KR970053858A - 저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로 - Google Patents

저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 집적 회로의 정전기 보호 회로에 관한 것으로, 특히 고전압과 저전압이 혼합된 공정에서 저전압 소자를 고전압 회로의 정전기 보호소자로 사용하는 저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로에 관한 것이다.
본 발명은 정전기 보호 회로에 있어서, 외부 제 1 전원 전압이 인가되는 제 1 전원 단자; 외부 제 2 전원 전압이 인가되는 제 2 전원 단자; 제 1 노드에 연결된 집적 회로의 외부 핀 단자; 서로 분리된 독립 웰 영역 내에 형성되고, 상기 제 1 전원 단자와 제 1 노드 사이에 고전압 회로의 정전기 보호를 위한 고전압 소자의 내압 크기 만큼 역방향으로 직렬 연결한 복수의 제 1 저전압 소자들: 및 서로 분리된 독립 웰 영역 내에 형성되고, 상기 제 2 전원 단자와 상기 제 1 노드 사이에 고전압 회로의 정전기 보호를 위한 고전압 소자의 내압 크기 만큼 역방향으로 직렬 연결한 복수의 제 2 저전압 소자들을 구비하여 고전압 회로와 저전압 회로가 혼합된 공정에서, 저전압 소자를 고전압 회로의 정전기 보호소자로 이용하여, 정전기 인가시 주울 열의 발생을 감소시킬 수 있을 뿐만아니라, 고전압 소자를 사용하는데 따른 어려움을 해결할 수 있다.

Description

저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로도.

Claims (4)

  1. 정전기 보호 회로에 있어서, 외부 제 1 전원 전압이 인가되는 제 1 전원 단자; 외부 제 2 전원 전압이 인가되는 제 2 전원 단자; 제 1 노드에 연결된 집적 회로의 외부 핀 단자; 서로 분리된 독립 웰 영역 내에 형성되고, 상기 제 1 전원 단자와 제 1 노드 사이에 고전압 회로의 정전기 보호를 위한 고전압 소자의 내압 크기만큼 역방향으로 직렬 연결한 복수의 제 1 저전압 소자들: 및 서로 분리된 독립 웰 영역 내에 형성되고, 상기 제 2 전원 단자와 상기 제 1 노드 사이에 고전압 회로의 정전기 보호를 위한 고전압 소자의 내압 크기 만큼 역방향으로 직렬 연결한 복수의 제 2 저전압 소자들을 구비한 것을 특징으로 하는 저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 저전압 소자들은 복수의 N-모스 트랜지스터들을 직렬 연결한 것을 특징으로 하는 저전압 소자를 이용한 고전압 회로의 정전기 보호 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 저전압 소자들은 복수의 다이오드를 직렬 연결한 것을 특징으로 하는 저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 저전압 소자들은 복수의 다이오드와 복수의 N-모스 트랜지스터를 직렬 연결한 것을 특징으로 하는 저전압 소자를 이용한 고전압 집적 회로의 정전기 보호 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532384B1 (ko) * 1998-06-24 2006-01-27 삼성전자주식회사 반도체 장치용 esd 보호회로
KR100701778B1 (ko) * 2004-11-09 2007-03-30 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
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