KR970052763A - 반도체 소자의 폴리머 제거 방법 - Google Patents

반도체 소자의 폴리머 제거 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 폴리머 제거방법에 있어서, 식각 대상 막상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 식각 대상막을 탄소/불소 화합물 및 산소가스를 포함한 혼합가스를 이용하여 식각하는 단계; 및 감광막 건식식각 공정 챔버내의 온도를 200℃이하로 낮추어 상기 감광막 패턴을 제거하는 동시에 상기 식각대상 막 식각시 발생되는 잔류 폴리머를 건식식각하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 폴리머 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 따른 폴리머 제거방법을 설명하는 공정단면도.

Claims (18)

  1. 반도체 소자의 폴리머 제거방법에 있어서, 식각 대상 막상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 식각 대상막을 탄소/불소 화합물 및 산소가스를 포함한 혼합가스를 이용하여 식각하는 단계; 및 감광막 건식식각 공정 챔버내의 온도를 200℃이하로 낮추어 상기 감광막 패턴을 제거하는 동시에 상기 식각대상 막 식각시 발생되는 잔류 폴리머를 건식식각하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각대상 막을 식각으로 노출되는 웨이퍼의 표면에 잔류되는 유기물을 제거하기 위하여 황산과 과산화수소의 혼합 용액으로 처리하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식각대상 막은 산화막, 질화막, 금속막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 산화막은 탄소와 불소가 함유된 가스를 반응챔버내로 유입시킨후 플라즈마를 발생시켜 건식식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 탄소/불소 화합물 가스는 CF4, C2F6, C3F|8, C4F8, CHF3, CF3F중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴 제거공정시 챔버내는 마이크로 웨이브의 전력 500~1500W, RF(ratio frequency)전력 0~1000Watt, 압력0.5~10mTorr, C4F85~50sccm, O250sccm이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 감광막 및 폴리머 제거는 O2플라즈마, O2+N2플라즈마, O2+N2+CF4플라즈마, O2+CF4플라즈마 중 적어도 어느 하나를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  8. 제1항에 있어서, 감광막 패턴 및 폴리머 제거단계는 불산이 함유된 희석용액으로 웨이퍼 상에 제거되지 않고 잔류하는 폴리머를 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  9. 제1항에 있어서, 감광막 패턴 및 폴리머 제거단계는 감광막 패턴 제거 공정전에 불산이 함유된 희석용액으로 웨이퍼 상에 잔류하는 폴리머를 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  10. 반도체 소자의 폴리머 제거 방법에 있어서, 식각 대상 막 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 식각대상 막을 식각하는 단계; 감광막 건식식각 공정 챔버내의 온도를 200℃이하로 낮추어 상기 감광막 패턴을 제거하는 동시에 상기 식각대상 막 식각시 발생되는 잔류 폴리머를 건식식각하여 제거하는 단계;및 상기 공정 챔버내의 온도를 200℃이상의 고온에서 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 식각대상 막을 식각으로 노출되는 웨이퍼의 표면에 잔류되는 유기물을 제거하기 위하여 황산과 과산화수소의 혼합 용액으로 처리하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 식각대상 막은 산화막, 질화막, 금속막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 산화막은 탄소와 불소가 함유된 가스를 반응챔버내로 유입시킨후 플라즈마를 발생시켜 건식식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 탄소와 불소 화합물 가스는 CF4, C2F6, C3F|8, C4F8, CHF3, CF3F중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 감광막 패턴 제거공정시 챔버내는 마이크로 웨이브의 전력 500~1500W, RF(ratio frequency)전력 0~1000Watt, 압력0.5~10mTorr, C4F85~50sccm, O250sccm이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 감광막 및 폴리머 제거는 O2플라즈마, O2+N2플라즈마, O2+N2+CF4플라즈마, O2+CF4플라즈마 중 적어도 어느 하나를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  17. 제10항에 있어서, 200℃ 이상의 고온에서 감광막 패턴 및 폴리머 제거단계는 불산이 함유된 희석용액으로 웨이퍼 상에 제거되지 않고 잔류하는 폴리머를 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  18. 제10항에 있어서, 200℃이상의 온도에서 감광막 패턴 및 폴리머 제거단계는 감광막 패턴 제거 공정전에 불산이 함유된 희석용액으로 웨이퍼 상에 잔류하는 폴리머를 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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