KR920005359A - 반도체 소자의 소자격리방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자격리방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도.
Claims (2)
- 도우프된 산화막을 마스크로 실리콘기판을 습식에치하여 제1리세스를 형성하는 단계, 습식에치로 인해 허공에 뜨게되는 도우프된 산화막을 리플로우 시켜 제1리세스 측면에 접촉시키는 단계, 전면에 폴리실리콘을 증착한 다음 다시 도우피된 산화막을 마스크로 상기 폴리실리콘을 습식에치하여 제2리세스를 형성하는 단계, 다시 허공에 뜬 도우피된 산화막을 리플로우시켜 제2리세스 측면에 접촉시키는 단계, 제1리세스의 잔여 폴리실리콘위에 매몰층 및 단결정 씨드형성을 위해 n+단결정을 만드는 단계, 에피층을 성장시켜 소자 액티브영역을 형성하는 단계가 순차적으로 구비됨을 특징으로 하는 반도체소자의 소자격리방법.
- 제1항에 있어서, 폴리실리콘은 선택적인 에피성장 또는 CVD법으로 성장시킴을 특징으로 하는 반도체소자의 소자격리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR930006136B1 KR930006136B1 (ko) | 1993-07-07 |
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ID=19302231
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR930006136B1 (ko) |
-
1990
- 1990-08-10 KR KR1019900012334A patent/KR930006136B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR930006136B1 (ko) | 1993-07-07 |
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