KR970053841A - 반도체 소자의 유전체막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 유전체막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 유전체막 형성방법을 제공하는 것으로, 질화막 증착한 후 상기 질화막상에 폴리 실리콘을 성장시키고, 상기 성장된 폴리실리콘층을 급속한 열산화에 의해 산화막 구조로 형성하여 NO구조를 갖도록 하므로써 누설전류 특성 및 유전률 특성을 증가시켜 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (8)
- 반도체 소자의 유전체막 형성방법에 있어서, 질화막을 성장시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막상에 폴리실리콘을 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 폴리실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막은 NH3및 SiH2C2의 혼합가스를 이용하여 LPCVD로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막은 780 내지 800℃의 온도에서 70 내지 80Å의 두께가 되도록 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 SiH4가스를 이용하여 LPCVD로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 600 내지 650℃의 온도에서 20Å의 두께가 되도록 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 두께가 20Å이 되도록 하기 위해 온도를 550 내지 625℃로 낮추고, SiH4가스의 압력도 낮추어 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.
- 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 폴리실리콘층 형성시 증착비는 5 내지 10A/min인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 폴리실리콘층을 고온의 반응로를 이용한 급속한 산화처리로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065643A KR970053841A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 유전체막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065643A KR970053841A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 유전체막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053841A true KR970053841A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66624161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065643A KR970053841A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 유전체막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053841A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065643A patent/KR970053841A/ko not_active Application Discontinuation
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