리 방법 및 전술한 화학적 처리를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
Claims (26)
- 적어도 하나 이상의 기판(2)이 순차적으로 화학 처리되어 세척되고, 건조 처리되며, 상기 화학 처리와 세척 처리는 동일한 저장기(10)에서 수행되고, 상기 건조 처리는 상기 기판을 상기 저장기(10)로부터 천천히 제거함으로써 수행되며 상기 기판(2)을 상기 저장기(10)로부터의 제거하는 동안 후드(12)내의 가이드 수단(51)에 의해 상기 기판(2)이 고정되고, 상기 후드(12)는 상기 저장기(10) 상부 영역에 타이트한(tight) 증기압을 제공하여 증기가 후드속으로 주입되며, 상기 기판(2)을 제거한 후 이동식 홀더(70, 71)가 기판 밑으로 이동되어, 그 위치에서 기판을 고정시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 저장기(10)에서의 화학 처리용 유체가 또다른 화학 처리용 유체 및/또는 세척용 유체로 대체되거나 부분적으로 대체되는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 건조 처리는 상기 기판(2)을 상기 세척용 유체로부터 제거하는 동안에 수행되는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판(2)상에 응축되지 않고 상기 세척용 유체로 확산되는 증기를 제공하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 증기와 상기 세척용 유체의 혼합물은 상기 세척용 유체의 표면 장력보다 더 낮은 표면 장력을 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,화학 처리용 유체를 또다른 화학 처리용 유체 및/또는 세척용 유체로 대체하는 것이 치환에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,세척용 유체가 저장 용기(10)내로 유입되며 화학 처리용 유체 혼합물 또는 화학 처리용 유체와 세척용 유체의 혼합물이 각각 동시에 배출되는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 7 항에 있어서,또다른 화학 처리용 유체 또는 세척용 유체의 유입 및 상기 화학 처리용 유체의 배출이 저장기(10)의 서로 다른 위치에서 발생하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 7 항에 있어서,또다른 화학 처리용 유체와 세척용 유체의 유입이 저장기(10)의 하부에서 발생하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 혼합물의 배출이 오버플로우에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,화학 처리용 유체가 희석된 불화수소산인 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,화학 처리용 유체가 오존인 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판(2)을 삽입 및/또는 제거하는 동안에 수용 장치(42, 43, 44)에 의해 상기 기판(2)이 저장기(10) 내에 고정되는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서,수용 장치는 블레이드(42) 및 지지체(43, 44)를 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,블레이드(42)와 상기 지지체(43, 44)가 상기 후드(12)내의 가이드 수단(51)에 의해 고정될 때까지 상기 기판을 들어올리는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세척 처리가 메가 음파 처리에 의해 강화되는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 방법.
- 화학적으로 기판(2)을 처리하는 장치(1)에 있어서,저장기(10) 속으로 유체를 유입하는 장치(25, 30, 31, 35, 36, 37, 38, 49, 40);상기 저장기(10)로부터 유체를 배출하는 장치(7, 23);상기 기판(2)을 수용하는 장치(42, 43, 44);상기 저장기(10) 상부에 있는 기화 장치;상기 저장기(10)와 상기 기화 장치 상부에 있는 후드(12); 및상기 기판(2)을 유지하도록 상기 후드(12)의 가이드 수단(51)을 포함하며,상기 후드(12)가 저장기(10) 상부 영역에 타이트한 증기압을 제공하여 증기가 후드속으로 주입되고, 상기 저장기(10) 상부에 기판(2)을 향하는 이동식 홀더(70, 71)가 제공되며, 상기 기판(2)을 제거한 후 기판 아래로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 배출 장치(7, 23)는 오버플로우 장치(23)인 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,외부 저장기를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 장치는 상기 저장기를 레벨링(leveling)하는 레벨링 나사를 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 유입 장치(25, 30, 31, 35, 36, 37, 38, 49, 40)는 확산기(25)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 유입 장치(25, 30, 31, 35, 36, 37, 38, 49, 40)는 인입 장치(26)를 갖는 펌프(36)인 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 기판(2) 수용 장치(42, 43, 44)가 블레이드(42) 및 지지체(43, 44)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 가이드 수단(51)은 2개 부품을 포함하며 기판의 위치의 측방에서 상기 기판(2)을 고정하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 가이드 수단(51)의 적어도 한 부분은 경사진 에지(edge)(52)를 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,메가 음파 처리를 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기판 처리 장치.
