KR960026158A - 고집적 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
고집적 반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고집적 반도체소자의 제조시 실록산 스핀 온 글래스(Siloxane Spin On Glass)막을 사용하는 소자에서 배선막 증착 전에 산소 분위기의 플라즈마 처리로 인하여 산화된 실록산 스핀 온 글래스막에 흡수된 수분을 효과적으로 제거하여 반도체 소자의 특성을 개선하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
배선막 증착 전에 산화된 실록산 시핀 온 글래스막에 흡수된 수분을 아르곤(Ar) 분위기의 플라즈마 처리를 실시하여 미리 제거함으로써 콘택 저항을 낮춰 소자의 특성을 개선함.
4. 발명의 중요한 용도
다단계 금속화 공정이 요구되는 고집적 반도체 소자 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 반도체 소자 제조 방법에 따른 제조 공정도.
Claims (2)
- 고집적 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상의 배선하고자 하는 하부층위에 보로포스포러스 실리케이트 글래스막, 제1금속막, 제1층간 절연막, 실록산 스핀 온 글래스막, 제2층간 절연막이 차례로 형성되어 있는 전체 구조상에, 포토레지스트를 도포하고 콘택 홀 형성을 위한 소정의 마스크 패턴을 형성한 후, 상기 제2층간 절연막, 상기 실록산 스핀 온 글래스 막, 상기 제1층간 절연막을 차례로 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 산소분위기의 플라즈마 처리를 통하여 포토레지스트를 제거하는 단계와, 소정의 온도와 압력하에서 아르곤 가스를 주입하면서 무선 주파수(RF) 전원을 공급하여 아르곤 분위기의 플라즈마 처리를 실시하여 상기 실록산 스핀 온 글래스막에 흡수된 수분을 제거하는 단계 및, 제2금속막을 증착하는 단계를 포함해서 이루어진 고집적 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 아르곤 분위기의 플라즈마 형성시, 온도는 300℃ 내지 450℃로 유지하고, 압력은 2.0Torr 내지 4.0Torr로 유지하고, 500W 내지 1500W의 RF 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034050A KR960026158A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 고집적 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034050A KR960026158A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 고집적 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026158A true KR960026158A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940034050A KR960026158A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 고집적 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026158A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458081B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의비아홀형성방법 |
-
1994
- 1994-12-14 KR KR1019940034050A patent/KR960026158A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458081B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의비아홀형성방법 |
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