KR970052670A - 플라즈마를 이용한 체임버 세정방법 - Google Patents

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KR970052670A
KR970052670A KR1019950059241A KR19950059241A KR970052670A KR 970052670 A KR970052670 A KR 970052670A KR 1019950059241 A KR1019950059241 A KR 1019950059241A KR 19950059241 A KR19950059241 A KR 19950059241A KR 970052670 A KR970052670 A KR 970052670A
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chamber cleaning
chamber
semiconductor devices
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KR1019950059241A
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Inventor
서강일
유정호
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용되는 체임버내의 반응부산물에 관한 것으로, 반도체 장치의 식각공정에서 발생하여 체임버 벽면에 잔류하는 폴리머를 제거한 방법을 제공하고 있다. 본 발명은 체임버 내에서 반도체 장치의 막질 식각시 발생하는 폴리머를 여러가지 가스의 플라즈마를 이용하여 건식세정의 방법으로 제거하여 줌으로써, 폴리머에 의해 반도체 장치의 수율이 저하되는 것을 방지하고자 한다.

Description

플라즈마를 이용한 체임버 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플루오르카본계 가스의 반응부산물이 체임버 내부에 달라붙는 예를도시한 체임버의 단면도.

Claims (2)

  1. 건식식각공정을 수행하는 반도체장비에 있어서, 반응체임버(10)의 벽면에 형성된 폴리머(14)를 산소 또는 산소와 첨가 가스와의 혼합가스를 소스로 하는 플라즈마를 발생시켜 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 반응 체임버 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 혼합가스 플라즈마로 Ar+O2, CF4+O2, CHF3+O2혼합가스 플라즈마중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 반응체임버 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950059241A 1995-12-27 1995-12-27 플라즈마를 이용한 체임버 세정방법 KR970052670A (ko)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010063031A (ko) * 1999-12-21 2001-07-09 손정하 건식 식각 장비의 세정 방법
KR100333822B1 (ko) * 2000-07-11 2002-04-26 이종성 세라믹계 절연체의 세정방법
KR100445273B1 (ko) * 2001-10-26 2004-08-21 손정하 세라믹 절연체의 세정방법
KR100676206B1 (ko) * 2005-11-14 2007-01-30 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조설비에서의 프로세스 챔버 세정 방법

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