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US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
DE19549487C2 (de) * | 1995-01-05 | 2000-11-16 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur chemischen Naßbehandlung |
US5714203A (en) * | 1995-08-23 | 1998-02-03 | Ictop Entwicklungs Gmbh | Procedure for the drying of silicon |
DE19541436C2 (de) * | 1995-11-07 | 1998-10-08 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank |
KR0179784B1 (ko) * | 1995-12-19 | 1999-04-15 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
DE19637875C2 (de) | 1996-04-17 | 1999-07-22 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur Naßbehandlung von Substraten |
DE19703646C2 (de) * | 1996-04-22 | 1998-04-09 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
DE19652526C2 (de) * | 1996-04-22 | 2000-12-07 | Steag Micro Tech Gmbh | Transporteinrichtung für Substrate und Verfahren zum Beladen der Transporteinrichtung mit Substraten |
EP0897593B1 (de) * | 1996-04-22 | 2001-09-26 | STEAG MicroTech GmbH | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter |
US6270585B1 (en) | 1996-04-22 | 2001-08-07 | Steag Microtech Gmbh | Device and process for treating substrates in a fluid container |
DE19616400C2 (de) * | 1996-04-24 | 2001-08-30 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
DE19655219C2 (de) * | 1996-04-24 | 2003-11-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
DE19616402C2 (de) * | 1996-04-24 | 2001-11-29 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
US6240938B1 (en) | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
DE19644779C2 (de) * | 1996-10-28 | 2001-06-28 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere auch von Halbleiterwafern |
DE19640848C2 (de) * | 1996-10-03 | 1998-07-16 | Steag Microtech Gmbh Pliezhaus | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
DE19644255C1 (de) | 1996-10-24 | 1998-04-30 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Verwendung der Vorrichtung |
DE19644254A1 (de) * | 1996-10-24 | 1998-05-07 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
DE19644253A1 (de) | 1996-10-24 | 1998-05-07 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
DE19645425C2 (de) | 1996-11-04 | 2001-02-08 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
DE19648498C1 (de) | 1996-11-22 | 1998-06-10 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleiter-Wafern |
US5954068A (en) * | 1996-12-06 | 1999-09-21 | Steag Microtech Gmbh | Device and method for treating substrates in a fluid container |
KR100226489B1 (ko) * | 1996-12-28 | 1999-10-15 | 김영환 | 웨이퍼 지지 및 이송 기구 |
DE19706072C1 (de) | 1997-02-17 | 1998-06-04 | Steag Microtech Gmbh Pliezhaus | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
US6350322B1 (en) | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
US6068002A (en) * | 1997-04-02 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Limited | Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method |
US7416611B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
US6164297A (en) * | 1997-06-13 | 2000-12-26 | Tokyo Electron Limited | Cleaning and drying apparatus for objects to be processed |
JP3151613B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄・乾燥処理方法及びその装置 |
US6695926B1 (en) * | 1997-07-09 | 2004-02-24 | Ses Co., Ltd. | Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same |
JPH1126423A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Sugai:Kk | 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置 |
KR100707107B1 (ko) * | 1997-07-17 | 2007-12-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정.건조처리방법및장치 |
US5884640A (en) * | 1997-08-07 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for drying substrates |
DE19738147C2 (de) * | 1997-09-01 | 2002-04-18 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren zum Behandeln von Substraten |
US5807439A (en) * | 1997-09-29 | 1998-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers |
JP3043709B2 (ja) | 1997-11-19 | 2000-05-22 | 株式会社カイジョー | 基板の乾燥装置 |
TW444291B (en) * | 1997-12-10 | 2001-07-01 | Cfmt Inc | Wet processing methods for the manufacture of electronic components |
US6047717A (en) * | 1998-04-29 | 2000-04-11 | Scd Mountain View, Inc. | Mandrel device and method for hard disks |
DE19830162A1 (de) * | 1998-07-06 | 2000-01-20 | Steag Electronic Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten |
US6273100B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Surface cleaning apparatus and method |
