KR970053873A - 반도체 장치의 폴리실리콘 저항 - Google Patents
반도체 장치의 폴리실리콘 저항 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 폴리실리콘 저항에 관한 것으로서, 에피층 내에 모조의 확산 영역을 형성하며, 정전기 충격파가 인가되었을 때 기생 PN 다이오드가 형성되어 정전기 충격파를 차단시키고 따라서 소자의 파괴를 방지하는 반도체 장치의 저항 구조이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1실시예에 의한 저항의 구조를 도시한 단면도 및 그 등가 회로도이다.
Claims (3)
- 제1전도형 매몰층과 제1전도형 에피층을 포함하는 제2전도형 반도체 기판, 상기 에피층에 서로 간격을 두고 형성되어 있는 제2전도형 확산 영역, 상기 제2전도형 확산 영역과 간격을 두고 형성되어 있는 제1전도형 확산 영역, 상기 각 확산 영역 상층부를 제외한 상기 기판 상층부 전면에 형성되어 있는 절연막, 상기 제2도전형 확산 영역 사이의 상기 절연막 위에 형성되어 있는 폴리실리콘층을 포함하는 반도체 장치의 폴리실리콘 저항.
- 제1항에서, 상기 기판의 제1도전형 매몰층과 상기 제1도전형 에피층과 간격을 두고 제1도전형의 제2매몰층과 에피층, 상기 제2에피층에 형성되어 있는 제1도전형의 제2확산 영역을 더 포함하는 반도체 장치의 폴리실리콘 저항.
- 제2항에서, 상기 제1도전형 확산 영역과 상기 제1도전형 제2확산 영역 사이의 절연막 위에 형성되어 있는 폴리실리콘층을 더 포함하는 반도체 장치의 폴리실리콘 저항.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062015A KR970053873A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 폴리실리콘 저항 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062015A KR970053873A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 폴리실리콘 저항 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053873A true KR970053873A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66621641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950062015A KR970053873A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 폴리실리콘 저항 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053873A (ko) |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950062015A patent/KR970053873A/ko not_active Application Discontinuation
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