KR970052615A - 고밀도 플라즈마 반응로용 중앙 가스 공급 장치 - Google Patents

고밀도 플라즈마 반응로용 중앙 가스 공급 장치 Download PDF

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KR970052615A
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메이 창
레이몬드 홍
케네쓰 에스. 콜린즈
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제임스 조셈 드롱
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Abstract

본 발명은 처리 챔버를 형성하는 반응로 밀봉부, 반도체 천장 원도우, 제품의 처리동안 제품을 유지하기 위한 챔버내의 베이스, 플라즈마 선구 가스를 천장을 통하여 챔버에 수용하기 위한 가스 주입 시스템을 포함하는 반도체 천장, 및 플라즈마 소스 전력을 챔버에 결합하기 위한 장치를 포함하는 제품 처리용 플라즈마 반응로에 의해 구체화된다.

Description

고밀도 플라즈마 반응로용 중앙가스 공급장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 실현하고 연장 가능한 가스 공급 구멍을 가지는 중앙가스 공급 실리콘 천장상에 놓여있는 평면 코일 안테나를 구비한 플라즈마 반응로를 도시한 도.

Claims (13)

  1. 제품을 처리하기 위한 플라즈마 반응로에 있어서, 처리 챔버를 형성하고 베이스위에 놓여있는 반도체 천장을 포함하는 반응로 밀봉부; 제품의 처리동안 상기 제품을 유지하기 위한 상기 챔버내의 베이스; 및 플라즈마 소스 전력을 상기 챔버에 결합하기 위한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 천장은 플라즈마 선구 가스를 상기 챔버에 유입하기 위한 가스 주입 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가스 주입 시스템은 상기 챔버쪽으로 상기 천장 개구부에 다수의 가스 주입 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제품은 평탄화 기판이고, 상기 반도체 천장은 상기 평탄한 기판에 일반적으로 평행하고 위에 놓여있는 상기 반응로 밀봉부의 천장 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 플라즈마 소스 전력을 상기 챔버에 결합하기 위한 상기 장치는 상기 천장 부분위에 놓여있고 상기 반도체 천장을 통하여 상기 평탄한 기판에 마주하는 유도 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 유도 안테나는 상기 평탄한 기판의 평면에 평행한 평탄한 코일인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  7. 제4항에 있어서, 상기 천장 부분은 평탄한 디스크 모양인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 천장의 외부 표면에 밀봉된 중앙가스 공급상부; 및 상기 중앙 가스 공급상부 및 상기 반도체 천장 사이에 형성되고, 상기 가스 주입 포트를 둘러싸는 가스 분기관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 분기관을 가로질러 연장하고 상기 분기관을 한쌍의 서브 분기관으로 분리하는 반도체 차폐장치를 포함하는데, 상기 서브 분기관중 하나는 상기 중앙 가스 공급 상부 근처에 있고, 상기 서브 분기관중 다른 하나는 상기 가스 주입 포트주변에 있고; 및 상기 가스 주입 포트로부터 오프셋하는 상기 반도체 차폐장치를 통한 다수의 가스 공급 통로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반도체 천장은 실리콘을 포함하는 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반도체 천장은 플로우르용 불순물 제거제인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  12. 제3항에 있어서, 상기 가스주입 포트는 일반적으로 상기 반도체 천장의 중앙부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
  13. 제3항에 있어서, 상기 가스 주입 포트는 상기 반도체 천장의 주변 부분 근처에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960064103A 1995-12-12 1996-12-11 고밀도 플라즈마 반응로용 중앙 가스 공급 장치 KR970052615A (ko)

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