US6216709B1 (en) | 1998-09-04 | 2001-04-17 | Komag, Inc. | Method for drying a substrate |
US6571806B2 (en) * | 1998-09-04 | 2003-06-03 | Komag, Inc. | Method for drying a substrate |
US6165912A (en) * | 1998-09-17 | 2000-12-26 | Cfmt, Inc. | Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel |
US6328809B1 (en) * | 1998-10-09 | 2001-12-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Vapor drying system and method |
US6517636B1 (en) | 1999-01-05 | 2003-02-11 | Cfmt, Inc. | Method for reducing particle contamination during the wet processing of semiconductor substrates |
US6261845B1 (en) | 1999-02-25 | 2001-07-17 | Cfmt, Inc. | Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates |
US6328814B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
US6378544B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-04-30 | Cfmt, Inc. | Pressure relief device and method of using the same |
TW499696B (en) * | 1999-04-27 | 2002-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and processing method |
US6625901B1 (en) | 1999-05-27 | 2003-09-30 | Oliver Design, Inc. | Apparatus and method for drying a thin substrate |
DE19924302A1 (de) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten |
US6532975B1 (en) * | 1999-08-13 | 2003-03-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US6192600B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-02-27 | Semitool, Inc. | Thermocapillary dryer |
US6554911B1 (en) | 1999-10-15 | 2003-04-29 | Corning Incorporated | En masse process for cleaning thin polarizing glass devices |
JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
US6352623B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-03-05 | Nutool, Inc. | Vertically configured chamber used for multiple processes |
KR100639840B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2006-10-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리장치 |
JP2003526936A (ja) | 2000-03-13 | 2003-09-09 | シーエフエムテイ・インコーポレーテツド | 電子部品処理用の方法及び装置 |
DE10118167B4 (de) * | 2000-04-11 | 2007-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von Halbleiterwafern |
SE0001369L (sv) * | 2000-04-13 | 2001-10-14 | Obducat Ab | Förfarande vid samt apparat för bearbetning av substrat |
DE10020185C2 (de) | 2000-04-25 | 2002-08-08 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Halbleiterwafern |
EP1168422B1 (en) * | 2000-06-27 | 2009-12-16 | Imec | Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate |
JP4602540B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2010-12-22 | オメガセミコン電子株式会社 | 基板処理装置 |
US6564469B2 (en) | 2001-07-09 | 2003-05-20 | Motorola, Inc. | Device for performing surface treatment on semiconductor wafers |
US20030234029A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-12-25 | Semitool, Inc. | Cleaning and drying a substrate |
CN101499413B (zh) * | 2001-11-02 | 2011-05-04 | 应用材料股份有限公司 | 单个晶片的干燥装置和干燥方法 |
US7513062B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
JP2003164816A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-10 | Fine Machine Kataoka Kk | 洗浄装置と、そのワーク搬送方法 |
US20030130636A1 (en) † | 2001-12-22 | 2003-07-10 | Brock Earl David | System for improving skin health of absorbent article wearers |
DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
US20040154641A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-12 | P.C.T. Systems, Inc. | Substrate processing apparatus and method |
US20040031167A1 (en) | 2002-06-13 | 2004-02-19 | Stein Nathan D. | Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife |
KR100481309B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 건조장비 |
US7614411B2 (en) * | 2002-09-30 | 2009-11-10 | Lam Research Corporation | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head |
US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US8328939B2 (en) | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
US8074599B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
WO2006010109A2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Akrion Technologies, Inc. | Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration |
WO2006017108A2 (en) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Akrion, Llc | System and method for pre-gate cleaning of substrates |
JP4429106B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-03-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板エッチング装置 |
US7429410B2 (en) | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
US8388762B2 (en) * | 2007-05-02 | 2013-03-05 | Lam Research Corporation | Substrate cleaning technique employing multi-phase solution |
