KR970067644A - 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 매립 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 콘택홀이 형성된 층간 절연막 상부에 낮은 온도 분위기에서 금속을 리플로우하여 금속의 표면을 매끄럽게 한 후, 질소 또는 아르곤 가스를 이용하여 고온 분위기하에서 콘택 또는 비아 홀의 사이드 또는 바닥 부분에 발생된 보이드 부분을 갭 필링하여 급속의 표면에 변화없이 스텝 커버리지(Step Coverage)및 콘택레지스턴스(Contact Resistance)를 향상시키고, 이 후 공정인 금속 마스크 및 에칭 공정 진행을 용이하게 하여 미세한 금속 패턴을 형성할 수 있도록 한 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법이 개시된다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 매립 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 소자의 콘택홀 매립 방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성된 상부면에 알루미늄 금속층을 형성하는 단계와, 상기 알루미늄 금속층 표면을 고온 분위기하에서 공정 가스를 고압화시켜 금속층 표면을 수평하게 프레스하여 콘택홀 내부에 발생된 보이드부분을 갭 필링하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄 금속층은 스퍼터링 방식으로 300 내지 400℃의 온도로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄 금속층은 질소 가스를 이용하여 400 내지 450℃의 온도 및 600 내지 700atm의 압력하에서 리플로우하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 매립방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄 금속층은 아르곤 가스를 이용하여 400 내지 450℃의 온도 및 600 내지 700atm의 압력하에서 리플로우하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 매립방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100505039B1 (ko) * 1998-07-04 2005-09-30 삼성전자주식회사 반도체 장치의 비아 콘택홀 필링 방법
KR100640162B1 (ko) * 1999-06-28 2006-10-31 주식회사 하이닉스반도체 가스 분압차를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법

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