KR970053403A - 반도체 소자의 분리 구조 및 그 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 분리 구조 및 그 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 트랜치 구조를 사용하여 고속 바이폴라 소자 또는 바이폴라 트랜지스터 소자에 적용할 수 있도록 한 반도체 소자의 분리 구조 및 그 제조 방법에 관으로서, 반도체 가판의 상부에 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막과 기판 상부를 선택적으로 식각하여 트랜치를 형성하는 단계; 상기 트랜치내 하부 및 측벽에 제1산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물의 상부에 실리콘질화막을 형성하고, 연속적으로 상기 트랜치가 채워지지 않도록 제1폴리실리콘층을 얇게 형성하는 단계; 상기 트랜치 내부를 제외한 기판상의 제1폴리실리콘층을 제거하는 단계; 상기 결과물의 트랜치 측벽에 제2산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물의 상부에 트랜치가 채워지도록 제2폴리실리콘층을 형성하는 단계; 및, 상기 결과물을 기판상의 필드산화막이 제거되도록 평탄화하는 단계에 의해서 반도체 소자의 분리 구조를 형성하는 바, 결국 두 단계의 폴리 실리콘 침적 및 폴리실리콘 산화를 통해 트랜치 폭을 채우는 반도체 소자 분리 구조 형성 방법으로 한번에 침적하는 폴리실리콘층의 두께를 감소시켜 폴리실리콘 침적 설비의 튜브 수명을 연장시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 분리 구조 단면도.
Claims (6)
- 상부로부터 트랜치가 형성된 반도체 기판; 상기 트랜치내 하부와 측벽에 순차적으로 적층된 제1산화막과 실리콘 질화막; 상기 실리콘질화막 상부의 트랜치 측벽에 형성된 제1폴리실리콘층; 상기 제1폴리실리콘층의 상부 트랜치 측벽에 형성된 제2산화막; 및 상기 제2산화막 상부의 트랜치 내부를 채워 형성한 제2폴리실리콘층을 포함하여 이루어진 반도체 소자의 분리 구조.
- 반도체 기판의 상부에 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막과 기판 상부를 선택적으로 식각하여 트랜치를 형성하는 단계; 상기 트랜치내 하부 및 측벽에 제1산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물의 상부에 실리콘질화막을 형성하고, 연속적으로 상기 트랜치가 채워지지 않도록 제1폴리실리콘층을 얇게 형성하는 단계; 상기 트랜치 내부를 제외한 기판사의 제1폴리실리콘층을 제거하는 단계; 상기 결과물의 트랜치 측벽에 제2산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물의 상부에 트랜치가 채워지도록 제2폴리실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 결과물을 기판상의 필드산화막이 제거되도록 평탄화하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 분리 구조 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 필드산화막은 4000~6000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 구조 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1폴리실리콘층은 트랜치 내부가 채워지지 않도록 1000~2000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 구조 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1폴리실리콘층의 열산화에 의해 제2산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 구조 형성 방법.
- 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2산화막은 500~1000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 구조 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950053377A KR970053403A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 반도체 소자의 분리 구조 및 그 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950053377A KR970053403A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 반도체 소자의 분리 구조 및 그 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053403A true KR970053403A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66646728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950053377A KR970053403A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 반도체 소자의 분리 구조 및 그 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053403A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475050B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 스페이서로보호되는박막의질화막라이너를갖는트렌치소자분리방법및구조 |
-
1995
- 1995-12-21 KR KR1019950053377A patent/KR970053403A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475050B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 스페이서로보호되는박막의질화막라이너를갖는트렌치소자분리방법및구조 |
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