US9172572B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Digital video broadcasting-cable system and method for processing reserved tone |
US20110186088A1 (en) * | 2010-01-31 | 2011-08-04 | Miller Kenneth C | Substrate nest with drip remover |
DE102014207266A1 (de) | 2014-04-15 | 2015-10-15 | Siltronic Ag | Verfahren zum Trocknen von scheibenförmigen Substraten undScheibenhalter zur Durchführung des Verfahrens |
DE102023100730B4 (de) | 2023-01-13 | 2024-09-19 | Gsec German Semiconductor Equipment Company Gmbh | Verfahren zum Reinigen von topfförmigen Hohlkörpern, insbesondere von Transportbehältern für Halbleiterwafer oder für Lithografie-Masken mit einer entsprechenden Vorrichtung |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
EP0385536A1 (en) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and arrangement for drying substrates after treatment in a liquid |
US4984597A (en) * | 1984-05-21 | 1991-01-15 | Cfm Technologies Research Associates | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
US5143103A (en) * | 1991-01-04 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus for cleaning and drying workpieces |
US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163435A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ洗浄装置 |
US4611966A (en) * | 1984-05-30 | 1986-09-16 | Johnson Lester R | Apparatus for transferring semiconductor wafers |
US4722752A (en) * | 1986-06-16 | 1988-02-02 | Robert F. Orr | Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers |
US4841645A (en) * | 1987-12-08 | 1989-06-27 | Micro Contamination Components Industries | Vapor dryer |
JPH01210092A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sonitsuku Fueroo Kk | 精密洗浄の乾燥方法 |
JPH0247046U (ko) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | ||
DE4100126C2 (de) * | 1991-01-04 | 1995-06-08 | Metakon Metallverarbeitung Gmb | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von verschmutzten, insbesondere metallischen Gegenständen mittels einer Reinigungsflüssigkeit |
US5226242A (en) * | 1992-02-18 | 1993-07-13 | Santa Clara Plastics, Division Of Preco, Inc. | Vapor jet dryer apparatus and method |
US5301701A (en) * | 1992-07-30 | 1994-04-12 | Nafziger Charles P | Single-chamber cleaning, rinsing and drying apparatus and method therefor |
JP2902222B2 (ja) * | 1992-08-24 | 1999-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理装置 |
-
1994
- 1994-04-15 DE DE4413077A patent/DE4413077C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-17 CN CN94195079A patent/CN1047870C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-17 WO PCT/EP1994/001585 patent/WO1995028736A1/de active IP Right Grant
- 1994-05-17 AT AT94917638T patent/ATE208086T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-05-17 DE DE59409931T patent/DE59409931D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-17 US US08/367,358 patent/US5569330A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-17 EP EP94917638A patent/EP0755571B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-17 KR KR1019960705774A patent/KR100364161B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-05-27 TW TW083104843A patent/TW279997B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
US4984597A (en) * | 1984-05-21 | 1991-01-15 | Cfm Technologies Research Associates | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
US4984597B1 (en) * | 1984-05-21 | 1999-10-26 | Cfmt Inc | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
EP0385536A1 (en) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and arrangement for drying substrates after treatment in a liquid |
US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
US5143103A (en) * | 1991-01-04 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus for cleaning and drying workpieces |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HANDBOOK OF SEMICONDUCTOR WAFER CLEANING TECHNOLOGY (저자명: WERNER KERN, 발행연도:1993, 출판사: NOYES PUBLICATIONS, 발행국:USA, 페이지:24,25,145,393,414 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0755571B1 (de) | 2001-10-31 |
DE59409931D1 (de) | 2001-12-06 |
DE4413077A1 (de) | 1995-10-19 |
TW279997B (ko) | 1996-07-01 |
EP0755571A1 (de) | 1997-01-29 |
ATE208086T1 (de) | 2001-11-15 |
WO1995028736A1 (de) | 1995-10-26 |
CN1145691A (zh) | 1997-03-19 |
KR970702576A (ko) | 1997-05-13 |
CN1047870C (zh) | 1999-12-29 |
DE4413077C2 (de) | 1997-02-06 |
US5569330A (en) | 1996-10-29 |
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