KR970055483A - Rs 래치 회로 - Google Patents

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KR970055483A
KR970055483A KR1019950057017A KR19950057017A KR970055483A KR 970055483 A KR970055483 A KR 970055483A KR 1019950057017 A KR1019950057017 A KR 1019950057017A KR 19950057017 A KR19950057017 A KR 19950057017A KR 970055483 A KR970055483 A KR 970055483A
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KR
South Korea
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latch circuit
mos transistor
channel mos
inputting
drain
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Application number
KR1019950057017A
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English (en)
Inventor
김원겸
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 RS 래치 회로에 관한 것으로서, 특히 트랜지스터의 갯수를 감소시킨 RS 래치 회로에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 위하여 전원이 소스에 인가되고 게이트에 세트 입력이 인가되는 P채널 MOS 트랜지스터 수단, P채널 MOS 트랜지스터의 드레인과 리세트를 입력으로 하고 한개의 상태를 출력하는 부정 논리곱 수단, 부정 논리곱 게이트의 출력 단자를 입력으로 하고 출력 단자를 P채널 MOS 트랜지스터의 드레인에 연결하고 또 하나의 상태를 출력하는 인버터 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 복 발명에 의하면, 종래의 RS 래치 회로를 구성하는 트랜지스터 갯수를 8개에서 7개로 줄여 반도체 칩제조시 면적을 줄일 수 있다.

Description

RS 래치 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따라서 트랜지스터 갯수가 감소된 RS 래치 회로를 도시한 것이다.
제3도는 제2도의 부정 논리곱(NAND)의 일반적인 트랜지스터 구성도이다.

Claims (1)

  1. 입력인 리세트 및 세트에 따라 두개의 상태가 출려되는 RS 래치 회로에 있어서, 전원이 소스에 인가되고 게이트에 상기 세트 입력이 인가되는 P채널 MOS 트랜지스터 수단; 상기 P채널 MOS 트랜지스터의 드레인과 상기 리세트를 입력으로 하고 한개의 상태를 출력하는 부정 논리곱 수단; 상기 부정 논리곱 게이트의 출력 단자를 입력으로 하고 출력 단자를 상기 P채널 MOS 트랜지스터의 드레인에 연결하고 또 하나의 상태를 출력하는 인버터 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 RS 래치 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950057017A 1995-12-26 1995-12-26 Rs 래치 회로 KR970055483A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100461970B1 (ko) * 1998-12-22 2005-04-06 매그나칩 반도체 유한회사 면적 감소를 위한 래치 회로_
US7075352B2 (en) 2003-02-18 2006-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Latch-based pulse generator

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100461970B1 (ko) * 1998-12-22 2005-04-06 매그나칩 반도체 유한회사 면적 감소를 위한 래치 회로_
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